「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 128 129 次へ＞- Further, the electrodes 108, 109 are silicidized by heat treatment, and then the film on the interlayer film 116 is removed.
さらに、加熱処理により電極１０８，１０９をシリサイド化した後、層間膜１１６上の膜を除去する。 - 特許庁 - Thus, a shared contact hole 14, having recessed portions 14a-14c, is formed inside the interlayer insulating film 9.
これにより、凹部１４ａ〜１４ｃを有するシェアードコンタクトホール１４が、層間絶縁膜９内に形成される。 - 特許庁 - To provide interlayer insulation without producing cohesion on Cu formed by a Damascene method in a semiconductor device.
半導体装置において、ダマシン法により形成したＣｕに凝集を生じさせない層間絶縁に関する。 - 特許庁 - On the interlayer insulating film 40, a bit line 41 is formed which is electrically connected to the magnetoresistive element.
その層間絶縁膜４０に、磁気抵抗素子に電気的に接続されるビット線４１が形成されている。 - 特許庁 - To provide a composite material excellent in interlayer impact strength and to provide a prepreg excellent in surface tack retainability.
層間の耐衝撃性に優れた複合材料を与え、表面のタック保持性に優れるプリプレグを提供する。 - 特許庁 - To lower rate of occurrence of peeling of an interlayer dielectric and peeling of a pad even when a load is applied to the pad.
パッドに荷重がかかった場合でも、層間絶縁膜の膜剥がれやパッドの剥離の発生率を低くする。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of separation of a film and formation of leak path in a semiconductor device that includes an interlayer insulating film.
層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 26 is formed to partially correspond to a position of a spacer 15 holding a gap between substrates 12, 13.
基板12，13のギャップを保持するスペーサ15の位置に一部が対応するように層間絶縁膜26を形成する。 - 特許庁 - To generate a light receiving signal required for tracking control without affected by interlayer stray light.
層間迷光による影響を受けることなくトラッキング制御に必要な受光信号を生成できるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a stacked circuit module which can form an interlayer connecting electrode quickly and accurately.
迅速且つ精度良く層間接続電極を形成できる積層回路モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A lower interlayer insulating film 11 is formed so as to be brought into contact with the gate electrode 9b, while including a silicon oxide film.
下層層間絶縁膜１１はゲート電極９ｂに接触するように形成され、シリコン酸化膜を含む。 - 特許庁 - A trench 110 and a via hole 111 are formed on an SiOCH layer 103 as an interlayer insulating film.
層間絶縁膜としてのＳｉＯＣＨ層１０３には、トレンチ１１０とビアホール１１１が形成されている。 - 特許庁 - NOVEL POLYCARBODIIMIDE POLYMER AND ITS USE AS ADHESIVE INTERLAYER IN COATING FOR AUTOBILE
新規なポリカルボジイミド重合体、およびそれらの、自動車用コ—ティングにおける接着性中間層としての使用 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in the structure capable of decreasing the aspect ratio of a contact hole penetrating an interlayer insulating film.
層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールのアスペクト比を小さくできる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A pattern corresponding to an interlayer through hole retains a conducive ball in a through hole provided on an insulating resin sheet.
層間スルーホールに対応したパターンで絶縁樹脂シートに設けた貫通孔内に導電性ボールを保持させる。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 6 of a silicon oxide film is formed by a CVD method, etc. on this gate electrode 3.
このゲート電極３上に、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜の層間絶縁膜６が形成される。 - 特許庁 - To reduce the treatment time of an interlayer insulation film in a wafer and make the treatment time constant for each wafer.
層間絶縁膜に関するウェハの処理時間を短縮し，当該処理時間を各ウェハ間で一定にする。 - 特許庁 - To provide an oxygen-absorbing multilayer body excellent in oxygen absorbing performance, resin strength, interlayer strength and resin processability.
酸素吸収性能、樹脂強度、層間強度、樹脂加工性に優れた酸素吸収多層体の提供。 - 特許庁 - The fiber layer 5 is disposed as an interlayer, for example, between a surface layer 2 and the absorbent body 4.
繊維層５は、例えば表面シート２と吸収体４との間に配された中間層として存在する。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass which can inhibit the formation and growth of bubbles in laminated glass.
合わせガラスの発泡の発生及び発泡の成長を抑制できる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁 - The thermosetting resin composition is preferably used as the interlayer resin insulating layer of the printed wiring board.
この熱硬化性樹脂組成物は、プリント配線板の層間樹脂絶縁層として好適に用いることができる。 - 特許庁 - On a wafer W, an interlayer insulating film 10 provided with a via hole 10a and a wiring trench 10b is formed.
ウェハＷは、ビアホール１０ａ及び配線溝１０ｂを備えた層間絶縁膜１０が形成されている。 - 特許庁 - The fire resistive interlayer material 5 is borne by a plurality of bearers 6, arranged in the gap at intervals along its longitudinal direction.
この耐火層間材５を、その長手方向に間隔を置いて配置した複数の支持金具６で支持する。 - 特許庁 - A first interlayer insulation film 2 is formed in a silicon substrate 1, wherein a first wiring layer 3 is buried.
シリコン基板１に第１の層間絶縁膜２を形成しこれに第１の配線層３を埋め込み形成する。 - 特許庁 - An interlayer dielectric 25 is formed on a gate dielectric 21 by using a hydrogenized silicon nitride film to cover therewith a gate electrode 22.
ゲート電極22を覆ってゲート絶縁膜21上に、水素化窒化シリコン膜により層間絶縁膜25を形成する。 - 特許庁 - Also, an interlayer insulating film 150 is formed on the upper part of the photon absorption film by a HDP system.
また、前記フォトン吸収膜の上部にＨＤＰ方式によって層間絶縁膜１５０が形成されている。 - 特許庁 - A crack inducing body G is formed on the interlayer insulation film 3a in a region obliquely over the trimming element T.
トリミング素子Ｔの斜め上方領域の層間絶縁膜３ａ上にクラック誘導体Ｇを形成する。 - 特許庁 - When the interlayer insulation film 8 is etched and approaches to a gate 4 (Figure 1 (b)), the energy of the argon gas is increased.
層間絶縁膜８がエッチングされゲート４に近接すると（図１（ｂ））、アルゴンガスのエネルギを増大させる。 - 特許庁 - To form an interlayer insulating film that has a function as a diffusion prevention film of copper wiring and does not have large dielectric constants.
銅配線の拡散防止膜としての機能を有し、誘電率が大きくない層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a lower Interlayer Dielectric (ILD) layer having a top surface formed on a substrate.
この半導体デバイスは、基板上に形成され、上部表面を有する下部層間誘電体（ＩＬＤ）層を含む。 - 特許庁 - A nonwoven fabric having 0.15-0.6 interlayer strength factor is combined with an adhesive having specific dynamic viscoelasticity.
また層間強度係数γが0.15〜0.6である不織布と特定の動的粘弾性を有する粘着剤を組み合わせる。 - 特許庁 - MODIFIED GRAPHITE, GRAPHITE INTERLAYER COMPOUND AND CATALYST USING THE MODIFIED GRAPHITE AND METHOD FOR PRODUCING THEM
改質黒鉛、その改質黒鉛を用いる黒鉛層間化合物及び触媒並びにそれらの製造方法。 - 特許庁 - An interlayer insulation film is selectively etched by plasma of a gas containing a fluorocarbon gas to form a through-hole.
層間絶縁膜を、フルオロカーボンガスを含むガスのプラズマにより選択的にエッチングして貫通孔を形成する。 - 特許庁 - To provide a laminated film having satisfactory interlayer adhesiveness with respect to lamination of polypropylene film and sealant resin.
ポリプロピレンフィルムとシーラント樹脂の積層において、良好な層間接着性を有する積層フィルムを提供する。 - 特許庁 - Next, an interlayer film 116 is formed so that the surfaces of the polysilicon gate electrodes 108, 109 may be exposed.
次に、ポリシリコン・ゲート電極１０８，１０９の表面が露出するように層間膜１１６を形成する。 - 特許庁 - To shorten the treating time of a wafer with regard to an interlayer insulating film and make the treating time constant for each wafer.
層間絶縁膜に関するウェハの処理時間を短縮し，当該処理時間を各ウェハ間で一定にする。 - 特許庁 - An opening 116 is formed at a position overlapping with a photoelectric conversion part 105 of the fifth interlayer insulation film 113e.
第５層間絶縁膜１１３ｅの光電変換部１０５と重なった位置に開口１１６が形成される。 - 特許庁 - Contact holes 4, having the tapered shape as the upper part of aperture, are formed close to within an interlayer insulation film 3.
層間絶縁膜中に、開口上部の形状がテーパー形状のコンタクトホールを近接して形成する。 - 特許庁 - On the insulating film 13, the interlayer insulating film 15 is formed directly and the high-magnetic-permeability film 14 is not formed.
絶縁膜１３上には層間絶縁膜１５が直接形成され、高透磁率膜１４は形成されない。 - 特許庁 - To provide an advantageous technique for flattening the surface of an interlayer dielectric film in a solid-state imaging device.
固体撮像装置における層間絶縁膜の表面を平坦化するために有利な技術を提供する。 - 特許庁 - Plugs 23s, 23d, 23g to come into contact with the silicide film 12 are formed inside an interlayer insulating film 21.
更に、シリサイド膜１２に接するプラグ２３ｓ、２３ｄ及び２３ｇを層間絶縁膜２１内に形成する。 - 特許庁 - To meet both requirements of strength enhancement in a wiring structure, and dielectric constant reduction in an interlayer insulating film.
配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図れるようにする。 - 特許庁 - An interlayer 18 of thickness between 5 Å and 70 Å is arranged on a first surface of a copper layer 12.
５Åと７０Åの間の厚さの中間層１８を銅層１２の第一の面に配置する。 - 特許庁 - After the second-layer wire is formed, the component is treated with heat applied at a temperature lower than a metamorphic temperature of the interlayer insulation film.
二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理する。 - 特許庁 - To provide an interlayer insulating film which is low in dielectric constant and hygroscopic property and which at the same time is superior in mechanical strengths.
比誘電率及び吸湿性が低いと共に機械的強度に優れた層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - The interlayer perforated plate is detachable from an air discharge chamber, and installed in the outlet direction of the air discharge layer.
この層内多孔板は、排風室から着脱自在であって、排風層出口方向に設置されている。 - 特許庁 - An upper metal wire groove crossing the upper part of the via hole is arranged in the metal interlayer insulating film.
前記金属層間絶縁膜内に前記ビアホールの上部を横切る上部金属配線グルーブが配置される。 - 特許庁 - To provide a decorative sheet which keeps interlayer adhesion, heat resistance, and weatherability even when subjected to large depth embossment.
大深度エンボスを施しても、層間密着、耐熱性、耐候性が弱くならない化粧シートを提供すること。 - 特許庁 - To provide an electronic component in which a wiring conductor of metal foil and an interlayer connection conductor can be bonded.
金属箔の配線導体と層間接続導体とを接合することができる電子部品を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium in which an interlayer crosstalk is small and high quality recording characteristics are stably obtained.
層間クロストークが小さく安定して高品質な記録特性が得られる光記録媒体を提供する。 - 特許庁
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