「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 128 129 次へ＞- To obtain both an interlayer for a laminated glass having excellent heat insulating properties and transparency, not the electromagnetic wave transmission properties, having excellent adhesiveness at the interface between glass and the interlayer and a laminated glass using the same.
遮熱性が優れ、透明性が良好であり、電磁波透過性を阻害せず、かつ、ガラスと中間膜との界面で接着性が良好な合わせガラス用中間膜及びそれを用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁 - The composite MIM capacitor further comprises an upper electrode 120 of the lower MIM capacitor situated within a lower interlayer dielectric, where the lower interlayer dielectric separates the lower interconnect metal layer from an upper interconnect metal layer.
複合ＭＩＭキャパシタはさらに、下部層間誘電体内に位置する下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０を含み、下部層間誘電体は下部相互接続金属層を上部相互接続金属層から隔てている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which hydrogen beyond a hydrogen barrier such as an Al_2O_3 film on an interlayer insulating film is suppressed when a wiring layer is formed on the interlayer insulating film which buries a ferroelectric capacitor.
強誘電体キャパシタを埋める層間絶縁膜上に配線層を形成する際に、層間絶縁膜上のＡｌ_2Ｏ_3膜等の水素バリアを超えて生じる水素の侵入を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an interlayer film excellent in an infrared ray shielding property at a wavelength region of not only 1,500 nm or more but also 1,500 nm or less and to provide laminated glass using the interlayer film.
波長領域１５００ｎｍ以上の赤外線遮蔽性のみならず、波長領域１５００ｎｍ以下の赤外線遮蔽性にも優れた中間膜、および該中間膜を用いてなる合わせガラスの提供。 - 特許庁 - An interlayer resin-insulating layer 50α is dried to such an extent that exposing and developing steps can be performed at an adjusted drying temperature of 70-90°C, in order to prevent an interlayer resin insulating layer 50 from being crosslinked excessively.
層間樹脂絶縁層５０αの乾燥温度を７０℃〜９０℃に調整することで、層間樹脂絶縁層５０の架橋が進行し過ぎないように、露光、現像を行い得る状態まで乾燥させる。 - 特許庁 - The semiconductor chip 1 further includes an interlayer insulating film 90 and a passivation film 2, and respective side surfaces of the interlayer insulating film 90 and the passivation film 2 are covered with the sealing resin layer 5 that gets into the trench 11.
また、半導体チップ１は、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２をさらに含んでおり、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２の各側面は、溝１１に入り込んだ封止樹脂層５に被覆されている。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 26 is prevented from collapsing and deforming by the support 25 when external pressing force F is held by the spacer 15, which suppresses damages in a signal line 27 formed between the interlayer insulating film 26 and the spacer 15.
外部からの押圧力Ｆをスペーサ15で支持した際の層間絶縁膜26の潰れ変形を支持体25によって防止し、層間絶縁膜26とスペーサ15との間に形成した信号線27の破損を抑制できる。 - 特許庁 - A wiring groove (53B) is formed to reach a midpoint in the thickness direction of an interlayer dielctric on a semiconductor substrate, and a via hole (51B) is formed to extend from the bottom surface of the wiring groove to the bottom surface of the interlayer dielectric.
半導体基板上の層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するように、配線溝(53B)が形成され、配線溝の底面から層間絶縁膜の底面まで達するように、ビアホール(51B)が形成されている。 - 特許庁 - The first wiring layer 33 has a first interlayer insulating film, a plurality of via plugs 37-1 and a plurality of first wiring 37-2 provided at a first interval or more in the first interlayer insulating film.
第１配線層部３３は、第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜内に第１間隔以上で設けられた複数の第１ビアプラグ３７−１及び複数の第１配線３７−２とを有する。 - 特許庁 - While the interlayer insulating film 3 is subjected to a hydrophobic processing, the cleaning and removing are not affected thereby because they use the organic solvent that the organic substances wherewith the interlayer insulating film 3 is impregnated are dissolved and they can be performed.
層間絶縁膜３は疎水化処理を施されているが、有機溶媒であるのでそれに影響されずに層間絶縁膜３中に染み込んで有機物を溶解し、洗浄除去することができる。 - 特許庁 - The aqueous ink comprises a pigment in a dispersed state, which has at least a part of interlayer ions in an interlayer compound ionically replaced by a dye ion having an opposite polarity to the interlayer ion, where the aqueous ink is manufactured by carrying out the ion replacement of the interlayer ion by the dye ion and dispersion in water and atomization of the pigment in the same reaction vessel.
層間化合物中の層間イオンの少なくとも一部が、前記層間イオンと逆の極性を示す染料イオンによってイオン置換されている顔料を分散状態で含んでいる水性インクであって、前記水性インクが、前記層間イオンの前記染料イオンへのイオン置換と、前記顔料の水分散及び微粒子化を同一反応容器内で行うことによって製造されるものであることを特徴とする水性インク。 - 特許庁 - After a gate insulation film 12 and an interlayer insulation film 14 are formed by liquid phase method using a liquid material containing polysilazane, a hydrogen block film 15 for accelerating decomposition of moisture contained in the gate insulation film 12 and the interlayer insulation film 14 and blocking hydrogen produced through decomposition is formed on the interlayer insulation film 14 and then the gate insulation film 12 and the interlayer insulation film 14 are annealed.
ポリシラザンを含む液体材料を用いて液相法によりゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４を順次形成した後、係る層間絶縁膜１４の上に、当該ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４中に含まれる水分の分解を促し、且つ、該分解によって生じた水素をブロックする水素ブロック膜１５を形成し、その後、上記ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４をアニールする。 - 特許庁 - To provide a polymer liquid crystal material having an interlayer distance of a smectic liquid crystal phase controlled at an arbitrary distance.
スメクチック液晶相の層間隔が任意の間隔に制御された高分子液晶材料を提供する。 - 特許庁 - The embedded glass film is removed simultaneously with the interlayer film disposed on a memory cell area M by etching.
埋め込みＴＥＯＳ膜は、エッチングによってメモリセル領域Ｍに位置する層間膜と同時に除去される。 - 特許庁 - The second interlayer film 18 is flattened to expose the whole of at least the upper surface of the resist 17.
この第２の層間膜１８が平坦化され、レジスト１７の少なくとも上表面を全て露出させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a printed wiring board having an interlayer connection, which can correspond to high precision and micronization.
高精度微細化に対応することができる層間接続のプリント配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve a process for forming an electric continuity hole for exposing an aluminum wiring or the like from an interlayer insulating film.
層間絶縁膜からアルミ配線等を露出させるための導通孔を形成する工程を改善する。 - 特許庁 - SYNTHETIC METHOD OF POLYMERIC MATERIAL, METHOD OF FORMATION OF HIGH MOLECULAR THIN FILM, AND METHOD OF FORMATION OF INTERLAYER DIELECTRIC FILM
高分子材料の合成方法、高分子薄膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法 - 特許庁 - In the built-up multilayer circuit board, there are laminated alternately conductor layers and interlayer resin insulation layers, and the conductor layers are connected with each other by via holes.
本発明の他の目的は、このような多層回路基板を有利に製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - First and second insulating barrier films 23, 24 and an interlayer dielectric 25 are laminated on the lower wiring 22.
下層配線２２の上に、第１、第２の絶縁性バリア膜２３、２４及び層間絶縁膜２５が積層されている。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 100, a lower layer wiring 101, and a first insulating film 102 are deposited on a semiconductor substrate.
半導体基板上に層間絶縁膜１００、下層配線１０１、第１の絶縁膜１０２を堆積する。 - 特許庁 - A copper interconnection layer CL1 is formed in an interconnection trench IT1, on the surface of an interlayer insulating film II2.
銅配線層ＣＬ１は層間絶縁膜ＩＩ２の表面の配線溝ＩＴ１内に形成されている。 - 特許庁 - A semiconductor device has a semiconductor chip including an interlayer dielectric, a first area and a first crack stop.
半導体装置は、層間絶縁膜と、第１の領域と、第１のクラックストップとを備えた半導体チップを有する。 - 特許庁 - To increase the selection rate of an interlayer insulation film and an etching stop film in a self aligned contact(SAC) etching technique.
セルフアラインコンタクト（ＳＡＣ）エッチング技術において、層間絶縁膜とエッチング停止膜の選択比を大きくする。 - 特許庁 - To suppress the separation of an upper wiring layer by suppressing reaction between an interlayer insulating film and the upper wiring layer.
層間絶縁膜と上層配線層との反応を抑制して、上層配線層の剥離を抑制する。 - 特許庁 - A polysilicon layer 105 is provided on a side wall portion of a contact hole 104 formed in an interlayer insulating film 103.
層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクトホール１０４の側壁部にポリシリコン層１０５を設ける。 - 特許庁 - An etching stopper film 2, an interlayer insulating film 3 and a cap film 4 are formed in sequence on a lower wiring 1.
下層配線１上に、エッチングストッパ膜２、層間絶縁膜３およびキャップ膜４を順に形成する。 - 特許庁 - The second insulation film provided with the second plug and the stopper film has a conductive film pattern and interlayer insulation film formed thereon.
第２プラグ及びストッパ膜を備える第２絶縁膜上に、導電膜パターン、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - An insulating film 22 having a water permeability resistance is interposed between the third interlayer insulating film 21 and the fuse 25.
第３の層間絶縁膜２１とヒューズ２５との間には、耐透水性を有する絶縁膜２２が介在している。 - 特許庁 - Subsequently, a source/drain region 21, a silicide film 22, an interlayer insulation film 23, metal wiring 24 and the like are formed (g).
以下、ソース・ドレイン領域２１、シリサイド膜２２、層間絶縁膜２３及びメタル配線２４等を形成する（ｇ）。 - 特許庁 - The interlayer insulating film patterns 120 and 130 have an opening that accommodates the contact pad 126 and the spacers 140.
層間絶縁膜パターン１２０，１３０は、コンタクトパッド１２６とスペーサー１４０を収容する開口を有する。 - 特許庁 - A barrier metal 20 is formed over the first wiring layer 16, the second interlayer insulating film 18 and the silicon film 30.
第１配線層１６と第２層間絶縁膜１８とシリコン膜３０との上にバリアメタル２０を成膜する。 - 特許庁 - Interlayer insulating films 201, 103, 503, 104, 504 and 202 are laminated on a wiring material 401 functioning as a lower layer wiring in this order.
下層配線として機能する配線材４０１の上には層間絶縁膜２０１，１０３，５０３，１０４，５０４，２０２がこの順に積層される。 - 特許庁 - To provide a laminated wiring board having an interlayer via with specially high reliability, and to provide a method of manufacturing the laminated wiring board.
特に高信頼性の層間導電ビアを有する積層配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An annular metal wiring guard ring 17 is formed on the insulating interlayer 11 and the via guard ring 15.
層間絶縁膜１１上及びビアガードリング１５上に環状の金属配線ガードリング１７が形成されている。 - 特許庁 - After that, an electrode for drawing resistance which is connected to the resistance film is formed on the interlayer dielectric.
その後、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗膜に接続された抵抗引き出し用の電極を形成する。 - 特許庁 - A silicon nitride film 19 is formed on the insulating interlayer 11 while covering the metal wiring guard ring 17.
金属配線ガードリング１７を覆って層間絶縁膜１１上に窒化シリコン膜１９が形成されている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board having mutually connected electric circuits and interlayer connection holes.
相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The second emitter electrode 20 extends to the upper part of the lower gate wiring 14 through the interlayer dielectric 66.
第２エミッタ電極２０は、層間絶縁膜６６を介して下層ゲート配線１４の上方に延在している。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer wiring board in which an interlayer insulating layer can be easily formed in a short period of time.
層間絶縁層が短時間で容易に形成できる多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The optical waveguide 106 has a first region 106a having a refractive index higher than that of the interlayer insulating film 105.
光導波路１０６は、層間絶縁膜１０５よりも屈折率の高い第１領域１０６ａを備える。 - 特許庁 - To prevent damage of a building caused by interlayer displacement exceeding a limit, with the excellent aseismic action.
優れた制震作用を有し、かつ限度を越えた層間の変位に起因する建物の損壊を防止すること。 - 特許庁 - As a result, the electrostatic discharge damage of a second interlayer dielectric 9 in the manufacturing process can be controlled.
これにより、製造工程中における第二層間絶縁膜９の静電破壊を抑えることができる。 - 特許庁 - CONDUCTIVE COMPOSITION PRODUCING METHOD, METHOD OF INTERLAYER CONNECTION AND CONDUCTIVE FILM OR CONDUCTIVE IMAGE FORMATION METHOD
導電性組成物作製方法、層間接続方法、及び導電性膜または導電性画像作製方法 - 特許庁 - The capacity element 6 is covered with an n-th layer interlayer insulating film 8 provided on the substrate 1.
容量素子６は、基板１上に設けられた第ｎ層目の層間絶縁膜８によって覆われている。 - 特許庁 - The interlayer 12 is composed of materials such as hafnium whose electronegativity is smaller than those of nickel, iron, cobalt and copper.
中間層１２は、ハフニウムなどの、ニッケル，鉄，コバルトおよび銅よりも電気陰性度の小さな材料からなる。 - 特許庁 - The plasticizer is usable as a thermoplastic resin sheet and an interlayer for laminated glass colored by the addition of the plasticizer.
これら可塑剤を添加して着色した熱可塑性樹脂シート、合わせガラス用中間膜の用途がある。 - 特許庁 - An interlayer dielectric is formed on the memory cell array, and the metal bit line 212 is embedded therein.
メモリセルアレイ上には層間絶縁膜が形成されており、金属ビット線２１２は、それに埋め込み形成されている。 - 特許庁 - After a semiconductor substrate 10 is prepared, a first interlayer insulating film 30 is formed on the substrate 10.
半導体基板１０を準備し、半導体基板１０の上に第１層間絶縁膜３０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device having superior uniformity in the thickness of an interlayer insulating film at a wafer level.
ウエハレベルで層間絶縁膜の厚さの均一性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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