「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 128 129 次へ＞- A lower electrode 11a of a memory cell capacitor is formed in an interlayer insulating film 9 in a DRAM region 100.
ＤＲＡＭ領域１００の層間絶縁膜９にメモリセルキャパシタの下部電極１１ａが形成される。 - 特許庁 - Each spacer 10 is composed of a silicon nitride film which functions as the etching stopper of the interlayer insulating film 3.
スペーサ１０は、層間絶縁膜３のエッチング・ストッパとして機能する窒化シリコン膜から形成される。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 50 including an organic resin film 51 is provided in contact with an oxide semiconductor film 20.
酸化物半導体膜２０に接して、有機樹脂膜５１を含む層間絶縁膜５０を設ける。 - 特許庁 - A metal wire 3 is formed on a semiconductor substrate, and an interlayer insulating film 4 is formed over the whole face.
半導体基板上に金属配線３を形成し、全面に層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁 - An interconnection trench 8 is formed in the interlayer insulating film 5 composed of SiOC in a semiconductor device 1.
半導体装置１では、ＳｉＯＣからなる層間絶縁膜５には、配線溝８が形成されている。 - 特許庁 - The sensor 40 is used for detecting the existence of interlayer peeling in the multilayer wiring layer 20.
センサ４０は、多層配線層２０の層間における剥離の有無を検出するために用いられる。 - 特許庁 - Subsequently the reflective pixel electrode 11 is laminated on the projecting and recessing face of the interlayer insulating film 12 which has developed color.
その後、発色した層間絶縁膜１２の凹凸面上に、反射画素電極１１を積層する。 - 特許庁 - In a step 14, a contact hole 15a is formed in an interlayer insulation film 14 on a silicone substrate 12.
工程１４では、シリコン基板１２上の層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５ａを形成する。 - 特許庁 - Thereafter, an interlayer insulating film 14 and a source electrode 16 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1.
そして、半導体基板１の表面上に層間絶縁膜１４、ソース電極１６を形成する。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND ITS MANUFACTURING PROCESS, INTERLAYER DIELECTRICS AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁間膜及び半導体装置 - 特許庁 - A recessed capacitor region is formed in a second interlayer insulating film 108 on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００上の第二の層間絶縁膜１０８に凹部状のキャパシタ領域を形成する。 - 特許庁 - A core board 30 is composed of BT resin and a lower interlayer resin insulation layer 50 contains epoxy resin.
コア基板３０がＢＴレジンから成り、下層層間樹脂絶縁層５０が、エポキシ樹脂を含有する。 - 特許庁 - The laminated glass 1 is composed by laminating inorganic glass plates 2 via an interlayer 3.
無機ガラス板２が中間膜３を介して積層されることにより、合わせガラス１が構成されている。 - 特許庁 - To provide an interlayer insulating film which is low in dielectric constant and hygroscopicity and excellent in mechanical strength.
比誘電率及び吸湿性が低いと共に機械的強度に優れた層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - After etching the interlayer insulation films 2 and 3 by anisotropic etching, isotropic etching is performed.
そして、異方性エッチングによりこれら層間絶縁膜２，３をエッチングした後、等方性エッチングを施す。 - 特許庁 - A first interlayer dielectric 3 and an Al alloy film 5 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 1 (A).
半導体基板１上に第１の層間絶縁膜３及びAl合金膜５を順に堆積する（Ａ）。 - 特許庁 - To realize a multilayer electrode semiconductor device which has an interlayer dielectric with a flat upper-surface.
平坦な上面の層間絶縁膜を有する多層電極の半導体装置を実現するものである。 - 特許庁 - The α-amino acids are interlayer dilating components for dilating the space between the layers in the layer-like clay mineral.
このα−アミノ酸類は、層状粘土鉱物の層間を拡張する層間拡張成分である。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 207 is planarized by etchback, using the silicon nitride film 206 as the stopper layer.
次に、窒化シリコン膜２０６をストッパ層として、層間絶縁膜２０７をエッチバックにより平坦化する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 15 becomes substantially flat in the area M and a peripheral circuit region P.
メモリセル領域Ｍと周辺回路領域Ｐとにおいて、層間絶縁膜１５がほぼ平坦になる。 - 特許庁 - The concentration of hydrogen in the second gate insulating film 17 is made lower than that in the first interlayer insulating film 22.
第２ゲート絶縁膜17中の水素濃度を第１層間絶縁膜22中の水素濃度より低くする。 - 特許庁 - To enhance the accuracy of a layer jump when an unwanted light element exists at the interlayer part of a focusing error signal.
フォーカスエラー信号の層間部分に不要光成分が存在する場合に、レイヤジャンプの確度を高める。 - 特許庁 - To provide a laminate suitable for forming multilayer wiring of a semiconductor and improved in interlayer adhesion.
層間の接着性が改善された、半導体の多層配線形成に好適な積層体の提供。 - 特許庁 - Between the drift regions, an interlayer dielectric is formed between an emitter electrode and a drift layer.
そして、ドリフト領域間においては、エミッタ電極とドリフト層間に層間絶縁膜が形成される。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, INTERLAYER INSULATION FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 - 特許庁 - Further, an intermediate film is formed on the interlayer dielectric 25 by using either one of BPSG and TEOS.
層間絶縁膜25上に、ＢＰＳＧとＴＥＯＳとのいずれか一方により中間膜を形成する。 - 特許庁 - The titanium film 10 and the titanium nitride film 11 are also formed on the principal face of an interlayer insulation film 7.
なお、チタン膜１０および窒化チタン膜１１は、層間絶縁膜７の主面上にも形成される。 - 特許庁 - To provide a layered manganese oxide porous body which has a large interlayer distance and excellent thermal stability.
層間距離が大きく、かつ熱的安定度に優れた層状マンガン酸化物多孔体を提供する。 - 特許庁 - The Al plug 31 comes into direct contact with the interlayer dielectric 1 without being covered with a barrier layer.
Ａｌプラグ３１は、バリア層に被覆されることなく、直接層間絶縁膜１と接触させる。 - 特許庁 - The method further includes a step of forming a ferroelectric capacitor C on this second interlayer insulating film 8, forming a third interlayer insulating film 11 on the second interlayer insulating film 8 to cover this ferroelectric capacitor C, and forming via holes V1, V2 on the ferroelectric capacitor C and the local wiring 15.
次に、この第２層間絶縁膜８上に強誘電体キャパシタＣを形成し、この強誘電体キャパシタＣを覆うように第２層間絶縁膜８上に第３層間絶縁膜１１を形成し、強誘電体キャパシタＣ上と、局所配線１５上にそれぞれビアホールＶ１、Ｖ２を形成する。 - 特許庁 - To prevent the positional deviation when the interlayer displacement of a longitudinal joint of a four-side shiplap exterior facing material is returned.
４辺合じゃくり外装材の縦方向目地の層間変位復帰時における位置ずれを防止する。 - 特許庁 - A flat interlayer insulating film having the FSG and the NSG layers 13, 14 is formed.
これによって、ＦＳＧ層１３、ＮＳＧ層１４を有する表面平坦な層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - This is used as a mask to etch an interlayer insulating film 107 as a film to be etched, thereby forming a contact hole.
これをマスクにエッチング対象膜である層間絶縁膜１０７をエッチングしコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - To raise density of interlayer connection between circuit boards, and to raise productivity by reducing the number of circuit boards.
回路基板間の層間接続を高密度化し、また回路基板数を削減して製造性を高める。 - 特許庁 - The top face of the first interlayer dielectric 7 has the same elevation as that of the top face of the gate electrode 4.
第一の層間絶縁膜７の上面は、ゲート電極４の上面と同じ高さ位置である。 - 特許庁 - To improve film-formation property, cost and processing properties of an interlayer insulating film which consists of an organic SOG film.
有機ＳＯＧ膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。 - 特許庁 - Then, a second interlayer dielectric is made between the bit line spacers, and thereon a photoresist film pattern is made.
そしてビットラインスペーサ間に第２層間絶縁膜を形成し、その上にフォトレジスト膜パターンを形成する。 - 特許庁 - The interlayer insulating layer 20 is further capable of having a base insulating layer 24 and a cap insulating layer 28.
層間絶縁層２０は、さらに、ベース絶縁層２４およびキャップ絶縁層２８を有することができる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a metal line of a semiconductor device with which a mechanically fragile property of an interlayer insulating film is supplemented by forming a spacer on the sidewall of a trench formed in the interlayer insulating film, and corrosion of the interlayer insulating film or a dishing phenomenon of the metal line is suppressed.
層間絶縁膜の内に設けられたトレンチの側壁にスペーサーを形成することにより層間絶縁膜の脆弱な機械的な特性を補完し、層間絶縁膜が腐食し或いは金属配線がディッシングされる現象を抑制可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a constituent for forming a porous interlayer dielectric that contains porogen of saccharide system.
糖類系ポロゲンを含有する多孔性層間絶縁膜を形成するための組成物を提供する。 - 特許庁 - The respective processes from the first process to the third process are repeated on the interlayer insulator film 12.
層間絶縁体薄膜１２の上に、第１工程から前記第３工程までの各工程を繰り返す。 - 特許庁 - The second interlayer film 104 is possessed of an air gap 105 formed in the inter-wiring space 103.
第２の層間膜１０４は、配線間スペース１０３に形成されたエアギャップ１０５を有している。 - 特許庁 - The contact holes with a predetermined pattern are formed by etching an interlayer insulating film 6 based on a resist mask 8.
レジストマスク８に基づいて層間絶縁膜６をエッチングして所望のパターンのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - After the interlayer insulating film is hardened, plasma is generated in a treating chamber to lower the potential of the wafer W.
層間絶縁膜を硬化した後，処理室内にプラズマを発生させ，ウェハＷの電位を下げる。 - 特許庁 - To improve the reliability of a device by controlling the change with time in an interlayer dielectric film in the semiconductor device.
半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。 - 特許庁 - A semiconductor device has a semiconductor substrate 11 which includes an element, interlayer insulating layers (silicon oxide layer and a BPSG layer) made on the semiconductor substrate 11, a through-hole made in the interlayer insulating layer, a barrier layer made on the interlayer insulating layer and the through-hole, and a wiring layer made on the barrier layer.
半導体装置は、素子を含む半導体基板１１、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁層（シリコン酸化層，ＢＰＳＧ層）、層間絶縁層に形成されたスルーホール、層間絶縁層およびスルーホールの表面に形成されたバリア層、およびバリア層の上に形成された配線層４０を有する。 - 特許庁 - The first metal layer 14 and the second metal layer 15 extend on the interlayer insulating film 10.
第１金属層１４および第２金属層１５は、層間絶縁膜１０上に延在している。 - 特許庁 - A conductive film 15, a nitride film 17, a conductive film 18, and an interlayer insulating film 19 are deposited, a hole is bored in a bit contact forming region, and a side wall 21 formed of the same film with the interlayer insulating film 19 is provided, whereby the interlayer insulating film 19 on the pad is etched in a self-aligned manner.
導電膜１５、窒化膜１７、導電膜１８、および層間絶縁膜１９を堆積し、ビットコンタクト形成領域を開孔した後、層間絶縁膜１９と同一の膜から成るサイドウォール２１を形成することによって、パッド上の層間絶縁膜１９のエッチングを自己整合で行なう。 - 特許庁 - In this way, forming the interlayer insulating film 6 becomes possible without processing to open a contact hole.
これにより、コンタクトホール開孔処理なしに、層間絶縁膜６を形成することが可能になった。 - 特許庁 - A passivation film 120 forms an opening part 123 reaching up to an interlayer insulating film 109.
パッシベーション膜１２０には、層間絶縁膜１０９にまで到達する開口部１２３が形成されている。 - 特許庁
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