「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .... 128 129 次へ＞- A phosphorus-doped silicon oxide film as at least an interlayer insulating film in a multi-layered wiring is formed in a plasma CVD method or a high-density plasma CVD method.
多層配線中の少なくとも１層の層間絶縁膜を形成する手段として、プラズマＣＶＤ法または高密度プラズマＣＶＤ法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁 - A control gate layer covering the substrate 100 via a gate oxide layer is formed on the substrate 100, the control gate layer is patterned to form a control gate, an interlayer insulating layer pattern and a floating gate on the cell array part.
半導体基板１００上にゲート酸化層を介して覆うコントロールゲート層を形成し、パタニングしてセルアレー部にコントロールゲート、層間絶縁層パターン及び浮遊ゲートを形成する。 - 特許庁 - The capacitor lower electrode is formed on the projecting section of the capacitor lower electrode plug exposed on an interlayer insulating film by a film forming method, such as the sputtering method, etc., by which poor step coverage is obtained.
層間絶縁体膜上に露出したキャパシタ下部電極プラグの突起部に、スパッタ法のような段差被覆性の乏しい成膜方法によりキャパシタ下部電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily improving a manufacturing yield by controlling microscraches due to chemical and mechanical polishing at the time of forming an interlayer dielectric.
層間絶縁膜を形成する際の化学的機械研磨に起因するマイクロスクラッチの発生を抑えて製造歩留りを向上させることが容易な半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁 - To provide an electro-optic device having a layered structure comprising scanning lines, data lines, switching elements and interlayer films in which a higher transmittance for light in the layered structure is achieved.
走査線、データ線、スイッチング素子、及び層間膜からなる積層構造物を備えた電気光学装置にあって、当該積層構造物における、より高い光の透過率を実現する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an aromatic compound containing an alicyclic substituent that is used as a low dielectric material excellent as an interlayer insulating material unnecessitating the introduction of vacancies.
空孔導入を必要としない層間絶縁膜材料として優れた低誘電材料として使用される脂環式置換基含有芳香族系化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a preparative method for nanocomposite material of conductive polymer having conductivity ≥10-1 S/cm comprising a lamella silicate having interlayer distance ≥50 Å.
伝導率が１０^-1Ｓ／ｃｍ以上で、層間スペースが５０Å以上である層状ケイ酸塩からなる導電性高分子のナノ複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this electronic component mounting device 1, a plurality of plated through-holes 10 for interlayer connection are formed in the outer peripheral part of a semiconductor chip mounting region 9 on a multilayer board.
この電子部品搭載装置１において、多層板２上における半導体チップ搭載エリア９の外周部には、複数の層間接続用めっきスルーホール１０が形成されている。 - 特許庁 - An electrode pad PAD comprising a substantial aluminum wiring layer 12 connecting to a not-illustrated inner conductive area is formed on a BPSG film 10 as an interlayer insulation film.
図示しない内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム配線層１２からなる電極パッドＰＡＤが、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜１０上に形成されている。 - 特許庁 - Effective wiring electrically connected to the semiconductor is arranged together with dummy wiring and dummy plugs within the lower layer side interlayer insulating film A in the region directly under an electrode pad 70.
電極パッド７０の直下域の下層側層間絶縁膜Ａ内にはダミー配線及びダミープラグとともに、半導体素子に電気的に接続された有効配線を配置する。 - 特許庁 - To reduce capacitance between adjoining wirings, corresponding to a minute multilayer interconnection, and to connect with sure an interlayer connection metal to the wiring of upper and lower layers for preventing short failures.
微細化多層配線に対応して、隣接配線間の容量を低減し、層間接続用金属とその上下層の配線とを確実に接続し、かつショート不良を防止する。 - 特許庁 - A laminate film consisting of metal nitride and an elemental substance of noble metal is used as the oxygen diffusion preventive layer, and a plasma CVD oxide film is used as the interlayer insulation film 7 on the oxygen diffusion preventive layer.
酸素拡散防止層に、金属の窒化物と貴金属の単体との積層膜を用い、酸素拡散防止層上の層間絶縁膜７としてプラズマＣＶＤ酸化膜を用いる。 - 特許庁 - To solve the problems of a short circuit due to deterioration in the burying characteristics of an interlayer insulation film, incomplete insulation of a sidewall spacer and increase in the overall thickness of a semiconductor device.
層間絶縁膜の埋込み特性悪化による短絡の問題、サイドウォールスペーサの絶縁不良の問題、および、半導体装置全体の厚み増大の問題を解消する。 - 特許庁 - A filled via 60 formed on a lid plating layer 36a and 36d is applied with smaller stress than a filled via 160 formed in a second interlayer resin insulation layer 150 during heat cycle.
蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が小さい。 - 特許庁 - To provide a resin excellent in development property, flexibility of cured products, heat resistance to soldering, resistance to thermal degradation and resistance to electroless gold plating and especially suitable for solder resists and for interlayer insulation films.
現像性に優れ、硬化物の可撓性、半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂を提供する。 - 特許庁 - A film of a metal raw material is formed, the dips are filled with the metal raw material, planarization is effected using CMP process, and an interlayer film (14) is formed thereon to form noise shield wiring (22).
メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。 - 特許庁 - A plurality of bit lines 8 are arranged selectively within an interlayer insulating film 9, and the bit line 8 concerned is connected to a specified impurity diffused layer 2 via the contact plug 7.
層間絶縁膜９内には複数のビット線８が選択的に配設され、当該ビット線８はコンタクトプラグ７を介して所定の不純物拡散層２に接続されている。 - 特許庁 - Further, an interlayer dielectric film 20 and a source electrode 21 are provided on the source layer 14, and a trench contact 23 is extended downward from the source electrode 21 to reach the base layer 13.
また、ソース層１４上に層間絶縁膜２０及びソース電極２１を設け、ソース電極２１から下方に向けてトレンチコンタクト２３を延出させ、ベース層１３まで到達させる。 - 特許庁 - To provide a member for supporting a glass pane member capable of always supporting the glass pane member stably and safety without providing a local load to the glass pane member correspondingly with various interlayer displacements.
様々な層間変位に対応して、ガラス板材に局所的負荷を与えることなく常に安定で安全にガラス板材を支持できるガラス板材支持用部材の提供。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of three-dimensional semiconductor device for easily forming interlayer wirings formed of metal materials, a manufacturing method of substrate product, a substrate product, and a three-dimensional semiconductor device.
金属からなる層間配線を容易に形成できる三次元半導体デバイスの製造方法、基板生産物の製造方法、基板生産物、及び三次元半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - NEGATIVE PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, NEGATIVE PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING TRANSFER MATERIAL, METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, HIGH-APERTURE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IT
ネガ型感光性熱硬化性樹脂組成物、ネガ型感光性熱硬化性転写材料、層間絶縁膜の形成方法、ハイアパーチャー型液晶表示装置及びその製造方法 - 特許庁 - The semiconductor device 101 comprises a silicon substrate having a major surface, a memory cell formed on the major surface, and an interlayer insulating film formed on the major surface to cover the memory cell.
半導体装置１０１は、主表面を有するシリコン基板と、主表面上に形成されたメモリセルと、メモリセルを覆うように主表面上に形成された層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁 - A short-circuit defect is prevented by forming a second interlayer insulation layer 15 under an upper electrode power-feeding wire to be a power supply line to an upper electrode 13 of a thin-film electron source array.
薄膜型電子源アレイの上部電極１３への給電線となる上部電極給電配線の下に、第二層間絶縁層１５を形成して短絡不良を防止する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing the deterioration of flatness in the case that an interlayer insulation film comprising the material of low permittivitty is directly CMP polished.
低誘電率材料からなる層間絶縁膜を直接ＣＭＰ研磨する場合の平坦性の悪化を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The structure and the manufacturing processes of the semitransparent liquid crystal display can be simplified since an interlayer insulating film consisting of an organic resin film having high material costs is not needed.
さらに、材料コストが高い有機樹脂膜からなる層間絶縁膜を必要としないため、半透過型液晶表示装置の構造および製造工程を簡略化することができる。 - 特許庁 - After an insulating film 6 is formed to cover a first wire 4 on an interlayer film 1 to which the first wire 4 is formed, only the insulating film 6 is removed on the first wire 4.
第１配線４が形成された層間膜１上に、第１配線４を覆うように絶縁膜６を形成した後、第１配線４上の絶縁膜６のみを除去する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device uniform in product performance and a method of manufacturing the same, wherein an interlayer insulating film uniform in thickness can be obtained in a multilayer interconnection structure.
多層配線構造において、均一な厚さの層間絶縁膜が得られ、製品動作のばらつきが少ない半導体装置及びその製造法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To develop a continuity imparting means that is simply manufactured and used and is substitutable for a conductive interlayer through hole useful when manufacturing a multilayer circuit board capable of dieling with miniaturization sufficiently.
製造、使用が簡便に行え、小形化にも十分に対応できる多層回路基板の製造に有用な導電性層間スルーホールに代わる導通付与手段を開発する。 - 特許庁 - By depositing high melting point metal on the whole surface and polishing it until the interlayer insulating film 215 is exposed, gate electrode upper layers 218 are formed of high melting point metal film.
全面に高融点金属を堆積し、層間絶縁膜２１５が露見するまで研磨することにより、高融点金属膜からなるゲート電極上層部２１８を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, an opening 124 is formed in the polysilicon film 121 and, thereafter, the etching of a second interlayer insulation film 118 is effected, employing the polysilicon film 121 as a mask to form a contact hole 125.
その後、ポリシリコン膜１２１に開口１２４を形成した後、ポリシリコン膜１２１をマスクにして、第２の層間絶縁膜１１８のエッチングを行い、コンタクトホール１２５を形成する。 - 特許庁 - Processing with an alkaline developer 6 is carried out to dissolve the interlayer film 12 comprising a water-soluble polymer and the lower layer resist 11 to form a stencil shape having high pattern dimensional precision.
次に、アルカリ性現像液６により処理を行い、水溶性ポリマーである層間膜１２と下層レジスト１１を溶解して、パターン寸法精度の高いステンシル形状を形成する。 - 特許庁 - To provide a capacitor in which no cracking nor peeling occurs in an adhesive or interlayer insulating resin layer under a thermo cycle condition when the capacitor is housed or incorporated in a multilayer printed wiring board.
多層プリント配線板に収納または内蔵させた際に、ヒートサイクル条件下等で接着剤や層間樹脂絶縁層にクラックや剥離が発生しないコンデンサを提供する。 - 特許庁 - A deep conduction groove 9a is formed as extending from the upper surface of the interlayer dielectric 8a to a depth of halfway of thickness of the substrate 1SA in a region surrounded by the penetrated isolation part 5.
その後、貫通分離部５で囲まれた領域内に、層間絶縁膜８ａの上面から基板１ＳＡの厚さの途中深さまで延びる深い導通溝９ａを形成する。 - 特許庁 - On the wiring 3, upper-layer wiring 4 which is VDD wiring is provided with an interlayer insulating film 2 interposed therein so that part of the wiring 4 overlaps a part of the lower-layer wiring 3.
下層配線３の上に層間絶縁膜２を介在させて、その一部が下層配線３の一部と重なるように、ＶＤＤ配線である上層配線４が設けられている。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 101, an etching preventive film 102, a trench oxide film 103, a hard mask film 104, and a photoresist film 105 are sequentially laminated on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００上に層間絶縁膜１０１、エッチング防止膜１０２、トレンチ酸化膜１０３、ハードマスク膜１０４およびフォトレジスト膜１０５を順次積層して形成する。 - 特許庁 - There is an in-stack bias interlayer 216 between the in-stack ferromagnetic film 217 and the free layers 215 to control the exchange coupling force between them.
インスタック強磁性膜２１７と自由層２１５との間には、インスタック強磁性膜２１７と自由層２１５との間の交換結合力を制御するインスタック・バイアス中間膜２１６がある。 - 特許庁 - To prevent interlayer delamination or interlaminar fracture between a power supply ground circuit layer and an adjacent insulating resin layer even when packaging or rework of parts is done by using Pb-free soldering.
鉛フリーハンダによる部品の実装やリワークを行っても、電源・グランド回路層とそれに隣接する絶縁樹脂層との間で層間剥離や層間破壊が生じないようにする。 - 特許庁 - To provide a resin having excellent developability, giving a cured material having excellent flexibility, soldering heat-resistance, thermal deterioration resistance and electroless gold plating resistance and especially useful for a solder resist and an interlayer insulation film.
現像性に優れ、硬化物は可撓性、半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂を提供する。 - 特許庁 - To provide a carbon-fiber, having an excellent interlayer shearing strength without reducing tensile strength, for a carbon-fiber reinforced carbon composite material, and to provide a manufacturing method for the carbon-fiber.
本発明は、引張強度を低下させることなく、層間剪断強度の優れた炭素繊維強化炭素複合材料用炭素繊維、およびその製造方法を提供せんとするものである。 - 特許庁 - This laminated glass 10 comprises a first glass plate 12, a second glass plate 14, and a resin interlayer 18 for mutually laminating the first glass plate 12 and the second glass plate 14.
本発明の合わせガラス１０は、第１ガラス板１２と、第２ガラス板１４と、第１ガラス板１２と第２ガラス板１４とを互いに貼り合わせる樹脂中間膜１８とを含む。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device that suppresses effect to copper wirings or interlayer insulation films due to moisture in atmosphere during the semiconductor manufacturing process.
半導体装置の製造工程において大気中の水分による銅配線や層間絶縁膜への影響を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - On a surface of the interlayer insulating film 19, interconnections 30 to 32 connected to the respective bottom gate electrode 20, semiconductor layer 13, and top gate electrode 14 are formed.
また、層間絶縁膜１９の表面には、ボトムゲート電極２０、半導体層１３、およびトップゲート電極１４の各々に接続される配線３０〜３２が形成されている。 - 特許庁 - On the top of a semiconductor substrate 2, a stopper film 3, interlayer insulation film 6, first insulation film 7, first organic film 8, second insulation film 9, and second organic film 10 are formed in this order.
半導体基板２の上に、ストッパー膜３、層間絶縁膜６、第１の絶縁膜７、第１の有機膜８、第２の絶縁膜９および第２の有機膜１０を順に形成する。 - 特許庁 - To eliminate variance in the substrate gap for every substrate pair even when the film thickness of an interlayer insulating film varies in a common contact segment, and to decrease contact failure caused by a conductive spacer.
コモンコンタクト部において層間絶縁膜の膜厚がばらついても、基板ごとの基板間隔のばらつきをなくし、かつ導電スペーサが原因となる接触不良の発生を減少する - 特許庁 - RESIN COMPOUND FOR COMPOSING INSULATING INTERLAYER OF PRINT CIRCUIT BOARD, RESIN SHEET FOR FORMING INSULATING LAYER USING THE RESIN COMPOUND AND COPPER-PLATED LAMINATE USING THEM
プリント配線板の層間絶縁層構成用の樹脂化合物、その樹脂化合物を用いた絶縁層形成用樹脂シート及び樹脂付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板 - 特許庁 - To provide a multilayer printed wiring board which is equipped with high-density wiring, high in mounting density, and has a very reliable interlayer connection, and to provide a method of manufacturing the same.
高密度の配線および実装が可能でかつ信頼性の高い層間接続を備えた多層プリント配線板およびそのような多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A contact hole 14 reaching the surface of the silicide layer 12 of a diffusion layer 11 is formed on an interlayer insulating film 13 made of an SiO_2 film on an Si semiconductor substrate.
Ｓｉ半導体基板上におけるＳｉＯ_２膜でなる層間絶縁膜１３上に拡散層１１のシリサイド層１２表面に到達するコンタクトホール１４が形成されている。 - 特許庁 - To provide a wiring structure of a semiconductor device which can have an interlayer insulating film, having a low dielectric constant and can suppress generation of crackings in the insulating film under an electrode pad.
層間絶縁膜を低誘電率化する一方、電極パッド下で層間絶縁膜にクラックが発生することを抑制することができる半導体装置の配線構造を提供する。 - 特許庁 - The stator 2 is constituted by vacuum impregnating a coil end composed of the interlayer insulating material 5 with thermosetting resin including phenol resin, epoxy resin and unsaturated polyester resin.
この相間絶縁材５からなるコイルエンドに、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂を含む熱硬化性樹脂を真空含浸等させることによりステータ２が構成される。 - 特許庁 - The multilayer film is formed by sandwiching an interlayer, containing a colored pigment and an adhesive resin, between an inner layer, containing polyamide and a blocking inhibitor, and an outer layer containing polyamide.
有色顔料及び接着性樹脂を含む中間層を、ポリアミド及びブロッキング防止剤を含む内層及びポリアミドを含む外層でサンドイッチしてなる食品包装用多層フィルム。 - 特許庁
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