MAGNETIC MEMORYCELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
CELL USABLE AS DYNAMIC MEMORYCELL ダイナミックメモリセルとして使用可能なセル - 特許庁
METHOD FOR PROGRAMMING MEMORYCELL メモリセルのプログラミング方法 - 特許庁
TRANSISTOR AND MEMORYCELL ARRAY トランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MAGNETIC MEMORYCELL 磁気ランダムアクセスメモリおよび磁気メモリセル - 特許庁
MEMORYCELL ARRAY AND SEMICONDUCTOR MEMORY メモリセルアレイおよび半導体記憶装置 - 特許庁
MEMORYCELL ARRAY, MEMORY DEVICE, AND WIRELESS CHIP メモリセルアレイ、メモリ装置、及び無線チップ - 特許庁
MAGNETIC MEMORYCELL, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORYCELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気メモリセルの製造方法 - 特許庁
OTP MEMORYCELL, OTP MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING OTP MEMORYCELL OTPメモリセル、OTPメモリ及びOTPメモリセルの製造方法 - 特許庁
For instance, the memorycell of the general memorycell mat 10 is formed as a 6F^2 cell, whereas the memorycell of the end memorycell mat 20 is formed as an 8F^2 cell. 例えば、通常メモリセルマット10のメモリセルを6F^2セルとする一方、端メモリセルマット20のメモリセルを8F^2セルとする。 - 特許庁
MEMORYCELL WITH TRIGGER ELEMENT トリガ素子を有するメモリセル - 特許庁
METHOD FOR DETECTING FAULT OF CELL BUFFER MEMORY AND CELL BUFFER MEMORY セルバッファメモリの故障検出方法及びセルバッファメモリ - 特許庁
STATIC RANDOM ACCESS MEMORYCELL スタティック・ランダム・アクセス・メモリセル - 特許庁
RRAM MEMORYCELL ELECTRODE RRAMメモリセル電極 - 特許庁
MEMORYCELL STRUCTURE, MEMORYCELL ARRAY, MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SAME メモリセル構造、メモリセルアレイ、メモリ装置、メモリ制御器、メモリシステム及びこれらを動作する方法 - 特許庁
INTEGRATED DRAM MEMORYCELL AND DRAM MEMORY 集積DRAMメモリセルおよびDRAMメモリ - 特許庁
METHOD OF DETERMINING MEMORY STATE OF RESISTIVE MEMORYCELL AND DEVICE MEASURING MEMORY STATE OF RESISTIVE MEMORYCELL 抵抗メモリセルの記憶状態判定方法、ならびに記憶状態測定装置 - 特許庁
A second memory bank includes a second memorycell. 第二メモリバンクは第二メモリセルを備える。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY PROVIDED WITH MEMORYCELL AREA メモリセル領域を備えた半導体メモリ - 特許庁
STORAGE CELL, MEMORYCELL AND STORAGE CIRCUIT BLOCK 記憶素子、メモリセル及び記憶回路ブロック - 特許庁
MULTILEVEL OPERATION OF NITRIDE MEMORYCELL 窒化メモリセルのマルチレベル操作 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MEMORYCELL ARRAY メモリセルアレイの製造方法 - 特許庁
READING/WRITING CIRCUIT OF MEMORYCELL メモリーセルの読出・書込回路 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORYCELL, MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORYCELL 不揮発性メモリセル、メモリ素子、及び不揮発性メモリセルの製造方法 - 特許庁
To enable memorycell size smaller than 8F2 in a memory provided with a memorycell area and a memorycell. モリセル領域とメモリセルを備えたメモリにおいて、8F^2よりも小さいメモリセルサイズを可能にすること。 - 特許庁
A memorycell array net list generation part 4 generates a memorycell array net list comprising the memorycell information and memorycell array information. メモリセルアレイネットリスト生成部4は、メモリセル情報とメモリセルアレイ情報とからなるメモリセルアレイのネットリストを生成する。 - 特許庁
SUPERCONDUCTING MEMORYCELL AND SUPERCONDUCTING MEMORY DEVICE USING THE CELL 超伝導メモリセル及びこれを用いた超伝導メモリ装置 - 特許庁
To dispose a driver for driving a memorycell under a memorycell array. メモリセルを駆動するドライバをメモリセルアレイ下に配置する。 - 特許庁
COMPLEMENTARY PHASE-CHANGE MEMORYCELL AND MEMORY CIRCUIT 相補型相変化メモリセル及びメモリ回路 - 特許庁
The memory macro includes a memorycell array and a switch. メモリマクロは、メモリセルアレイとスイッチとを含む。 - 特許庁
MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR SUBSTITUTING MEMORYCELL メモリシステムおよびメモリセルを置換する方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING CHARGE-TRAP MEMORYCELL 電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリ - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORYCELL AND SEMICONDUCTOR MEMORY 半導体メモリセル及び半導体メモリ装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING ARRAY OF MEMORYCELL メモリーセルの配列を有する半導体メモリー - 特許庁
ANTI-FUSE MEMORYCELL AND SEMICONDUCTOR MEMORY アンチヒューズメモリセル及び半導体記憶装置 - 特許庁
MEMORY DEVICE INCLUDING PROGRAMMED MEMORYCELL AND PROGRAMMABLE AND ERASABLE MEMORYCELL プログラムされたメモリセルとプログラム及び消去可能なメモリセルを含むメモリ装置 - 特許庁