「memory process」を含む例文一覧(2040)
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呼処理制御プロセッサからホームメモリ局へ送信される要求信号が介する際に、共通線信号処理プロセッサにおいて要求信号に付与される識別子を記憶するようにし、要求信号と送信元呼処理制御プロセッサとの対応を記憶するようにする。 - 特許庁 - If there is a heating process using gases such as nitrogen in the middle of formation of the multilayer dielectric film SI (for example, a thermal nitriding process for suppressing an incubation time) in the manufacture of the non-volatile semiconductor memory device, the heating process is performed after a nitrogen stop film (41: not shown in the figure) for protecting the peripheral transistor is formed.
この製造において、積層誘電体膜ＳＩの形成途中に窒素を含むガスを用いた加熱工程（例えばインキュベーション時間抑制のための熱窒化処理）がある場合に、周辺トランジスタを保護する窒素阻止膜（４１：不図示）を形成し、当該加熱工程を行う。 - 特許庁 - Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.
ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁 - In the nonvolatile memory (EEPROM) of the process cartridge, loading detection data showing whether the process cartridge is loaded to an image forming device main body or not, shipping destination data showing a shipping destination of the process cartridge and color code data showing color of an image which the process cartridge forms are stored in order from a top address.
プロセスカートリッジの不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）には、先頭アドレスから順に、このプロセスカートリッジが画像形成装置本体に装着されているか否かを表す装着検出データと、このプロセスカートリッジの出荷先を表す出荷先データと、このプロセスカートリッジが形成する画像の色を表す色コードデータとが格納されるようになっている。 - 特許庁 - A non-volatile memory element manufacturing method includes a process of forming a tunnel layer including a metal silicate layer on a semiconductor substrate; a process of forming a charge trap layer on the metal silicate layer; a process of forming a charge block layer on the charge trap layer; and a process of forming a gate layer on the charge block layer.
半導体基板上に金属シリケート層を含むトンネル層を形成する工程と、前記金属シリケート層上に電荷トラップ層を形成する工程と、前記電荷トラップ層上に電荷ブロック層を形成する工程と、前記電荷ブロック層上にゲート層を形成する工程とを含んで非揮発性メモリ素子製造方法を構成する。 - 特許庁 - The 1st data showing that the process cartridge is a new one, the 2nd data (S48) showing that the process cartridge is released from the new one, and the 3rd data (S44) showing that the process cartridge is in a state other than the above states are stored in the non-volatile memory (EEPROM) of the process cartridge.
プロセスカートリッジの不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）には、このプロセスカートリッジが新品状態であることを表す第１のデータと、このプロセスカートリッジが新品解除状態であることを表す第２のデータ（Ｓ４８）と、このプロセスカートリッジについてそれらの状態以外の状態を表す第３のデータ（Ｓ４４）とが格納されるようになっている。 - 特許庁 - A GUI component image process part 111a stores GUI components as images in a specific area on a memory 160 and a picture image generating process part 111 generates an operation picture as a picture image by using the GUI components and stores the picture image in the memory 160.
ＧＵＩ部品イメージ処理部１１１ａによりＧＵＩ部品を画像イメージとしてメモリ１６０上の所定の領域にに記憶させておき、画面イメージ作成処理部１１１によりＧＵＩ部品を用いて操作画面を画面イメージとして作成してその画面イメージをメモリ１６０上に記憶しておく。 - 特許庁 - The ACU 132 restricts the execution of DMA transfer by the DMAC 133 based on access control information set to a control/status register 131 by a privilege process to prohibit the access to memory areas other than a memory area to which the user process is accessible by the DMAC 133.
ＡＣＵ１３２は、特権プロセスによってコントロール／ステータスレジスタ１３１に設定されるアクセス制御情報に基づいてＤＭＡＣ１３３によるＤＭＡ転送の実行を制限し、ユーザプロセスがアクセス可能なメモリ領域以外の他のメモリ領域がＤＭＡＣ１３３によってアクセスされることを禁止する。 - 特許庁 - A process control system has two memory areas for storing input/output data of a process in a controller and a maintenance tool has a function of transmitting a command for stopping update of input/output data to one of the two memory areas.
上記課題を解決する為に、本発明のプロセス制御システムは制御装置内にプロセスの入出力データを記憶する２つのメモリ領域を有し、保守ツールは、２つのメモリ領域のうち片方のメモリ領域への入出力データの更新を止める指令を送信する機能を有することを特徴とする。 - 特許庁 - Legitimacy of a memory as standard equipment for firstly making hardware perform a basic operation is checked when a power source is turned on (steps S2, S3), and if the legitimacy is confirmed, a process of executing the start up of the system (step S8) and a process of checking the legitimacy of the expanded optional memory (step S9) are executed in parallel.
電源投入時にまずハードウェアの基本動作を行わせる標準搭載メモリの正当性をチェックし（ステップＳ２、Ｓ３）、その正当性が確認されたときには、システムの立ち上げを実行する処理（ステップＳ８）と、増設オプションメモリの正当性をチェックする処理（ステップＳ９）とを並行処理する。 - 特許庁 - A segment management part 321 of the virtual memory management module 320 sets up a limit value which shows an upper limit of the number of pages of a real memory space allocatable to the segment concerned by segment of the process address space, while managing by segment unit whether a program which is arranged in the process address space to be executed is enciphered.
仮想メモリ管理モジュール３２０のセグメント管理部３２１は、プロセスアドレス空間に配置された実行すべきプログラムが暗号化されているかをセグメント単位で管理すると共に、プロセスアドレス空間のセグメント毎に当該セグメントに割り当て可能な実メモリ空間のページ数の上限を表す制限値を設定する。 - 特許庁 - A monitoring unit 3 monitors a memory unit 7, which stores simulation results by an agent controller 11 or a process history by an agent simulator 100; and when an agent is detected which matches with inconsistent process detecting rule set 4, the monitoring unit 3 stores the agent states detected and states of agent simulator 100 at the detected time into an instance memory unit 5.
監視部3は、エージェント制御部11によるシミュレーション、若しくはエージェントシミュレータ100の処理履歴を記憶した記憶部7を監視し、不整合処理検出ルールセット4に合致するエージェントを検出した場合、検出されたエージェントの状態、および検出時のエージェントシミュレータ100内の状態を事例記憶部5に蓄積する。 - 特許庁 - A buffer memory/combining processing control section 5-23 controls the switching section and the buffer memory and performs control so as not to combine the reception data of a process number protruded out of the IR buffer, to fixedly key the process number protruded out of the IR buffer and to combine only the reception data in which CRC errors are detected.
バッファメモリ・合成処理制御部５−２３は、スイッチ部及びバッファメモリを制御し、ＩＲバッファからはみ出すプロセス番号の受信データは合成しない、或いはＩＲバッファサイズからはみ出すプロセス番号を決め打ちせず、ＣＲＣ誤りを検出した受信データのみを合成するよう制御する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere.
半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、（１）前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、（２）水素ガス雰囲気下に前記工程（１）により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁 - To provide a three-dimensional memory architecture that may be fabricated using a process flow that is modified relatively a little from the one used to fabricate more familiar two-dimensional memory architecture and to provide a method for manufacturing the same.
より良く知られている２次元メモリ構造の製造のために用いられる処理フローから比較的小さく修正された処理フローを用いて製造され得る３次元メモリ構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A mobile terminal 1 automatically recognizes loading of a USB memory unit 2 and starts a program stored in the memory unit to process a video signal of an object photographed by a digital video camera 3 or a USB camera 4.
携帯端末装置１は、ＵＳＢメモリ装置２が装填されたことを自動認識し、このメモリ装置に記憶されているプログラムを起動して、デジタルビデオカメラ３またはＵＳＢカメラ４で撮影される被写体の映像信号を処理する。 - 特許庁 - A master JVM process 104 loads the data from the program module, stores an element having the data into its private memory area 108, and stores the other elements in a "read only" area 112 of the sharable memory area.
マスターＪＶＭプロセス１０４が、プログラムモジュールからのデータをロードし、そのデータのある要素をそのプライベートメモリ領域１０８内に格納し、その他の要素を共用可能なメモリ領域の「リードオンリ」エリア１１２内に格納する。 - 特許庁 - Thus, the task 401B stands by translation of the PDL data when a memory full state occurs, releases the memory area occupied by the language/task that process the precedent job and then carries on the translation processing after an idle area is enlarged.
これにより、インタプリタ・タスク４０１Ｂは、メモリフルが発生するとＰＤＬデータの翻訳を待機し、前ジョブを処理する言語・タスクが占有するメモリ領域を解放し、空き領域が拡大した後、翻訳処理を続行する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device and a method of manufacturing the same, wherein while interconnect resistance of each of a cell source line, a cell well line, and a power supply line is held low, hydrogen in a forming gas-annealing process can be supplied to a memory cell.
セルソース線、セルウェル線および電源線の各配線抵抗を低く維持しつつ、フォーミングガス・アニール工程における水素をメモリセルに供給することができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When a remote control process is turned on, information related to the game state at the time when the game is finished, which is written in a memory card, is read on a PC side, provided that the memory card is being set (S21 and S22).
遠隔操作処理に投入されると、まず、ＰＣ側では、メモリーカードがセットされていることを条件として、メモリーカードに書き込まれている、遊技終了時の遊技状態に関連する情報を読み出す（Ｓ２１及びＳ２２）。 - 特許庁 - To provide an arithmetic processing unit and a cache memory control device which can arbitrarily divide a cache memory area in blocks according to a process ID so as to improve the effective performance of a processor.
キャッシュメモリを実装した演算処理装置およびキャッシュメモリ制御装置において、プロセスＩＤに対応してキャッシュメモリ領域をブロック単位で任意に分割可能として、プロセッサの実効性能を向上することを可能とする。 - 特許庁 - The memory controller 0108 is supplied with read data A002 and a servo signal A001, and stores the read data A002 and the servo signal A001 in a buffer memory 0109 by a time-division process.
メモリ制御部０１０８に読み出しデータＡ００２とサーボ信号Ａ００１とが供給され、メモリ制御部０１０８は読み出しデータＡ００２とサーボ信号Ａ００１とを時分割処理によってバッファメモリ０１０９に格納する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device avoiding short-circuit between electrodes without greatly changing a manufacturing process of the nonvolatile semiconductor memory device, and to provide a method for producing the same.
不揮発性半導体記憶装置の製造プロセスを大幅に変更することなく、電極間のショートを避けることができる、不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - A pipeline circuit incorporated to a pipeline accelerator 44 can operate to receive data, to load the data to a memory, to search data from the memory, to process the searched data, and to provide processed data to an external source.
パイプライン加速器４４に組み込まれたパイプライン回路は、データを受信し、前記データをメモリにロードし、メモリからデータを検索し、検索されたデータを処理し、そして処理されたデータを外部ソースに提供するように動作できる。 - 特許庁 - To save the trouble of setting the content of a process to be performed on input image data by a user, and to prevent a shortage of memory capacity of a memory of the image processing apparatus even when there is an increase in the number of reference images.
ユーザによる入力画像データに対する処理内容の設定に関する負担を軽減するとともに、登録画像数が増加した場合でも画像処理装置に備えられるメモリの記憶容量が不足することを防止する。 - 特許庁 - To provide a memory member which can reduce the output needed to communicate information of a storage element and hardly has the influence of noise on the communication, a unit which has the memory member, a process cartridge, and an electrophotographic image forming apparatus.
記憶素子の情報の通信に要する出力を小さくでき、且つ、通信に及ぼすノイズの影響を受けに難いメモリー部材、及びそれを有するユニット、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - A priority control part 17 switches a system bus 20 so that a processing part performing the process of a precedent stage can access the memory 18 preferentially when the processing part makes a request to access to the memory 18.
優先制御部１７は、複数の処理部等１０〜１５からメモリ１８へのアクセス要求があった場合に、より前段の処理を実行する処理部等１０〜１５を優先してメモリ１８へアクセスできるようシステムバス２０を切替える。 - 特許庁 - To provide a printer in which a plotting instruction can be processed at high rate by saving the plotting of a figure into a memory under predetermined conditions thereby decreasing the number of read/write times of a memory in the graphic process.
一定条件で図形のメモリへの描画を省略することにより、図形描画処理であるメモリのｒｅａｄとｗｒｉｔｅの回数を減らし描画命令の高速処理を図ることができるプリンタ装置を提供すること。 - 特許庁 - To carry out quickly and properly the processing for managing the usage limit of a process cartridge which includes a memory storing the management information of the usage limit and to solve the disadvantage caused by storing all management information into the cartridge memory.
使用限界の管理情報を保存するメモリを内蔵するプロセスカートリッジの使用限界を管理するための処理を迅速且つ適正に行い、カートリッジメモリに管理情報を全て保存することによる不利益を解消する。 - 特許庁 - Since the list is made continuously utilizable when the mediums are mounted and when the contents are reproduced after the list is set up on the memory interface, the reading process of the list from a memory each time the contents are utilized is not required, and processing efficiency is improved.
リストのメモリインタフェースへのセット後、メデイアの装着時、コンテンツの再生時に継続的にリストを利用可能としたので、コンテンツ利用時毎にメモリからリストを読み出す処理が不要となり処理の効率化が達成される。 - 特許庁 - To provide an erasing method for a flash memory cell to converge threshold valtage for the cell with constant voltage by changing a method to discharge the flash memory after it is erased in order to perform a recovery process also at the same time when erased.
フラッシュメモリを消去した後ディスチャージさせる方法を変形し、消去時にリカバリー過程まで同時に行うことにより、セルのしきい値電圧を一定の電圧に収斂させるフラッシュメモリセルの消去方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory and a nonvolatile memory manufactured thereby which eliminates the need of a preprocess such as dehydrating process of a reaction product, etc., using a solvent easy to handle.
反応物の脱水和処理などの前処理工程が不要であるとともに、扱い易い溶媒を用いて不揮発性メモリを製造する製造方法及びその製造方法により製造された不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - The image forming apparatus is provided with a communication abnormality detection part 208 to detect a communication state with a memory in the process cartridge, and a toner density abnormality detection part 209 to detect the normality/abnormality of the output value of the toner density detecting sensor in the process cartridge.
プロセスカートリッジ内のメモリとの通信状態を検出する通信異常検知部２０８と、プロセスカートリッジ内のトナー濃度検出センサの出力値の正常／異常を検出するトナー濃度異常検知部２０９とを設ける。 - 特許庁 - Conditions for a following storage state heating process are set so as to make the total sum of stress of each data pattern as equal to each other as possible, whereby a ferroelectric memory can be less reformed through all storage state heating process.
データパタンごとのストレスの総和ができるだけ等しくなるよう次記憶状態加熱工程の条件を設定することにより、記憶状態加熱工程全体を通じて、強誘電体メモリの「くせ付け」を少なくすることができる。 - 特許庁 - When the address of data in the process of reproduction for development is the last ATRAC address and the address presently in the process of reading out by an optical pickup 2 is the last PU address, the data of the address during that time are being stored in a shock-proof memory (A).
現像再生中のデータのアドレスがラストＡＴＲＡＣアドレスであり、光ピックアップ２により現在読み取り中のアドレスがラストＰＵアドレスである時、その間のアドレスのデータはショックプルーフメモリに記憶されている（Ａ）。 - 特許庁 - This configuration enables a pixel-value correction process such as hole-filling interpolation or a blurring process to be executed through simple processing on hardware by outputting data in the order of raster scans without performing complex memory control.
本構成により、ラスタスキャン順にデータを順次、出力することで、複雑なメモリ制御を行うことなく、シンプルなハードウェア上の処理によって、穴埋め補間処理や、ぼかし処理などの画素値補正処理が実行可能となる。 - 特許庁 - Above the lower electrode 20, an upper electrode 35 formed in the same process as that of a control gate electrode 75 is disposed via an insulation film 80 formed in the same process as that of an intergate insulation film 55 in the memory cell section.
下部電極２０上には、メモリセル部でのゲート間絶縁膜７０と同一工程で形成された絶縁膜７０を介して、制御ゲート電極７５と同一工程で形成される上部電極３５が設けられている。 - 特許庁 - Then the communication device 82 writes to one of the memories 106Y, 106M, 106C, and 106B data regarding use states of the process cartridge 32 provided with the one memory 106, and other process cartridges 32.
そして、通信装置８２は、メモリ１０６Ｙ、１０６Ｍ、１０６Ｃ、１０６Ｂのいずれか一つに、そのメモリ１０６のいずれか一つが設けられたプロセスカートリッジ３２、及び他のプロセスカートリッジ３２の使用状況に関するデータを書き込む。 - 特許庁 - Each time a data setting process for each setting table is performed, it is judged whether or not the data setting process normally ends by the setting tables, and the information in the setting state information memory is updated according to the judgement result.
そして、各設定テーブルのデータ設定処理が行われる毎に設定テーブル毎にデータ設定処理が正常に終了したか否かを判断し、その判断結果に基づいて設定状態情報メモリの情報を更新する。 - 特許庁 - To provide an IC card, and a method for writing data in an IC card capable of protecting written data even when a writing process is failed during a process for writing data in a rewritable nonvolatile memory.
書き換え可能な不揮発性メモリにデータの書き込み処理を行なっている途中で、書き込み処理が失敗した場合でも、書き込みデータを保護することを可能としたＩＣカード及びＩＣカードへのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method including a channel ion implantation process for regulating a threshold voltage of a transistor in a manufacturing process of a semiconductor memory element comprising a self-aligned contact plug self-aligned by a gate electrode.
ゲート電極によって自己整列されるセルフアラインコンタクトプラグを備えた半導体メモリ素子の製造工程において、トランジスタのスレショルド電圧を調節するためのチャンネルイオン注入工程を含む製造方法を提供する。 - 特許庁 - A program process of the relief determination circuit 15 for the DRAM and a program process of a relief determination circuit owned by the memory control circuit 13 for the SRAM are executed consecutively by using the same laser repair device.
ＤＲＡＭ用の救済判定回路１５のプログラム工程と、ＳＲＡＭ用のメモリ制御回路１３が有する救済判定回路（ヒューズ回路を含む）のプログラム工程とを、同一のレーザリペア装置を用いて連続して実行する。 - 特許庁 - When there is a job queue waiting for execution, a job queue check table 1200 is prepared from the job queue 500, and the process of swap out/in candidate is determined on the basis of it and the kind of the process stored in the real memory of a DRAM 38.
実行待ちのジョブキューがある場合は、ジョブキュー５００からジョブキューチェックテーブル１２００を作成し、これと、ＤＲＡＭ３８の実メモリに記憶されているプロセスの種類とに基づいてスワップアウト／イン候補のプロセスを決定する。 - 特許庁 - To provide a process cartridge and an electrode member capable of effectively suppressing the occurrence of a charge memory even in case of mounting the process cartridge on an image forming apparatus body and transporting both in the same packing, and to provide an image forming apparatus having them.
画像形成装置本体にプロセスカートリッジを装着して同梱運搬などする場合でも、帯電メモリの発生を有効に抑制できるプロセスカートリッジおよび電極部材、それらを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - In the nonvolatile storage system 100, a nonvolatile memory control part 214 can interrupt a collection process in response to a collection process stop signal output from a timeout monitoring part 213 to reliably prevent a timeout.
不揮発性記憶システム１００では、不揮発性メモリ制御部２１４が、タイムアウト監視部２１３から出力される集約処理停止信号に基づいて、集約処理を中断させ、タイムアウトの発生を確実に防止することができる。 - 特許庁 - An image forming apparatus for mapping the memory to the process of an application performing an information processing comprises: a region acquisition means for acquiring at least a direct mapping region capable of direct mapping by the process on the memory; and an address conversion means for correlating the physical address of the direct mapping region with a virtual address for the direct mapping region included on a virtual memory region.
情報処理を行うアプリケーションのプロセスにメモリをマップする画像形成装置であって、メモリ上に、プロセスによって直接マップ可能な直接マップ領域を少なくとも獲得する領域獲得手段と、直接マップ領域の物理アドレスと、仮想メモリ領域上に含まれる直接マップ領域用の仮装アドレスとを対応付けたアドレス変換手段とを有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁 - To improve the performance of a processor system by preventing the data throughput of a cache memory consisting of multiple banks from being degraded by a bank competition due to simultaneous issue of requests to the same bank of the cache memory in a processor which has a capability to process a lot of access requests to the cache memory.
マルチバンクで構成されるキャッシュメモリへの複数のアクセス要求を処理する能力をもつプロセッサにおいて、キャッシュメモリの同一バンクへの要求を同時に発行することにより生じるバンク競合によってキャッシュメモリのデータ・スループットが低下することを防いで、プロセッサシステムの性能を改善する。 - 特許庁 - In the system, a memory update history preservation control part 1 makes a response to a read transaction issued on a processor bus 400 and allows a before-image buffer 2 to preserve data of a main memory 310 and its address, as update history information, outputted from a memory control part 300 onto a process bus 400.
この発明のシステムでは、メモリ更新履歴保存制御部１が、プロセッサバス４００上に発行されたリードトランザクションに応答して、メモリ制御部３００によりプロセッサバス４００上に出力された主メモリ３１０のデータとそのアドレスとを更新履歴情報としてビフォアイメージバッファ２に保存する。 - 特許庁 - In the fabrication process of a nonvolatile memory, a metal oxide under not-yet-crystallized state or incompletely crystallized state is provided between opposing electrodes, and high field energy is applied between the electrodes, to form a memory cell (memory area) of a metal oxide crystallized by Joule's energy heat being generated.
本発明の不揮発性メモリの製造方法は、対向する電極間に未結晶状態又は不完全な結晶化状態の金属酸化物を設け、前記電極間に高電界エネルギーを印加することにより、発生するジュール熱のエネルギーによって結晶化した金属酸化物からなるメモリ・セル（メモリ領域）を形成する。 - 特許庁 - The image processing apparatus acquires information about the file stored in a removable memory mounted in the image processing apparatus, determines whether the image processing apparatus can process the file stored in the removable memory, based on a predetermined size of data of the file stored in the removable memory, and displays the determination result on a display unit.
画像処理装置に装着されたリムーバブルメモリに記憶されたファイルに関する情報を取得し、リムーバブルメモリに記憶されたファイルを画像処理装置が処理することができるか否かを、リムーバブルメモリ記憶されたファイルの所定サイズのデータに基づいて判定し、判定結果を表示装置に表示する。 - 特許庁
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