「memory process」を含む例文一覧(2040)

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  • A memory allocating means 4 when allocating memories to a process allocates the memories in the memory group, made to correspond to the process group that the process belongs to, to the process.
    メモリ割り当て手段４は、プロセスにメモリを割り当てる際に、当該プロセスが属するプロセスグループに対応付けられたメモリグループに属するメモリを当該プロセスに割り当てる。 - 特許庁
  • LIFE CONTROL METHOD FOR PROCESS CARTRIDGE, PROCESS CARTRIDGE, IMAGE FORMING APPARATUS AND MEMORY DEVICE
    プロセスカートリッジの寿命管理方法、プロセスカートリッジ、画像形成装置及びメモリデバイス - 特許庁
  • MEMORY REWRITING CONTROL SYSTEM FOR FLASH MEMORY, MEMORY REWRITING CONTROL METHOD, AND PROGRAM ALLOWING EXECUTION OF EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD
    フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法及びメモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラム - 特許庁
  • CONTROLLING CIRCUITRY AND MEMORY ARRAY RELATIVE HEIGHT IN PHASE CHANGE MEMORY FEOL PROCESS FLOW
    相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおける回路及びメモリアレイの相対的高さの制御 - 特許庁
  • attaches the shared memory segment identified by shmid to the address space of the calling process.
    はshmidで指定された共有メモリ・セグメント (shared memory segment) をコールしたプロセスのアドレス空間に付加 (attach) する。 - JM
  • a read only memory of a semiconductor manufacturing process named mask read only memory
    マスクROMという,半導体素子の製造過程に情報の書込みが行われるリードオンリメモリ - EDR日英対訳辞書
  • IMAGE FORMING DEVICE, DEVELOPING UNIT, PROCESS CARTRIDGE, AND MEMORY UNIT
    画像形成装置、現像ユニット、プロセスカートリッジ及びメモリユニット - 特許庁
  • To provide a phase transformation memory element and its production process.
    相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • IMAGE FORMING APPARATUS, PROCESS CARTRIDGE AND SET VALUE MEMORY MEDIUM
    画像形成装置、プロセスカートリッジ及び設定値記憶媒体 - 特許庁
  • A process-shared semaphore must be placed in a shared memory region (e. g.
    プロセス共有セマフォは、共有メモリ領域 (例えば、semget (2) - JM
  • points to memory which is not a valid part of the process address space.
    が指しているメモリが正しいプロセスのアドレス空間にない。 - JM
  • I first started studying this constructive memory process
    私が この記憶の構成過程の 研究に着手したのは - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • PHASE TRANSFORMATION MEMORY DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS
    相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁
  • A current state is written in a process state sharing memory 103 for each process.
    プロセス状態共有メモリ１０３にはプロセスごとに現在の状態が書き込まれる。 - 特許庁
  • PROCESS CARTRIDGE, MEMORY MEDIUM FOR PROCESS CARTRIDGES, IMAGE FORMING APPARATUS, AND IMAGE FORMATION CONTROL SYSTEM
    プロセスカートリッジ、プロセスカートリッジ用メモリ媒体、画像形成装置および画像形成制御システム - 特許庁
  • NONVOLATILE MEMORY, ITS FABRICATING PROCESS, AND PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
    不揮発性記憶装置およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • PROCESS FOR FORMING CONTACT HOLE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR FABRICATING CAPACITOR, MEMORY, AND ELECTRONIC APPARATUS
    コンタクトホール形成方法、半導体装置、キャパシタ製造方法、メモリ装置、及び電子機器 - 特許庁
  • To invoke remote process calls and facilitate inter-process communications in a protected memory system.
    リモートシステム呼び出しを起動し、保護メモリシステムにおけるプロセス間通信を容易にする。 - 特許庁
  • is set, the calling process and the child process run in the same memory space.
    が設定された場合、呼び出し元のプロセスと子プロセスは同じメモリ空間で実行される。 - JM
  • The central processor executes an erasing process and a writing process of the nonvolatile memory after storing the vector address from the nonvolatile memory to the volatile memory.
    中央処理装置は、ベクタアドレスを不揮発性メモリから揮発性メモリへ格納した後に前記不揮発性メモリの消去処理又は書き込み処理を行う。 - 特許庁
  • When the minimum quantity of the image memory that is necessary is 8MB for a process A, 12MB for a process B and 4MB for a process C, when the image memory of 12MB is normally used by the process A, the 8MB image memory 121A for the process A and the 4MB image memory 121FA from a free image memory 121F are reserved.
    最低限必要な画像メモリ量が、例えばプロセスＡでは８ＭＢ、プロセスＢでは１２ＭＢ、プロセスＣでは４ＭＢであったとき、プロセスＡが通常１２ＭＢの画像メモリを使用するなら、８ＭＢのプロセスＡ用画像メモリ１２１Ａとフリー画像メモリ１２１Ｆから４ＭＢの画像メモリ１２１ＦＡをリザーブする。 - 特許庁
  • To reduce an operating voltage of a memory device in which amorphous silicon is used for a memory unit, and to form the memory device by a low-temperature process.
    アモルファスシリコンを記憶部に用いる記憶装置の動作電圧を低減し、かつ、それを低温プロセスで形成する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS FABRICATION PROCESS
    半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
  • When programming the data to the 2nd memory component, the reverse process is taken.
    データを第２メモリ素子にプログラムする時はその逆とする。 - 特許庁
  • IMAGE FORMING APPARATUS, PROCESS CARTRIDGE, DEVELOPMENT CARTRIDGE, AND MEMORY MEDIUM
    画像形成装置、プロセスカートリッジ、現像カートリッジ、及びメモリ媒体 - 特許庁
  • IMAGE FORMING APPARATUS USING PROCESS CARTRIDGE WITH INSTALLED NON-VOLATILE MEMORY
    不揮発性メモリ搭載プロセスカートリッジを用いた画像形成装置 - 特許庁
  • The memory is configured so as to store the images and the image browsing process.
    前記メモリーに画像及び画像ブラウズ・プロセスが格納される。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS PRODUCTION PROCESS
    半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
  • FILM FORMING PROCESS ANALYZER, ITS ANALYSIS METHOD AND MEMORY MEDIUM
    成膜プロセスの解析装置、その解析方法および記憶媒体 - 特許庁
  • is set, the execution of the calling process is suspended until the child releases its virtual memory resources via a call to execve (2)
    が設定された場合、( vfork (2) と同様に) 子プロセスがexecve (2) - JM
  • As a consequence, the amount of memory locked by the process may change.
    その結果、プロセスによってロックされるメモリの量は変化する。 - JM
  • Supposing that some process α requires a memory region A under execution.
    あるプロセスαが、実行中メモリ領域Ａを必要とする。 - 特許庁
  • When the process image having the reference pixel count is resized to a process image having a specified pixel count, the resized process image is preserved in a memory card 7.
    この基準画素数の処理画像が指定画素数の処理画像にリサイズされると、メモリカード７に保存される。 - 特許庁
  • In particular, memory writes performed by the calling process or by the child process are also visible in the other process.
    特に、呼び出し元のプロセスや子プロセスの一方がメモリに書き込んだ内容はもう一方のプロセスからも見ることができる。 - JM
  • To control circuitry and memory array relative height in a phase change memory FEOL process flow.
    相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおいて回路及びメモリアレイの相対的高さを制御する。 - 特許庁
  • To efficiently process successive memory access in a cache memory with a multistage pipeline structure.
    多段パイプライン構造のキャッシュメモリにおいて、連続するメモリアクセスを効率的に処理可能とする。 - 特許庁
  • To provide a phase change memory capable of scaling down the memory size using a self-aligned process.
    自己整合プロセスを用いて、メモリセルサイズを微細化することができる相変化メモリを提供する。 - 特許庁
  • Subsequently, a memory information is written on the memory cell of the flash ROM in a probe inspection process.
    続いて、プローブ検査工程においてフラッシュＲＯＭのメモリセルに記憶情報を書き込む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device allowing an expanded process margin, and to provide a manufacturing method for the semiconductor memory device.
    プロセスマージンの拡大が図られる半導体記憶装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The process controller 131 accesses the memory 122 via the image memory access control part 121.
    プロセス・コントローラー１３１は、画像メモリー・アクセス制御部１２１を介してメモリー１２２へアクセスする。 - 特許庁
  • To provide a memory card for solving a problem caused by an error correction process of the memory card in the memory card, and a method for controlling the memory card or the like.
    メモリカードにおけるメモリカードの誤り訂正処理に起因する問題を解決するメモリカード及びメモリカードに対する制御方法等を提供する。 - 特許庁
  • A memory stores a plurality of process models 112 corresponding to an available control form in an industrial process.
    メモリは、工業プロセスで可能な制御形態に対応した複数のプロセスモデル112を記憶する。 - 特許庁
  • To provide an organic ferroelectric memory which can be fabricated by a simple process and to provide its fabrication process.
    製造プロセスが容易な有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A memory and memory allocation object correspondence means 3 makes the memory groups 51, 52...5n and process groups 61, 62...6m correspond to each other.
    メモリ・メモリ割り当て対象対応付け手段３は、メモリグループ５１，５２，…，５ｎとプロセスグループ６１，６２，…，６ｍとを対応付ける。 - 特許庁
  • To provide DMA (Direct Memory Access) to accelerate a process which rearranges data recorded in a memory in order of bytes matching a transfer destination as compared with performing the process by allowing a CPU to execute rearrangement software on the memory.
    メモリに記録されたデータを転送先に適合するバイト順に並び替える処理を、CPUがメモリ上で並び替えソフトウェアを実行して行なう場合に比較して、高速化するDMA（Direct Memory Access）を提供。 - 特許庁
  • At the last, when a memory cell in the memory array is defective as a result of the discrimination process in a replacement process S 60, it is replaced by a nondefective redundant memory cell in the redundant memory array.
    最後に、置換工程Ｓ６０において、判定工程の判定結果により、メモリアレイ中のメモリセルが不良品のときには、冗長メモリアレイ中の良品の冗長メモリセルに置き換える。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING SELF-ALIGNING SOURCE PROCESS
    セルフアラインソース工程を用いる不揮発性メモリ装置の製造方法 - 特許庁
  • PROCESS FOR MANUFACTURING CBRAM MEMORY HAVING ENHANCED RELIABILITY
    強化された信頼性を有するＣＢＲＡＭメモリの製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE BY SHALLOW-GROOVE INSULATION
    浅溝絶縁による半導体不揮発性メモリ装置の製作過程 - 特許庁
  • MEMORY MEMBER, UNIT, PROCESS CARTRIDGE, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE FORMING APPARATUS
    メモリー部材、ユニット、プロセスカートリッジ、及び、電子写真画像形成装置 - 特許庁
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