「memory process」を含む例文一覧(2040)

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  • If this section appears in the memory image of a process, this member holds the address at which the section's first byte should reside.
    このセクションがプロセスのメモリイメージにある場合、このメンバはセクションの最初のバイトが存在するアドレスを保持する。 - JM
  • By default, any process can be killed at any moment when the system runs out of memory.
    デフォルトでは、システムがメモリを使い切った場合には、どのプロセスがいつ強制終了されるか分からないからである。 - JM
  • detaches the shared memory segment located at the address specified by shmaddr from the address space of the calling process.
    は呼び出したプロセスのアドレス空間からshmaddrで指定されたアドレスに配置された共有メモリ・セグメントを分離 (detach) する。 - JM
  • To provide a dynamic semiconductor memory which can be tuned more flexibly with respect to variations of process.
    プロセス変動の影響に対して、より柔軟にチューニングが可能なダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device comprising 2 transistor 1 capacitor type memory cells having high compatibility with logic process.
    ロジックプロセスとの整合性がよい、２トランジスタ−１キャパシタ型のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • Then, a function core 20a, after the input data have been read, performs the 1st-deinterleave process of the input data and starts writing the processed data into a bank 31 in the memory 30A.
    ファンクションブロック回路２０は、メモリ３０Ａのバンク３２への入力データの読み込みを開始する。 - 特許庁
  • To provide a camera-attached mobile terminal for using a low frequency clock and a memory with a small capacity to process the image data of many pixels from a camera.
    低周波クロック，小容量メモリを用いて短時間でカメラからの高画素の画像データを処理する。 - 特許庁
  • Namely, when a required memory area cannot be secured, a process 3 for filtering, a process 4 for calculating a logarithm value R, and a process 7 for normalizing the logarithm value R are skipped to execute a process 8 for generating an output value Out.
    つまり、必要なメモリ領域を確保できない場合には、フィルタ演算を行う工程３、対数値Ｒの算出を行う工程４、対数値Ｒの正規化を行う工程７をスキップして、出力値Ｏｕｔを生成する工程８を実行する。 - 特許庁
  • To provide an image forming apparatus and process cartridge reducing wearing-away of a photoreceptor drum, an image forming system forming images on a recording medium using the process cartridge, and a memory medium for process cartridge loaded onto the process cartridge.
    感光ドラムの削れを低減することを可能にする画像形成装置及びプロセスカートリッジ、プロセスカートリッジを用いて記録媒体に画像を形成する画像形成システム、プロセスカートリッジに搭載されたプロセスカートリッジ用メモリ媒体を提供する。 - 特許庁
  • The first memory array block consists of mask ROM cells to be programmed with predetermined data during a semiconductor manufacturing process, and the second memory array block consists of (EEPROM) cells or flash memory cells to be programmed or erased with predetermined data after the semiconductor manufacturing process.
    第１群のメモリアレイブロックは半導体製造工程中に所定データでプログラムされるマスクＲＯＭセルで構成され、第２群のメモリアレイブロックは半導体製造工程後に所定データでプログラムされるか、または消去されるＥＥＰＲＯＭセルまたはフラッシュメモリセルで構成される。 - 特許庁
  • What process 01 performs writing to a memory is stored in a state holding part 11, and data stored in the memory are subjected to operation by a mask mechanism 12 depending on whether or not the data are the data written by the process which performs reading of the content of the memory, whereby the confidentiality is enhanced.
    何れのプロセス０１がメモリに書き込みを行ったかを状態保持部１１に記憶し、メモリの内容を読み出そうとしているプロセスにより書き込みが行われたデータであるか、否かにより、メモリに保持されているデータにマスク機構１２によって演算を施すことで機密性を高める。 - 特許庁
  • The OS allocates an unused context ID for the I/O device to the process A, maps a memory page corresponding to the ID as an address for pending register access for the process A and stores a pointer (physical address) to the request storage area of the process A 210 in an internal memory in the I/O device.
    ＯＳは、プロセスＡに対して使っていないＩ／Ｏ装置用のコンテクストＩＤを割り当て、そのＩＤに該当するメモリページをプロセスＡ用のペンディングレジスタアクセス用のアドレスとしてマップし、Ｉ／Ｏ装置内の内蔵メモリにプロセスＡの要求格納領域へのポインタ（物理アドレス）を記憶する。 - 特許庁
  • Entrance information recorded in the IC card during an entrance process is recorded in an entrance information recording memory 22, and when the IC card is not loaded in the on-vehicle apparatus 20 during the exit process, the exit process is carried out by using the entrance information recorded in the entrance information recording memory 22.
    入口処理時にＩＣカードに記録された入口情報を入口情報記録メモリ２２に記録し、出口処理時に車載器２０にＩＣカードが装填されていない場合、入口情報記録メモリ２２に記録されている入口情報を用いて出口処理を行うようにする。 - 特許庁
  • To accurately manage service life and speed up a process of reading data in a nonvolatile memory and a process of writing data therein, even in a process cartridge having component parts for carrying out image formation and the nonvolatile memory for storing specific information which correspond to addresses.
    画像形成を実行する構成要素と、アドレスに対応して所定の情報を記憶する不揮発性メモリを備えたプロセスカートリッジであって、寿命を精度良く管理できる上、不揮発性メモリ内のデータの読み出し処理や書き込み処理を高速化できるものを提供する。 - 特許庁
  • The process chart and assembling and disassembling chart creation system comprises a memory section 1 for storing shape information, structure information, and interference information, a control section 2 for creating the process chart and assembling and disassembling chart on the information memorized in the memory section 1, and a display section 3 for displaying the process chart and assembling and disassembling chart created by the control section 2.
    形状情報、構成情報、干渉情報を記憶する記憶部１と、記憶部１に記憶されている情報を基に工程図及び組立分解図を作成する制御部２と、制御部２で作成した工程図及び組立分解図を表示する表示部３とを備える。 - 特許庁
  • When a memory write instruction is issued in the process of memory copying, an address comparator 1221 compares the write address (RA) with the count values of the counters 1223 and 1224, and if the RA is larger than the count value of the counter 1223, simply permits the memory writing.
    メモリコピーの工程中にメモリライトの命令が発行された場合には、アドレス比較器1221はそのライトアドレス(RA)とカウンタ1223,1224のカウント値とを比較し、RAが1223のカウント値より大きい場合には単にメモリライトを許可する。 - 特許庁
  • To realize simple and high speed writing process to a nonvolatile memory to cope with needs due to a dramatic increase, in recent years, in a capacity of a nonvolatile memory to be mounted on a microcomputer having a built-in nonvolatile memory.
    近年、不揮発性メモリ内蔵マイコンに搭載される不揮発性メモリの容量が格段に増加してきたことにより、不揮発性メモリに対する書込み処理の簡便化および高速化が望まれてきている。 - 特許庁
  • To ensure a stable operation of non-contact memory by protecting the non-contact memory loaded to a process cartridge from electromagnetic wave until immediately before use and by easily and safely carrying out release of protection in the case of using the memory.
    プロセスカートリッジに搭載された非接触メモリーを使用直前まで電磁波から保護するとともに、使用に際して保護の解除を容易かつ安全に行ない、非接触メモリーの安定した動作を保証する。 - 特許庁
  • In a process in which a memory card 24 is inserted, a cleaning member 28 at the input side of the memory card 24 on a read/write terminal 26 is brought into contact with an external terminal 25 of the memory card 24 so that the external terminal 25 can be cleaned.
    メモリーカード２４が挿入される過程では、まず、読み書き用端子２６上であってメモリーカード２４の入口側にある清掃部材２８が、メモリーカード２４の外部端子２５に接触して清掃する。 - 特許庁
  • In such a process, if required, a memory controller changes automatic refresh bank order, while the automatic refresh operation is executed on arbitrary memory banks, a read and write operation are enabled in other memory banks.
    このような過程は、必要な場合、メモリ制御器が自動リフレッシュバンク順序を変更できるようにし、自動リフレッシュ動作が任意のメモリバンクで実行されると共に、他のメモリバンクではリードとライト動作を可能とする。 - 特許庁
  • To provide a reading method for a nonvolatile memory device, an operation method for a memory controller, and an operation method for a memory system capable of improving reading performance by reducing the execution frequency of an algorithm which performs read retry process.
    リードリトライを行うアルゴリズムの実行回数を減らして、読み出し性能を向上させうる不揮発性メモリ装置の読み出し方法及びメモリコントローラの動作方法並びにメモリシステムの動作方法を提供する。 - 特許庁
  • Since the first and the second memory sections can be rewritten, reference voltage and verification voltage can be set, after a semiconductor memory is manufactured, in accordance with characteristics of a memory cell modified by variation of a manufacturing process.
    第１および第２記憶部が書き換え可能であるため、製造プロセスの変動により変化するメモリセルの特性に応じて、半導体メモリの製造後に参照電圧および検証電圧を設定できる。 - 特許庁
  • To provide a flash memory cell that stores high-density 2-bit or 3-bit data using existent process technique directly, a production method of the memory cell, and a programming/deletion/reading method of the memory cell.
    既存の工程技術をそのまま使用して高密度の２ビット又は３ビットのデータを格納することが可能なフラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム／消去／読出方法を提供する。 - 特許庁
  • The work memory 24 of the programmable logic controller (PLC) is loaded with only one instruction at a time from the PLC's load memory 22 of the PLC which contains the entire instruction set to control a process.
    プログラマブルコントローラ（ＰＬＣ）のワークメモリ２４は、プロセスを制御するための完全な命令セットを保持するＰＬＣのロードメモリ２２から、一度に一つの命令をロードされる。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory element, capable of providing a nonvolatile memory by a CMOS process of standard logic, and capable of arranging compactly a capacitor to minimize an area.
    標準ロジックのＣＭＯＳプロセスで不揮発性メモリを実現し、キャパシタをコンパクトに配置して面積を最小限にする、不揮発性半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a novel nonvolatile memory array structure capable of facilitating a test process of the nonvolatile memory array by forming an open circuit between an abnormally functioning bit line and a sense amplifier.
    機能異常のビット線とセンス増幅器の間を開路にして、不揮発性メモリアレイのテスト工程を簡便化し得る新規の不揮発性メモリアレイ構造を提供する。 - 特許庁
  • To realize a nonvolatile memory which can record multilevel information per one memory cell without complicating a manufacturing process and increasing the occupancy area of a nonvolatile capacitor.
    製造プロセスを複雑化することなく、また、不揮発性キャパシタの占有面積を増大させることなく、１メモリセルあたり多値情報を記録可能な不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁
  • Part of the memory unit 12 may be initialized and/or checked by a memory control unit 115 to which a command has given from the CPU 10 in which a reset process has been completed.
    なお、リセットプロセスが完了したＣＰＵ１０に指示されたメモリ制御部１１５によりメモリ部１２の一部に対して初期化および／またはチェックが実施されてもよい。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where word lines are lessened in resistance without making a manufacturing process complicated, and a memory can be read out in a shorter time.
    工程を複雑化することなく、ワード線を低抵抗化し、メモリの読み出し時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁
  • To provide a thin film magnetic memory device having a MTJ memory cell of which a magnetization characteristic is simple and operation margin can be secured without complexing a manufacturing process.
    製造工程の複雑化を招くことなく、磁化特性が単純で、かつ動作マージンを確保できるＭＴＪメモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a fit-in type flash memory cell structure which reduces manufacturing cost by simultaneously manufacturing a flash memory cell structure and a CMOS device on a substrate, and simplifies a manufacturing process.
    基板上にフラッシュメモリセル構造とＣＭＯＳ装置を同時に製作して製造コストを下げ、製造工程を簡素化する嵌入式フラッシュメモリセル構造を提供する。 - 特許庁
  • The correction processing part 6 receives images for a page from the page memory 4, specifies a document in a predetermined process and stocks a processing command corresponding to the document in a correction processing memory 5.
    加筆処理部６は、ページメモリ４からページ分の画像を受け取り、所定のプロセスで帳票を特定し帳票に応じた処理コマンドを加筆処理メモリ５に蓄積する。 - 特許庁
  • The line code data stored in the code line memory is read from the beginning of each line and supplied to a decoding process part for decoding, to be stored in an image line memory.
    符号ラインメモリに記憶されたライン符号データは、各ラインの先頭側から読み出されて復号処理部に供給されて復号され、画像ラインメモリに記憶される。 - 特許庁
  • To provide a memory device for which a complex manufacturing process is not required, and which is reduced in power consumption, and also to provide a signal processing circuit including the memory device.
    複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。 - 特許庁
  • To provide a film-forming device capable of executing a process parameter of a data volume exceeding a finite memory volume, in the finite memory volume of a PLC, without degrading the throughput.
    ＰＬＣの有限なメモリー容量に対して、その有限メモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを、スループットの低下を伴わずに実行する成膜装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a production method by which two way memory effect can simply be obtained by utilizing an ordinary production process for TiNi shape memory alloy wire without performing other complicated treatment.
    ＴｉＮｉ形状記憶合金ワイヤの通常の製造過程を利用し、ほかの複雑な処理がなく、簡単に二方向記憶効果が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Then the product sum operation (filter process) by the register unit 10 and product sum unit 11 is performed by using the data table A in the X memory 3 and the data table B in the Y memory 4.
    そして、Ｘメモリ３のデータテーブルＡとＹメモリ４のデータテーブルＢとを用いて、レジスタユニット１０及び積和器１１による積和演算（フィルタ処理）が行われる。 - 特許庁
  • To realize a semiconductor device capable of effectively suppressing propagation of the noise generated by a logic unit to a memory cell of a memory and having a simple structure in a process.
    ロジック部で発生したノイズのメモリ部のメモリセルへの伝播を効果的に抑制でき、かつプロセス的に簡単な構造を有する半導体装置を実現することにある。 - 特許庁
  • Finally, the communication apparatus 2a outputs transfer data 3 in the memory region managed by the process 2b with RDMA transfer specifying the data-receiving memory region.
    すると、通信装置２ａによって、プロセス２ｂが管理するメモリ領域内の転送データ３が、データ受信用メモリ領域を指定したＲＤＭＡ転送で出力される。 - 特許庁
  • This enables processes 'a' and 'b' operating on the OSs 'a' and 'b' to share a common memory space 1551 on a physical memory space provided by the process 'b'.
    これにより、ＯＳａ、ｂ上で動作しているプロセスａ、ｂは、プロセスｂが提供した物理メモリ空間上の共有メモリ空間１５５１を共有することが可能となる。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.
    フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The end part of the memory cell is subjected to optical proximity correction/process proximity correction(PPC) so as to decrease the dimensional difference in the finished pattern in the end region of the memory cell.
    メモリセル部の端領域での仕上がりパターン寸法差を低減させるために、メモリセル端部に光近接効果補正／プロセス近接効果補正（ＰＰＣ）を行う。 - 特許庁
  • To provide a memory unit, in which a plurality of blocks can be changed over simultaneously and a memory map with superior usage efficiency can be constituted, according to the process contents of a program.
    複数のブロックを同時に切り替えることができ、プログラムの処理内容に応じた利用効率の良いメモリマップの構成が可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a reproducing device capable of automatically performing an operation and a process which have been performed in a device loaded with a semiconductor memory card before, when the semiconductor memory card is loaded thereto.
    半導体メモリカードを装着したとき、前に半導体メモリカードが装着されていた装置で行われていた操作及び処理を自動的に実行すること。 - 特許庁
  • The audio processor predicts the next process and controls the DMA controller 15 so as to transfer the necessary data and programs from an external memory 1 to a local memory beforehand.
    オーディオ処理プロセッサは次に行われる処理を予測して、必要なデータやプログラムを前もって外部メモリ１からローカルメモリに転送するようにＤＭＡコントローラ15を制御する。 - 特許庁
  • To provide a temperature information output device for a semiconductor memory element, performing a temperature compensation process in the semiconductor memory element, using a low power supply voltage.
    低い電源電圧を用いる半導体メモリ素子において、温度補正過程を行う半導体メモリ素子の温度情報出力装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • The initialization of the computer system includes a process in which initialization codes stored in the nonvolatile memory are automatically copied into the volatile memory.
    上記コンピュータシステムが初期化される際に、上記不揮発性メモリ内に記憶された初期化コードを、上記揮発性メモリに自動的にコピーする工程を含んでいる。 - 特許庁
  • In the process, a circuit in the volatile memory automatically creates the copy, and the processor copies the initialization codes from the volatile memory.
    この工程では、上記揮発性メモリ内の回路が、上記コピーを自動的に作成し、そしてプロセッサによって、上記揮発性メモリからの上記初期化コードのコピーを行う。 - 特許庁
  • In the second nonvolatile memory 5, when data are written in a flash memory 4, the process is recorded in an auxiliary region 10, and an entry table 6 and an address conversion table 7 are updated.
    第２の不揮発性メモリ５には、フラッシュメモリ４へのデータの書込みの際に補助領域１０にその経過を記録して、エントリテーブル６、アドレス変換テーブル７を更新する。 - 特許庁
  • A memory controller is adapted to process requests for access to the data items stored in the memory banks in accordance with a specified bank access sequence.
    メモリコントローラは、これらメモリバンク内に格納されているこれらデータ項目へのアクセスに対するリクエストをある指定されるバンクアクセスシーケンスに従って処理するように適合される。 - 特許庁
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