「memory process」を含む例文一覧(2040)

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  • In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.
    本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁
  • To provide a memory control method capable of efficiently using memory region while preventing overhead by copying process for generating a Java object.
    Ｊａｖａオブジェクトを生成するためのコピー処理によるオーバーヘッドを避け、効率的にメモリ領域を使用することができるメモリ管理方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a ferroelectric memory with a property which is hard to deteriorate during a manufacturing process and after a manufacturing and with a high reliability, and a method of manufacturing the ferroelectric memory.
    製造工程および製造後において特性が劣化しにくく、かつ信頼性の高い強誘電体メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To simply and securely replace a defective memory cell by a redundant memory cell by improving a program process for a fuse element at the time of using a redundant circuit of a SRAM.
    SRAMの冗長回路の使用時におけるフューズ素子に対するプログラム工程を改善し、不良メモリセルを冗長メモリセルに簡単、確実に置換する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein gates between the transistors of a CMOS part and a memory transistor of high-density memory are manufactured in a common process.
    ＣＭＯＳ部の各トランジスタと、高密度メモリのメモリトランジスタとの各ゲートを共通の工程で製造し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • When the CAF process is finished, a focus image is stored in an image memory as a focus confirmation image (S104).
    ＣＡＦ処理終了時、合焦画像を合焦確認画像として画像メモリに記憶する（Ｓ１０４）。 - 特許庁
  • To provide a process to produce a phase change memory cell having a completely self-aligned vertical heater.
    完全に自己整列式の縦ヒータ素子を備えた相変化メモリセルを製造するためのプロセスを提供する。 - 特許庁
  • The image data obtained and produced by the image process are recorded into a flush memory 11.
    そして、撮影処理により得られた画像データ及び生成された画像データをフラッシュメモリ１１に記録する。 - 特許庁
  • To prevent a fraudulent act for winning a prize through fraudulently initializing a game machine and to prevent a memory clear process from being fraudulently performed when a power source is turned on.
    遊技機を不正に初期化することで当選を得ようとする不正行為を防止する。 - 特許庁
  • To process cache mis-request processing and flash processing while keeping the consistency of a cache memory.
    キャッシュメモリの整合性を保ちながら、キャッシュミスリクエスト処理とフラッシュ処理とを並行して処理する。 - 特許庁
  • FERROELECTRIC LAYER, ITS FORMING PROCESS, FERROELECTRIC CAPACITOR, AND FERROELECTRIC MEMORY
    強誘電体層、強誘電体層の製造方法、強誘電体キャパシタならびに強誘電体メモリ - 特許庁
  • To perform frame synchronization process with less calculation amount using a frame memory of relatively small capacity.
    比較的小容量のフレームメモリを用いて少ない演算量でフレーム同期処理を実行すること。 - 特許庁
  • During the execution of a first white balance initialization process, the arithmetic circuit 27 reads an image signal from the memory 23.
    第１のホワイトバランス初期化処理の実行時に演算回路２７はメモリ２３から画像信号を読出す。 - 特許庁
  • MANUFACTURE OF ROM MULTI-VALUE LEVEL MEMORY IN DUAL- GATE CMOS PROCESS AND ROM CONFIGURATION
    デュアルゲ—ト型のＣＭＯＳプロセスに於けるＲＯＭ型の多値レベルメモリの製造方法およびＲＯＭ構造 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a flush memory element by utilizing a self-alignment non-exposure pattern formation process.
    自己整列無露光パターン形成プロセスを利用してフラッシュメモリ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁
  • Consequently, a total number of defective bits or the like obtained by the above process is used for an evaluation criterion of the memory array.
    そして、これによって得られた不良ビットの総数などを、メモリアレーの評価基準に用いる。 - 特許庁
  • Only by mounting the nonvolatile memory, an image formation process may be automatically executed as well.
    不揮発性メモリを装着するだけで、自動的に画像形成処理を実行させることも可能である。 - 特許庁
  • The controller part 2 can implement a process for automatically deleting predetermined data stored in the memory part 3.
    コントローラ部２は、メモリ部３に記憶されている所定のデータの自動消去処理を実行可能である。 - 特許庁
  • MEMORY SYSTEM AND METHOD BASED ON DISK HAVING PRIORITY- ASSIGNED LOADING AND SEARCH PROCESS
    優先順位つきのローディングおよび検索の工程を備えた、ディスクを基にした記憶システムおよび方法 - 特許庁
  • A confirmation process S11 for confirming the memory state of the hard disk and discriminating navigation data and user data.
    ハードディスクの記憶状態を確認しナビゲーション用データとユーザデータを判別する確認工程Ｓ１１。 - 特許庁
  • To enable the longest string-matching decision of a network address, without executing any arithmetic process in a memory.
    記憶装置内部で演算処理を行わせることなく、ネットワークアドレスの最長一致判定が可能となる。 - 特許庁
  • Signal 11 errors are caused when your process has attempted to access memory which the operating system has not granted it access to.
    Signal 11 エラーはオペレーティングシステムが許可を与えていないメモリにアクセスしようとしたときに発生します。 - FreeBSD
  • A process may, however, advise the system about expected future memory utilization as a performance aid.
    プロセスは実行援助として予期された将来のメモリ利用についてシステムに助言するかもしれません。 - FreeBSD
  • An alternative to doing the copying is to remap the process memory into the kernel.
    コピーを実現するもう一つの方法として、プロセスのメモリをカーネル内に再マッピングする方法があります。 - FreeBSD
  • If the calling process tries to access memory in a manner that violates the protection, then the kernel generates a SIGSEGV
    呼び出し元のプロセスがアクセス保護に違反するようなメモリアクセスを行おうとすると、カーネルはシグナルSIGSEGV - JM
  • minflt %lu The number of minor faults the process has made which have not required loading a memory page from disk.
    minflt %luプロセスが引き起こしたマイナーフォールト (minor fault、ディスクからメモリページへのロードを必要としないフォールト) の回数。 - JM
  • majflt %lu The number of major faults the process has made which have required loading a memory page from disk.
    majflt %luプロセスが引き起こしたメジャーフォールト (major fault、ディスクからメモリページへのロードを必要とするフォールト) の回数。 - JM
  • Using a simple process requiring no ion doping, a very highly integrated nonvolatile memory device can be embodied.
    イオンドーピングの必要ない単純な工程を通じて超高集積の不揮発性メモリ素子が具現できる。 - 特許庁
  • This process starts a file preparation application 50 for memory development for updating the data of the file (S2).
    ファイルのデータを更新するために、プロセスは「メモリー展開用ファイル作成アプリケーション」５０を起動する（Ｓ２）。 - 特許庁
  • This printer 1 executing a dithering process stores previously-prepared first dither matrices 51 in a memory 30.
    ディザ処理を行うプリンタ１は、予め用意された第１のディザマトリクス５１をメモリ３０に記憶している。 - 特許庁
  • To perform a texture removal process precisely even without having to perform a prescan and without requiring a large memory.
    多くのメモリを必要とせず、プリスキャンを行わなくても的確に地肌除去処理を行うこと。 - 特許庁
  • The allocation process is provided with a process for securing a fixed size of memory area on the shared memory in every USB port, and a process for setting the buffer area of the pipe requested to transfer the data as to a USB device, in the fixed size of memory area secured as to the USB port connected to the USB device.
    前記割り当てる工程は、ＵＳＢポートごとに共有メモリ上の固定サイズのメモリ領域を確保する工程と、ＵＳＢデバイスが接続されたＵＳＢポートについて確保した前記固定サイズのメモリ領域に、当該ＵＳＢデバイスに関してデータ転送要求のあったパイプのバッファ領域を設定する工程と、を備える。 - 特許庁
  • In this disk array device comprising a dual cache memory, when a part of the cache memory 12 is failed, only a memory area (Area1) where the failure occurs is closed and reallocated to the other memory area (Area2) of the same cache memory 12, and the I/O process is continued.
    ２重のキャッシュメモリを備えたディスクアレイ装置において、キャッシュメモリ１２の一部に障害が発生した場合、障害が発生したメモリ領域（Ａｒｅａ１）のみを閉塞させ、これを同じキャッシュメモリ１２の他のメモリ領域（Ａｒｅａ２）に再割り当てしてＩ／Ｏ処理を継続する構成とする。 - 特許庁
  • In the non-detection area masking process part 12, a masking process is carried out for selectively retrieving the image data from the image memory 11 on the basis of the decided non-detection area.
    決定した非検知エリアに基づいて画像メモリ１１からの画像データを選択的に取り出すマスク処理を非検知エリアマスク処理部１２で行なう。 - 特許庁
  • Since a hardware-like process and a software-like process are separated, the number of times of memory expansion processing can be suppressed to a minimum and the processing time can be shortened.
    ハード的処理とソフト的処理とが分離されているため、メモリ展開処理の回数を最小限に抑えることができ、処理時間を短縮できる。 - 特許庁
  • A process monitoring part 2 monitors process information on an OS 21, and acquires monitoring information such as use states of various resources such as a CPU or memory.
    プロセス監視部２は、ＯＳ２１上のプロセスの情報を監視し、ＣＰＵや、メモリなど各種リソースの使用状況といったモニタリング情報を取得する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device and its test method in which a defect relieving process using an anti-fuse and a time required for its test process can be shortened.
    アンチヒューズを用いた不良救済工程及びそのテスト工程に要する時間を短縮できる半導体記憶装置及びそのテスト方法を提供する。 - 特許庁
  • A predetermined process is executed in the process part 403, as required, when data is transferred between the data processing apparatus 100 and the large capacity memory 300.
    データ処理装置１００と大容量メモリ３００とのデータ転送の際に、必要に応じて処理部４０３内で所定の処理を実行する。 - 特許庁
  • Also, the OS successively transfers each process image from a nonvolatile memory device to the RAM, and resumes the execution from the process of which the transfer is completed.
    また、ＯＳは、不揮発性記憶装置からＲＡＭへ各プロセスのイメージを順に転送し、転送が完了したプロセスからその実行を再開する。 - 特許庁
  • To reduce the cost of a system LSI by shortening a fuse cut off process and reducing the area of a memory chip whose manufacturing process cost is more expensive than that of a logic chip.
    ヒューズ切断工程を短縮し、製造プロセスコストがロジックチップよりも高価なメモリチップの面積を縮小してシステムＬＳＩコストを低減する。 - 特許庁
  • When a power stoppage occurs, a main substrate perform a power feed stopping process including a RAM(random access memory) access prohibiting process, then is set to be in a standby state.
    主基板では、電源断が発生すると、ＲＡＭアクセス禁止処理を含む電力供給停止時処理を行った後に待機状態となる。 - 特許庁
  • To provide an organic ferroelectric memory in which facilitation of fabrication process and enhancement of the degree of freedom in design can be achieved, and to provide its fabrication process.
    製造プロセスの容易化及び設計自由度の向上が実現できる、有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide a ferroelectric memory device which can control degradation in the characteristics of a ferroelectric capacitor during fabrication process, and to provide its fabrication process.
    製造工程における強誘電体キャパシタの特性の劣化を抑制することができる強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a multichip module in which the function of a memory chip can be altered at the time of mounting the memory chip having external connection terminals formed by wafer process on a wiring board or after the memory chip is mounted thereon.
    ウエハプロセスで外部接続端子を形成したメモリチップを配線基板に実装する際、または実装した後に、前記メモリチップの機能を変更することができるマルチチップモジュールを提供する。 - 特許庁
  • A memory access monitoring part 5 monitors a monitor target process 4, and when a memory place whose write-in access is generated is executed, the memory place is added to an original code candidate list as the candidate of the original code.
    メモリアクセス監視部５は監視対象プロセス４を監視し、書き込みアクセスが発生したメモリ箇所が実行された場合に、当該メモリ箇所をオリジナルコードの侯補としてオリジナルコード候補リストに追加する。 - 特許庁
  • A process processing circuit 4 processes an image signal from an image pickup element 2, a memory control section 5 records the processed signal to a frame memory 6 and reproduces/displays the recorded signal on a monitor display section 10 via a video memory 9.
    撮像素子２からの画像信号をプロセス処理回路４で処理し、メモリ制御部５によりフレームメモリ６に記録し、またビデオメモリ９を介してモニタ表示部１０に再生表示する。 - 特許庁
  • A memory management device is constructed of a limited memory allowed to erase and rewrite the data only by a block unit and a free memory consisting of a data maintaining area allowed to process the data freely.
    メモリ管理装置は、ブロック単位でしかデータの消去や書換えを行うことができない制限メモリと、データを自由に加工することができるデータ保持領域からなる自由メモリとで構成される。 - 特許庁
  • In memory reading process, a part of read data is outputted from the memory via a CRC bus, and a CRC result and the other part of the read data are outputted from the memory via a data bus.
    メモリー読み取りプロセス中、読み取りデータの一部がＣＲＣバスを経由してメモリーから出力され、ＣＲＣ結果および読み取りデータの他の部分がデータバスを経由してメモリーから出力される。 - 特許庁
  • The common module includes a control device, more than one processing unit, more than one local memory causing the processing units to process a program, a direct memory access, a controller and a shared main memory.
    共通のコンピューティング・モジュールの中には、制御装置と、複数の処理ユニットと、処理ユニットがプログラムを処理する元となる複数のローカルメモリと、ダイレクト・メモリ・アクセスと、コントローラと、共用メイン・メモリとが含まれる。 - 特許庁
  • To provide a memory structure and the manufacturing method of the same, capable of reducing a time and a process necessary for manufacturing the memory structure and capable of manufacturing the memory structure without employing any transistor for decoding.
    メモリ構造を製造するのに必要な時間と処理とを低減し、復号化用のトランジスタを用いることなくメモリ構造を製造することができるメモリ構造及びその製造方法の提供。 - 特許庁
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