「memory process」を含む例文一覧(2040)

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  • To provide a memory management system capable of opening any unnecessary memory without erroneously opening a memory area necessary for a process.
    プロセスが必要とするメモリ領域を誤って開放することなく、不必要なメモリを開放することができるメモリ管理システムを提供する。 - 特許庁
  • A process monitor means 1000 makes surveillance time and information indicating the state of GUI of the process store in a process memory part 110, corresponding to process identification information.
    プロセス監視手段１０００は、プロセス識別情報に対応付けて、監視時刻と、プロセスのＧＵＩに関する状態を示す情報とをプロセス記憶部１１０に記憶させる。 - 特許庁
  • To minimize the memory capacity of an information processing apparatus performing an elongation process and a decryption process, and to efficiently perform the elongation process and the decryption process.
    伸長処理と復号化処理を行う情報処理装置の記憶容量を最小限にするとともに、効率的な伸長処理および復号化処理を実現すること。 - 特許庁
  • The module 522 selects, when a specific process contained in the group of process names is started, a memory range which does not overlap a memory range used by the other process at the time when the specific process is started, in the memory range candidates described in the BAI.
    モジュール５２２は、処理名の集合に含まれる特定の処理を開始する際に、ＢＡＩに記述されているメモリ範囲候補のうち特定の処理を開始する時点で他の処理に利用されているメモリ範囲と重複しないメモリ範囲を選択する。 - 特許庁
  • To provide a phase change memory formed using a self-aligned process and capable of scaling down the memory size cell.
    自己整合プロセスを用いて形成され、メモリセルサイズを微細化することができる相変化メモリを提供する。 - 特許庁
  • A memory manager 22 processes data requests from the two engines to process reading from and writing to the memory 22.
    メモリ・マネジャ２２は２つの機関からのデータ要求を処理し、メモリ２２の読出し及び書込みを処理する。 - 特許庁
  • PROCESS FOR FABRICATING FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC CAPACITOR, MEMORY ELEMENT, ELECTRONIC ELEMENT, MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS CAPACITOR
    強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器 - 特許庁
  • Also configuration data is read from the resistive memory after process, while the data is re-written in the resistive memory.
    また、後工程後にコンフィギュレーションデータを抵抗メモリから読み出すとともに、該データを該抵抗メモリに書き込みなおす。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, PROCESS FOR FABRICATION THEREOF, AND PROCESS FOR FABRICATION OF FERROELECTRIC CAPACITOR
    半導体記憶装置およびその強誘電体キャパシタの製造方法と半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
  • The main process release process 40 operates while referring to the memory management information and process management information 14 managed by the operating system 10, and executes a free area deficiency wait step 41, a target process selection step 42, and a memory release step 43 first to release the memory allocated to a process selected in a target process selection step 42.
    メインメモリ解放プロセス４０は、オペレーティングシステム１０が管理するメモリ管理情報１３とプロセス管理情報１４とを参照しながら動作し、まず空き領域不足待ちステップ４１、ターゲットプロセス選択ステップ４２、メモリ解放ステップ４３を実行して、ターゲットプロセス選択ステップ４２で選択したプロセスに割り当てられたメモリを解放する。 - 特許庁
  • To increase process efficiency by reducing power consumption of a cache memory.
    キャッシュメモリにおける消費電力を低減し、処理効率の向上を図ること。 - 特許庁
  • A program arranged in the process address space is loaded to a memory 3 by page unit.
    プロセスアドレス空間に配置されたプログラムはページ単位にメモリ３にロードされる。 - 特許庁
  • A generating process for a display list is performed and stored in a display list memory (S2102).
    ディスプレイリストの作成処理を行い、ディスプレイリストメモリに格納する（Ｓ２１０２）。 - 特許庁
  • PRINTING METHOD AND SYSTEM, PROCESSING PROCESS CAPABLE OF BEING PERFORMED BY COMPUTER AND MEMORY MEDIUM
    プリント方法、システム、コンピューターで実行可能な処理工程及び記憶媒体 - 特許庁
  • This process helps learner's memory via key operations for answering a text.
    この過程はテキストに答えるキー操作を介して学習者の記憶を助ける。 - 特許庁
  • To make it possible to process a partial magnification transform without needing much memory.
    多くのメモリを必要とせずに、部分的な倍率変換処理を可能とする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory which can process data at high speed.
    高速にデータ処理を行なうことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • APPARATUS FOR REDUCING CROSSTALK IN PIRM MEMORY ARRAY AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
    ＰＩＲＭメモリアレイ内のクロストークを低減するための装置および製造プロセス - 特許庁
  • A storage means 12 provides a memory space available for a process space.
    記憶手段１２は、プロセス空間として利用可能なメモリ空間を提供する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING DAMASCENE BIT LINE PROCESS, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    ダマシンビットライン工程を利用した半導体メモリー装置及びその製造方法 - 特許庁
  • The name argument points to memory not in a valid part of the process address space.
    name引き数の指しているメモリが有効なプロセスのアドレス空間の一部でない。 - JM
  • Unmap the shared memory object from the virtual address space of the calling process.
    呼び出したプロセスの仮想アドレス空間から共有メモリオブジェクトをアンマップする。 - JM
  • [XvBadAlloc] Returned if XvSelectVideoNotify(3X)failed to allocate memory to process the request.
    [XvBadAlloc] 8XvSelectVideoNotify(3X) が、リクエストを処理するためのメモリの割り当てに失敗した場合に返される。 - XFree86
  • [XvBadAlloc] Returned if XvStopVideo(3X)failed to allocate memory to process the request.
    [XvBadAlloc] 8XvStopVideo(3X) がリクエストを処理するためのメモリの割り当てに失敗した場合に返される。 - XFree86
  • METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, INCLUDING SURFACE PREPARATION PROCESS FOR PHASE-CHANGE LAYER
    相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
  • The flash memory 10 is provided with a semiconductor chip 16 wherein a flash memory circuit is formed, and a heater 13 for performing an annealing process to the flash memory circuit.
    フラッシュメモリ１０は、フラッシュメモリ回路が形成された半導体チップ１６と、フラッシュメモリ回路に対してアニーリング処理を行うヒータ１３と、を備える。 - 特許庁
  • A virtual memory management (VMM) module 320 manages mapping between the process address space and a real memory space as an address space of the memory 3 in page unit.
    仮想メモリ管理（ＶＭＭ）モジュール３２０は、プロセスアドレス空間とメモリ３のアドレス空間としての実メモリ空間との間のページ単位のマッピングを管理する。 - 特許庁
  • The main process is carried out by CPU and a processing memory is replaced by the memory of the CPU, so that a gate array device and a physical memory accompanying the gate array device can be eliminated.
    本処理をＣＰＵで行い、また、処理用メモリをＣＰＵのメモリで賄うことにより、ゲートアレイデバイスとそれに付随する物理メモリが不要となる。 - 特許庁
  • SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY REWRITING OF FLASH MEMORY, PROGRAM FOR PERFORMING EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD AND INFORMATION RECORDING MEDIUM
    フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法、メモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラムおよび情報記録媒体 - 特許庁
  • If the legitimacy of the option memory is confirmed, the start up process of the system is started in parallel without waiting the result of memory check of the optional memory.
    標準搭載メモリの正当性が確認されたならば、増設オプションメモリのメモリチェック結果を待つことなく、システムの立ち上げ処理が並行的に開始する。 - 特許庁
  • The nonvolatile memory of the process cartridge stores memory map information showing the data arrangement corresponding to the addresses in the nonvolatile memory.
    プロセスカートリッジの不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）は、この不揮発性メモリ内のアドレスに対応したデータ配置を表すメモリマップ情報を格納するようになっている。 - 特許庁
  • This information processor for performing a predetermined process on a main memory is provided with a process compression means for compressing the image of a process being executed on a main memory based on a compression rule corresponding to a process being executed.
    主メモリ上で所定のプロセスを実行する情報処理装置であって、主メモリ上で実行中のプロセスのイメージを、当該実行中のプロセスに応じた圧縮ルールに基づいて圧縮するプロセス圧縮手段を備えた。 - 特許庁
  • When an instruction is executed in the process, the computer determines whether or not to stop the process on the basis of break point information in a break memory space corresponding to a process memory space storing the instruction.
    そして、プロセスにおいて命令が実行された場合に、命令が記憶されているプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間のブレークポイント情報に基づいて、プロセスを停止させるか否かを判定する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory that suitably reduces the area of a memory cell, while using a regular process.
    通常のプロセスを用いながらも、メモリセルの面積を好適に低減することのできる半導体メモリを提供する。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory device that has a large charge storage amount in terms of an individual memory cell and its production process.
    個々のメモリセルの電荷蓄積量が多い不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To process image data obtained by color scanning, for every block by less memory access using a small-sized buffer memory.
    小さいサイズのバッファメモリを使用し少ないメモリアクセスで、カラースキャンにより得られた画像データをブロックごとに処理する。 - 特許庁
  • The process searches a plurality of memory locations for the set of memory locations associated with the set of backup copies.
    前記プロセスは、前記一組のバックアップ・コピーに関連する前記一組のメモリ位置を求めて複数のメモリ位置を検索する。 - 特許庁
  • Then, when the memory usage of an unreserved memory is dynamically changed, each image processing process is informed of the result.
    そして、リザーブされていないメモリのメモリ使用量が動的に変化した時、その旨を各画像処理プロセスに通知する。 - 特許庁
  • To provide a core constitution of a semiconductor memory having a nonvolatile memory cell manufactured by a logic circuit manufacturing process.
    ロジック回路製造プロセスで製造される不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置のコア構成を提供する。 - 特許庁
  • To improve the process of programming a set of memory cells by adjusting programming processing, based on the behavior of the memory cell.
    １組のメモリセルのプログラミングを行うプロセスが、メモリセルの振舞いに基づくプログラミング処理の適合化により改善される。 - 特許庁
  • Since the child and calling process may share memory, it is not possible for the child process to execute in the same stack as the calling process.
    子プロセスと呼び出し元のプロセスはメモリを共有することがあるため、子プロセスは呼び出し元のプロセスと同じスタックで実行することができない。 - JM
  • Image data stored in an image memory 11 are fed to a non- detection area masking process part 12 and a matching process part 13.
    画像メモリ１１に記録された画像データは、非検知エリアマスク処理部１２と、マッチング処理部１３に供給される。 - 特許庁
  • Thereafter, the noise correcting process, such as the subtracting process or the like, is executed by a CPU or the like for controlling a bus, and stored in the memory.
    その後、前記バスを制御するＣＰＵ等で減算処理等のノイズ補正処理を行い、前記メモリに格納する。 - 特許庁
  • The manufacturing method comprises 11 processes including a manufacturing process of a metal sacrificial layer, a resist cone forming process, a resist film patterning process, a shape memory alloy film manufacturing process, and the like.
    その製造方法は、金属犠牲膜の製造工程、レジスト錐形成工程、レジスト膜パターンニング工程、形状記憶合金膜製造工程などを含む１１の工程からなる。 - 特許庁
  • Next, nondefective/defective is discriminated for the memory array and the redundant memory array based on the characteristic result of the characteristic test process in a discrimination process S50.
    次に、判定工程Ｓ５０において、特性テスト工程の特性テスト結果に基づき、メモリアレイ及び冗長メモリアレイに対してそれぞれ良品／不良品の判定を行う。 - 特許庁
  • To provide a memory card 3 having high reliability in a decoding process and a high processing speed.
    復号処理の信頼性が高く処理速度が速いメモリカード３を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a nonvolatile semiconductor memory adopting a silicifying process and a method for manufacturing it.
    シリサイドプロセスを採用した不揮発性半導体記憶装置とその製造方法。 - 特許庁
  • To provide a production process of a semiconductor memory, which improves a production yield.
    製造歩留まりの向上した半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS FABRICATING PROCESS, FERROELECTRIC MEMORY, AND ELECTRONIC APPARATUS
    半導体装置、半導体装置の製造方法、強誘電体メモリ、及び電子機器 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF FLUSH MEMORY ELEMENT UTILIZING SELF-ALIGNMENT NON-EXPOSURE PATTERN FORMATION PROCESS
    自己整列無露光パターン形成プロセスを利用したフラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁
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