IMAGE FORMING APPARATUS, CONTROL METHOD THEREFOR, PROCESS CARTRIDGE, AND MEMORY DEVICE 画像形成装置、その制御方法、プロセスカートリッジ並びにメモリ装置 - 特許庁
To provide a quick manufacturing process of a memory card with high yield rate. 迅速かつ良品率の高いメモリーカードの製造過程に関する。 - 特許庁
METHOD FOR STORING PRODUCTION PROCESS INFORMATION IN PRODUCT MEMORY AND ITS USING METHOD 生産工程情報の製品メモリへの保存とその利用手段 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁
Process or type and features ---* MTRR (Memory Type Range Register) support Device drivers ---Graphics support ---M /dev/agpgart (AGP Support) (上の代わりにあなたのチップセットを有効にすること) DirectRenderingManager(XFree864.1.0andhigherDRIsupport) - Gentoo Linux
The ldt is a per-process memory management table used by the i386 processor.
ldt は i386 プロセッサで使用されるプロセスごとのメモリ管理テーブルである。 - JM
A user process has (one or) several linear virtual memory segments.
ユーザー・プロセスは (一つまたは)複数のリニアな仮想メモリセグメントを持つ。 - JM
To provide a nonvolatile memory and its fabricating process, a semiconductor device comprises the nonvolatile memory and its fabricating process. 不揮発性記憶装置およびその製造方法、ならびに該不揮発性記憶装置を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
DESIGN AND MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR MEMORY COMPONENT, ESPECIALLY DRAM COMPONENT 半導体メモリ部品、特にDRAM部品の設計および製造プロセス - 特許庁
The emails are preloaded into an internal memory buffer to speed up the process.
処理速度の向上のため、メールは内部バッファにプリロードされます。 - PEAR
Also, when the memory area is not opened even after the lapse of 8 minutes since the memory is captured, a memory management process 13 opens the memory area of a memory 11 based on the management information. また、メモリ獲得から8分経過してもメモリ領域の開放を行わない場合、メモリ管理プロセス13が、管理情報に基づいてメモリ11のメモリ領域を開放する。 - 特許庁
A processing corresponding to each control process step is carried out, and when the process of that step is completed, the control process step is changed, and the present control process step is stored in the nonvolatile memory 10 as a memory control process step. 各制御工程ステップに対応する処理を実行し、当該ステップの処理が終了した時点で制御工程ステップを変更し、現在の制御工程ステップをメモリ制御工程ステップとして不揮発メモリ10に記憶させる。 - 特許庁
When the executed instruction is a substitution instruction for substituting data in the processmemory space, the computer updates information in a break memory space corresponding to a processmemory space which is a substitution destination of the data to break point information in a break memory space corresponding to a processmemory space storing the data. また、実行された命令がプロセスメモリ空間内でデータを代入する代入命令である場合に、データの代入先となるプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間の情報を、データが記憶されているプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間のブレークポイント情報に更新する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a nonvolatile semiconductor memory which facilitates a manufacturing process for the nonvolatile semiconductor memory and improves a manufacturing yield. 不揮発性半導体メモリの製造プロセスを容易化でき、かつ、製造歩留まりを向上できる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device, including a three-dimensional memory cell array capable of securing high integration and process margins. 高密度、且つ工程マージンの確保された3次元メモリセルアレイを含む半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory having a structure capable of laminating a memory layer without a significant increase of process. 大幅な工程増を伴わずにメモリ層を積層できる構造を持つ半導体メモリを提供する。 - 特許庁
In such a process, a terminal 15 is connected with a connector 31 for the memory card, so that the memory card 10 is loaded. この過程で、端子15がメモリカード用コネクタ31と接続されて、メモリカード10は装着される。 - 特許庁
The image data applied with the pre-filtering process are stored in a texture memory 230 by a texture memory control 220. プリフィルタリング処理された画像データは、テクスチャメモリコントロール220によりテクスチャメモリ230に記憶される。 - 特許庁
BIT LINE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING PROCESS OF CAPACITOR CONTACT HOLE ダイナミックランダムアクセスメモリのビット線およびキャパシタコンタクトホールの製造プロセス - 特許庁
The software state of an idle process is stored in a virtual cache inside a system memory. アイドルプロセスのソフト状態を、システムメモリ内のバーチャルキャッシュにストアする。 - 特許庁
To prevent the damage of memory parts in the assembly stage of a process cartridge. プロセスカートリッジ組立工程におけるメモリ部品の破損を防止する。 - 特許庁
sets the NUMA memory policy of the calling process, which consists of a policy mode and zero or more nodes, to the values specified by the mode , nodemask and maxnode arguments.
は、呼び出し元プロセスの NUMA ポリシーをpolicyに設定する。 - JM
all attached shared memory segments are detached from the process.
した後、全ての付加された共有メモリ・セグメントはプロセスから分離される。 - JM
set points to memory which is not a valid part of the process address space.
setが指しているメモリが、プロセスのアドレス空間の有効な部分ではない。 - JM
mask points to memory which is not a valid part of the process address space.
maskが指しているメモリが、プロセスのアドレス空間の有効な部分ではない。 - JM
The command parameters point to memory not belonging to the calling process.
コマンドの引数が、呼びだしプロセスに属していないメモリ位置を指している。 - JM
the process of storing information in a computer memory or on a magnetic tape or disk
コンピュータ・メモリ、磁気テープ、あるいはディスクに情報を格納するプロセス - 日本語WordNet
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION PROCESS OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, AND PRODUCTION PROCESS OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
MEMORY MEDIUM FOR PROCESS CARTRIDGE, PROCESS CARTRIDGE, DEVICE AND SYSTEM FOR FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE プロセスカートリッジ用メモリー媒体、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置及び電子写真画像形成システム - 特許庁
A memory means fitting base where the memory means is fitted is detached from a drum frame body of the process cartridge, and replaced with a memory means fitting base where a brand-new memory means is fitted. プロセスカートリッジのドラム枠体から、メモリ手段が取付けられたメモリ手段取付け台を取り外し、新品のメモリ手段を取付けたメモリ手段取付け台に交換する。 - 特許庁
This method for recycling a ferroelectric memory device including a ferroelectric memory module 100 has a process of extracting the ferroelectric memory module from the ferroelectric memory device and a heating process of heating the ferroelectric memory module. 強誘電体メモリモジュール100を含む強誘電体メモリ装置のリサイクル方法であって、強誘電体メモリ装置から強誘電体メモリモジュールを取り外す工程と、前記強誘電体メモリモジュールを加熱する加熱工程と、を含む。 - 特許庁
A process to form a tunnel insulating film of the memory transistor and a process to form a gate-insulating film of the MOS transistor are made to be a separate process. メモリトランジスタのトンネル絶縁膜を形成する工程と、MOSトランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程を別工程とする。 - 特許庁
A computer stores break point information indicating whether or not to stop a process of a program executed on the computer in a break memory space corresponding to a processmemory space allocated to the process. コンピュータが、コンピュータで実行されるプログラムのプロセスに割り当てられるプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間に、プロセスを停止させるか否かを示すブレークポイント情報を記憶する。 - 特許庁
The maximum existing time of a memory area captured by a memory is managed, and the memory area which is not opened even after the lapse of this time is opened by a memory management process so that it is possible to surely prevent memory leak. プロセスが獲得したメモリ領域の最大生存時間を管理し、この時間を過ぎても開放されていないメモリ領域をメモリ管理プロセスが開放することで、確実にメモリリークを防止する。 - 特許庁
Object data after a geometry process (after perspective conversion) are saved in a main memory. ジオメトリ処理後(透視変換後)のオブジェクトデータをメインメモリに保存しておく。 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND ITS FABRICATION PROCESS AND WRITING METHOD 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法と書き込み方法 - 特許庁
DATA REGISTERING SYSTEM, PROCESS OF REGISTERING THEREIN, AND MEMORY MEDIUM THAT STORES PROGRAMS データ登録装置、その登録方法、及びプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
To properly process accessing to a memory, in an image processing apparatus. 映像信号処理装置においてメモリへのアクセスをより適切に処理する。 - 特許庁
u displays the username of the process' owner, as well as memory usage.
u はプロセスの所有者の名前をメモリ使用量と同様に表示します。 - FreeBSD
top(1) also defaults to showing you the amount of memory space taken by the process.
top(1)を使うとデフォルトでプロセスが使っているメモリ容量も分かります。 - FreeBSD
soft resource limit instead defines a limit on how much memory an unprivileged process may lock.
は特権を持たないプロセスがロックできるメモリ量の制限を定義する。 - JM
Map the shared memory object into the virtual address space of the calling process.
呼び出したプロセスの仮想アドレス空間に共有メモリオブジェクトをマップする。 - JM
A memory area required for image processing is dynamically secured at each process. 画像処理に必要となるメモリ領域を、処理の度に動的に確保する。 - 特許庁
PROCESS FOR ETCHING TUNGSTEN SILICIDE ON POLYSILICON PARTICULARLY IN FLASH MEMORY 特にフラッシュメモリにおいてポリシリコンの上にある珪化タングステンをエッチングするプロセス - 特許庁
FERROELECTRIC THIN FILM AND ITS PRODUCING PROCESS, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT 強誘電体薄膜及びその製造方法、強誘電体メモリ、圧電素子 - 特許庁
PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING RECESSED STORAGE NODE CONTACT PLUG リセスされたストレージノードコンタクトプラグを有する半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁
SLIDER TO BE USED IN RELATION TO MEMORY MEDIUM, AND ITS MANUFACTURE PROCESS 記憶媒体に関連して使用するためのスライダ、およびその製造プロセス - 特許庁
HIGH-POWER Ti-Ni-Cu SHAPE MEMORY ALLOY AND PROCESS FOR PRODUCING SAME 高強力Ti−Ni−Cu形状記憶合金とその製造方法 - 特許庁
An information processing system executes a request process for a main memory key following an address conversion process by DAT if a TLB miss is caused by an access request for the main memory. 主記憶アクセス要求に対してTLBミスが発生すると、DATによるアドレス変換処理に続いて、主記憶キー要求処理が行われる。 - 特許庁
A memory allocation object grouping means 2 divides a process group corresponding to a memory allocation object 6 into process groups 61, 62...6m by the priority. メモリ割り当て対象グループ化手段2は、メモリ割り当て対象6に該当するプロセス群を優先度によって複数のプロセスグループ61,62,…,6mに分割する。 - 特許庁
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