「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 124 125 126 127 128 129 130 131 132 .... 287 288 次へ＞- The back coat layer contains a specified compound and the surface of the back coat layer has ≤250 pieces/265×350 μm^2 protrusions having ≥50 nm height.
前記バックコート層は、特定の化合物を含有し、前記バックコート層表面の５０ｎｍ以上の高さを持つ突起個数が２５０個／２６５×３５０μｍ^2以下である。 - 特許庁 - To secure a sufficient light transmission property even for a laser beam having an extremely short wavelength, e.g., not larger than 405 nm by reducing man-hours and a manufacturing cost.
工数や製造コストを削減し、例えば波長４０５ｎｍ以下というような極めて波長の短いレーザ光に対しても十分な光透過性を確保する。 - 特許庁 - A method for polishing a semiconductor can be achieved using a backing material at least partly having a fiber whose number average diameter is 1 nm to 5 μm and the holding member of a polishing workpiece.
数平直径が１ｎｍ〜５μｍである繊維を少なくとも一部に有するバッキング材、ならびに被研磨加工物の保持材により達成することができる。 - 特許庁 - A WCNR of formation substrate manufactured using a stamper of which surface roughness on the back is a condition 1 (Ry=512.1 nm) indicates 31 dB which is below the standard.
裏面の表面粗さが条件１（Ｒｙ＝５１２．１ｎｍ）のスタンパーを用いて製作された成型基板のＷＣＮＲは、規格外の３１ｄＢを示している。 - 特許庁 - The scratch-resistant resin sheet is formed by the extrusion molding of a thermoplastic resin and the cured film is formed at least on one side of an extruded sheet with an in-plane retardation value of 15 nm or below.
熱可塑性樹脂を押出成形してなり、面内のリタデーション値が１５ｎｍ以下である押出板の少なくとも一方の面に、硬化被膜を形成する。 - 特許庁 - In the diamond coating structure, a porous substrate is coated by the diamond coating which grows by using nanodiamond particles whose primary grain diameters are 1-20 nm as the nucleus.
本発明のダイヤモンド被覆構造体は、多孔性基材が、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を核として成長したダイヤモンド皮膜によって被覆されている。 - 特許庁 - The magnetic particle comprises a magnetic substance and a biodegradable polymer and the average particle diameter of the magnetic particle is ≥10 to ≤1,000 nm.
磁性体と生分解性高分子を含有する磁性粒子であって、前記磁性粒子の平均粒子径が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である磁性粒子。 - 特許庁 - To provide a new light-detecting method with which light having a wavelength of 248 nm or shorter can be detected, while a superior resistance is indicated and a light-receiving element used for the method.
２４８ｎｍよりも短い波長の光を、優れた耐性を示しながら検出し得る新たな光検出方法とそのための受光素子を提供することである。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive thin film which is formed of a metal thin film having a thickness of 5-20 nm and containing silver and has low resistivity and high transmittance, and to provide a method for manufacturing the same.
厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the track width regulated trench machining, laser beams 14 are focused at a track width regulated trench machining part 15 of a magnetic core 16 using a laser oscillating with wavelength of 1064 nm or less through combination of a forward end machining head 13 and a laser oscillation source 11.
エネルギー密度が０．５Ｊ／ｃｍ^2以上であり、かつ波長が１０６４ｎｍ以下のレーザを用いて磁気ヘッドのトラック幅規制溝加工を行う。 - 特許庁 - Particularly, the optical member layer 32 has the optical characteristics that its retardation value is ≥2,400 nm and that its optical axis is set at an angle of 30 to 60° to the horizontal direction.
特に、光学部材層３２はリタデーション値が２４００ｎｍ以上でかつ光学軸が水平方向に対して３０度〜６０度の角度に設定される光学特性を持つ。 - 特許庁 - To provide a technology to realize a faster semiconductor device by improving the driving ability of a MISFET comprising a gate insulating film of 2 nm or smaller.
２ｎｍ以下のゲート絶縁膜を備えたＭＩＳＦＥＴの駆動能力を向上して半導体装置の高速化を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - An electrically conductive material is disposed on the micropatterned substrate in strips having a width of 10 to 20 nm and oriented either parallel or perpendicular to the channels.
マイクロパターン化された基体上に、１０〜２０ｎｍの幅を有し、チャンネルに対して平行または垂直のいずれかに配向した帯状に導電性物質を堆積させる。 - 特許庁 - Consequently, the piezoelectric body film can be obtained which is possessed of crystal grains with a cross-sectional perimeter of 2,000 nm or more and of a crystal grain density of 4×10^9 [pieces/m^2] or less.
これにより、断面周囲長が２０００ｎｍ以上の結晶粒を備え、結晶粒密度が４×１０^９［個／ｍ^２］以下の圧電体膜を得ることができる。 - 特許庁 - To simply acuminate an emitter tip with an increased tip diameter without taking it out into the atmosphere and realize a tip diameter of a level of tens of nm.
電界電離型ガスイオン源において、先端径の増加したエミッタティップを大気中に取り出すこと無く簡単に先鋭化し、数十ｎｍレベルの先端径を再現する。 - 特許庁 - Thus, the surface of the manufactured magnetic disk substrate exhibits similar surface roughness and very small waviness, and the characteristics of magnetic head floating of 5 nm or lower are obtained.
作製された磁気ディスク基板の表面も同様の表面粗さ、および微小うねりを示し、磁気ヘッド浮上特性も５ｎｍ以下とすることが可能となる。 - 特許庁 - The particle emits fluorescence having the wavelength of around 375 nm at room temperature.
特に、室温で３７５ｎｍ付近の蛍光を示し、可視光域の蛍光強度の積分値が紫外光域の発光強度の積分値の１００分の一以下である酸化亜鉛超微粒子。 - 特許庁 - To provide a method for producing a ceramic self-sustained film by which even a ceramic thin film having a very small thickness of about ≤100 nm can be produced in a self-sustained state and in a relatively large area.
１００ｎｍ程度以下という非常に薄い膜厚のセラミック薄膜であっても、自立した状態で且つ比較的大面積で作製できる方法を提供する。 - 特許庁 - This transparent heat insulation sheet is formed of an expanded resin which contains a vacancy with an average vacancy diameter of not more than 50 nm and has voids of 10 to 95 vol%.
平均空孔径が５０ｎｍ以下の空孔を含有し、かつ空孔率が１０〜９５体積％である発泡樹脂からなることを特徴とする透明断熱シートである。 - 特許庁 - The dispersion compensating fiber is provided with a first core 11, a first clad 12, a second core 13 and a second clad 14 and the structure tolerance is set to 2 to 8% and the dispersion value is set to -1,100 to -200 ps/nm/km.
第1コア１１と、第1クラッド１２と、第2コア１３と、第2クラッド１４とを有し、構造トレランスが2〜8％、分散値が−1100〜−200ｐｓ／ｎｍ／ｋｍである。 - 特許庁 - In relation to an ITO film having a thickness not less than 300 nm, this transparent conductive film strongly oriented in the (400) plane and having a haze ratio of 3.5-70% is used.
膜厚３００ｎｍ以上のＩＴＯ膜において、（４００）面に強配向し、ヘーズ率が３．５％以上７０％以下である透明導電膜を用いる。 - 特許庁 - The coating material for a fluorescent lamp includes noble metal ultra-fine particles with particle diameters of 1-500 nm, and a protection film formation material.
本発明の蛍光ランプ用塗料は、粒子径が１ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下の貴金属超微粒子と、保護膜形成用物質とを含有してなることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a sililated silica having <0.6 SiOH density per 1 nm^2 with respect to the surface area by the BET method (according to DIN66131 and 66132).
ＢＥＴ法（ＤＩＮ６６１３１および６６１３２）による表面積に対して、ｎｍ^２あたりのＳｉＯＨの密度が０．６より小であるシリル化されたシリカを提供する。 - 特許庁 - The silica based fine hollow particle is 50-120 nm in an average particle size, 1-50% in a coefficient of a particle diameter variation (CV value) and 1.10-1.30 in a refractive index.
前記シリカ系中空微粒子の平均粒子径が50〜120nmの範囲にあり、粒子径変動係数（ＣＶ値）が１〜５０％の範囲にあり、屈折率が１．１０〜１．３０の範囲にある。 - 特許庁 - The nonlinear optical crystal C4 for second sum frequency generation generates the light of 248.4 nm in wave length which is the sum frequency light of the sum frequency light described above and the basic laser beam from both thereof.
第２の和周波発生用非線形光学結晶Ｃ４は、該和周波光と基本レーザ光からその和周波光である波長２４８．４ｎｍの光を発生する。 - 特許庁 - Methods for producing an electrically conductive resin composition are provided, being characterized by comprising blending a molten matrix resin with carbon fiber produced by vapor-phase method with a fiber diameter of 2-500 nm.
溶融状態にあるマトリックス樹脂に、繊維径が２〜５００ｎｍの気相法炭素繊維を混合することを特徴とする導電性樹脂組成物の製造方法。 - 特許庁 - A composition contains the polymeric particles which have an average particle diameter from 30 to 300 nm and a Vicker's scale hardness from 100 to 700 Kgf/mm^2.
ポリマー粒子を含む組成物であり、このポリマー粒子は３０〜３００ｎｍの平均粒子直径、および１００〜７００Ｋｇｆ／ｍｍ^２のビッカーズスケール硬度を有する。 - 特許庁 - This motion detecting circuit includes processing elements PE_m (-n≤m≤nm (n) represents a search range), data latches FF_k (-n<k≤n) and selector circuits MUX_h (-1≤h≤1).
この動き検出回路は、処理素子ＰＥ_ｍ（−ｎ≦ｍ≦ｎ、ｎは探索範囲を表わす）、データラッチＦＦ_ｋ（−ｎ＜ｋ≦ｎ）、および選択回路ＭＵＸ_ｈ（−１≦ｈ≦１）を有している。 - 特許庁 - To provide a lighting optical device for setting light whose wavelength is less than 157 nm to efficient light with uniform intensity distribution, a projection aligner, and a device-manufacturing method.
１５７ｎｍ未満の光を効率良く均一な強度分布の光とすることができる照明光学装置、投影露光装置、デバイス製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing equipment by which a narrow-band fiber type optical coupler having a band width of 10 nm or below can be produced with a good yield and in a small size.
帯域幅１０ｎｍ以下の狭帯域ファイバ型光カプラを歩留まり良く、かつ、小型に製造することができる狭帯域ファイバ型光カプラ製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an SiN film that has a small amount of leakage current even if film thickness is reduced to 0.4 nm or less, and a semiconductor device that uses the SiN film as a capacitor insulating film.
膜厚を０．４ｎｍ以下に減少させてもリーク電流の少ないＳｉＮ膜、およびかかるＳｉＮ膜をキャパシタ絶縁膜に使った半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The adhesion improving layer 106 has a thickness of 10 nm or less, and contains at least one of Ti, Ni, Cr, V, Hf, Zr, Nb, Ta and Mo or W.
密着性向上層１０６は、１０ｎｍ以下の厚さを有し、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ又はＷの少なくとも１つを含む。 - 特許庁 - The diamond thin film 240 is smoothened by mechanical grinding using a grindstone containing a diamond abrasive to obtain ≤20 nm arithmetic average roughness (Ra) of the surface.
ダイヤモンド砥粒を含む砥石を使った機械研磨により、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下になるようダイヤモンド薄膜２４０を平滑化する。 - 特許庁 - The dispersion liquid includes colloidal metallic microparticles having nuclei of colloidal ultrafine metal-particles with particle diameters of 10 nm or less, and a metal precipitated on the surface of the nuclei by a reducing method.
粒径１０ｎｍ以下の金属コロイド超微粒子を核とし、核の表面に還元法により金属を析出させた金属コロイド微粒子を含む分散液。 - 特許庁 - The hard film 3 is composed of TiN type titanium nitride, the lattice constant of the crystals lies in the range of 0.4255 to 0.4355 nm, and the content of Ti is 30 to 49 atomic %.
硬質皮膜３は、ＴｉＮ型の窒化チタンからなり、結晶の格子定数が０．４２５５〜０．４３５５ｎｍの範囲にあり、Ｔｉの含有量が３０〜４９原子％である。 - 特許庁 - In the precipitation strengthening type high strength steel, after aging treatment, Cu clusters having a BCC (body-centered cubic) structure with a particle diameter of ≤5 nm are precipitated in ≥5% by a volume ratio to the volume of the whole Cu.
時効処理後に、粒径が５ｎｍ以下のＢＣＣ構造になるＣｕクラスターを、全Ｃｕの体積に対して、体積率で５％以上析出させる。 - 特許庁 - The insulating layer has a 3-10 nm thickness and the non-magnetic conductive particles having an average particle size, preferably, of one third to one half of the thickness of the insulating layer are dispersed in this layer.
この場合、絶縁体層の厚さが3〜10nmであり、粒径が絶縁体層厚さの1／3から1／2までである非磁性導電体粒子の分散した絶縁体層である素子。 - 特許庁 - The white light-emitting phosphor constitutes the light-emitting module together with a semiconductor light-emitting element having an emission peak wavelength of 350-420 nm.
Ba_4-x-y-zMg_xSi_2O_8：Eu_y, Mn_z （0.7≦ｘ＜1, 0＜yおよび0＜zである。） 該白色発光蛍光体は、発光ピーク波長が３５０〜４２０ｎｍの半導体発光素子と共に、発光モジュールを構成することができる。 - 特許庁 - The flame-retardant resin composition comprises a synthetic resin polymer such as a thermoplastic resin and an aluminum-containing flame-retardant inorganic compound having a number average particle diameter of ≤500 nm.
本難燃性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂等の合成樹脂重合体と、数平均粒子径が５００ｎｍ以下のアルミニウム含有難燃性無機化合物と、を含有する。 - 特許庁 - In addition, the ink color developing layer is preferably formed by a gelation cast coating process and more preferably, the colloidal silica has the primary particle diameter of 10 to 40 nm.
前記インク発色層をゲル化キャストコート法によって設けることが好ましく、前記コロイダルシリカは一次粒子径が１０〜４０ｎｍであることがなお好ましい。 - 特許庁 - A plurality of projections of a regular pyramid shape are formed on the surface of a base material, made of sapphire having transmissivity of 70% or higher for a light of wavelength range of 300-600 nm.
波長３００〜６００ｎｍの光における透過率７０％以上のサファイアから成る基体の表面に複数の正三角錐状凹部を有すること。 - 特許庁 - To provide an optical filter having sharp absorption of the light of 560-620 nm wavelength region and is suitable particularly as the optical filter for an image display device.
５６０〜６２０ｎｍの波長領域において急峻な光吸収を有する、画像表示装置用の光学フィルターとして特に好適な光学フィルターを提供すること。 - 特許庁 - To provide a multi-layer film reflecting mirror comprising a high reflectivity for soft X-ray region, especially laser plasma X-ray which uses Xe as a target comprising peak wavelength of 10.9 nm.
軟Ｘ線領域、特に、ピーク波長10.9nmを有するターゲットにＸｅを用いたレーザープラズマＸ線において高い反射率を有する多層膜反射鏡の提供。 - 特許庁 - The photoresist can be imaged with radiation of 193 nm and is developed to form a photoresist structure with improved development characteristics and improved etching resistance.
フォトレジストは１９３ｎｍの放射線によりイメージング可能で、現像されて、改善された現像特性及び改善された耐エッチング性を有するフォトレジスト構造を形成する。 - 特許庁 - Especially, the original plate for lithographic printing plate comprises the film having a spectrographic area of ≥0.3 absorbance in a spectral wavelength area of 300-1,200 nm.
とくに、皮膜が３００〜１２００ｎｍの分光波長領域中に吸光度が０．３以上の分光吸収領域を有する上記の平版印刷版用原板。 - 特許庁 - To provide a green fluorescent substance having higher emission brightness under excitation by ultraviolet rays (wave length: ≤300 nm) in a vacuum ultraviolet to near ultraviolet region or electronic beams.
真空紫外から近紫外領域紫外線（波長：３００ｎｍ以下）及び電子線励起下において、より発光輝度の高い緑色蛍光体を提供すること。 - 特許庁 - This dispersion liquid is obtained by suspending a copper compound having the particle diameter of less than 200 nm, in a polyol solvent, and subsequently reducing it at a lower temperature than 150°C and in an atmosphere of pressurized hydrogen.
２００ｎｍ未満の粒子径を有する銅化合物を、ポリオール溶媒中に懸濁した後、引き続き温度１５０℃未満で、加圧水素下で還元処理して得る。 - 特許庁 - In the plastic film for the rear surface protective film of the solar cell, an average reflectance ratio in the wavelength range of 600 to 1,400 nm is 70% or more.
６００ｎｍから１４００ｎｍの波長範囲における平均反射率が７０％以上であることを特徴とする、太陽電池裏面保護膜用プラスチックフィルム。 - 特許庁 - The ultraviolet irradiation treatment device has the short-wave ultraviolet discharge lamp 100 fitted into a translucent tube with a translucency at a wavelength band of 220 nm or less.
紫外線照射処理装置は、この短波長紫外線放電灯１００を、２２０ｎｍ以下の波長域に透光性を有する透光管に内挿してなる。 - 特許庁 - To provide an optical information recording medium which can be formed by a simple manufacturing process and on which recording can be performed by using a semiconductor laser beam having 380-430 nm wavelength.
単純な製造プロセスで形成でき、かつ、波長３８０〜４３０ｎｍの半導体レーザを用いて記録可能な光学情報記録媒体を提供すること。 - 特許庁
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