「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 123 124 125 126 127 128 129 130 131 .... 287 288 次へ＞- A higher photocatalytic effect than that of conventional ways is obtained by the LED 3, as a light source, emitting the light containing the ultraviolet ray in a range of 360-410 nm in wave length.
波長３６０〜４１０ｎｍの範囲内の紫外線を含む光を放射するＬＥＤ３を光源として従来よりも高い光触媒効果を得ることができる。 - 特許庁 - The porous material is constituted so that hyperfine fibers of a metal oxide are agglomerated to form secondary pores having 1-20 nm central pore diameter (the pore diameter at the maximum peak in a pore diameter distribution curve).
金属酸化物の超微細繊維が凝集して中心細孔直径１〜２０ｎｍの二次細孔が形成されていることを特徴とする多孔体。 - 特許庁 - The metal fine particles 2 in the matrix diffuse and flocculate in the matrix by the thermal energy and the metal articles growing up to a diameter larger than several nm and contribute to the color development.
マトリックス中の金属微粒子は、熱エネルギーによりマトリックス中を拡散凝集し、数ｎｍ以上の粒径に成長した金属微粒子が発色に寄与する。 - 特許庁 - The intermediate layer 105 is not limited to the film thickness of 2 nm, but may have such a film thickness that the film is present without having a pinhole etc., and can be tunneled by an electron.
中間層１０５は、膜厚２ｎｍに限るものではなく、ピンホールなどがなく膜が存在している範囲で、電子がトンネル可能な範囲の膜厚とされていればよい。 - 特許庁 - It is preferable to control the energy density of the irradiated laser beam to within 8 to 14J/cm^2, and to form the insulation film of the inner layer obtained by the heating oxidation with a thickness of 5 to 15 nm.
照射するレーザショットのエネルギー密度を８〜１４Ｊ／ｃｍ^2とし、内部層の加熱酸化により得られる絶縁膜の厚みを５〜１５ｎｍとするのが好ましい。 - 特許庁 - After that, the film around 300 nm thick is further deposited by using WF_6: 75 sccm and H_2: 500 sccm as the reaction gas in an atmosphere of Ar, N_2: 80 Torr.
その後、Ａｒ，Ｎ_2：８０Ｔｏｒｒの雰囲気中で、反応ガスとして、ＷＦ_6：７５ｓｃｃｍ、Ｈ_2：５００ｓｃｃｍを用いて、３００ｎｍ程度の膜厚を積層する。 - 特許庁 - Highly sensitive exposure by a visible laser having nearly 405 nm wavelength is made possible by providing a rare earth metal film 103 between a transparent substrate 101 and an inorganic resist film 104.
透明基板１０１と無機レジスト膜１０４との間に希土類金属膜１０３を設けることで、４０５ｎｍ程度の可視レーザによる高感度な露光が可能となる。 - 特許庁 - (1) The modified cross-sectional regenerated cellulose fiber characterized by having a degree of modification of 1.1 to 10 and a fiber surface roughness parameter Ra of 10 to 50 nm measured with an interatomic force microscope.
(1) 繊維の異型度が１．１〜１０で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメータＲａが１０〜５０ｎｍである異型断面再生セルロース繊維。 - 特許庁 - In this case, the temperature for heat treatment is set to 550°C-700°C, in such a way that the peak of relative frequency of measured value of crystal particle diameter in the polysilicon film 17 exceeds 50 nm.
この際、熱処理温度を５５０℃〜７００℃に設定し、ポリシリコン膜１７における結晶粒径の測定値の出現度数ピークが５０ｎｍを超えるようにする。 - 特許庁 - To realize a high squareness ratio by relaxing drying of a magnetic paint when a thin magnetic layer of ≤50 nm of an upper layer is formed by a Wet on Dry system.
ウェット・オン・ドライ方式により、上層の磁性層を５０ｎｍ以下の薄層に形成する場合において、磁性塗料の乾燥を緩和し、高い角形比を実現する。 - 特許庁 - A path metric holding means 12 holds the normalized metrics NM...ijklm selected based on a result obtained by comparing the metrics MM...ijklm with each other as the new path metrics.
パス・メトリック保持手段１２は、メトリックＭＭ... ｉｊｋｌｍを比較した結果にもとづいて選択された正規化メトリックＮＭ... ｉｊｋｌｍを、新たなパス・メトリックとして保持する。 - 特許庁 - The electroluminescent film 103 has thickness similar to the conventional one (an order of about 100 nm), and the electron transmit auxiliary layer 105 may have similar thickness to the electroluminescent film 103.
電界発光膜１０３は従来の膜厚程度（１００ｎｍ程度のオーダー）であり、電子輸送補助層１０５も電界発光膜１０３と同程度の膜厚でよい。 - 特許庁 - To provide a pattern formation method by which lowering of contrast is solubility can be prevented and lowering of resolution can be suppressed even when the thickness of a resist film is made smaller than 250 nm.
レジスト膜の厚さを２５０ｎｍよりも薄くしても、溶解性のコントラストが低下しないようにして、解像度の低下を抑制できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a typical design, EDFA is compensated to the fluctuation within 1 dB, at the temperature range from -40 to 85°C in at least a spectral range of 20 nm.
代表的な設計では、−４０℃〜８５℃の温度範囲および少なくとも２０ｎｍのスペクトル範囲にわたって１ｄＢ以内の変動にＥＤＦＡを補償する。 - 特許庁 - The first intermediate layer 11 is then etched in a dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a first intermediate layer 11a having a film thickness of d_1'.
ドライエッチング装置にて第一中間層１１を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_1’の第一中間層１１ａを形成する。 - 特許庁 - The surface side of a manufactured transparent magnetic card 1 is coated with an ink layer 14 containing a dye having absorption in the IR region of 800-1,000 nm.
作製された透明磁気カード１の表面側に、８００ｎｍ〜１０００ｎｍの赤外線領域を吸収する染料を含有するインキ層１４が塗工されたこと。 - 特許庁 - To provide a metal powder which has an average particle size of ≤100 nm and hardly causes delamination when used for an inner electrode for a laminated ceramic capacitor, and its production method.
平均粒径が１００ｎｍ以下で、積層セラミックコンデンサ用内部電極に使用した際にデラミネーションが発生しにくい金属粉末及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The diamond thin film is smoothed by a mechanical polishing using a grindstone containing diamond abrasive grains so that the arithmetical mean roughness (Ra) of the surface is 20 nm or less.
ダイヤモンド砥粒を含む砥石を使った機械研磨により、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下になるようにダイヤモンド薄膜２４０を平滑化する。 - 特許庁 - By this method, the silicon nano clusters 4 can be obtained which have an average grain size of 5.5 nm or less, a number density of 2.7×10^12/cm^2 or above, and the variation in grain size of 15% or less.
これにより、平均粒径が５．５ｎｍ以下、数密度が２．７×１０^12／ｃｍ^2 以上、粒径バラツキが１５％以下のシリコンナノクラスタ４を得ることができる。 - 特許庁 - To perform color image recording at a state without pixel gap using a light emitting device consisting of a solid spontaneous light emitting means which is an assembly of light emitting parts of nm (nanometer) size.
ｎｍ（ナノメータ）サイズの発光部の集合体である固体発光手段からなる発光装置を用いて、画素ズレのない状態でカラー画像記録を行う。 - 特許庁 - An oxygen absorbing composition comprises a complex of polymer and heavy metal nanoparticles of which the average diameter is 1-380 nm, and is transparent.
個々の粒子の平均直径が１〜３８０ｎｍの重金属ナノ粒子と高分子の複合体からなる、透明であることを特徴とする酸素吸収性組成物。 - 特許庁 - To provide a resist-processing method and a method for manufacturing semiconductor device in which deterioration of resolution characteristics generated in a resist, having the film thickness of about 150 nm or less can be improved.
膜厚約１５０ｎｍ以下のレジストで起こる解像特性の低下を改善できるレジスト処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The shaft 2, in the end area with the range from the end part 2a to a length of 40% of the total shaft length L, has a minimum bending rigidity value of 5-10 Nm^2.
シャフト２は、先端部２ａからシャフト全長さＬの４０％までの領域である先端領域に、５〜１０（Ｎ・ｍ^２）の最小の曲げ剛性値を有する。 - 特許庁 - The ultrafine fiber fabric is a woven or knitted fabric using an ultrafine fiber having 1-500 nm number-average diameter and has 1,500-3,500 cover factor CF.
数平均直径が１ｎｍ〜５００ｎｍの極細繊維を用いた織編物であり、カバーファクターＣＦが１５００〜３５００であることを特徴とする極細繊維布帛。 - 特許庁 - The thin film resistor 32 is a thin film in which metallic particles 36 having a mean particle size of 1-10 nm are dispersed and mixed in the insulating thin film 34.
薄膜抵抗体３２は、絶縁性薄膜３４に、平均粒径が１〜１０nmの金属粒子３６が分散して混入している薄膜であることを特徴としている。 - 特許庁 - For the TFT of a CMOS driven on a high voltage (18 V), the gate insulation film is constituted of two layers of the insulation films 113 and 118 and is turned to the thickness of 130 nm for instance.
高電圧（１８Ｖ）で駆動するＣＭＯＳのＴＦＴは、ゲート絶縁膜を２層の絶縁膜１１３，１１８で構成し、例えば１３０ｎｍの厚さとする。 - 特許庁 - A transducing unit 100 includes a plurality of converters 30-3R each having (N×M) pieces of capacitors Ck, 11-Ck, and NM which are connected in series every each M piece.
変換部１００は、複数のコンバータ３０〜３Ｒを含み、それぞれＭ個毎に直列に接続された（Ｎ×Ｍ）個のキャパシタＣｋ，１１〜Ｃｋ，ＮＭを有する。 - 特許庁 - The total sum of single amplitude of the wave of the outer ring raceway face 2a having the number of apexes of nZ ± 1 (n : integer of 1-4, and Z : number of cylindrical rollers) is 10 nm or less.
ｎＺ±１（ｎ：１〜４の整数、Ｚ：円筒ころの本数）の角数を持つ外輪軌道面手２ａのうねりの片振幅の総和を１０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - To provide an efficient method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium which is applicable to a magnetic disk unit in which the floating amount of a magnetic head is about 50 nm.
本発明は、磁気ヘッド浮上量５０ｎｍ程度の磁気ディスク装置に対しても適用可能な磁気記録媒体用ガラス基板の効率的な製造方法を提供する。 - 特許庁 - The optical film has 10 to 60 μm film thickness range, 20 to 200 g/m2.24 h moisture permeability and ≤10 nm retardation value Ro in the plane.
膜厚が１０〜６０μｍ、透湿度が２０〜２００ｇ／ｍ^2・２４時間で、かつ面内のレターデーション値Ｒｏが１０ｎｍ以下であることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁 - In the metallic structure in the Ni based alloy produced in this way, precipitates having a major axis of ≥0.5 nm are present in the ratio of ≥700 pieces/μm^2.
このようにして製造されたＮｉ基合金における金属組織中には、長径が０．５ｎｍ以上である析出物が７００個／μｍ^2以上の割合で存在する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a diamond film structure having high surface fineness by which the surface fineness of a diamond film of nm level can be attained, the manufacturing technology is simplified, and the manufacturing time is shortened.
ダイヤモンド膜の表面の細かさをｎｍレベルの表面にすることができ、且つ製造技術を簡素化でき、製造方法の時間を短縮できるようにする。 - 特許庁 - This optical fiber has the maximum value of wave-length dispersion within 1400-1600 nm of wave-length range and a wave-length dispersion gradient less than 0.05 ps/nm2.km in its absolute value within the range.
１４００〜１６５０ｎｍの波長範囲で、波長分散の最大値を有し、また絶対値が０．０５ｐｓ／ｎｍ^２・ｋｍ未満の波長分散勾配を有する。 - 特許庁 - The fine particles may be of ≤200 nm in average particle diameter, and 100 pts.wt. of the same can contain approximately 0.1-200 pts.wt. of water.
前記微粒子は、平均粒子径が２００ｎｍ以下であってもよく、微粒子１００重量部に対して、水０．１〜２００重量部程度の含水率を有している。 - 特許庁 - In a nanoimprint method, an ultraviolet-curable resin is applied onto a substrate with a thickness equal to or less than 300 nm, for performing sticking to a master disk, and peeling from the master disk is performed without ultraviolet irradiation.
紫外線硬化性樹脂を３００ｎｍ以下の厚みで基板上に塗布し、原盤と貼り合わせを行い、紫外線で照射せずに、原盤との剥離を行う。 - 特許庁 - In the respective lamination units 12 and 13, the surface roughness Ra of the intermediary layers 12a and 13a facing to the superconductive layers 12b and 13b, respectively, is 20 nm or lower.
それぞれの積層単位１２，１３において、超電導層１２ｂ，１３ｂと対向する中間層１２ａ，１３ａの面の表面粗さＲａは２０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To provide a light-emitting device having a high color rendering property and high light-emitting intensity, formed by combining an excitation source and a phosphor emitting light with a wavelength of 350 to 480 nm.
３５０−４８０ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせ、高い演色性を与え、かつ、発光強度の高い発光装置を提供する。 - 特許庁 - In this case, both the surface roughness Ra of a first principal surface of the GaN substrate and the surface roughness Ra of a second principal surface thereof can be set as not larger than 20 nm.
ここで、ＧａＮ基板の第１の主面の表面粗さＲａを２０ｎｍ以下、第２の主面の表面粗さＲａを２０μｍ以下とすることができる。 - 特許庁 - This mesoporous activated carbon has not lower than 10% ratio of pores having not smaller than 2 nm pore diameter to the total pores of the activated carbon.
本発明のメソポーラス活性炭は、２ｎｍ 以上の口径を有するポアの比率が、全活性炭のポア割合に対して１０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - The first ESD layer 110 is n-GaN, where the Si concentration is 1×10^16 to 5×10^17/cm^3, the thickness is 200-1,000 nm, and the pit density is ≤1×10^8/cm^2.
第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０^16〜５×１０^17／ｃｍ^3 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０^8 ／ｃｍ^2 以下のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁 - At formation of the spin bubble film, the vacuumized pressure of vacuum level attained in the control flow and film forming condition of the sputtering gas are set, so that the crystal grain size of the formed spin bubble film become 50 nm or smaller.
すなわち、成膜時の結晶粒径を５０ｎｍ以下となるように成膜工程を制御することにより、素子歩留まりのよいスピンバルブ膜を得ることができる。 - 特許庁 - The laminate of plastic sheet and paper for preventing the insects coming by flying, obtained by laminating the plastic sheet for preventing the insect coming by flying on one side or both sides of the paper is provided preferably with that the laminate has ≤10% transmittance in the 300 to 400 nm wavelength range.
紙の片面もしくは両面に虫飛来防止用のプラスチックシートを積層させてなるプラスチックシートと紙との虫飛来防止用積層体である。 - 特許庁 - As the anti-reflection film 43, a dielectric thin film, where the reflectivity with respect to light in the visible light range of 400-800 nm wave lengths is not more than 1%, is used.
反射防止膜４３としては、波長４００〜８００ｎｍの可視光領域の光に対する反射率が１％以下の誘電体薄膜が用いられる。 - 特許庁 - It is preferred that the primary grain diameter of the colloidal silica is 10-60 nm, the content of the colloidal silica is 0.001-0.5 wt.%, and a polishing solution has a pH of 2-7.
ここで、該コロイダルシリカの１次粒子径が１０〜６０ｎｍであること、含有量が０．００１〜０．５重量％であること、研磨液のｐＨが２〜７であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a magnetic disk wherein even when the thickness of a protective film becomes ≤5 nm, durability is high and the floating stability of a magnetic head is not deteriorated.
保護膜の膜厚が５ｎｍ以下に薄くなっても、耐久性に優れ、磁気ヘッドの浮上安定性を劣化させない磁気ディスクおよび磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition for a near-IR absorbent which absorbs near-IR rays with wavelengths of 800 to 1,000 nm, and can form a fine pattern.
波長８００〜１０００ｎｍの近赤外線を吸収し、また、微細パターンを形成することが可能な近赤外吸収材用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - In a silica particle including a plurality of nanoparticles, each inter-particle distance among the plurality of nanoparticles is 3 to 7 nm.
複数のナノ粒子を含有するシリカ粒子であって、該複数のナノ粒子の粒子間距離が３ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とするナノ粒子内包シリカ。 - 特許庁 - To provide an optical information recording medium which can record in high-density information by a laser light near 405 nm in wavelength, and to provide an optical information recording method.
波長４０５ｎｍ近辺のレーザ光による情報の高密度記録および再生が可能な光情報記録媒体、および光情報記録方法を提供する。 - 特許庁 - The thickness of the organic layer 10 sandwiched between the cathode K and the anode A is about 100 nm, and whiskers or the like may form between these electrodes, often leading to a short circuit defect.
陰極Ｋと陽極Ａ間に挟持された有機層１０の厚みは１００ｎｍ程度であり、両極間にウイスカー等が生じて、短絡欠陥に至る場合が多い。 - 特許庁 - The blue-purple light photosensitive photopolymerizable composition contains 0.001-0.01% by weight of a coloring agent which has an absorption maximum at 450-800 nm.
４５０〜８００ｎｍに吸収極大を有する着色剤を０．００１〜０．０１重量％含有することを特徴とする青紫光感光性光重合性組成物。 - 特許庁
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