「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 186 187 188 189 190 191 192 193 194 .... 287 288 次へ＞- The polishing composition contains silica abrasive grains of the average particle diameter of 20 to 100 nm; alkali selected from ammonia, ammonium salt, alkali metal salt, and alkali metal hydroxide; and silicone oil with ≥8 HLB value.
本発明の研磨用組成物は、平均粒子径が２０〜１００ｎｍのシリカ砥粒と、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれるアルカリと、ＨＬＢ値が８以上であるシリコーンオイルとを含有する。 - 特許庁 - In the method of removing nitride oxides in air, the gaseous nitrogen oxides is nitrified by bringing air containing gaseous nitrogen oxides into contact with the photocatalyst component while irradiating with light containing the component of light at ≤539 nm wavelength.
５３９ｎｍ以下の波長の光成分を含む光の下で、上記光触媒成分とガス状窒素酸化物を含む空気とを接触させ、ガス状窒素酸化物を硝酸化する、空気中窒素酸化物の除去方法。 - 特許庁 - To obtain a UV laser beam suitable for a precision fabrication by enhancing the conversion efficiency of the laser beam when the wavelength of the laser beam is converted to generate harmonic waves at <355 nm wavelength in a wavelength conversion element consisting of a lithium tetraborate single crystal.
四ホウ酸リチウム単結晶からなる波長変換素子でレーザービームを波長変換して波長３５５ｎｍ未満の高調波を発生させるとき、レーザービームの変換効率を高め、精密加工に適した紫外レーザーを得る。 - 特許庁 - The method for forming a higher order silane compound containing phosphorus atom comprises the irradiation of a solution containing a photopolymerizable silane compound and a phosphorus compound with light having wavelength of >400 nm.
光重合性シラン化合物およびリン化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてリン原子含有高次シラン化合物を生成せしめるリン原子含有高次シラン化合物の製造法。 - 特許庁 - In composite oxide constituted of titanium oxide and a metal oxide other than titanium oxide, titanium oxide type fine particles wherein titanium oxide is dispersed in composite oxide as ultrafine particles with a crystal size of 10 nm or less are used.
酸化チタンと酸化チタン以外の金属酸化物より構成される複合酸化物において、酸化チタンが結晶子径１０ｎｍ以下の超微粒子として複合酸化物中に分散されている酸化チタン系微粒子を用いる。 - 特許庁 - A product obtained by reacting an aqueous solution of a cerium salt compound with an alkali compound having carbon and oxygen atoms is fired to obtain the objective spherical cerium oxide uniform in particles and having an average particle diameter of 100-500 nm.
セリウム塩化合物水溶液と炭素原子と酸素原子を有するアルカリ化合物を反応させた生成物を焼成することにより、平均粒子径が１００ｎｍ〜５００ｎｍの均一に揃った球状酸化セリウムを得る。 - 特許庁 - An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.
ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。 - 特許庁 - To provide a thermosensitive recording material, which is excellent in storage stability and has a fixing speed satisfactory with a fixing light source emitting a long wave with a wavelengh longer than 400 nm under the condition that a diazonium salt and a coupler are employed as the color developing component of the material.
ジアゾニウム塩とカプラーを発色成分として用いる感熱記録材料において、保存安定性に優れ、４００ｎｍより長波の定着光源で満足な定着速度を有する感熱記録材料の提供。 - 特許庁 - To provide a method for producing metallic fine particles with a nanometric size, particularly metallic fine particles which have an average particle size of 10 nm or less and have a sharp particle size distribution, and also to provide the metallic nanoparticles and a dispersion of the metallic nanoparticles.
本発明は、ナノサイズの金属微粒子、特に平均粒子径が１０ｎｍ以下であって、粒子径分布の揃った金属微粒子を製造する方法、金属ナノ粒子、金属ナノ粒子分散体を提供するものである。 - 特許庁 - In the electrophotographic photoreceptor, the whole reflection rate in an undercoat layer of exposure light of 390-450 nm is 20-80%, and the deviation of the total film thickness of a charge-transporting layer and a surface-protecting layer is 0.3-2.5 μm.
下引き層における３９０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にある露光光の全反射率が２０％〜８０％、電荷輸送層と表面保護層の合計膜厚の偏差が０．３μｍ〜２．５μｍである電子写真感光体。 - 特許庁 - The signal-recording layer 4 is formed by GeSbTe material, and at the same time the diameter of a crystal particle being generated at the rear end part of a recording mark formed according to a recording signal for the signal-recording layer 4 is set to 50 nm or less.
信号記録層４をＧｅＳｂＴｅ系材料によって形成するとともに、この信号記録層に対して記録信号に応じて形成される記録マークの後端部に発生する結晶粒径を５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - In order to solve the above problem, optimality treatment is performed on qualification wherein all layers of the Mo/Si mutual layer 20 is made into design thickness of at least 1.5 nm, and the Mo/Si mutual layer 20 of uneven thickness structure is realized wherein impact by a boundary layer is little.
そこで、Ｍｏ／Ｓｉ交互層２０のすべての層を１．５ｎｍ以上の設計膜厚とする条件で最適化処理し、境界層による影響の少ない不均一膜厚構造のＭｏ／Ｓｉ交互層２０を実現する。 - 特許庁 - This catching body has a structurally variable body which is variable in structure by a stimulus, a rod-like body which is ≤810 nm in length and a catching structure which specifically catches the catching object by bonding to this rod-like body.
刺激により構造が可変である構造可変体と、長さが８１０ｎｍ以下である棒状体と、該棒状体に結合し、捕捉対象を特異的に捕捉する捕捉構造体とを有することを特徴とする捕捉体である。 - 特許庁 - The supplying amount NM of the quartz glass raw material at the final stacking of layer is preferably ≥1/3 and ≤3/4 of the amount N_1 of the quartz glass raw material supplied at each stacking of layer for the process from the first stacking of layer to the m-th stacking of layer.
最終回の積層の際の石英ガラス原料の供給量Ｎ_Mは、第１回から第ｍ回までの積層の際の石英ガラス原料の供給量Ｎ_1の１／３以上３／４以下であるのが好適である。 - 特許庁 - To provide a mask blank and a mask, wherein linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (actual dimensional difference) between a design dimension of the line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of the line width of a transfer pattern formed on a substrate.
転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Linearityを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a cellulose acylate film having characteristics in which an in-plane phase difference Re is 100-300 nm, a thickness direction phase difference Rth is Re×0.5 or below, and a late phase in the axial dislocation is within ±5°.
面内位相差Ｒｅが１００〜３００ｎｍ、厚み方向位相差ＲｔｈがＲｅ×０．５以下、かつ遅相軸ズレが幅方向に対し±５°以下の特性を有するセルロースアシレートフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium in which a protective layer having a stable property can be formed even if film thickness of a magnetic layer is made thin to 100 nm or less, and a magnetic recording medium formed by the method.
磁性層の膜厚が１００ｎｍ以下にまで薄くなってきても特性の安定した保護層を形成することが可能な磁気記録媒体の製造方法と、その方法で形成された磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁 - In other cases, the Si-insulating film with semiconductor nano-particles embedded therein shows a current density larger than 1A/cm2 in an electric field smaller than 3MV/cm^2, a refractive index (n) in a range of 1.8 to 3.0 at a wavelength 632 nm.
他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 - 特許庁 - To obtain a (meth)acrylate containing a polyfluoroalkyl group (R^fCH_2 CH_2OCOCR=CH_2) having an ultraviolet transmittance of ≥80% at 370 nm wavelength in the form of a solution of the compound dissolved in HCFC225cb at a concentration of 10 wt.%.
ＨＣＦＣ２２５ｃｂに１０質量％の濃度で溶解した溶液の３７０ｎｍにおける紫外光の透過率が８０％以上である、ポリフルオロアルキル基含有（メタ）アクリレート（Ｒ^fＣＨ_2ＣＨ_2ＯＣＯＣＲ＝ＣＨ_2）の提供。 - 特許庁 - The heteronuclear copper-iridium complex can be utilized when an organic film of the organoelectroluminescent element is formed, and not only emits light at 590-630 nm as a highly efficient phosphorescent material but also has high luminance and a low turn-on voltage.
本発明の異種核銅−イリジウム錯体は、有機電界発光素子の有機膜形成時に利用可能であり、高効率の燐光材料として５９０〜６３０ｎｍで発光するだけでなく、高い輝度と低い駆動電圧とを持つ。 - 特許庁 - The polymer electrolyte membrane has the average value of 2.0-4.0 nm of the equivalent spherical diameter of water clusters formed in the polymer electrolyte membrane by impregnating water, and the coefficient of variation of the equivalent spherical diameter is 30-50%.
水分を含浸させることで高分子電解質膜中に形成される水クラスターの球相当径の平均値が２．０〜４．０ｎｍであり、該球相当径の変動係数が３０〜５０％であることを特徴とする、高分子電解質膜。 - 特許庁 - A sapphire substrate with a main surface having an off angle of 0.15° in the direction of m axis toward (0001) plane is used as a base crystal substrate and a base Cr layer with a thickness of 20 nm is deposited on the base crystal substrate by sputtering.
下地結晶基板として、（０００１）面に対するｍ軸方向のオフ角度が０．１５°である主面を有するサファイア基板を用意し、スパッタ法により、下地結晶基板の上に厚さ２０ｎｍの下地Ｃｒ層を堆積した。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet ray-curable liquid composition for adhesives, which does not cause the failure of curing, when cured with 365 nm ultraviolet rays, has excellent adhesiveness, and can be cured at proper curing rate, and forms cured films little curved.
３６５ｎｍの紫外線で硬化させる際に、硬化不良が生じず、接着性に優れるとともに、硬化速度が適度で、形成される硬化膜の反りが少ない接着剤用紫外線硬化性液状組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium and a magnetic recorder with high saturated magnetic flux density, with small magnetic anisotropy, capable of suppressing white noise and realizing high medium S/Nm in a soft magnetic layer using CoFe alloy.
ＣｏＦｅ系合金を用いた軟磁性層において高飽和磁束密度で且つ磁気異方性が小さくホワイトノイズの発生を抑制でき、高い媒体Ｓ／Ｎｍを実現可能な磁気記録媒体および磁気記録装置を提供すること。 - 特許庁 - The tape has 12.65 mm width, 20 to 60 nm thickness of the ferromagnetic metal thin film and 2.5 to 6.0 μm track width and is capable of digital magnetic recording.
その磁気テープには、ポリエステルフィルム表面に強磁性金属薄膜層が形成されてなり、幅が１２.６５ｍｍで、強磁性金属薄膜厚さが２０〜６０ｎｍであり、トラック幅２．５〜６．０μｍのデジタル磁気記録が可能な磁気テープを用いる。 - 特許庁 - The excitation light of 400nm band, emitted from the semiconductor laser element 22, is absorbed in the surface light-emitting type semiconductor element 39 and a light of 600-700 nm is emitted, which is wavelength-converted into the laser beam in the ultraviolet range by the wavelength conversion element 43.
半導体レーザ素子22から発せられた400nm帯の励起光は面発光型半導体素子39に吸収されて600〜700ｎｍの光が発せられ、該光は波長変換素子43により紫外域のレーザ光に波長変換される。 - 特許庁 - To provide a dispersion compensating fiber which is arranged both before and behind an optical transmission line including a dispersion shift fiber to improve high-speed optical transmission characteristics mainly in a wavelength range of 1,575 to 1,625 nm.
分散シフトファイバを含む光伝送路の前段及び後段の両方に配置して、主として波長１５７５ｎｍから１６２５ｎｍの領域における高速光伝送特性を改善した分散補償ファイバを提供することにある。 - 特許庁 - A copolymer latex with a particle size of ≤50 nm that has a rate of a toluene-insoluble portion of 85-95%, is obtained by emulsion polymerization using 0.1-30 pts.wt. of a reactive emulsifier having a polyoxyalkylene chain and a sulfate group in the molecular structure.
分子構造内部にポリオキシアルキレン鎖及び硫酸基を持つ反応性乳化剤を０．１〜３０重量部用いて乳化重合し、トルエン不溶分率が８５〜９５％でかつ粒子径が５０ｎｍ以下の共重合体ラテックス。 - 特許庁 - The wire-shaped particulate-containing composition includes: the wire-shaped metal particulate with a major axis of at least ≥3 μm, a minor axis of at least ≥70 nm and an aspect ratio of 20 to 250; and a solvent with a boiling point of ≤180°C.
少なくとも長軸が３μｍ以上及び短軸が７０ｎｍ以上であってアスペクト比が２０〜２５０であるワイヤー状金属微粒子と沸点が１８０℃以下の溶媒とを含むワイヤー状金属微粒子含有組成物。 - 特許庁 - When the thickness of the single crystal thin film 2 of calcium fluoride is 15 nm or more, a high-quality zinc oxide single crystal film 3, which is oriented to a c axis in the vertical direction with respect to the surface of the substrate and is free from the rotation of a crystalline domain in the surface of the film, is obtained.
フッ化カルシウム単結晶薄膜２の厚さが１５ｎｍ以上であれば、基板面に垂直方向にｃ軸配向し、膜面内で結晶ドメイン回転のない高品質の酸化亜鉛単結晶膜３が得られる。 - 特許庁 - This polymer alloy fiber is provided by forming a sea-islands structure formed by a hardly dissolvable polymer as sea and an easily soluble polymer as islands wherein the islands form stripe-shaped structure, and having ≤3 % ratio of the area occupied by the islands having ≥200 nm diameter in the total area of the islands.
難溶解性ポリマーが海、易溶解性ポリマーが島であり、島が筋状構造を形成した海島構造を形成し、直径２００ｎｍ以上の島の島全体に占める面積比が３％以下であるポリマーアロイ繊維。 - 特許庁 - To provide a glass for illumination which can shield ultraviolet light having a long wavelength such as 313 nm, hardly has TiO_2-based crystals, and hardly causes phase separation; a mantle vessel for a fluorescent lamp using the glass; and a method for producing the mantle vessel for a fluorescent lamp.
３１３ｎｍ等の長波長側の紫外線遮蔽が可能であり、しかもＴｉＯ_2系の結晶を生じにくく、また分相し難い照明用ガラスと、それを用いた蛍光ランプ用外套容器を提供することである。 - 特許庁 - The phosphor material comprises phosphor particles 11 and a coating layer 12 which coats a surface of each of the phosphor particles 11, wherein the coating layer 12 has such a structure that microparticles 12A having an average particle diameter of 10 to 40 nm inclusive are laminated.
蛍光体粒子１１と、この蛍光体粒子１１の表面を被覆する被覆層１２とを有し、被覆層１２は、平均粒子径が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の微粒子１２Ａが積層された構造を有している。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for inhibiting the generation of crystal defects and at the same time putting a quantum well layer into disorder even in a semiconductor device that has an arbitrary layer structure and at the same time an upper-cladding-layer thickness of 500 nm or less.
任意の層構造を有し、かつ上クラッド層の厚さが５００ｎｍ以下の半導体装置においても、結晶欠陥の発生が抑制でき、かつ量子井戸層の無秩序化が可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁 - This is because of the following reasons: In an ultraviolet region with a wavelength of 400 nm or less, the difference in reflectivity between a white ground and printed portions of the C, M, and Y colors becomes large, and concentration difference occurs among a plurality of patterns included in the test pattern.
これは、波長４００ｎｍ以下の紫外域では、ＣＭＹ各色において白下地と印字部分との反射率差が大きくなり、テストパターンに含まれる複数のパターン間で濃度差が発生するためである。 - 特許庁 - To provide a method of determining the optical coefficient of a lower- layer antireflection film, and to provide a method of forming a resist pattern optimum for controlling variations in film thickens, even when the resist film is lower in transparency, with respect to short wavelength of 157 nm.
１５７ｎｍの短波長に対して透明性が低いレジスト膜であっても、その膜厚変動の抑制に適した下層反射防止膜の光学定数の決定方法およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The preform for precision press molding manufactured by molding a molten glass has a strain of not greater than 10 nm/cm on the basis of JOGIS14-1975 (method of measuring a strain of an optical glass).
溶融ガラスを成形することにより製造される精密プレス成形用プリフォームであって、ＪＯＧＩＳ１４−１９７５（光学ガラスのひずみの測定方法）の条件において、１０ｎｍ／ｃｍ以下の歪を有する前記プリフォーム。 - 特許庁 - In the optical film, the difference between the maximum of orientation angle and the minimum thereof is ≤1° or the difference between the maximum of retardation and the minimum thereof is ≤10 nm and the molecular orientation axis of the film is tilted in the longitudinal direction of the film.
配向角の最大値と最小値との差が１°以下であり、あるいは位相差の最大値と最小値との差が１０ｎｍ以下であり、フィルムの分子配向軸がフィルム長手方向において傾斜されている光学フィルム。 - 特許庁 - To provide a bonding material capable of realizing bonding by metallic bonding at a bonding interface at a lower temperature compared to a bonding material using a metal particle having an average particle diameter of not more than 100 nm and a bonding method.
平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To always guarantee high corrosion resistance even in the case of an ultrathin Au layer, for a corrosion-resistant conductive member with a stainless steel sheet equipped with an Au-plating layer of a thickness of 100 nm or less, to be used as a separator for a fuel cell.
燃料電池のセパレータとする、ステンレス鋼板に厚さ１００nm以下のＡｕメッキ層を設けた耐食性導電部材において、Ａｕ層がごく薄い場合でも、常に高い耐食性を保証できるものを提供する。 - 特許庁 - The InSb nanoparticles are characterized in that the average particle diameter is within a range of 2-200 nm, and the particles can be dispersed in a dispersion medium and are independently dispersed.
本発明は、平均粒径が２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であり、分散媒中に分散可能であり、独立分散していることを特徴とするＩｎＳｂナノ粒子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁 - To provide a lithographic imaging method for use in the manufacture of an integrated circuit composed of patterned structure or other similarly patterned structures of very high resolution, the patterned structure having especially a feature with a half pitch of about 50 nm or less.
非常に高い解像度、特にハーフピッチが約５０ｎｍ以下のフィーチャーを有するパターン化構造からなる集積回路または他の同様なパターン化構造の製造に使用する、リソグラフィ・イメージング方法を提供すること。 - 特許庁 - The feed material injection generates a surface 25 gas flow of at least 0.04 Nm^3/s/m^2 in the molten baths 22 and 23 at least in part by reactions of the material injected in the baths 22 and 23.
供給材料の注入は、前記溶融浴２２及び２３中に少なくとも０．０４Ｎｍ^3／秒／ｍ^2の表面２５ガス流を、少なくとも一つには前記浴２２及び２３中に注入された材料の反応により発生させる。 - 特許庁 - In this camera including fine particles of the tungstic oxide or the tungstic oxide compound material on the lens surface, a mean particle size of the fine particles is in the range of 1-200 nm, and the aspect ratio of the fine particles is in the range of 1-3.5.
酸化タングステンまたは酸化タングステンの複合材の微粒子をレンズの表面に具備するカメラにおいて、前記微粒子の平均粒径が１ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、かつ微粒子のアスペクト比を１〜３．５の範囲とする。 - 特許庁 - In this camera lens including fine particles of the tungstic oxide or the tungstic oxide compound material on the surface, a mean particle size of the fine particles is in the range of 1-200 nm, and the aspect ratio of the fine particles is in the range of 1-3.5.
酸化タングステンまたは酸化タングステンの複合材の微粒子を表面に具備するカメラ用レンズにおいて、前記微粒子の平均粒径が１ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、かつ微粒子のアスペクト比を１〜３．５の範囲とする。 - 特許庁 - A dispersion of an aggregated carbon material 300 in which primary particles 100 have an average outer size of 10-95 nm or a carbon material having a DBP absorption value of ≤250 cm^3/100 g before activation is activated.
一次粒子１００の平均の外寸が１０から９５ナノメートルである凝集炭素材料３００を分散したもの、または賦活前のＤＢＰ吸収量が２５０ｃｍ^３／１００ｇ以下である炭素材料を賦活する。 - 特許庁 - Between a spin valve type magneto-resistance effect film and a vertical bias shield layer, a nonmagnetic substrate layer is formed adjacently to a pair of end surfaces of the spin valve type magneto-resistance effect film so as to have a thickness of 1 to 10 nm.
スピンバルブ型磁気抵抗効果膜と縦バイアスシード層との間に、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の一対の端面に隣接し、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚みとなるように非磁性下地層を形成するようにした。 - 特許庁 - The ink-jet ink includes colored particles having 10-100 nm average particle size obtained by physically bonding pigments on the surface of silica particles by a mechanochemical method, a solvent having high boiling temperature and a dispersant, and the ink has 1.5-35 mPa.s of viscosity at 25°C.
シリカ粒子表面にメカノケミカル法により顔料を物理的に結合させた平均粒径10〜100nm の着色粒子、高沸点溶剤および分散剤を含み、２５℃での粘度が1.5〜35mPa・sであることを特徴とするインクジェットインキ。 - 特許庁 - The optical fiber has an effective area ≥120 μm^2 with a cut-off wavelength limited to 1,600 nm without degradation of other optical parameters of the optical fiber as compared with an SSMF, notably in terms of losses and dispersion.
この光ファイバは、特に損失および分散に関して、ＳＳＭＦと比較して光ファイバの他の光学パラメータを劣化させずに、１６００ｎｍに制限されたカットオフ波長を伴う１２０μｍ^２以上の実効面積を有している。 - 特許庁 - To provide perovskitic nanoparticles being capable of being crystallized at a lower temperature, having high crystallizability even when the particle diameter is as small as 50 nm or below, and being excellent in dispersibility, to provide a method for producing the same, and to provide a membrane.
より低温にて結晶化が可能であり、５０ｎｍ以下という小さな粒径であっても高い結晶性を有し、さらに分散性に優れたペロブスカイト型ナノ粒子及びその製造方法並びに膜を提供する。 - 特許庁
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