「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 219 220 221 222 223 224 225 226 227 .... 287 288 次へ＞- The method of manufacturing titanium oxide nanotube is performed by applying paste containing a titanium oxide fine particles having 5 to 1,000 nm particle diameter on a substrate composed of alumina, titanium metal, stainless steel, polytetrafluoroethylene or the like, and drying and heating the substrate in an alkali aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, magnesium hydroxide or the like.
粒子径５〜１０００ｎｍの酸化チタン微粒子を含むペーストをアルミナ、金属チタン、ステンレス鋼、ポリテトラフルオロエチレンなどからなる基板上に塗布し、乾燥したのち、この基板を水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどのアルカリ水溶液中で加熱する。 - 特許庁 - At least one kind of a diazo metallic chelate compound consisting of a diazo compound shown by a general formula (1) and a bivalent or trivalent metal or the salt of the same or the compound and an organic color element having the maximum absorbing wave length of 680-750 nm are contained in a recording layer.
下記一般式（Ｉ）で示されるアゾ化合物と２価又は３価の金属又はその塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくとも１種あるいは該化合物と６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させる。 - 特許庁 - A lithium battery is characterized in that the anode is formed from a carbon fibril material comprised of an aggregate of fibrils or non-aggregated mass of fibrils having an average particle diameter of 0.1-100 μm in which fine, filiform carbon fibrils of 3.5-75 nm in diameter are intertwined with each other, and fibrils is intercalated with lithium.
直径３．５〜７５nmの微細糸状炭素フィブリルが互いに絡み合った、平均粒径が０．１〜１００μm のフィブリルの凝集体又は非凝集フィブリル物体からなる炭素フィブリル材料からアノードが形成されており、フィブリルにリチウムが挿入されていることを特徴とするリチウム電池。 - 特許庁 - The silver added tin-containing indium oxide particle having 10-200 nm average particle diameter for which 0.5-15 mol% aluminum substitutes and to which 0.5-10 wt.% silver is stuck is obtained by covering the aluminum substituted tin-containing indium oxide particle with silver and heat-treating the resultant substance at 150-500°C under a reducing atmosphere.
次いで、銀を被覆させた後、還元雰囲気中で１５０〜５００℃の温度範囲で加熱処理し、0.５〜１５mol ％のアルミニウムで置換され且つ0.５〜１０重量％の銀が付着した平均粒子径１０〜２００ｎｍの銀添加スズ含有酸化インジウム粒子を得る。 - 特許庁 - In the light reflecting layer 32 comprising three layers of a foundation layer 322, a reflecting layer 321, and a cap layer 323, an ICO-based film, which is an oxide film containing In and Ce, having a thickness of 80 to 110 nm is used for the cap layer 323 and the foundation layer 322.
下地層３２２，反射層３２１およびキャップ層３２３の３層からなる光反射層３２において、キャップ層３２３に厚み８０〜１１０ｎｍのＩＣＯ系膜（ＩｎとＣｅを含有した酸化物膜）を用いるとともに、下地層３２２にもＩＣＯ系膜を用いる。 - 特許庁 - To provide a photomask that can decrease changes in a polarization state of exposure light induced by the mask itself and transfer a preferable fine image onto a wafer in photolithography with a 45 nm half pitch node or further advanced techniques, and to provide a method for easily manufacturing the mask and a pattern forming method using the photomask.
ハーフピッチ４５ｎｍノード以降のフォトリソグラフィにおいて、マスク自身により誘引される露光光の偏光状態の変化を緩和し、良好な微細画像をウェハ上に形成するためのフォトマスク、および簡易なその製造方法、さらに、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The transmitting output of a transmitter 4 is normally fixed under the control of an ALC circuit 11, but when the distance data outputted from the circuit 8 is 200-15 NM, the output of the transmitter 4 is fixed by means of the ALC circuit 11.
送信機４の送信出力は、通常ＡＬＣ回路１１の制御により一定出力となっているが、距離計算回路８から出力される距離データが２００〜１５ＮＭでは、ＡＬＣ回路１１により送信機４の出力は一定出力となっている。 - 特許庁 - This ion-generating material processed as powder having a nanometer (nm) order size, can increase the dispersion rate of the same into the prescribed materials (as described later e.g. the cloth or ink) in the case of mixing the powder with the prescribed materials and aim at the expansion of the use of the powder.
本発明のイオン発生体は、ナノメートル（ｎｍ）のオーダーの大きさの粉体に加工されていることにより、これを所定の材料（例えば、後述のように、生地やインクなど）内に混入する場合に、所定材料内への分散率が高まり、用途の拡大化を図ることができる。 - 特許庁 - The photosensitive resin composition to be used for forming a photospacer on a color filter substrate or a TFT substrate constituting a liquid crystal display device, the composition contains fine particles having 1 to 100 nm average particle size and insoluble with a solvent by 0.5 to 20 parts by weight in the whole solid content.
液晶表示装置を構成するカラーフィルタ側基板１もしくはＴＦＴ側基板にフォトスペーサ５を形成する際に用いる感光性樹脂組成物において、溶剤に不溶な平均粒径１〜１００ｎｍの微粒子を全固形分中の０．５〜２０重量部含有する。 - 特許庁 - In the electrophotographic photoreceptor using a laser having an oscillation wavelength in the range of 380-500 nm as a light source for exposure, an N,N'-bisenamine compound of formula (1) is contained as a charge transfer material 3 in a charge transfer layer 6 on an electrically conductive support 1.
発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にあるレーザを露光光源として使用される電子写真感光体において、導電性支持体１上の電荷移動層６に、電荷移動物質３として一般式（１）で示されるＮ，Ｎ’−ビスエナミン化合物を含有させる。 - 特許庁 - The semiconductor sealing material is for sealing a semiconductor, the internal transmission factor at a thickness of 1 mm and a wavelength 588 nm is 80% or more, and is made up of an SnO-P_2O_5-B_2O_3 of a softening poit 400°C or lower.
本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ１ｍｍ、波長５８８ｎｍにおける内部透過率が８０％以上であり、且つ、４００℃以下の軟化点を有するＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスからなることを特徴とする。 - 特許庁 - An SiON film (gate insulation film) 3 having a thickness of 3.0 nm is formed and then an ultraviolet light irradiation process is performed in which ultraviolet light having energy larger than the band gap of the insulation film 3 is applied to the SiON film 3 to generate electrons in the insulation film 3 to join the electrons to immobile positive charges in the insulation film 3.
厚さ3.0nmのSiON膜（ゲート絶縁膜）３を形成し、次いで、絶縁膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する紫外光を、SiON膜３に照射して、絶縁膜中に電子を発生させて絶縁膜中の非移動性の正電荷と結合させる紫外光照射工程を行う。 - 特許庁 - Deposition pressure is so set that the distance between the substrate S and a first target T1 is shorter than a mean free path of sputtered particles discharged from the first target T1, to thereby deposit an MgO layer having 5 to 20 nm film thickness on the substrate S whose temperature is maintained at room temperature.
そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 - 特許庁 - To provide a technology for detecting a minute concavo-convex defect (phase defect) of only several nm with high sensitivity in a mask blank inspection method that uses DUV light that allows usage of an inspection optical system which has high degree of completion as a mass production device and uses a lens in the atmospheric air.
量産装置としての完成度が高く、かつ、大気中でのレンズを使用した検査光学系を使用できるＤＵＶ光を使用したマスクブランクの検査方法において、わずか数ｎｍの微細な凹凸欠陥（位相欠陥）を高感度に検出できる技術を提供する。 - 特許庁 - The fiber has bending loss of ≤100 dB/m as to winding of the fiber around a sleeve of 10 mm in radius and bending loss of ≤5×10^-3 as to 100-turns winding of the fiber around a sleeve of 30 mm in radius at 1,650 nm.
前記ファイバは、１６５０ｎｍにおいて、半径１０ｍｍのスリーブの周りのファイバの巻きつけについて１００ｄＢ／ｍ未満の曲げ損失と、半径３０ｍｍのスリーブの周りのファイバの１００回の巻きつけについて５×１０^−３ｄＢ未満の曲げ損失を有する。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified positive resist composition giving a high resolution with a suppressed LER deterioration caused by film-thinning at the time of forming a chemically amplified resist film with a film thickness of 10-100 nm in lithography, and also to provide a resist patterning process using the chemically amplified positive resist composition.
本発明は、リソグラフィーにおいて、膜厚を１０〜１００ｎｍとした場合の化学増幅レジスト膜の薄膜化によるＬＥＲの悪化を抑制しつつ、高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供することもある。 - 特許庁 - Preferably, the nonporous anodic oxidization coating has a thickness of 30-200 nm; the amount of the silane coupling agent applied onto the nonporous anodic oxidation coating is 0.5-10 mg/m^2; and the epoxy resin has a number average molecular weight of 5,000-80,000 and a thickness as the coating of 2-20 μm.
前記無孔質陽極酸化皮膜の膜厚が３０〜２００ｎｍ、前記シランカップリング剤の前記無孔質陽極酸化皮膜上への塗布量が０．５〜１０ｍｇ／ｍ^２、前記エポキシ系樹脂の数平均分子量が５，０００〜８０，０００でその被覆の厚さが２〜２０μｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - The polycarbonate resin molded article comprises needlelike iron oxide fine particles having a minor axis length of 3-30 nm and an aspect ratio of 2-10 and an a thermoplastic acrylic resin wherein the needlelike iron oxide fine particles have a concentration of ≥0.05 g/m^2 and ≤2.3 g/m^2 and is uniformly monodispersed.
短軸長が３〜３０ｎｍで、アスペクト比が２〜１０である針状酸化鉄微粒子と、熱可塑性アクリル樹脂とを含み、該針状酸化鉄微粒子が、濃度０．０５ｇ／ｍ^２以上２．３ｇ／ｍ^２以下で、均一に単分散しているポリカーボネート樹脂成形体を製造した。 - 特許庁 - The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method.
基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。 - 特許庁 - Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.
その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁 - An ideal angle after correction θidmo obtained by correcting an ideal angle θid from a converter 34 with the use of a rotational angle change amount during conversion Δθofs, which is larger if the number of rotation Nm of a motor 10 is larger, is used for switching control of a switching element of an inverter 12.
モータ１０の回転数Ｎｍが大きいほど大きな変化中回転変化量Δθｏｆｓを用いて変換器３４からの理想角θｉｄを補正して得られる補正後理想角θｉｄｍｏをインバータ１２のスイッチング素子のスイッチング制御に用いる。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet-setting type composition that can satisfy both durability and a high transmission rate of its hardened film at a wavelength of about 400 nm, which are suitable for the light-transmitting film of an optical disk, to which recording or reproducing is made with a blue laser, and the optical disk in which the composition is used.
ブルーレーザーにより記録又は再生を行なう光ディスクの光透過膜として好適な、耐久性と硬化膜の波長４００ｎｍ近傍での高透過率とを両立させることができる紫外線硬化型組成物及びこれを採用した光ディスクを提供する。 - 特許庁 - When a blue color is used as the background color, the polarizing plates 10a and 10b have high transmittance of the blue color, the retardation value Δnd of the liquid crystal layer 7 is set to be 2.04 to 2.26 μm and the backlight 11 performs light emission of white color including an optical component of 450 nm wavelength.
青色を背景色とするときは、偏光板１０ａ，１０ｂは青色の透過率が高く、液晶層７はリターデーション値Δｎｄが２．０４〜２．２６μｍに設定されており、バックライト１１は４５０ｎｍの波長の光成分を含む白色発光を行う。 - 特許庁 - The fiber A is a polymer alloy filament fiber which has a sea-island type structure whose island component is composed of a slightly soluble polymer and whose sea component is composed of an easily soluble polymer, wherein the blend ratio of the easily soluble polymer is 10 to 90 wt.%, and the number-average diameter of the island component is 1 to 500 nm.
繊維Ａ：島成分が難溶解性ポリマーからなり、海成分が易溶解性ポリマーからなる海島型複合構造を示し、該易溶解性ポリマーのブレンド比が１０〜９０重量％、島成分の数平均直径が１〜５００ｎｍであるポリマーアロイフィラメント繊維。 - 特許庁 - To provide a chemical amplification type resist composition which exhibits sufficient transmissivity when an exposure light source for F_2 excimer laser light (157 nm) is used, has a fast etching speed, and improves roughness of a sample surface after dry etching, and to provide a pattern forming method using the same.
１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method for producing a photocatalytic titanium dioxide comprises forming TiO_2 with a thickness of 100-200 nm on a substrate and then partially forming Ti_2O_3 by evaporation on the TiO_2 film so as to improve the photocatalytic activity of TiO_2.
本発明は、基板上にＴｉＯ_２を１００〜２００ｎｍの厚さで成膜した後ＴｉＯ_２膜の上にＴｉ_２Ｏ_３を部分的に蒸着する、光触媒二酸化チタンの製造方法であって、ＴｉＯ_２の光触媒活性が増大されることを特徴とする方法を解決手段とする。 - 特許庁 - The non-spherical silica obtained by bringing a silicate solution into contact with an acid and/or a salt solution using a non-spherical silica having a shape wherein silica fine particles of 2-17 nm of an average primary particle diameter, a non-spherical silica having a dendritic shape, or a microreactor.
平均一次粒子径２〜１７ｎｍのシリカ微粒子が連なる形状を有する非球状シリカ、樹枝状を有する非球状シリカ、又はマイクロリアクターを用いて、ケイ酸塩溶液と酸及び／又は塩溶液とを接触させることにより得られる非球状シリカに関する。 - 特許庁 - The curable composition contains the following components (A) to (C): (A) a particle having an average primary particle diameter of 10-100 nm and composed mainly of a phosphorus-containing tin oxide, (B) a compound having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule, and (C) a compound containing a fluorine atom in the molecule.
下記成分（Ａ）〜（Ｃ）：（Ａ）平均一次粒子径が１０ｎｍ〜１００ｎｍである、リン含有酸化錫を主成分とする粒子（Ｂ）分子内に２以上の重合性不飽和基を有する化合物（Ｃ）分子内にフッ素原子を含有する化合物を含有する硬化性組成物。 - 特許庁 - (1) The optical recording medium has two or more pairs of three layer structures each having the optical recording layer wherein recording is performed by two-photon absorption or multiphoton absorption, a UV absorption layer having 100 to 1,000 nm film thickness and the intermediate layer comprising the UV curable material which are laminated in this order on a substrate.
（１）基板上に、２光子又は多光子吸収により記録が行なわれる光記録層、膜厚が１００〜１０００ｎｍの紫外線吸収層、紫外線硬化可能な材料からなる中間層がこの順に積層された３層構造を２組以上有する光記録媒体。 - 特許庁 - In the contact member which has a noble metal thin film layer 5 on the surface of a substrate 2, a nano diamond particle of 2 nm to 1 μm in the particle diameter is co-deposited at 0.1 to 5.0 wt.% on the surface and the interior of the noble metal thin film layer 5, and the soft solder transfer property can be enhanced.
基材２の表面に貴金属薄膜層５を形成してなる接点部材において、上記貴金属薄膜層５の表面及び内部に粒径が２ｎｍ〜１μｍのナノダイヤモンド粒子を０．１〜５．０重量％の割合で共析させ、ハンダ転写性を良くしたことを特徴とする。 - 特許庁 - This saw blade is formed of tool steel containing C: 0.1 to 3.0% and Cr: 1.0 to 18.0% by mass%, an oxide having a grain size of 25 nm or less is dispersed in texture by 750 or more per 1 μm^3, and the crystal grain size of the old austenitic grain boundary is 10 μm or less at maximum.
質量％で、Ｃ：０．１〜３．０％、Ｃｒ：１．０〜１８．０％を含む工具鋼からなり、組織中には粒径２５ｎｍ以下の酸化物が１μｍ^３あたり７５０個以上分散しかつ、旧オーステナイト粒界による結晶粒径が最大１０μｍ以下の鋸刃である。 - 特許庁 - Further, by depositing an SiO_2 film 74 of low-refractive material on seventh layer that is the outermost surface layer, having an optical film thickness n×d(n: refractive index, d: physical film thickness) of λ/4 (λ=500 to 600 nm) in order to enhance antireflection effect, the ND film 71 comprising inorganic hard film of seven-layer composition is formed.
更に、反射防止効果を高めるために最表層の第７層に低屈折材料であるＳｉＯ_2膜７４を光学膜厚ｎ×ｄ（ｎ：屈折率、ｄ：物理膜厚）でλ／４（λ＝５００〜６００ｎｍ）蒸着し、７層構成の無機硬質膜から成るＮＤ膜７１を成膜する。 - 特許庁 - According to the present invention, the polybenzazole film can be obtained, which has surface roughness (Ra, arithmetic average roughness) of 40 nm or less, a ratio of tensile strength in a vertical direction and in a lateral direction of 0.80 or more, and a ratio of tensile modulus of elasticity in a vertical direction and in a lateral direction of 0.80 or more.
本発明によれば表面あらさ（Ｒａ、算術平均粗さ）が４０ｎｍ以下であり、かつ、縦方向と横方向の引張強さの比が０．８０以上であり、縦方向と横方向の引張弾性率の比が０．８０以上であるポリベンザゾールフィルムが得られる。 - 特許庁 - The magnetic recording medium has a magnetic layer formed by dispersing ferromagnetic powder and an abrasive agent in a binder on a non-magnetic substrate, wherein a D50 value of particles of the abrasive agent is 40 to 160 nm, a D10/D50 value is ≤0.65 and a D90/D50 value is ≤2.0.
非磁性支持体上に強磁性粉末および研磨剤を結合剤中に分散してなる磁性層とを有する磁気記録媒体であって、該研磨剤粒子のＤ５０値が４０〜１６０ｎｍであり、Ｄ１０／Ｄ５０値が０．６５以下であり、Ｄ９０／Ｄ５０値が２．０以下である磁気記録媒体。 - 特許庁 - By this manufacturing method, a silicon nitride film 7 of about 4 nm or smaller in thickness is formed on a silicon oxide film 6 formed on the top surface of a semiconductor substrate 1 and then the silicon nitride film 7 and silicon oxide film 6 in an region B where a thin gate insulating film is formed are removed in the order, by using a resist pattern 8 as a mask.
半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に約４ｎｍ以下の窒化シリコン膜７を形成し、次いでレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの窒化シリコン膜７および酸化シリコン膜６を順次除去する。 - 特許庁 - The polyester film for the brightness improving sheet comprises a polyester film having a thermal shrinkage factor in the longitudinal direction of 0.5-0.0% when heat-treated at 150°C for 30 min and a coating layer which is formed on the polyester film, contains fine particles 20-400 nm in a mean particle size, and has a refractive index of 1.45-1.50.
１５０℃で３０分間熱処理したときの縦方向の熱収縮率が０．５〜０．０％であるポリエステルフィルム、およびそのうえに設けられ平均粒径２０〜４００ｎｍの微粒子を含有し屈折率が１．４５〜１．５０である塗布層からなる、輝度向上シート用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - A connecting hole 47 is formed first of all with a second insulating film 43 of about 50 nm left therein, in the process to form, to an interlayer insulating film, the connecting hole 47 for connecting the upper and lower wirings to hold the interlayer insulating film with a first insulating film 42 and a second insulating film 43.
第１の絶縁膜４２と第２の絶縁膜４３とよりなる層間絶縁膜を挟んだ上下の配線を接続する接続孔４７を層間絶縁膜に形成する過程で、まず、第２の絶縁膜４３を５０ｎｍ程度残して接続孔４７を形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method of an ink jet recording support is to heat treat the transparent support under a temperature ranging from the glass transition point Tg (°C) of the support to Tg-40 (°C) for one min to 1,500 hr under the condition that the transparent support is wound about a winding core having the outer diameter ranging from 100 to 1,000 nm.
透明支持体を外径１００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下の巻き芯に巻かれた状態で該支持体のガラス転移点Ｔｇ（℃）からＴｇ−４０（℃）の温度で１分〜１５００時間、熱処理することを特徴とするインクジェット記録用支持体の製造方法。 - 特許庁 - To provide a head slider having a narrow gap between a magnetic recording medium and the head slider and capable of dealing with a super high density magnetic storage device by incorporating a protective film excellent in sliding resistance, wear resistance, corrosion resistance, withstand voltage characteristic and adhesion power even if the protective film has a super thin film thickness of ≤5 nm, into the slider.
５ｎｍ以下の極薄膜厚においても耐摺動性・耐磨耗性・耐食性・耐電圧特性・密着力に優れた保護膜を有することで、磁気記録媒体とのギャップを狭くし、超高密度磁気記憶装置に対応できるヘッドスライダーを提供する。 - 特許庁 - This polyester film for the thermal transfer ribbon, which is a biaxially oriented polyester film with a thickness of 1-15 μm, is characterized in that at least one side for laminating ink satisfies the expressions: Ra≤50 and Pc≤100, wherein Ra represents a central plane average roughness (nm) and wherein Pc represents mounds per inch (number/0.1992 mm^2).
厚さ１〜１５μｍの２軸延伸ポリエステルフィルムであって、少なくとも片面がＲａ≦５０かつＰｃ≦１００但し、Ｒａ：中心面平均粗さ（ｎｍ）Ｐｃ：山数（個／０．１９９２ｍｍ^２）である、インクを積層させるための面であることを特徴とする熱転写リボン用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - This gelling agent for the alkaline battery consists of a cross- linked polymer A, in which (meth)acrylic acid and/or its alkaline metal salt with 0.1-2,000 μm average grain are/is used as a constitutional unit, and an ultra-fine particle compound 1 with 0.1-100 nm average grain size, and the alkaline battery uses the gelling agent.
平均粒子径０．１〜２，０００μｍの（メタ）アクリル酸及び／又はそのアルカリ金属塩を主構成単位とする架橋重合体（Ａ）及び平均粒子径０．１〜１００ｎｍの超微粒子状の化合物（１）からなるアルカリ電池用ゲル化剤並びにそれを利用したアルカリ電池。 - 特許庁 - The depth D of the grooves 11B is ≥λ/(4.n) to ≤λ/(2.n) when the refractive index of the substrate 11 is defined as n and the wavelength of a light sources as λand the good crosswriting characteristic can be obtained even if the wavelength λ of the light source is specified to 400 nm and the numerical aperture NA of a lens to 0.6.
グルーブ１１Ｂの深さＤは、基板１１の屈折率をｎ、光源の波長をλとするとλ／（４・ｎ）以上λ／（２・ｎ）以下となっており、光源の波長λを４００ｎｍ、レンズの開口数ＮＡを０．６としても、良好なクロスライト特性が得られる。 - 特許庁 - This streetlamp has a single light source type, in which a light source of green light with wavelengths of 500 to 580 nm as a luminous body of the streetlamp, or a multiplex light source type, in which the light source of green and a light source of light including a wavelength region, except the green, such as a white light source, are combined.
街路灯の発光体として波長５００〜５８０ｎｍの緑色光の光源を用いた単一光源型とするか、あるいは緑色の光源と、白色光源等緑色以外の波長域を含む光源とを組み合わせて構成した複合光源型とする。 - 特許庁 - When depositing the DLC film 3, the negative bias voltage to be applied to the substrate 1 is set to be 150-600V, very small recessed parts 6 of 0.5-1.0 μm in diameter and 10-30 nm in depth are formed on the surface of the DLC film 3, and the recessed parts 6 function as oil sumps.
ＤＬＣ皮膜３を成膜する際、基材１に印加する負のバイアス電圧を１５０〜６００Ｖに設定し、ＤＬＣ皮膜３の表面を、直径０．５〜１．０μｍ、深さ１０〜３０ｎｍの微小な凹部６を集合させた形状とし、該凹部６をオイル溜りとして機能させる。 - 特許庁 - The adhesive composition contains (a) a curable adhesive which is to be cured by the irradiation of light of 150-750 nm wave lengths, heating at 80-200°C, or a combined use of the light irradiation and the heating, and (b) a 2,6-tert-butyl pyridine derivative(s) of formula (A) and/or formula (B).
ａ）１５０〜７５０ｎｍの光照射または８０〜２００℃の加熱または光照射と加熱を併用することで硬化する硬化性接着剤、ｂ）一般式Ａおよび/または一般式Ｂの２，６−ジ−tert−ブチルピリジン誘導体化合物とを含有する接着剤組成物。 - 特許庁 - As a recording layer with a thickness of 2-4 nm, a first reaction layer the main component of which is Si, a second reaction layer the main component of which is Cu, and a barrier layer the constitutent of which comprises an element which does not form an alloy with Si and Cu and are provided between the first reaction layer and the second reaction layer.
記録層として、主成分がＳｉである第１反応層、主成分がＣｕである第２反応層および第１反応層と第２反応層の間に構成元素がＳｉ及びＣｕと合金を形成しない元素からなる厚み２ｎｍ以上４ｎｍ以下のバリア層を設ける。 - 特許庁 - The composition, which comprises (A) 100 pts.wt. of inorganic fine particles having a primary particle diameter of 2 nm-30 μm, (B) 0.5-100 pts.wt. of a particle dispersing agent, and (C) 5-1,000 pts.wt. of a silicone medium, is found to exhibit a remarkably excellent dilatancy.
（Ａ）一次粒径が２ｎｍ〜３０μｍの無機微粒子１００重量部に対し、（Ｂ）粒子分散剤０．５〜１００重量部および（Ｃ）シリコーン媒体５〜１０００重量部とからなる組成物において極めて特異的に優れたダイラタンシー性を発現することを見いだした。 - 特許庁 - As the soft magnetic thin band, the one having a thickness of ≤100 μm, having a mother phase texture where crystal grains with a crystal grain size of ≤60 nm (excluding zero) are dispersed into an amorphous phase in ≥30% by a volume fraction, and also having an amorphous layer on the surface side of the mother phase texture is used.
厚さ１００μｍ以下の軟磁性薄帯であって、結晶粒径が６０ｎｍ以下（０を含まず）の結晶粒が非晶質中に体積分率で30％以上分散した母相組織を有し、かつ前記母相組織の表面側にアモルファス層を有するものを用いる。 - 特許庁 - The iron-based nanofine wire has a wire diameter of 50 to 300 nm, and also has a fine wire shape where iron-based granular crystals stand in a line or a shape where the fine wire parts standing in a line are connected so as to be a dendritic shape in such a manner that its wire aspect ratio is controlled to ≥20.
この発明の鉄系ナノ細線は、線径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、かつ、線アスペクト比が２０以上となるように鉄系粒状結晶が列状に連なった細線形態又は該列状に連なった細線部が樹枝状に連結した形態をなす。 - 特許庁 - A plurality of electron emission elements are arranged in the substrate 1 for forming the electron source, a layer 7 containing SiO_2 as a principle component is formed on the substrate 1, and an etching rate of the SiO_2 layer 2 with a 0.4 wt.% hydrogen fluoride ammonium aqueous solution (NH_4-HF_2) is specified to 150 nm/min or less at room temperature.
複数の電子放出素子が配される電子源形成用基板であって、基板１上にＳｉＯ_2を主成分とする層７を有し、このＳｉＯ_2層７の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液（ＮＨ_4−ＨＦ_2）でのエッチングレートを１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁
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