「pattern on pattern」を含む例文一覧(29426)
＜前へ 1 2 .... 123 124 125 126 127 128 129 130 131 .... 588 589 次へ＞- Using a translucent mold structure having a mold pattern corresponding to a portion wherein a pattern is formed by nanoimprint and a pattern composed of a conductive film which corresponds to a portion wherein a pattern is formed by diabatic near-field exposure, ultraviolet light is irradiated on the rear face of the mold structure simultaneously in an imprint process to perform diabatic optical near-field exposure.
ナノインプリントによりパターンを形成する部位に対応するモールドパターンと、非断熱近接場露光によりパターンを形成する部位に対応する導電膜によるパターンを有する透光性のモールド構造を使用し、インプリント工程時に同時にモールド構造背面より紫外光を照射し、非断熱近接場光露光を行う工程を行う。 - 特許庁 - Electrical conduction to the outside is accomplished by fitting a connector 6 onto the electrode pattern 3 part, and by forming an oxide film 4 on the electrode pattern 3, the good slidability is obtained, then the film shaving of the electrode pattern 3 itself is reduced even in the case the connection part 6a of the connector 6 is slid so that the electrical connection to the electrode pattern 3 is satisfactorily secured.
電極パターン３部分に対してコネクタ６を挿入させて外部との電気的導通をとるが、電極パターン３上に酸化膜４を形成することにより、滑りがよく、コネクタ６のコネクト部６ａが摺動しても電極パターン３自体の膜削れは少なく、この電極パターン３との良好なる電気的接続を確保できる。 - 特許庁 - Moreover, communication time among the CPU cores is calculated; the sum of the processing execution time of each CPU core and the communication time among the CPU cores is used as the estimated required time for each execution pattern; an execution pattern having a shortest estimated required time is selected as an optimum execution pattern; and each task is executed on the basis of each execution pattern.
また、ＣＰＵコア間での通信時間を計算して、各ＣＰＵコアの処理の実行時間とＣＰＵコア間での通信時間との合計を、各々の実行パターンの推定所要時間し、推定所要時間の一番小さな実行パターンを最適な実行パターンとして選択して、各々の実行パターンに基づき、各タスクを実行する。 - 特許庁 - A ground pattern connecting terminal 19 and a ground pattern non-connecting terminal 21 are modeled as different ones, and equivalent heat conductivity between an electronic component body model 26 and a substrate model 24 is determined based on a connection area between the ground pattern connecting terminal 19 and the substrate 13 and a connection area between the ground pattern non-connecting terminal 21 and the substrate 13.
グランドパターン接続端子１９とグランドパターン非接続端子２１とを、異なるものとしてモデル化し、グランドパターン接続端子１９および基板１３間の接続面積と、グランドパターン非接続端子２１および基板１３間の接続面積とに基づいて、電子部品本体モデル２６と基板モデル２４との間の等価熱伝導率を求める。 - 特許庁 - The amount of positional deviation is measured based on a pair of first moire patterns formed by the first pair of line pattern groups 114a, 114b and the third pair of line pattern groups 124a, 124b, and a second pair of moire patterns formed by the second pair of line pattern groups 115a, 115b and a fourth pair of line pattern groups 125a, 125b.
一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂと一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂとにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び一対の第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂと一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂとにより形成される一対の第２のモアレパターンに基づいて位置ずれ量を測定する。 - 特許庁 - In the pattern projection aligner or a method therefor, a first exposure mechanism for creating a pattern with thin width, and a second exposure mechanism for creating a pattern with a line width thicker than that of the first exposure mechanism are provided, the relative positional relation between the first and second exposure mechanisms is detected, and pattern exposure is made, based on the detected positional relation.
パターン露光装置または方法において、線幅の細いパターンの作製が可能な第１の露光機構と、該第１の露光機構よりも線幅の太いパターンの作製を行う第２の露光機構とを備え、該第１の露光機構と該第２の露光機構との相対位置関係を検出し、該検出した位置関係に基づいてパターン露光するように構成する。 - 特許庁 - The method of forming the conductive pattern includes: a first step for printing the conductive pattern onto a surface of the base material having a liquid repellent property; a second step for performing lyophilic processing on the surface of the base material which area does not have the conductive pattern printed thereon; and a third step for forming an insulating layer that covers the conductive pattern.
表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 特許庁 - A reticle 11 made of a glass substrate as a photomask is provided with a light shielding film pattern 12 relating to formation of elements and integrated circuits on a semiconductor wafer as well as with an auxiliary pattern 13 which corrects degeneracy of lines due to influences of the optical proximity effect during exposure in an isolated pattern P1 in at least a sparse pattern region, as shown in Figures (a) and (b).
図１（ａ），（ｂ）において、フォトマスクとして、ガラス基板であるレチクル１１に、半導体ウェハ上への素子及び集積回路形成に関する遮光膜パターン１２と共に、少なくとも疎パターン領域における孤立パターンＰ１に、露光時の光近接効果の影響によるライン縮退を補正する補助パターン１３が付加されている。 - 特許庁 - When the pattern printed film 3 is thermally bonded to the resin substrate sheet 1 under pressure, the pattern 2 of the pattern printed film 3 is partitioned and a positioning line 1 drawn on the surface of the pattern printed film 3 in a vertical direction from the end part thereof in a shape recognizable easily and certainly at a glance is added to be used.
絵柄印刷フィルム３を樹脂基材シート上に熱圧着する際に、少なくとも１ヶ所以上の一定間隔毎に上記絵柄印刷フィルム３の絵柄２を区切り、容易、かつ、確実に一目で認識できる形状で、同絵柄印刷フィルム３の表面上にその端部から垂直方向に描かれる位置決め線１を付加して使用する。 - 特許庁 - A shading pattern, produced by an optical pattern 110 of a rotary scale 104, is formed by a first shading pattern group where plural light parts are formed at each angle on the circumference, having difference distances from the center 108 of a circle, and light parts are formed at different angles in the circumferential direction, and a second shading pattern group.
ロータリスケール１０４の光学パターン１１０によって生じた明暗パターンは、円の中心１０８からの距離が異なる円周上に明部が同じ角度おきに形成されるように複数形成されると共に、円周方向に異なる角度に明部が形成された第１の明暗パターン群と第２の明暗パターン群とからなる。 - 特許庁 - The arithmetic processing part 6 of the control processing part 4 generates a brain wave pattern based on the brain wave signal of a driver, compares this brain wave pattern with the stored brain wave patterns, specifies, when a matched brain wave pattern is present, the operation content corresponding to the matched brain wave pattern, and reads and transmits the control signal for executing this operation content.
制御処理部４の演算処理部６は、運転者の脳波信号に基づいて脳波パターンを生成し、その脳波パターンを記憶されている脳波パターンと比較して、一致する脳波パターンがある場合には、その一致する脳波パターンに対応する操作内容を特定し、その操作内容を実行する制御信号を読み出して送出する。 - 特許庁 - A shrinkable 1st yarn is sewn into a cloth 1 to form a pattern the 1st yarn is allowed to shrink with heat to form a creased pattern the pattern is fixed by hot press, a soluble 2nd yarn is dissolved and the 1st yarn is removed to form a creased pattern 3 corresponding to a design on the circumference of the hole formed by the removal of the yarn.
収縮性を有する第１糸を生地１に縫い取り、模様を形成し、前記第１糸を熱により収縮させ、前記模様に皺を寄らせ、この皺を熱プレスによって固定し、溶解性を有する第２糸を溶解させ、前記第１糸を取り除くことによって、取り除き糸孔の周りにデザインに応じた皺模様３を設ける。 - 特許庁 - The light emitting element mounting substrate comprises a printed board 1, a metallic wiring pattern 2 formed on the printed board 1, a light emitting element 3 which is positioned in the wiring pattern 2 and emits light by being supplied with power from the wiring pattern 2, and a sealing resin 4 which is formed over the wiring pattern 2 to cover the light emitting element 3.
本発明の発光素子実装基板は、プリント基板１と、プリント基板１上に形成される金属の配線パターン２と、配線パターン２内に設置され、当該配線パターン２から電力が供給されて発光する発光素子３と、配線パターン２上に形成され、発光素子３を被覆する封止樹脂４とを備える。 - 特許庁 - It also includes a step for etching the work with the resist pattern as a mask, a step for radiating the light of photosensitizing wavelength band for the photosensitizer to the resist pattern through the photomask, a step for etching the work with the resist pattern as the mask, and a step for removing the resist pattern on the work.
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display includes a substrate having on its surface a first pattern portion where a fine concavo-convex shape is formed in a given direction and a second pattern portion where the fine concavo-convex shape is formed in a direction different from that of the first pattern portion.
本発明は、微細凹凸形状が一定方向に形成された第１パターン部および上記微細凹凸形状が上記第１パターン部とは異なる方向に形成された第２パターン部を表面に備える基材を有することを特徴とする３次元表示用パターン配向層用原版を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the diffraction optical element comprises at least a step for forming a blaze diffraction pattern having a long period on a substrate and a step for processing the blaze diffraction pattern formed in the above step into a blaze diffraction pattern having a short period by photolithography while keeping the angle of the inclined faces of the original blaze diffraction pattern.
回折光学素子の製造方法を、少なくとも、基板上に長周期のブレーズ型回折パターンを形成する工程と、前記工程で形成されたブレーズ型回折パターンの斜面部の角度を保持したまま、フォトリソグラフィを用いて該ブレーズ型回折パターンを短周期のブレーズ型回折パターンに加工する工程とで構成する。 - 特許庁 - This noncontact IC card has an antenna pattern 15, a pattern 16, and an IC 13 formed on the top surface of an antenna sheet 11, a cut 17 which is provided to the sheet 11 and positioned nearby the other end of the pattern 15, and cuts 18 and 19 which are provided to the sheet 11 and positioned nearby the other end of the pattern 16.
本発明に係る非接触ＩＣカードは、アンテナシート１１の表面上に形成されたアンテナパターン１５、パターン１６及びＩＣ１３と、該シート１１に設けられた、該パターン１５の他端近傍に位置する切り込み１７と、該シート１１に設けられた、該パターン１６の他端近傍に位置する切り込み１８，１９と、を具備するものである。 - 特許庁 - On the basis of data of defect inspection obtained in a process for forming a circuit pattern in a wafer 1 and of the shape of a circuit pattern wherein a poor conductive region 7a is found by a VC inspection, when performing DSA by using the data of VC inspection after forming the circuit pattern, a rectangular DSA region 8 is formed so as to surround the circuit pattern.
ウェハ１に配線パターンを形成する過程で得られる欠陥検査のデータと、配線パターン形成後のＶＣ検査のデータを用いてＤＳＡを行う際、ＶＣ検査によって導通不良領域７ａが見つかった配線パターンの形状を基に、その配線パターンを囲むようにして矩形形状のＤＳＡ領域８を設定する。 - 特許庁 - The member with a protective film for forming a resist pattern comprises: a member for forming a resist pattern having a surface containing an oxide and used by adhering to a resist film 2 for forming a resist pattern; and a protective film 4 formed on the member for forming the resist pattern which contains a straight-chain amphiphilic molecule containing a perfluoro polyether in a main chain and a hydroxyl group in a terminal group.
保護膜付きレジストパターン形成用部材は、酸化物を含む表面を有し、レジストパターン形成のためレジスト膜に密着して用いられるレジストパターン形成用部材と、レジストパターン形成用部材上に形成され、直鎖状で主鎖がパーフルオロポリエーテルを含み末端基に水酸基を含む両親媒性分子を含む保護膜とを有する - 特許庁 - The fine pattern 27 is suitably formed on a base 21 by forming a pattern transferred body 20 having a wall-shaped projection 26 (fine projection) using the mold 16 for imprint having a microtrench 18 at a corner part of a pattern 17, and etching the base 21 using the pattern transferred body 20 having the wall-shaped projection 26 as an etching mask.
パターン１７の角隅部にマイクロトレンチ１８を有するインプリントモールド１６を用いて、壁状の突起２６（微小突起）を有するパターン転写体２０を形成し、該壁状の突起２６を有するパターン転写体２０をエッチングマスクとして基材２１をエッチングすることによって、基材２１に微細なパターン２７を好適に形成することができる。 - 特許庁 - In this case, after forming the fine pattern, a substrate on which a fine pattern has been formed is immersed in water, hydrophobic molecules composing a fine pattern is made to hydrophobic bond together, and the hydrophobic molecules are made to aggregate together, then chemical modification by the hydrophilic molecule ink is given to the substrate surface around the fine pattern in water.
その場合において、前記微細パターンの形成後に、基板上に微細パターンを形成したものを水中に浸漬し、微細パターンを構成する疎水性分子同士を疎水結合させて疎水性分子同士を集合せしめてから、水中で微細パターンの周囲の基板面に前記親水性分子インクによる化学修飾を施す。 - 特許庁 - This semiconductor device has: a metal pattern 13 formed on an insulating film 12; a hole 11a which penetrates the insulating film 12 and the metal pattern 13; and a via 14 which is formed in the hole 11a, jointed to the metal pattern 13 in the hole 11a, and also has one end contiguous to an opposite face of the insulating film 12 of the metal pattern 13.
絶縁膜１２上に形成される金属パターン１３と、絶縁膜１２と金属パターン１３を貫通するホール１１ａと、ホール１１ａ内に形成され、ホール１１ａ内で金属パターン１３に接合されるとともに、金属パターン１３のうち絶縁膜１２とは反対側の面に連続する一端面を有するビア１４とを有する。 - 特許庁 - To provide a printer which can enhance the quality of a composite pattern by forming a printing pattern to be a preliminarily set predetermined positional relation to at least two reference marks on a working cloth, and forming an embroidery pattern and the printing pattern to be a preliminarily set predetermined positional relation to the working cloth.
加工布において少なくとも２つの基準マークに対して予め設定された所定の位置関係となるように印刷模様を形成し、加工布に刺繍模様と印刷模様とを予め設定された所定の位置関係となるように形成し、これら複合模様の品質を高めることができる印刷装置を提供する。 - 特許庁 - When the semiconductor light-emitting device is mounted by solder on the semiconductor light-emitting device where wiring patterns 22a and 22b are already formed, solder fillets 24 are formed between the wiring pattern 22a and a slope 12a of a back electrode pattern 13a, and between the wiring pattern 22b and a slope 12b of a back electrode pattern 13b.
この半導体発光装置を予め配線パターン２２ａ、２２ｂが形成された半導体発光装置実装用基板に半田実装すると、配線パターン２２ａと裏面電極パターン１３ａの傾斜部１２ａの間、及び配線パターン２２ｂと裏面電極パターン１３ｂの傾斜部１２ｂの間で半田フィレット２４が形成される。 - 特許庁 - Then a pattern identification section 13 selects a first edge shape pattern of the same size as the first image block corresponding to an edge direction on the basis of the edge direction estimated by the edge direction estimate section 12 and the pixel value in the first image block, and identifies a second difference edge shape pattern of the size corresponding to the first edge shape pattern.
次いで、パターン特定部１３において、あるエッジ方向に相当する第１画像ブロックと同じ大きさの第１のエッジ形状パターンをエッジ方向推定部１２で推定したエッジ方向と第１画像ブロック内の画素値とに基づいて選択し、かつ第１のエッジ形状パターンに対応するサイズの異なる第２のエッジ形状パターンを特定する。 - 特許庁 - A mask and the substrate 2 are moved synchronously in the X-direction, while a part of the mask pattern on a part of the pattern projection region 28 is projected via a projection optical system for each pattern projection region 28, thereby moving the exposed region from one end to the other end of the pattern projection region 28 in the X-direction.
パターン投影領域２８毎に、投影光学系を介してマスクパターンの一部をパターン投影領域２８の一部に投影しながらマスクと基板２とを同期してＸ方向に移動させることによって、露光領域を、パターン投影領域２８におけるＸ方向の両端部のうちの一方から他方に向かって移動させる。 - 特許庁 - The image forming apparatus is provided with a test pattern image generating means 11 for forming a prescribed test pattern image on an image carrier 13, a density distribution measuring means 151 for measuring density distribution of the test pattern image, and an image noise characteristic calculating detecting means 152 for detecting the plurality of image noise characteristics of the test pattern image from the measured density distribution.
画像形成装置に像担持体１３上に所定のテストパターン像を形成するテストパターン像発生手段１１と、テストパターン像の濃度分布を計測する濃度分布計測手段１５１と、計測された濃度分布からテストパターン像の複数の画像ノイズ特性を検出する画像ノイズ特性算出検出手段１５２とを設ける。 - 特許庁 - In the color filter which is constituted by successively forming color pixel patterns of more than one colors with coloring materials on a transparent substrate, when the color pixel pattern of one color among the color pixel patterns is formed, a picture frame-shaped dummy pattern surrounding a color pixel pattern region is simultaneously formed with the coloring material of the color pixel pattern of one color.
透明基板上に、色材にて順次複数色のカラー画素パターンを形成したカラーフィルターにおいて、前記カラー画素パターンのうちの一色分のカラー画素パターンを形成する際、前記一色分のカラー画素パターンの色材にて、カラー画素パターン領域を囲む額縁状のダミーパターンを同時に形成したことを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁 - The variation pattern setting means is configured to refer to a variation pattern determining table and to determine the variation pattern corresponding to a random number value obtained in connection with the establishment of the prescribed conditions and changes the variation pattern determining table to be referred to on the basis of the small benefit imparted to the player by the small benefit imparting means.
変動パターン設定手段は、変動パターン決定用テーブルを参照し、所定条件の成立に関連して取得した乱数値に対応する変動パターンを決定するように構成され、小利益付与手段により小利益が遊技者に付与されることに基づいて、参照する変動パターン決定用テーブルを変更可能である。 - 特許庁 - The superconducting device includes a first dielectric substrate (11), a two-dimensional circuit type resonator pattern (12) formed of super-conducting materials on the first dielectric substrate, and a conductor pattern (17) which is located above the resonator pattern across, preferably, a dielectric substance (16) and generates coupling of desired bandwidth in the resonator pattern.
超伝導デバイスは、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路型の共振器パターン（１２）と、前記共振器パターンの上方に、好ましくは誘電体（１６）を介して位置し、前記共振器パターンに所望の帯域幅のカップリングを生じさせる導体パターン（１７）とを有する。 - 特許庁 - A subject to be exposed is exposed by lightning a mask having a pattern of contact holes and an auxiliary pattern smaller than the pattern of contact holes with a light that forms an effective light source having an empty center of non circular shape, and projecting the pattern of contact holes on the subject to be exposed using a projecting optical system.
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを、中央が非円形形状に抜けた有効光源を形成する光で照明し、前記コンタクトホールパターンを投影光学系で被露光体に投影することにより、当該被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁 - This exposure mask 100 has an alignment mark pattern 12 to form an alignment mark on a substrate, first and second mask alignment patterns 14, 16 formed in the point symmetric positions each other around the alignment mark pattern as the center, and a common pattern 18 to be commonly used to pattern the first, second and third layers.
露光用マスク１００は、基板上にアライメントマークを形成するためのアライメントマークパターン１２と、アライメントマークパターンを中心に互いに点対称な位置に形成された第１および第２マスクアライメントパターン１４および１６と、第１層、第２層および第３層をパターニングするために共通に用いられる共通パターン１８とを有する。 - 特許庁 - Also, when the control section generates the screen data, it enlarges or reduces the test pattern to change the size so that the size of the test pattern to be displayed on each the changeover screen has a ratio of 10% to the size of the display screen and sets the driving level of a background region to make the background region of the test pattern have the intensity level corresponding to the test pattern.
また、画面データを生成する際には、各切替画面において表示するテストパターンのサイズが表示画面のサイズに対して１０％の比率となるように、テストパターンを拡大又は縮小してサイズ変更するとともに、テストパターンの背景領域がそのテストパターンに対応する輝度レベルとなるように背景領域の駆動レベルを設定する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition which satisfies both of excellent storage stability and high sensitivity and is capable of efficiently forming a permanent pattern such as a protective film or an insulating film with high definition, a photosensitive film, a permanent pattern forming method using the photosensitive composition, and a printed circuit board on which a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method.
優れた保存安定性と高感度とを両立し、保護膜、絶縁膜などの永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能な感光性組成物、感光性フィルム、前記感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板の提供。 - 特許庁 - The light diffraction structure transfer sheet 1 comprises a transfer layer 12 in which a light diffraction structure 12a with a first pattern is formed, laminated on a substrate sheet 10 and a pattern region 12b in which a second pattern different from the first pattern is formed, is built in the light diffraction structure 12a at a size as not visible with naked eyes.
基材シート１０上に第１のパターンを有する光回折構造１２ａが形成された転写層１２が積層された光回折構造転写シート１であって、光回折構造１２ａには、前記第１のパターンと異なる第２のパターンが形成されたパターン領域１２ｂが肉眼では視認できない大きさで組込まれている。 - 特許庁 - The spaces which are formed between the ends of the first conductive pattern 1a and the second conductive pattern 2a and have a prescribed width or below are removed from the original patterns consisting of the plural conductive patterns, by which the first patterns connected with the ends of the first conductive pattern 1a and the second conductive pattern 2a are drawn on the first photomask A.
第１のフォトマスクＡには、複数の導電パターンよりなる元パターンから、第１の導電パターン１ａと第２の導電パターン２ａの端部との間に形成され且つ所定値以下の幅を持つスペースが除去されることにより、第１の導電パターン１ａと第２の導電パターン２ａの端部とが接続された第１のパターンが描かれている。 - 特許庁 - Also, the method includes a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, or a step of irradiating the resist pattern with light in a photosensitive wavelength range of the photosensitizer via a photomask, a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern on the workpiece.
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁 - An area boundary line which is a boundary between a first area and a second area in a grating provided on the optical pickup, overlaps some y-axis parallel boundary lines among pattern boundary line groups constituted by y-axis parallel boundary lines parallel to the y-direction among pattern boundary lines which are boundaries between a pattern A and a pattern B.
本発明の光ピックアップに備えられたグレーティングの、第１領域と第２領域との境界である領域境界線は、パターンＡとパターンＢとの境界であるパターン境界線のうち、ｙ方向に平行なｙ軸平行境界線からなるパターン境界線群のうちの、一部のｙ軸平行境界線と重なっている。 - 特許庁 - This instrument has a grid pattern projection device 6 formed as a unit and equipped with a grid pattern 609 arranged on the optical path of light from a light source device 14 and having slit-shaped light transmission parts formed at fixed-interval pitches, and with a projection optical system 611 for projecting a grid pattern image formed by the grid pattern 609 to a specimen 3 at a prescribed angle.
光源装置１４からの光の光路に配置される、スリット状の光透過部を一定間隔のピッチで形成した格子パターン６０９、この格子パターン６０９より形成される格子パターン像を標本３に対し所定角度傾けて投影する投影光学系６１１を具備したユニット化された格子パターン投影装置６を有する。 - 特許庁 - In this case, in the case that the predetermined starting condition is established during the game and large winning is judged based on propriety judgment before the fluctuation display of the special pattern is started, an optional pattern among stop patterns stopped and displayed in the past, the right pattern of a previous time and the time before that for instance, is utilized and the temporary established pattern is decided.
この場合、特別図柄の変動表示が開始される以前に、遊技中に予め定められた始動条件が成立して当否判定に基づいて大当り判定となっていた場合には、その過去において停止表示されていた停止図柄のうちの任意の図柄、例えば前回と前々回の右図柄を利用して仮確定図柄を決定する。 - 特許庁 - The likelihood of a pre-correction voice standard pattern for feature vector time series before correction and that of a post-correction voice standard pattern for feature vector time series after correction are obtained respectively, and voice recognition processing based on the likelihood obtained by synthesizing the likelihood of the pre-correction voice standard pattern and that of the post-correction voice standard pattern.
補正前の特徴ベクトル時系列に対する補正前音声標準パターンの尤度と補正後の特徴ベクトル時系列に対する補正後音声標準パターンの尤度とをそれぞれ求め、これら補正前音声標準パターンの尤度と補正後音声標準パターンの尤度とを合成した尤度に基づく音声認識処理を行う。 - 特許庁 - Concerning traces X, Y and Z of movements from positions where display begins on a pattern display device to positions where determined patterns are displayed, since the trace Y of patterns of a second pattern group is longer than the trace X of the patterns of a first pattern group, a player can follow the variation and stop of patterns of the second pattern group due to the movement.
図柄表示装置での表示が開始される位置から確定図柄として表示される位置までの移動の軌跡Ｘ，Ｙ，Ｚについて、第１図柄群の図柄の軌跡Ｘよりも第２図柄群の図柄の軌跡Ｙのほうが長く、遊技者は、より多くの第２図柄群の図柄について、その移動による変動や停止を追うことができる。 - 特許庁 - A circuit wiring pattern 3 is formed on one surface of a flexible insulating base material 1, and an isolated conductor piece 4 is formed together with the pattern 3, so as not to be connected to the pattern 3 and to cover sites corresponding to through-holes to be made in a positional relation with connecting terminal parts 9 of the pattern 3.
可撓性絶縁べ−ス材１の一方面に回路配線パタ−ン３を形成し、また、回路配線パタ−ン３に接続されず回路配線パタ−ン３の接続用端子部９との位置関係に於いて設けられるべき貫通孔の対応部位を覆うように孤立した導体片４を回路配線パタ−ン３と共に形成する。 - 特許庁 - A fine structure transfer mold 1a has a pattern section 2a with fine irregularity formed on its surface, a stationary section 3a formed outside the pattern section 2a and a slant section 4a prepared between the pattern section 2a and the stationary section 3a so that the pattern section 2a may be protruded more than the stationary section 3a.
本発明の微細構造転写モールド１ａは、表面に微細な凹凸が形成されたパターン部２ａと、このパターン部２ａの外側に形成された固定部３ａと、前記パターン部２ａが前記固定部３ａよりも突出するように前記パターン部２ａと前記固定部３ａとの間に設けられる傾斜部４ａと、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The method for forming a fine pattern includes processes of treating a substrate having a photoresist pattern to convert into hydrophilic and then applying a coating agent for producing a finer pattern on the substrate; thermally shrinking the coating agent by heat treatment to narrow the gap in the photoresist pattern by using the heat shrinking effect; and removing the above coating agent.
ホトレジストパターンを有する基板を親水化処理した後、該基板上にパターン微細化用被覆形成剤を塗布する工程、熱処理により前記被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。 - 特許庁 - To provide a tape carrier for a COF semiconductor device which prevents a failure where a protrusive electrode adjacent to the protrusive electrode to be originally connected to a wiring pattern contacts the pattern, when a gap occurs on a connection between the wiring pattern and the protrusive electrode, and also can prevent an incident of a disconnection and breakaway of the wiring pattern.
配線パタ−ンと突起電極との接続にずれが生じた場合に、配線パターンに、本来接続されるべき突起電極に隣接する突起電極が接触する不具合を防止することができるとともに、配線パターンの断線や剥離の発生を防止することができるＣＯＦ型の半導体装置用のテープキャリアを提供する。 - 特許庁 - The image processing apparatus of the present invention then stores dither pattern data arrayed in the dither pattern and includes a threshold storage memory for storing a plurality of dither pattern data in memory regions for one word on a memory space and an address generating means for generating an address for reading out the dither pattern data stored in the threshold storage memory.
そして、本発明の画像処理装置は、ディザパターンに配列されるディザパターンデータを格納すると共に、メモリ空間上の１ワード分のメモリ領域に複数のディザパターンデータを格納可能な閾値格納メモリと、この閾値格納メモリに格納されたディザパターンデータを読み出すためのアドレスを生成するアドレス生成手段とを有している。 - 特許庁 - In the light guide plate in which light is incident from an end face and is emitted from an emission face and a uniformalized brightness fine pattern is formed on a reflecting face facing the emission face, the uniformalized brightness fine pattern consists of a printed convex pattern and a laser-bored concave pattern.
光を端面から入射し、一方の表面の射出面から射出し、射出面に対面する反射面には輝度均斉化微細パターンが形成されている導光板において、前記輝度均斉化微細パターンが、印刷された凸パターンと、レーザー穿設された凹パターンとから形成されていることを特徴とする導光板を提供する。 - 特許庁 - In an electronic mail distribution system distributing electronic mail through a mail server 11, a virus pattern database 11A that records virus pattern data denoting computer virus patterns, and a virus check program that detects presence/absence of virus from electronic mail going to be distributed on the basis of the virus pattern data recorded in the virus pattern database are included.
メールサーバ１１を介して電子メールを配信する電子メール配信システムにおいて、メールサーバ１１が、コンピュータウィルスのパターンを示すウィルスパターン・データを記録するウィルスパターン・データベース１１Ａと、配信を行う電子メールに対してウィルスパターン・データベースに記録されているウィルスパターン・データに基づいてウィルスの有無の検出を行うウィルスチェック・プログラムとを備えている。 - 特許庁 - This game machine is equipped with a pattern starting opening 5 which makes a special pattern display part D start to vary a special pattern, with winning as a motive, a stage 33 which guides the game ball to the entry side of a discharge opening 34 formed on the vertically upper side of the pattern starting opening 5 and a stage tilt regulating means which can regulate the tilt of the stage 33.
入賞を契機として特別図柄表示部Ｄに特別図柄の変動を開始させる図柄始動口５と、その図柄始動口５の鉛直上方に形成された排出口３４の入側に遊技球を案内するステージ３３と、そのステージ３３の傾きを調整可能なステージ傾斜調整手段とを設けた。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
