「patterning process」を含む例文一覧(515)

<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ>
  • PHOTORESIST PATTERNING METHOD, MASK PATTERNING METHOD, PROCESS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    フォトレジストパターン形成方法、マスクパターン形成方法、半導体結晶の成長方法、半導体基板の製造方法、および半導体基板 - 特許庁
  • PATTERNING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS FABRICATING PROCESS
    パターン形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
  • PATTERNING PROCESS, FILM FORMING PROCESS, ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT MANUFACTURING PROCESS, ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, AND ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE
    パターニング方法、成膜方法、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、エレクトロルミネッセンス素子および電界発光表示装置 - 特許庁
  • Further, a photoresist patterning process step and an etching process step at patterning may be eliminated and the process may be shortened by using the sol-gel material having the photosensitivity.
    さらに、感光性を有するゾルゲル材料を用いることによって、パターニングの際に、フォトレジストパターニング工程およびエッチング工程を無くしてプロセスを短縮できる。 - 特許庁
  • METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE FILM, PROCESS FOR FABRICATING DEVICE, AND PROCESS FOR MANUFACTURING DROPLET EJECTION HEAD
    導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、及び液滴吐出ヘッドの製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING PROCESS OF RESIST POLYMER, RESIST POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    レジスト用重合体の製造方法、レジスト用重合体、レジスト用組成物、およびパターン製造方法 - 特許庁
  • Variables in each step in a double patterning lithographic process are recorded, and characteristics of intermediate features in a double patterning process are measured.
    ダブルパターニングリソグラフィプロセスにおける工程のそれぞれにおける変数が、記録され、ダブルパターニングプロセスにおける中間フィーチャの特性が、測定される。 - 特許庁
  • A patterning process of the transparent electrode layer is performed by using a mask identical to a mask used in a process of patterning a second metal layer of a switch TFT and a process of patterning an ohmic contact layer, so that an FPD is manufactured without increasing the number of masks.
    更に、透明電極層のパターニング工程をスイッチTFT部の第2の金属層のパターニング/オーミックコンタクト層のパターニングの工程と同一マスクで行い、マスク枚数を増やさずにFPDを製造する。 - 特許庁
  • Following the above process, the first layer 10a is completed by patterning the magnetic layer.
    その後、磁性層をパターニングして第1の層10aを完成させる。 - 特許庁
  • To perform patterning using a lift-off process without using a lithographic technology.
    リソグラフィ技術を使用せずに、リフトオフプロセスを利用してパターニングを行う。 - 特許庁
  • To provide a method for positioning a substrate during a double patterning lithography process.
    ダブルパターニングプロセス中に基板の位置合わせをする方法を説明する。 - 特許庁
  • Patterning of a resist film on a wafer surface is performed in a lithography process.
    リソグラフィー工程でウェハー表面のレジスト膜のパターンニングをおこなう。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
    レジスト下層膜形成方法およびこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR FORMING RESIST ALIGNMENT MARK THROUGH DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY PROCESS
    ダブルパターニングリソグラフィプロセスでレジストアライメントマークを形成する装置および方法 - 特許庁
  • A method of production of alignment marks uses a self-aligned double patterning process.
    アライメントマークを生成する方法は、自己整合ダブルパターニングプロセスを使用する。 - 特許庁
  • NITROGEN-CONTAINING MONOMER, POLYMER, RESIST MATERIAL, AND PATTERNING PROCESS
    含窒素単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
  • Subsequently, patterning is performed on the oxide film 14 by photolithography and an etching process.
    その後、フォトリソグラフィとエッチング工程により、酸化膜14をパターニングする。 - 特許庁
  • PRODUCTION PROCESS OF FORMED CERAMIC PRODUCT FOR MULTIPLE PATTERNING WIRING SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS OF MULTIPLE PATTERNING WIRING SUBSTRATE, PACKAGE FOR CONTAINING ELECTRONIC COMPONENT, AND ELECTRONIC DEVICE
    複数個取り配線基板用セラミック生成形体の製造方法、複数個取り配線基板の製造方法、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - 特許庁
  • The liquid repellent treatment 10 consists of a liquid repellent film forming process 10a for forming a liquid repellent film on the glass substrate, and a patterning process 10b for patterning the liquid repellent film.
    撥液処理10は、ガラス基板に撥液膜を形成する撥液膜形成工程10aと撥液膜をパターニングするパターニング工程10bとからなる。 - 特許庁
  • NEW PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIAL, AND PATTERNING PROCESS
    新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
  • NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    含窒素有機化合物、ポジ型化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
  • To provide a patterning method which enables the formation of a fine structure without using a high-resolution patterning process.
    高分解能のパターニング工程を用いることなく、微細構造体を形成することが可能なパターニング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a patterning method for manufacturing a semiconductor device that can compensates for process deviation and further can minimize rework in a patterning process.
    工程偏差を補償することができ、しかもパターニング工程での再作業を最小化することができる半導体装置の製造のためのパターニング方法を提供する。 - 特許庁
  • POLYMER COMPOUND, POSITIVE RESIST MATERIAL AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
    高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
  • To provide a stamp for use in a lithographic process such as patterning the surface layer.
    表面層をパターン化する等のリソグラフィプロセスに使用するスタンプを提供する。 - 特許庁
  • POLYORGANOSILOXANE COMPOUND, RESIN COMPOSITION COMPRISING THE SAME, AND PATTERNING PROCESS OF THESE
    ポリオルガノシロキサン化合物、これを含む樹脂組成物及びこれらのパターン形成方法 - 特許庁
  • A masking layer is subjected to a patterning process so as to mask part of the metallic layer.
    金属層(18)の一部分をマスクするように、マスキング層(20)にパターニングを行う。 - 特許庁
  • To achieve low cost and high throughput by dispensing with a developing process on patterning of a resist.
    レジストのパターニングにおける現像工程を不要として低コスト、高スループットを実現する。 - 特許庁
  • POLYMER AND ITS PREPARATION METHOD, AND RESIST MATERIAL AND PATTERNING PROCESS
    高分子化合物及びその製造方法、並びにレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
  • In the patterning process, etching is conducted using the first side wall film 201 as a mask.
    パターニングにおいて、第1の側壁膜201をマスクとして用いたエッチングがなされる。 - 特許庁
  • A method for setting a multiple patterning lithographic process of a pattern in a single layer is disclosed.
    単一層でのパターンの多重パターニングリソグラフプロセスを設定する方法が開示される。 - 特許庁
  • METHOD, PROGRAM AND DEVICE FOR PERFORMING DECOMPOSITION OF PATTERN FOR USE IN DOUBLE PATTERNING TECHNOLOGY (DPT) PROCESS
    DPTプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置 - 特許庁
  • LINE PATTERNING METHOD, DEVICE AND ITS FABRICATING PROCESS, AND ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
    線パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - 特許庁
  • COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM, SILICON-CONTAINING FILM-FORMED SUBSTRATE AND PATTERNING PROCESS
    ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法 - 特許庁
  • PATTERNING DEVICE, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME
    パターン形成装置および有機薄膜トランジスタの製造方法ならびに有機薄膜トランジスタ - 特許庁
  • To provide a resist-modifying composition suitably used in a pattern forming process for enabling a double patterning process.
    ダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法に好適に用いられるレジスト変性用組成物を提供する。 - 特許庁
  • PATTERN AND PATTERNING METHOD, DEVICE AND ITS FABRICATING PROCESS, ELECTROOPTIC DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND PROCESS FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
    パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法 - 特許庁
  • PROCESS AND APPARATUS FOR PATTERNING FLUID-DISPERSIBLE MATERIAL ON SUBSTRATE, POROUS SHEET MATERIAL FOR THIS PURPOSE AND ITS PREPARATION PROCESS
    流体分散可能物質を基板上にパターニングする方法及び装置とそのための有孔シート材並びにその製造方法 - 特許庁
  • The doping method includes a process for patterning a fin in a substrate, a step for depositing a gate stack, and a process for doping the fin.
    ドーピング方法は、フィンを基板にパターニングする工程と、ゲートスタックを堆積する工程と、フィンをドーピングする工程を含む。 - 特許庁
  • To achieve a double patterning process for printing dense lines by which adverse effects after first pattering and before second patterning are mitigated.
    第1のパターニングの後の、および第2のパターニングの前のエッチングプロセスの悪影響が緩和される、密ラインを印刷するためのダブルパターニングプロセスを実現する。 - 特許庁
  • To provide a production process of a multiple patterning wiring substrate in which deformation of a recess in each wiring substrate region of the multiple patterning wiring substrate is reduced.
    複数個取り配線基板の各配線基板領域における凹部の変形を低減させた複数個取り配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To perform the micro-patterning of a film deposited on an etched semiconductor substrate with high precision in a process for micro-patterning the etched film being.
    被エッチング膜の微細パターンを形成する工程において、半導体基板上に堆積された被エッチング膜をより微細に高精度でパターニングする。 - 特許庁
  • The process decides on the width of an ink supply port by the patterning of the surface of the silicon.
    この製法により、インク供給口の幅は、シリコン表面のパターンニングによって決定される。 - 特許庁
  • A patterning process of the ITO on the lower part electrode 13 can be eliminated.
    本発明によって下部電極13上のITOのパタニング工程を無くすことが出来る。 - 特許庁
  • In the patterning process of a TFT array substrate for a liquid crystal display device, the substrate is subjected to division exposure.
    液晶表示装置のTFTアレイ基板のパターニングにおいて、基板は分割露光される。 - 特許庁
  • FLUOROALCOHOL COMPOUND, FLUORINATED MONOMER, POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL AND PATTERNING PROCESS
    フッ素アルコール化合物、含フッ素単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
  • To provide a novel process for patterning by depositing an organic semiconductor layer in an organic electronic device.
    有機電子デバイス内に有機半導体層を堆積させパターニングする新規なプロセスを提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY MEANS OF DOUBLE PATTERNING PROCESS UTILIZING ACID DIFFUSION
    酸拡散を利用するダブルパターニング工程による半導体素子の微細パターン形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, PATTERNING PROCESS USING THE SAME, AND RESIST UNDERLAYER FILM MATERIAL
    レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料 - 特許庁
  • The manufacturing method comprises 11 processes including a manufacturing process of a metal sacrificial layer, a resist cone forming process, a resist film patterning process, a shape memory alloy film manufacturing process, and the like.
    その製造方法は、金属犠牲膜の製造工程、レジスト錐形成工程、レジスト膜パターンニング工程、形状記憶合金膜製造工程などを含む11の工程からなる。 - 特許庁
<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.