「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 78 79 次へ＞- Thus, proportion of the presence of the crystal defect 4b by the growth of a GaN film 4 can be reduced by patterning the mask 3 into the shape of dots.
このように、マスク３をドット状にパターニングすることによって、ＧａＮ膜４の成長による結晶欠陥４ｂの存在する割合を減少させることができる。 - 特許庁 - The polycrystallized silicon layer with the HSG-Si formed is made to be conductive by being annealed in an atmosphere of PH_3, and after that, patterning is conducted to form the lower electrode (S5).
ＨＳＧ−Ｓｉが形成され多結晶化したシリコン層をＰＨ_3雰囲気中でアニールすることにより導電化した後、パターニングし下部電極を形成する（Ｓ５）。 - 特許庁 - Lithographic equipment which transfers a pattern from a patterning device to a substrate comprises an integrated after-exposure baking device which is so constituted as to expose the substrate to a set temperature cycle.
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置は、基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備える。 - 特許庁 - To provide a patterning method for easily forming a fine pattern on a surface having a three-dimensional spread, a wiring substrate using the method, and to provide an electronic apparatus.
容易に３次元的な広がりを持った面に対し微細パターンを形成することができるパターン形成方法、該方法を用いた配線基板及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - Then, in the second process, concurrently with patterning of the barrier rib forming material layer 120, a positioning mark 113 is formed by a surface treatment of the rear substrate 103.
そして、第２工程において、隔壁形成材料層１２０のパターニングと同時に、背面基板１０３の表面を加工して位置合わせマーク１１３を形成する。 - 特許庁 - At patterning the remaining part of the floating gate and the control gate, a recessed part prevented from being formed due to the excessive etching of the source line formation region 88 is eliminated.
したがって、フローティングゲートの残りの部分及びコントロールゲートのパターンニングをする際、ソース線形成領域８８が過度にエッチングされ、凹部が形成されるということがなくなる。 - 特許庁 - To eliminate difference in the adhesiveness of a resin to a substrate due to a variation in the standby time from the end of development to a heating step and to provide a stable patterning method.
現像終了から加熱工程までの待機時間の違いによる樹脂と基板との接着性の差を無くし安定なパターン加工方法を提供する。 - 特許庁 - The thickness of the second insulating layer pattern to be used for wire patterning is reduced to the minimum and the filling margin of the gap between wires is increased.
配線パターニングに使用される第２絶縁層パターンの厚さを最小限に縮めることができて配線と配線との間のギャップ埋立てマージンを増加させることができる。 - 特許庁 - Thereafter, an Al wiring layer is formed in such a way that the wiring layer can be connected to the plug 6 through the connecting hole 8, and wires 9a-9c are formed by patterning the wiring layer.
接続孔８を通じて接続孔プラグ６に接続するようにＡｌからなる配線層を形成し、パターンニングを行って配線９ａ〜９ｃを形成する。 - 特許庁 - When the contact unit 13 is formed, a wiring 14 is formed on the interlayer film 11b through patterning by depositing a conductive material of a metal or the like.
コンタクト部１３が形成されると、層間膜１１ｂ上に金属等の導電性材料を堆積させ、パターニング形成することにより、配線１４を形成する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive film, a base material with the transparent conductive film, an organic electroluminescent element using the same and a manufacturing method thereof, in which a patterning process is simply performed.
透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、並びにその製造方法において、パターニング処理を簡易に行う。 - 特許庁 - The first partitioning wall 9 and the second partitioning wall 26 are formed by applying a partitioning wall paste layer using a roller, and by burning the partitioning wall paste layer after patterning.
第１の隔壁９及び第２の隔壁２６は、ローラにより隔壁ペースト層を塗布し、この隔壁ペースト層をパターニングした後焼成して形成されたものである。 - 特許庁 - To reduce damage to a color filter due to heating during vapor deposition of or sputtering of transparent conductive film and damage at patterning time, by improving the heat resistance and the chemical resistance of a color filter or the like.
カラーフィルタ等の耐熱性や耐薬品性を向上させ、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるダメージを低減すること。 - 特許庁 - To reduce a space in the longitudinal and horizontal directions necessry for a selection device, in a knitting machine having the selection device for electromagnetic patterning by a three-way method.
スリーウェイ手法による電磁的パターンニング用の選択デバイスを備えている編み機において、選択デバイスに必要とされる高さ方向と幅方向のスペースを節減する。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating an alignment film of a liquid crystal display device, which is capable of simply patterning the alignment film at an accurate location and an alignment film etching apparatus used therein.
簡単で正確な位置で配向膜をパターニングできる液晶表示装置の配向膜製造方法及びこれに用いる配向膜エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Then, a protection film 31 is formed to cover at least the side face of the mask pattern 38, and the patterning of the functional films 28 and 29 is carried out by wet etching by using the mask pattern 38.
そして、マスクパターン３８の少なくとも側面を覆う保護膜３１を形成し、マスクパターン３８を用いて、機能膜２８，２９をウエットエッチングによりパターニングする。 - 特許庁 - To provide a method capable of patterning a color conversion film at low cost without the need to change a structure of a production device when a new fluorescence material is used.
新規の蛍光材料の使用に際して、生産装置の構成変更を行う必要がなく、低コストで色変換膜のパターニングが行える方法を提案することにある。 - 特許庁 - The interval between color filter materials is set so as to eliminate any gap after fusion when patterning by considering the amount of fusion at thermal process and the characteristics of color filter material.
パターンニング時に、カラーフィルタ材料間の間隔は、カラーフィルタ材料の特性や熱処理時の溶融量を考慮して、溶融後に隙間がなくなるような間隔に設定する。 - 特許庁 - A first portion of the line assembly is extended between a base and the additional support, and a second portion is extended between the additional support and the patterning support or the substrate support.
線アセンブリの第一部分はベースと追加のサポートとの間に延在し、第二部分は追加のサポートとパターニングサポートまたは基板サポートとの間に延在する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a color filter for obtaining a colored pattern of higher resolution in comparison with a conventional method while keeping or lowering resolution required for a patterning method.
パターニング法に求められる解像度を維持もしくは抑えつつ、従来より高い解像度の着色パターンが得られるカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Subsequently, in a connection region including the boundary between the first and second areas, patterning is performed on the silicon film so as to have a width wider than areas on the both sides.
続いて、第１および第２の部分の境界を含む接続領域において、その両側の領域に比較して大きな幅を有するようにシリコン膜をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a photomask capable of performing patterning at a low cost when manufacturing a color filter used for a liquid crystal display device or the like.
本発明は、液晶表示装置等に用いられるカラーフィルタを製造する際、安価にパターニングを行うことを可能とするフォトマスクを提供することを主目的としている。 - 特許庁 - The patterning device is used for performing proximity matching using the alignment system, or performing further quality measurement such as a dose set suit for size.
パターニングデバイスは、アラインメントシステムを使用して近接整合を実行するか、サイズに合わせた線量のようにさらなる品質測定を実行するために使用することができる。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus for exposing the patterns of first and second pattering devices carried by one patterning device support on a substrate by single continuous scan operations.
１回の連続的スキャン動作で、１つのパターニングデバイス支持体によって担持されている第一および第二パターニングデバイスのパターンを基板に露光するリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁 - When embossing and lifting off are used as the patterning method of a flexible substrate provided in a PIRM module, the manufacturing process of the module can be simplified remarkably.
モジュール内のフレキシブル基板のためのパターニング方法として、エンボスおよびリフトオフを用いることにより、ＰＩＲＭモジュールの製造工程を著しく簡単にすることができる。 - 特許庁 - By printing (reverse printing) one or two or more kinds of solvent (for example, solvent drops) on the semiconductor layer, the semiconductor layer is subjected to patterning (120).
この半導体層上に１種類又は複数種類の溶媒（例えば溶媒滴）を印刷（リバースプリンティング）することにより当該半導体層をパターニングする（１２０）。 - 特許庁 - In the element 5, the hole 4 is formed of a thick film material 3 selectively curable by patterning the hole by a photolithography having photosensitivity or electron beam curability.
ガイド穴４は、光感光性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホトリソグラフィでパターニングすることで選択的に硬化が可能な厚膜材料３で形成してある。 - 特許庁 - The pattern 110 for temperature control is formed by patterning copper foil having predetermined resistivity in a predetermined shape and functions as a heater generating heat by being supplied with a current.
温度制御用パターン１１０は、所定の抵抗率を有する銅箔を所定形状にパターン形成してなり、電流印加により発熱するヒータとして機能する。 - 特許庁 - A patterning processing using plasma etching is performed on the conduction layer, and the conduction path is formed in a state where the conductive layer is electrically connected to the semiconductor substrate via the through part.
導電層が貫通部を経て半導体基板に電気的に接続された状態で、導電層にプラズマエッチングを用いたパターニング処理を施して導電路を形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the fine pattern of the semiconductor device using a double exposure patterning process capable of forming a secondary photoresist pattern by simple exposure without using an exposure mask is disclosed.
露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。 - 特許庁 - A substrate virtual aligning line is set up on a semiconductor substrate, and a left-side mask virtual aligning line is set up on a left-side mask for patterning the left-side Φ electrodes.
半導体基板上に基板仮想合わせラインを設定し、複数の左側Φ電極のパターニングのための左側マスク上に左側マスク仮想合わせラインを設定する。 - 特許庁 - The method includes a step for pattering a substance film to form a substance film pattern after forming the substance film on a wafer having a plurality of independent patterning regions.
独立した複数のパターニング領域を有するウェーハ上に物質膜を形成した後、物質膜をパターニングして物質膜パターンを形成する段階を含む。 - 特許庁 - Alternatively, the backsides of the patterning arrays are polished to optical flatness and are bonded to an optically flat surface of a rigid mounting body through crystal bonding.
代替的に、パターン形成アレーの背面が光学的に平坦に研磨され、剛性装架体の光学的に平坦な表面に結晶接合によって接合される。 - 特許庁 - An imaging device generates an image corresponding to the detected second filtered component, and the image indicates an approximate location of a particle on the surface of the patterning device.
結像デバイスは、検出された第２のフィルタリングされた成分に対応する像を生成し、この像はパターニングデバイスの表面上のパーティクルのおおよその位置を示す。 - 特許庁 - To provide a structure capable of forming a junction FET having a low on-voltage without using an alignment of an ultra-high accuracy or without requiring a fine electrode patterning.
超高精度のアライメントを用いることなく、あるいは微細な電極パターニングを要することなく、オン電圧の低い接合FETを形成できる構造を提案する。 - 特許庁 - To provide an etching method for a silver alloy film where, in a silver alloy film having an adhesive layer, a side etching width is reduced, and desired fine patterning is made possible.
密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, the patterning process of the transparent conductive film 3 can be performed by a simple process in which the transparent conductive film 3 is irradiated with the ultraviolet rays in a prescribed pattern.
従って、透明導電膜３上に紫外線を所定パターンで照射する簡易な工程により、透明導電膜３のパターニング処理を行うことができる。 - 特許庁 - A projection formed in a patterning process of an insulating film and an electrode metal layer formed on the projection are provided to obtain electric conduction between an electrode metal and driving IC bumps.
絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起上に成膜された電極メタル層を備えることにより、電極メタルと駆動ＩＣバンプの電気導通を取る。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device whose manufacturing cost is reduced by omitting a step of patterning a mask insulating film for selectively adding 15 group elements.
１５族元素を選択的に添加するためのマスク絶縁膜のパターニングの工程が不要となることで製造コストを低減した半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁 - Then, after removing the barrier film 103, it forms a resist pattern 102a of the resist film 102 by developing the resist film 103 exposed for patterning.
続いて、バリア膜１０３を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０３に対して現像を行なうことにより、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁 - The first interlayer insulation film 140 is utilized not only as a patterning mask but also as a barrier for forming a gate electrode 160 by ink jet method.
この第１層間絶縁膜１４０をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極１６０を形成するための隔壁として利用する。 - 特許庁 - The antenna patter 5 on the IC module 2 is formed by patterning metal having a Vickers hardness of less than 24 Hv, for example, an aluminum alloy, on both-side surfaces of a polymer film 4.
ＩＣモジュール２のアンテナパターン２は、ビッカース硬度が２４Ｈｖ以下の金属、例えばアルミニウム合金を高分子フィルム５の表裏にパターニングすることにより形成されている。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming dual damascene wiring at high yield by inhibiting patterning failure because of abrasive particles.
研磨粒子によるパターン形成不良を抑制して、高い歩留まりでデュアルダマシン配線を形成可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - The gate electrode 18 of the n-channel MISFET 24 and the upper electrode 19 of the capacitor 20 are formed by patterning a polysilicon film in the same layer.
ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ２４のゲート電極１８とキャパシタ２０の上部電極１９とは、同層の多結晶シリコン膜をパターニングすることで形成されている。 - 特許庁 - Openings 4 are formed at channel stop region forming spots between light-receiving regions 14 by forming a first photoresist layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 22 and patterning the layer 2.
半導体基板２２の表面に第１のフォトレジスト層２を形成しパターン化して、受光部１４間のチャンネルストップ領域形成箇所に開口部４を形成する。 - 特許庁 - By the processing using the ultrasonic wave in a liquid, the plastic deformation does not occur on the plate and the patterning of the adhesive is efficiently carried out by a batch process.
この液中超音波による処理では、プレートに塑性変形を生じさせず、しかもバッチ処理により効率良く接着剤のパターニングを行うことができる。 - 特許庁 - A transparent conductive film is formed on the photosensitive resin layer 24 and the conductive wiring 22 and the transparent electrodes 27... are formed by patterning the transparent conductive film.
そして、感光性樹脂層２４および導電配線２２上に透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングして透明電極２７…を形成する。 - 特許庁 - In patterning the electrolyte layer, at least one recessed part for forming a manifold is formed, and an electrode is installed in the first manifold formed in the first recessed part.
電解質層のパターニングにおいて、マニホールドを形成するための少なくとも一つの凹部を設け、電極が第一の凹部に形成された第一のマニホールドの中に設置される。 - 特許庁 - Because of both such a high quality via hole and fine high-accuracy working by using the ultraviolet layer, fine patterning and density improving of the flexible wiring board can be realized.
このような高品質なビアホールと紫外レーザーを使うことによる微細、高精度の加工性とが相まって、フレキシブル配線板のファインパターン化、高密度化が実現できる。 - 特許庁 - By patterning a large quantity of ligand in an array on the surface of the base, the bonding pattern of a sample to an array is analyzed, thus identifying the microbe taxonomically.
基材表面に多くのリガンドをアレイ状にパターン化により、アレイに対する試料の結合パターンを分析すれば、微生物を分類学的に同定ができる。 - 特許庁
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