「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79- For the manufacturing method of the organic EL display element comprising a positive electrode, a negative electrode and at least one layer of patterned organic layer laid between those electrodes, the organic layer is flattened and a patterning error is corrected after forming the patterned organic layer by coating a solvent capable of dissolving the organic layer on the organic layer by spray coating and redissolving the organic layer.
陽極と陰極とを有し、これらの電極の間に挟まれた少なくとも１層の有機層を有し、かつこの有機層がパターニングされている有機ＥＬ表示素子の製造方法であって、パターニングされている有機層を形成した後、前記有機層が可溶な溶媒を、前記有機層にスプレーコーティングにより塗布し、前記有機層を再溶解させて、前記有機層の平坦化およびパターニングエラーの補正を行う有機ＥＬ表示素子の製造方法。 - 特許庁 - The method for fabricating a probe tip for use in the scanning probe microscope includes steps of forming a triangular prism formed with protective films on both sidewalls by patterning a (111) general silicon wafer; etching the silicon wafer to make the triangular prism into a probe tip of triangular pyramid shape; and removing the protective films.
本発明は、走査探針顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に用いられる探針ティップを製造する方法において、（１１１）一般シリコンウェーハをパターニングし、両側壁に保護膜が形成されている三角柱を形成する段階と、前記シリコンウェーハをエッチングし、前記三角柱を三角錐状の探針ティップに形成する段階と、前記保護膜を取り除く段階と、を含む探針ティップの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a ferroelectric memory element includes the stages of: forming a first electrode 31a on a substrate; forming a ferroelectric film 32a on the first electrode 31a; forming a second electrode 33a on the ferroelectric film 32a; crystallizing the ferroelectric film 32a; and patterning the first electrode 31a, ferroelectric film 32a and second electrode 33a.
本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３１ａを形成する工程と、第１電極３１ａ上に強誘電体膜３２ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａ上に第２電極３３ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程と、第１電極３１ａと強誘電体膜３２ａと第２電極３３ａとをパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer film which has very excellent dry etching resistance, highly prevents twisting during substrate etching, and avoids a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, a method for forming the resist underlayer film, a patterning method, and a fullerene derivative.
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.
基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁 - The wiring forming method includes: patterning a silver halide emulsion onto at least one surface side of a substrate in accordance with a wiring pattern to form a patterned emulsion layer made of the silver halide emulsion on at least the one surface side of the substrate; exposing the patterned emulsion layer; and performing development processing for the exposed patterned emulsion layer to form a patterned conductive silver layer as the wiring pattern.
配線パターンに応じて、ハロゲン化銀乳剤を基板の少なくとも片側表面上にパターニングして、前記基板の少なくとも片側表面上に前記ハロゲン化銀乳剤からなるパターン化された乳剤層を形成し、前記パターン化された乳剤層を露光した後、前記露光されたパターン化された乳剤層を現像処理して、パターン化された導電性銀層を前記配線パターンとして形成することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁 - Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁 - A manufacturing method of a thin film transistor comprises the steps of forming at least one buffer layer on a substrate, forming a first semiconductor layer on the buffer layer, forming a doped second semiconductor layer on the first semiconductor layer, forming a source electrode and a drain electrodes by patterning the second semiconductor layer, forming a gate insulating film on the source electrode and the drain electrode, and forming the gate electrode on the gate insulating film.
基板上に少なくとも一つのバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層上にドーピングされた第２半導体層を形成する段階と、前記第２半導体層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁 - In another embodiment, a method of making a film capacitor includes: patterning a first metalized film electrode group and a second metalized film electrode group to form a common dielectric structure; and rolling the common dielectric structure such that the first metalized film electrode group and the second metalized film electrode group form a sectioned and patterned metalized film capacitor having interconnections on only one face of a circular end of the capacitor.
別の態様によれば、フィルムコンデンサを形成する方法は、第１の金属化フィルム電極群と、第２の金属化フィルム電極群とをパターニングして、共通の誘電構造を形成すること、共通の誘電構造を巻回し、それにより、第１の金属化フィルム電極群と、第２の金属化フィルム電極群とが一緒に、コンデンサの円形端部の一方の面だけの上に相互接続部を有する、区分けされ、パターニングされた金属化フィルムコンデンサを形成するようになることを含む。 - 特許庁 - The gel coat layer 10 is further formed on the patterning layer 9 to prevent the flow of the pattern before the resin compound 12 is injected into the casting mold to fill the mold.
熱硬化性樹脂に充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合した樹脂組成物１２を得て、これを注型用金型に注入して成形硬化させて人造大理石成形品を製造する方法において、予め、金型面に透明ゲルコート層８を形成し、該透明ゲルコート層８の上に柄付けして柄付け層９を形成し、更にその上にゲルコート層１０を形成して柄付けした柄が流れるのを防止した後、樹脂組成物１２を注型用金型内に注入充填する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor thin film comprises a step of forming an amorphous Si semiconductor layer 12 on an insulating board 11, a step of forming and patterning the insulating film 13 on the layer 12, and a laser emitting step of intermittently emitting plural times a laser of a energy of a critical energy or more of crystallization of the Si semiconductor 12 to the layer 12.
本発明は絶縁性基板１１上にアモルファスのＳｉ系半導体層１２を形成する工程と、アモルファスのＳｉ系半導体層１２の上に絶縁性層１３を形成してパターニングする工程と、Ｓｉ系半導体１２の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをＳｉ系半導体層１２に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするＳｉ系半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The organic semiconductor thin film formed on a substrate comprises a first region formed by patterning with surface treatment provided by the surface preparation agent expressed by the general formula 1, and a second region adjacent to the first region and different from the first region; and the organic semiconductor thin film is patterned by a volatilization of a solvent of the solution in the supplied organic semiconductor solution on the first region.
基板上に形成された有機半導体薄膜において、下記一般式（１）で表される表面処理剤により、表面処理が施されパターン化された第１の領域が形成され、該第１の領域に近接し、第１の領域とは異なる第２の領域が形成され、第１の領域の上に、有機半導体の溶液を供給し、溶液中の溶液の溶媒の揮発によりパターン化された有機半導体薄膜が形成されることを特徴とする有機半導体膜。 - 特許庁 - To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition.
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。 - 特許庁 - The method for forming a triode structure of a field emission display includes a step of preparing a transparent substrate, a step of patterning a conductive paste layer containing catalytic metal on the transparent substrate to form a cathode layer, a step of forming a gate structure on the cathode layer and the transparent substrate by a process of sandblasting or photolithography, and a step of forming an isomeric carbon emitter on the cathode layer.
透明基板を準備するステップと、前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペーストを付着させ、導電性ペースト層をパターン化して陰極電極層を形成するステップと、砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップと、前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップとからなる電界放射ディスプレイ用の三極構造を形成させる。 - 特許庁 - In the process of forming the condenser lens, when a resist pattern is transferred on a lens base for forming the lens, an etching selectivity between the resist pattern and the lens base is adjusted, thereby patterning the lens base so as to have a desired curvature.
半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部を形成する工程と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成された集光レンズを形成する工程とを具備した固体撮像素子の製造方法において、集光レンズを形成する工程が、レンズを形成するためのレンズ基体にレジストパターンを転写するに際し、レジストパターンとレンズ基体とのエッチング選択比を調整することにより、レンズ基体を、所望の曲率にパターニングする。 - 特許庁 - The conductive layer may be formed by etching a metal foil by arranging thin metal wires substantially in parallel, by combining a plurality of wiring bodies arranged with thin metal wires substantially in parallel to conduct each other, by printing conductive ink, by coating a transparent substrate with photosensitive conductive ink and patterning the ink through exposure and development, or by metal plating a woven cloth produced by plain weaving short synthetic fibers.
前記導電層は、金属箔をエッチングすることにより形成したもの、金属細線を略平行に配列したもの、あるいは金属細線を略平行に配列した複数の配線体を互いに導通するように組み合わせることにより形成したもの、導電性インクを印刷することにより形成したもの、感光性導電性インクを透明基板に塗布し、露光、現像によりパターン形成したもの、合成繊維の短繊維を平織りした織布に金属めっきを施したものとすることができる。 - 特許庁 - The lithographic equipment has a radiation system for providing a projection beam of radiation, a support structure for supporting the patterning means that patterns the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, a projection system for projecting the patterned beam onto a target area on the substrate, and an interferometer system to help positioning an object in the equipment, wherein the interferometer system performs position measurement.
リソグラフィ投影装置であって、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムと、装置内での対象物の位置決めを助ける干渉計システムとを備えていて、干渉計システムが位置測定を行うように配置されているリソグラフィ投影装置。 - 特許庁 - To provide an EUV light exposure mask having no effect on the substantial reflection performance of a multilayer film 2 portion even if it is not stripped and in which the structure and material of a buffer film 4 are specified to have the essential function, i.e., the protective function of the multilayer film 2, and to provide a blank for producing the mask and a patterning method employing that mask.
基板１上に、露光光を反射する領域となる多層膜２を有し、前記多層膜２上に吸収用となるパターニングされた薄膜３、さらに前記多層膜２と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜４を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜２部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜２の保護機能も有するように緩衝膜４の構造、材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The optical patterning composition using the highly branched polymer includes the highly branched polymer obtained by polymerizing a radically polymerizable monomer A having two radically polymerizable unsaturated double bonds in its molecule and a radically polymerizable monomer B having an acid-decomposable group and one radically polymerizable unsaturated double bond in its molecule in the presence of 5 to 200 mol% polymerization initiator C to the number of sum total moles of the radically polymerizable monomer A and the radically polymerizable monomer B.
本発明の高分岐ポリマーを用いた光パターニング組成物は、分子内に２個のラジカル重合性不飽和二重結合を有するラジカル重合性モノマーＡと、分子内に酸分解性基および１個のラジカル重合性不飽和二重結合を有するラジカル重合性モノマーＢを、該ラジカル重合性モノマーＡおよび該ラジカル重合性モノマーＢの合計モル数に対して５モル％以上２００モル％以下の重合開始剤Ｃの存在下で重合させることにより得られる高分岐ポリマーを含有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an EUV light exposure mask having no effect on the substantial reflection performance of a multilayer film 2 part even if it is not stripped in which the structure and material of a buffer film 4 are specified to have the essential function, i.e. the protective function of the multilayer film 2, and to provide a blank for producing the mask and a patterning method employing that mask.
基板１上に、露光光を反射する領域となる多層膜２を有し、前記多層膜２上に吸収用となるパターニングされた薄膜３、さらに前記多層膜２と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜４を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜２部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜２の保護機能も有するように緩衝膜４の構造、材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method also comprises steps of: forming a first optical film having a lens shape by patterning a lens substrate; and forming a second optical film on the first optical film by controlling the film formation condition so that a lens having a desired curvature is constructed.
半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部を形成する工程と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成された集光レンズを形成する工程とを具備した固体撮像素子の製造方法において、前記レンズ基体をパターニングすることにより、レンズ形状を有する第１の光学膜を形成する工程と、前記第１の光学膜上に、所望の曲率のレンズを構成するように、成膜条件を制御して、第２の光学膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
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