「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- To obtain an alkali negative development type photosensitive resin composition less liable to swell in alkali development and excellent in properties of a pattern, adhesiveness to a substrate, crosslinking efficiency, reactivity and compatibility after development, to produce a pattern by polyimide patterning by development with an inexpensive aqueous alkali solution and to provide electronic parts each having the pattern and excellent in reliability.
本発明は、アルカリ現像時の膨潤が少なく現像後のパターン性、基盤接着性、架橋効率、反応性、相溶性に優れるアルカリネガ現像型感光性樹脂組成物、ポリイミドパターン加工を安価なアルカリ水溶液現像にて行えるパターンの製造法、前記パターンを有する信頼性に優れた電子部品を提供する。 - 特許庁 - A photoresist pattern 35 is formed so that an aperture width of an aperture 35K is gradually narrowed as the aperture approaches a seed layer 12 by exposing a photoresist film to light while a reflection suppressing layer 31 is formed in an area F1 to perform patterning and then a precursor magnetic pole partial layer 13AZ is formed in the aperture 35K of the photoresist pattern 35.
領域Ｆ１に反射抑制層３１を形成した状態においてフォトレジスト膜を露光してパターニングすることにより、開口３５Ｋの開口幅がシード層１２に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン３５を形成したのち、そのフォトレジストパターン３５の開口３５Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する。 - 特許庁 - The process (a) of forming an electrode made of inorganic oxide as a continuous layer among the plurality of electroluminescent elements, and a process (b) of irradiating light on the electrode made of the inorganic oxide and making an electric resistance of all or a part of areas where light irradiation is carried out higher than before the irradiation and carrying out patterning.
（ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程 （ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしたパターニングする工程 - 特許庁 - To provide a resist polymer which has high sensitivity and resolution and causes only a small number of defects and a small degree of line edge roughness upon development, when used for a resist composition in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography, its manufacturing process, a resist composition containing the resist polymer and a patterning process using the resist composition.
ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト用組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト用組成物、および、このレジスト用組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for forming the element of an RFID tag 10 is provided with a process for patterning multiple parts where affinities with respect to functional liquid differ, and a process for selectively giving functional liquid to a part where affinity with respect to functional liquid is high in the multiple parts on an element forming substrate 11.
ＲＦＩＤタグ１０などの素子を形成する方法であって、素子形成基板１１上に、機能性液体に対する親和性が互いに異なる複数の部分をパターニングする工程と、前記機能性液体を、前記複数の部分のうち前記機能性液体に対する親和性が高い部分に選択的に付与する工程と、を有する。 - 特許庁 - In a semiconductor manufacturing method that comprises forming an inorganic film on the surface of a semiconductor element, applying a heat resistant polymer protection film on the inorganic film, patterning the protection film, and then performing the dry-etching of the exposed inorganic film; the dry-etching is performed by mixed gas consisting of fluorinated methane and oxygen or hydrogen.
半導体素子上に無機膜が施され、該無機膜上に耐熱性高分子保護膜が施され、該耐熱性高分子保護膜がパターン加工された後露出された該無機膜をドライエッチングする製造方法において、フッ素化メタンと酸素もしくは水素とからなる混合ガスによりドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a vertical sealing device in which precise patterning is executed by solving bending phenomenon of a substrate generated in the horizontal sealing device at sealing and difficulty or the like in handling when applied to a large-sized substrate, and which can be manufactured even in the atmosphere, and to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent display device using the same.
本発明は、水平封止装置で発生した封止時基板の撓み現象及び大型化された基板に適用時取扱上の難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて、大気中でも製作可能な垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - According to this constitution, the transparent conductive film 3 is irradiated with ultraviolet rays, the thin metal wire 7 in the transparent conductive film 3 is oxidized by the photocatalytic action of the photocatalyst particles 9 irradiated with the ultraviolet rays to form an insulator, and by selectively performing this process, the patterning process of the transparent conductive film 3 can be performed.
この構成によれば、透明導電膜３上に紫外線が照射され、紫外線が照射された光触媒粒子９の光触媒作用により、透明導電膜３内の金属細線７を酸化して絶縁体とすることができ、これを選択的に行うことで、透明導電膜３のパターニング処理を行うことができる。 - 特許庁 - To provide a rubber blanket for fine line patterning capable of printing a target pattern by a surface rubber of the rubber blanket having surface roughness within a prescribed range with respect to surface roughness of a surface of a printing body, and a method for manufacturing the rubber blanket having prescribed surface roughness.
この発明は、細線パターニング用のゴムブランケットにおいて、ゴムブランケットの表面ゴムの表面粗さが、被印刷体の表面の表面粗さに対して所定の範囲にあることにより目的とするパターンの印刷が出来ることを見出したものであり、更に所定の表面粗さを持つゴムブランケットを製造する方法を明らかにしたものである。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the microstructure array, a thermoplastic resin material 2 is applied to a substrate 1 in a desired patterning shape corresponding to the arrangement of a desired microstructure array, the patterned thermoplastic material layer 2 is deformed in a discrete state by heat treatment, and a continuous film 3 is formed on the deformed surface of the thermoplastic material layer 2 and the substrate 1.
マイクロ構造体アレイの作製方法において、基板1上に熱可塑材料層2を所望のマイクロ構造体アレイの配列に応じて所望の形状でパターニングし、離散状態においてパターニングした熱可塑材料層2を熱処理にて変形させ、変形した熱可塑材料層2面及び基板2上に連続膜3を形成する。 - 特許庁 - A lithography projection apparatus is provided with a substrate holder for supporting at least one substrate, a patternizing means for patterning a projection beam according to a desired pattern, and at least one vacuum chamber including a projection means for projecting the above patterned projection beam at the target portion of the above substrate.
本発明は、さらに、少なくとも１つの基板を保持するための基板ホルダと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段と、前記パターン化された投影ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影手段とを含む少なくとも１つの真空チャンバを備えるリソグラフィ投影装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of more reliably forming a semiconductor material layer, an electrode, and a wiring pattern, especially the pattern of source and drain electrodes requiring precise patterning in a thin-film transistor, and to provide a method of forming a semiconductor channel having high mobility precisely with improved reproducibility together with the electrode pattern.
薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus including: an illumination system for adjusting a beam of radiation; and to provide a support structure designed to support a patterning device.
リソグラフ投影装置で基板照射に使う放射線が汚染物質と反応して投影システムの光学素子を劣化させる対策として使う従来のパージフードは、レンズ面の表面に沿って洗浄ガスを流すために固定してあるので、基板との隙間を十分小さく維持することが困難であると共に基板を損傷するおそれもあり、これらを解決すること。 - 特許庁 - The method for forming the conductive path or the electrode includes steps of ablating a metal fin particle containing layer containing metal fine particles each having a mean particle size of 50 nm or less and in a state that fine particles are isolated by an organic material on a support, patterning the metal fine particle containing layer in a target shape, and then heating to heat and fusion-bond the metal fine particles.
支持体上に、平均粒径が５０ｎｍ以下の金属微粒子を含有し、微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層をアブレーションさせることで目的形状様にパターニングした後、加熱することにより金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁 - Patterning is carried out without using a conventional photolithographic method or the like but by focusing a UV laser beam B to a polymer layer 3 for photo-bleaching coated with a low refractive index layer 2 to irradiate the layer while either a substrate 1 side or the laser beam B is relatively moved so as to form a core layer 5 as a light propagation layer and side clad layers 6 to guide the light.
従来のようなフォトリソグラフィ等を用いないで低屈折率層２で覆われたフォトブリーチング用ポリマ層３に紫外線レーザビームＢを集光、照射しながら基板１側又はレーザビームＢのいずれかを相対的に移動させてパターニングを行ない、光伝搬層となるコア層５及びそれをガイドする側面クラッド層６，６を形成する。 - 特許庁 - To provide a polyamide resin for providing a polybenzoxazole resin or a polyimide resin or their copolymer excellent in low stress properties, and to provide a positive photosensitive resin composition which can be subjected to a patterning treatment, a semiconductor device and a display element and to provide a method for manufacturing the semiconductor device and the display element.
低応力性に優れたポリベンゾオキサゾール樹脂又はポリイミド樹脂又はその共重合樹脂を提供することを目的とするポリアミド樹脂とそれらを用いたパターン加工ができるポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置及び表示素子並びにそれら半導体装置及び表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.
また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.
基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.
パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界（解像限界）を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁 - Also, the patterning roller is characterized in that, the height of the washer-like projecting row is made higher than the height of the circular arc projection, and the number of washer-like projecting rows is three or more and the mutually adjacent circular-arc projections formed at different grooves are formed circumferentially at different angular positions on the cylindrical base surface.
また、座金状凸条の高さが円弧状突起の高さに比べ高くすること、円弧状突起の円周方向片端ないし両端の突起高さを他の部分に比べ高くしたこと、座金状凸条が３本以上であり、異なる溝に形成した隣接する円弧状突起が円柱状基面の円周方向において、異なる角度位置に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a low-cost Ag alloy film and an Ag alloy reflecting film which have a fixed value as a reflection factor within a visible light range while keeping a high reflection factor and has heat resistance and corrosion resistance and have adhesion to a substrate and a patterning capability improved and to provide a flat panel display device having the Ag alloy film and a sputtering target material for Ag alloy film formation.
高反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、基板への密着性とパタニング性を改善した低コストなＡｇ合金膜およびＡｇ合金系反射膜、ならびにそのＡｇ合金膜を有する平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - A growth source region 2, a target region 3 provided away from it, an amorphous silicon path 4, which made of one bent part 4a, connects the growth source region 2 to the target region 3, and a peripheral amorphous silicon region 5 which encloses the growth source region 2, amorphous silicon path 4, and target region 3, are formed by patterning an amorphous silicon film.
成長源領域２と、成長源領域２に対して隔離されたターゲット領域３と、成長源領域２とターゲット領域３とを繋ぎ、１つの屈曲部４ａを有する非晶質珪素経路４と、成長源領域２、非晶質珪素経路４およびターゲット領域３取り囲む周囲非晶質珪素領域５とを、非晶質珪素膜をパターニングして形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device is manufactured by means of steps of patterning the conductor layer 3, depositing a coating material 4 gently along the pattern change of the conductor layer 3, and transferring the profile of the coating material 4 by an etch-back step to make the corner parts of the conductor layer 3 into a round shape or an approximately straight-line shape.
また、導電体層３をパターニングする工程と、導電体層３の形状変化に緩やかに追従しながら形状変化する被覆材４を被覆形成する工程と、被覆材４の形状をエッチバックにより導電体層３に転写して、導電体層３のコーナー部をラウンド形状又は略直線形状とする工程とを有して、上記半導体装置を製造する。 - 特許庁 - The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板５の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト６を形成する工程と、パターン４の形成されたモールド１をレジスト６に押し付ける工程と、モールド１をレジスト６に押し付けた状態で、レジスト６を加熱する工程と、レジスト６を除去することにより、レジスト６をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁 - The alignment pattern used for patterning wiring of an aluminum film 15 comprises a planar shape of an inclining face formed between the upper edge of an alignment hole 12 opened in a BPSG film 20 on a silicon substrate 18, and the surface of a tungsten plug 14 filling the alignment hole 12 wherein the alignment hole 12 is formed deeper than the thickness of the BPSG film 20.
シリコン基板１８上のＢＰＳＧ膜２０に開けられた目合わせ用ホール１２の上端エッジと、目合わせ用ホール１２に埋設されたタングステンプラグ１４表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜１５の配線パターニングに用いられる目合わせパターンであって、目合わせ用ホール１２の深さを、ＢＰＳＧ膜２０の膜厚より深く形成した。 - 特許庁 - The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.
製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.
基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁 - The nozzle portion 11 of the silicone substrate 1 is manufactured by coating a polyimide precursor 101a on the portion to be the nozzle portion 11 of a silicone base material 100, forming a polyimide mask 101b for the formation of the nozzle portion by patterning the polyimide precursor 101a into a desired shape, and applying etching on the portion to be the nozzle portion 11 of the silicone base material 100 using the polyimide mask 101b.
シリコン基板１のノズル部１１は、シリコン基材１００のノズル部１１となる部分にポリイミド前駆体１０１ａを塗布し、このポリイミド前駆体１０１ａを所望の形状にパターニングしてノズル部形成用のポリイミドマスク１０１ｂを形成し、このポリイミドマスク１０１ｂを用いてシリコン基材１００のノズル部１１となる部分をエッチングして製造する。 - 特許庁 - The exposure phase includes fast switching for the conditioning of the radiation beam to a second beam condition, with the second beam condition which is different from the first beam condition, forming the patterned radiation beam by imparting the radiation beam with the second beam condition with a second pattern in its cross-section, with the second pattern being provided by a patterning device, and projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
露光段階は、放射ビームを、第１のビーム条件とは異なる第２のビーム条件に調整する高速切替えステップと、第２のビーム条件を含む放射ビームに、その断面のパターニングデバイスが提供した第２のパターンを付与することによりパターン形成された放射ビームを形成するステップと、基板のターゲット部分上にパターン形成されたビームを投影するステップとを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.
ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor chip 30 mounted on a flexible printed wiring board 20 having a wiring pattern 21 formed by patterning a conductor layer 11 deposited at least on one side of an insulating layer 12 and mounting the semiconductor chip and provided with a release layer 13 on the side of the insulating layer 12 opposite to the side mounting the semiconductor chip.
絶縁層１２の少なくとも一方面に積層された導体層１１をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターン２１を有すると共に前記絶縁層１２の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に離型層１３が設けられているフレキシブルプリント配線板２０上に、半導体チップ３０を実装した半導体装置である。 - 特許庁 - The manufacturing method for the contact pin for the electrical test, which is characterized by being made of porus metal, is desired to have metal coating process for providing a metal coating on a substrate, resist layer forming process, patterning process, porus metal filling process, resist layer removing process and porus metal removing process.
多孔質金属からなることを特徴とする電気テスト用コンタクトピンであり、その製造方法としては、基板上に金属被覆膜を設ける金属被覆工程、レジスト層形成工程、パターニング工程、多孔質金属充填工程、レジスト層除去工程、多孔質金属部分離工程を有することを特徴とする電気テスト用コンタクトピンの製造方法が好ましい。 - 特許庁 - When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.
図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁 - Moreover, on filming, the patterning by density distribution of the electrolytic fine particle 22 can be conducted, such as filming by pouring the solution of the electrolytic fine particle 22 into a cast stand which electrify positively a part corresponding to a path of fuel gas and oxygen gas when fuel cell is formed and subsequently volatilizing the solvent, thereafter pouring binder resin solution into the cast stand and volatilizing the solvent.
さらに、製膜の際、燃料電池を形成したときに燃料ガスや酸化ガスの流路に相当する部位をプラスに帯電させたキャスト台に電解質微粒子２２の溶液を流し込んだ後に溶媒を揮発させ、その後バインダ樹脂溶液を流し込んで溶媒を揮発させることによって製膜するなど電解質微粒子２２の密度分布によるパターニングを行なうことができる。 - 特許庁 - The semiconductor layer 15 in the thin film transistor TFT is formed, by patterning a photothermal conversion layer 22 only on a region which serves as a channel layer on an amorphous silicon thin film 15x formed on one surface side of the substrate 11, and then irradiating the whole area of the substrate 11 with a laser beam BM, by laser beam scanning and applying thermal annealing to crystallize the amorphous silicon thin film 15x.
薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１５は、基板１１の一面側に成膜された非晶質シリコン薄膜１５ｘに対して、チャネル層となる領域上にのみ光熱変換層２２をパターニング形成した後、レーザー光ＢＭを走査して基板１１全域に照射し、熱アニールを施すことにより、非晶質シリコン薄膜１５ｘが結晶化されて形成される。 - 特許庁 - The lithographic device is equipped with an illumination system constituted to adjust an irradiation beam, a supporting body constituted to support a patterning device capable of forming a patterned irradiation beam by setting a pattern on the sectional surface of the irradiation beam, a substrate table constituted to support a substrate, and a projection system constituted to project the patterned irradiation beam to the target of the substrate.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを備える。 - 特許庁 - This method for manufacturing the cushion layer for the polishing pad includes: a process for molding a mixture containing energy ray curing resin into a sheet shape; a process for performing patterning of hardened parts and unhardened parts by a photolithography method on one surface of the obtained sheet; and a process for forming irregularities on one surface of the sheet by removing the unhardened parts.
研磨パッド用クッション層の製造方法であって、エネルギー線硬化性樹脂を含む混合物をシート状に成型加工する工程、得られたシートの片面上にフォトリソグラフィー法により硬化部分と未硬化部分のパターニングを施す工程、及び未硬化部分を除去することによりシートの片面上に凹凸形状を形成する工程を含む研磨パッド用クッション層の製造方法。 - 特許庁 - The method comprises the steps of providing a mold plate, patterning a set of rings arrayed across the mold plate, opening spaces between the rings so that the rings become an in-situ mask on the mold plate, directing an optical polymer into the spaces between the rings, polymerizing the optical polymer to form an array of ring lenses, and transferring the array of ring lenses to a substrate.
本方法は、型板を設ける工程と、型板に配列されたリングのセットをパターニングする工程と、リング間に、該リングが上記型板上で原位置マスクとなるようにスペースを開ける工程と、上記リング間のスペースにオプティカル・ポリマを向ける工程と、オプティカル・ポリマを重合させてリング・レンズのアレイを形成する工程と、リング・レンズのアレイを基板へ移送する工程とを含む。 - 特許庁 - The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark.
本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 - 特許庁 - The method for preparing metal powder includes the steps of: providing a base substrate 100; forming a pattern layer 110, having a concavo-convex pattern of a predetermined shape, on the base substrate 100; forming a metal film 120a separated from the pattern layer 110 by the concave-convex pattern 111; and separating the metal film 120a from the pattern layer 110, thereby naturally patterning the metal film 120a in the predetermined shape.
ベース基板１００を用意し、該ベース基板１００上に一定な形状の凹凸パターン１１１のパターン層１１０を形成し、該パターン層１１０上に該凹凸パターン１１１により互いに分離された金属薄膜１２０ａを形成し、該パターン層１１０から該金属薄膜１２０ａを分離することによって自然に該金属薄膜１２０ａを該一定な形状にパターニングする。 - 特許庁 - When balls such as solder balls are mounted on substrates 400 to be mounted, a cutting process of cutting a multiple patterning substrate 500 patterned with the plurality of substrates 400 to divide into the respective substrates 400 and electric inspection on the respective substrates 400 are performed in predetermined order, and balls are mounted only on substrates 400 determined as conforming articles through the electric inspection.
搭載対象の基板４００に半田ボール等の球状体を搭載する際に、基板４００が複数面付けされた多面付け基板５００を切断して各基板４００に分割する切断処理、および各基板４００に対する電気的検査を所定の順序で実行し、電気的検査において良品と判別された基板４００にのみ球状体を搭載する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a metal oxide thin film pattern by applying a photosensitive metal-organic material precursor solution onto a substrate without using a photosensitive prepolymer resin and directly patterning a coating film layer of the applied solution by a nanoimprint system and to provide the metal oxide thin film pattern patterned directly by this forming method and a method for producing an LED element including a photonic crystal layer by using this forming method.
本発明は、感光性プレポリマーレジンを使用せずに、感光性金属有機物前駆体溶液を基板に塗布して、ナノインプリント方式で直接パターニングする金属酸化薄膜パターンの形成方法、当該形成方法によって直接パターニングされた金属酸化薄膜パターン、および、当該形成方法によって光結晶層を含むＬＥＤ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An air temperature prediction part 116 generates forecast weather pattern information obtained by patterning a weather forecast, reads out a date (date of similar weather) of weather pattern information matching the generated forecast weather pattern, reads out a reference air temperature difference associated with the read date, and adds the read reference air temperature difference to a reference air temperature calculated on the basis of an air temperature model to calculate an air temperature predictive value.
気温予測部１１６は、天気予報をパターン化した予報天気パターン情報を生成し、生成した予報天気パターンにマッチする天気パターン情報の日付（天気類似日付）を読み出し、読み出した日付に対応する基準気温差を読み出し、気温モデルに基づいて算出される基準気温に、読み出した基準気温差を加算して気温の予測値を算出する。 - 特許庁 - The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.
本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔１１を有した基板に対し、該貫通孔１１とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔１１の開口面に跨る形にてレジスト７２を形成し、該レジスト７２を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁 - In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.
互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.
２ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前６０分以内に、４０〜１００℃の範囲の温度で３０秒〜３０分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁 - The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask.
一方基板２は、透光性を有するプラスチック基板１０の一方表面１０ａにカラーフィルタ形成用透明電極１１を形成した後、該電極１１を用いて電着法によってカラーフィルタ１２を形成し、形成したカラーフィルタ１２をマスクとして基板１０の他方表面１０ｂにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極１３をパターン形成して作製される。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.
本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.
第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁 - The artificial marble is manufactured by preforming the gel coat layer 8 on the surface of a casting mold and forming the pattern layer 9 on the gel coat layer 8, and subsequently injecting a resin compound, obtained by compounding additives such as a filler, a patterning material, an internal release agent, a hardener and the like with a thermosetting resin, into the casting mold to mold and cure the same.
予め注型用金型面にゲルコート層８を形成すると共に、該ゲルコート層８の上に柄付け模様付けした柄付け模様層９を形成し、その後、熱硬化性樹脂に充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合して得られた樹脂組成物を注型用金型に注入して成形硬化させて得られる人造大理石の製造方法である。 - 特許庁
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