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＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- To provide a solar cell excellent in output characteristics by forming a transparent conductive film, a CdS(cadmium sulfide) film and a CdTe(cadmium telluride) film sequentially on a translucent insulating substrate and suppressing thermal damage of an underlying translucent conductive film at the time of patterning the CdTe film by laser scribing.
透光性絶縁基板上に、透明導電膜、ＣｄＳ膜およびＣｄＴｅ膜順次形成し、レーザスクライブ法によりＣｄＴｅ膜をパターニングする際、下地の透明導電膜が熱的なダメージを受けることを抑止し、優れた出力特性の太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a liquid drop jet patterning device having a nozzle head with improved maintenance property capable of adjusting jetting positions at every nozzles by making nozzle heads move in the supplemental scanning direction regardless of the inclined revolving angle of the nozzle head by enlarging the variable width of jetting pitch by enlarging the inclinable angle of the nozzle head.
ノズルヘッドのメンテナンス性を高め、ノズルヘッドの傾斜可能角度を大きくして吐出ピッチの可変幅を大きくし、ノズルヘッドの傾斜回動角に関係なくノズルヘッドを副走査方向へ移動させ各ノズル毎に吐出位置の調整を容易にすることができる液滴ジェットパターニング装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the display member comprises (A) a process of coating and drying photosensitive paste on a substrate with at least an electrode formed, and then exposing the coated film to light via a photomask, (B) a process of developing the coated film and patterning it, and (C) a process of forming a barrier-rib pattern by baking the pattern-formed coated film.
少なくとも電極が形成された基板に下記の（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）の各工程を順次行って得られるディスプレイ部材の製造方法であって、該（Ａ）工程をｎ回（ｎは２以上の整数）実施した後に、（Ｂ）、（Ｃ）の工程を実施することを特徴とするディスプレイ部材の製造方法。 - 特許庁 - To provide a resist pattern thickening material etc., which have no dependence of resist patterns on materials and sizes, thickness of the resist pattern increases uniformly and stably in the state of reducing the roughness of surface, and can form a fine resist drop-out pattern exceeding the exposure threshold of a light source in an exposure device used during patterning.
レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジストパターンを均一にしかも安定に、表面のラフネスを低減した状態で厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁 - Furthermore, since only a small part of the conveying vessel and the storage vessel, can enter the storage space, together with the patterning means in this conveyance, if these vessels are contaminated, only a small part of them is carried into the storage space, and the storage space can easily be kept clean, as it is, essentially without particles.
また、この搬送でパターニング手段と一緒に保管スペースの中へ入るのは、搬送容器と保管容器の僅かな部分に過ぎないので、たとえこれらの容器が汚染されていても、その僅かしか保管スペースに持込まれず、保管スペースを容易に本質的に粒子のないままに保つことができる。 - 特許庁 - A method includes the steps of defining a lithography matter, designing a patterning device, deciding a first lighting structure and a radiation-sensitive material process which can print the positive tone of the lithographic features, and deciding a second lighting structure which can print the negative tone of the lithographic features by a radiation-sensitive material process.
方法は、リソグラフィ問題を画定することと、パターニングデバイスを設計することと、リソグラフィフィーチャのポジのトーンを印刷できる第一照明構成および放射線感光材料プロセスを決定することと、放射線感光材料プロセスでリソグラフィフィーチャのネガのトーンを印刷できる第二照明構成を決定することとを含む。 - 特許庁 - Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.
また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁 - A two-dimensional picture display device 19 is constituted of a transparent supporting base plate 9, a transparent anode electrode plate 10, a hole transporting layer 11, a self light emitting layer 15 comprising a green light emitting layer 12, a blue light emitting layer 13 and a red light emitting layer 14 coated after patterning, an electron injection layer 16 and a cathode electrode plate 17.
二次元画像表示装置１９は、透明支持基板９及び透明アノード電極板１０及び正孔輸送層１１、パターニングして塗布された緑色発光層１２、青色発光層１３、赤色発光層１４からなる自発光層１５及び電子注入層１６とカソード電極板１７で構成される。 - 特許庁 - As an insulated layer of a solder bump 5 and an organic insulating film 2, one of SiO_2, SiN and SiON is used as an inorganic based insulating film 3 to form a mask for patterning on the inorganic based insulating film 3, metal films as a composition of a solder are deposited from thereon, respectively, and this mask is removed to form a bump precursor.
はんだバンプ５と有機絶縁膜２の分離層として、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、およびＳｉＯＮの１つを無機系絶縁膜３として用い、無機系絶縁膜３に、パターニングするマスクを形成し、その上からはんだの組成となる金属膜をそれぞれ蒸着し、このマスクを除去してバンプ前駆体を形成する。 - 特許庁 - In the pattern drawing apparatus to form patterns in mirror image relation with respect to the substrate on both faces of the substrate, the patterns are formed on both faces of the substrate by direct drawing on the basis of specified data by using a direct drawing means such as a maskless exposure means or an ink jet patterning means.
基板に関して鏡像関係となるパターンを基板の両面に形成するパターン描画装置は、マスクレス露光手段もしくはインクジェットパターニング手段などの直接描画手段を用いて、所定のデータに基づき基板の両面を直接描画することでパターンを基板の両面に形成する。 - 特許庁 - In the method, the patterning material is added into a compound in which additives such as a filler, an internal mold releasing agent, and a curing agent are incorporated into a thermosetting resin to obtain the resin composition for molding the artificial marble, and the composition is molded and cured to obtain the artificial marble.
熱硬化性樹脂に充填剤、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合したコンパウンドに柄材を添加して人造大理石成形用樹脂組成物を得て、この人造大理石成形用樹脂組成物を成形硬化させて人造大理石を得る人造大理石の製造方法である。 - 特許庁 - This method comprises a step for performing a surface reforming process to expose the underlayer film surface including the basic substance to the plasma of gas including carbon gas, a step for coating the chemically amplified resist film of the underlayer film, and a step for patterning the chemically amplified resist through the exposing and development processes thereof.
塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。 - 特許庁 - To provide a color filter substrate wherein tapers having a plurality of angles are provided in the same layer and enhancement of contrast, color reproducibility and patterning properties can be attained, to provide its manufacturing method, and to provide an electrooptical device and an electronic device using the color filter substrate.
本発明は、同一層内において複数の角度を有するテーパーを設け、コントラスト、色再現性及びパターニング性の向上を図ることのできるカラーフィルタ基板およびその製造方法、ならびに上記カラーフィルタ基板を用いた電気光学装置ならびに電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.
基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.
半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁 - Around the permanent magnet 3, a silicon rotor 5 is provided through a silicon contact spring 7 supported by a silicon hinge spring 4 on the substrate 2 in such a way as rotating round the longitudinal direction center of the magnet 3 as a fulcrum, and on this silicon rotor 5, a coil 6 is provided which is subjected to such a patterning as orbiting round the magnet.
永久磁石３の周囲には、永久磁石３の長手方向中心を支点として回動するようにシリコン基板２にシリコンひんじバネ４で支持されたシリコン接点バネ７を介したシリコン回動体５があり、その上に、永久磁石を周回するようにパターニングされたコイル６が形成される。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.
特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Next, via holes 53 are formed at predetermined positions on the insulating layers 46 by laser work, and a series of patterning treatment is applied through a subtractive method or a semi additive method, to form wiring layers 16a, 16b and vias 17 whereby a four-layered build-up wiring board 300 employing the insulating layers 46 can be obtained.
次に、レーザー加工により、絶縁層４６の所定位置にビア用孔５３を形成し、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１６ａ、１６ｂ及びビア１７を形成し、絶縁層４６を用いた４層のビルドアップ配線基板３００を得ることができる。 - 特許庁 - In a process of manufacturing the diffraction optical element through full plate exposure and dry etching by means of an exposure device, an exposure wavelength used upon the patterning of the diffraction optical element is approximately equal to the wavelength used upon the usage of the finished diffraction optical element.
回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスにおいて、回折光学素子にパターンニングを行う際に使用される露光波長と、出来上がった回折光学素子を使用する際に用いられる波長とが、ほぼ同一であることを特徴とする回折光学素子の作製方法である。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive composition which is excellent in display qualities such as burn-in and voltage retention rate, electrical reliability, sensitivity and patterning characteristics in the formation of a projection for liquid crystal alignment control in an MVA-LCD, while having a transmittance sufficient to block light from a backlight.
ＭＶＡ型ＬＣＤでの液晶配向制御用突起の形成において、焼き付き、電圧保持率などの表示品位及び電気的信頼性、並びに、感度、パターニング特性に優れ、且つバックライトからの光を遮光するのに充分な透過率を持つことも可能なネガ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁 - This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.
パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁 - In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a semiconductor device by which a light source such as an ArF excimer laser in a conventional exposure apparatus can be used as it is on patterning a resist pattern with excellent mass-productivity and a resist cut-out pattern can be finely formed exceeding the exposure limit of the light source.
レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるＡｒＦエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細に形成可能なレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法等の提供。 - 特許庁 - The method comprises: establishing a power spectral density (PSD) indicative of the spatial frequency of the stray radiation produced by the projection system; and determining, from the PSD, a modulation transfer function (MTF) relating the PSD to the pattern applied by the patterning device in such a way that the effect of flare on the pattern image is taken into account.
投影システムが生成する迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度（ＰＳＤ）を確立し、フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮に入れる方法で、パターニングデバイスが適用するパターンにＰＳＤを関連づける変調伝達関数（ＭＴＦ）を、ＰＳＤから決定する。 - 特許庁 - In this half-tone phase-shifting photomask 108 having a pattern of a half-tone phase-shifting film 102 which includes at least chromium and fluorine on a transparent substrate 101, the optical characteristic variation due to the excimer laser irradiation for exposure is reduced by patterning the film which is subjected to heat treatment with the half-tone phase-shifting film 102.
透明基板１０１上に少なくともクロムとフッ素とを含むハーフトーン位相シフト膜１０２のパターンを有するハーフトーン位相シフトフォトマスク１０８において、ハーフトーン位相シフト膜１０２により熱処理を施した膜をパターニングすることにより、露光用エキシマレーザー照射における光学特性変化を低減した。 - 特許庁 - The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode.
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上に、ソース電極３とドレイン電極４とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。 - 特許庁 - The patterning apparatus has a laser irradiating device 30 for so irradiating a laser light L on the predetermined place of the processing object material S as to remove the processing object material S present in the predetermined place, a plasma generating device 40 for gasifying by a plasma the removed processing object material S, and a discharging device 50 for discharging the gasified processing object material S.
処理対象材Ｓの所定箇所にレーザ光Ｌを照射して、所定箇所の処理対象材Ｓを除去するレーザ照射装置３０と、除去された処理対象材Ｓをプラズマによりガス化するプラズマ発生装置４０と、ガス化された処理対象材Ｓを排出する排出装置５０とを備える。 - 特許庁 - In order to provide the patterning device 32, which has the material layer 31 and the patterned layer of the opaque material, on the surface of the material layer and form the PFPE liquid layer 40, the PFPE liquid which covers the surface is applied to the surface, and at least a part of the PFPE liquid layer is removed.
素材層３１および不透明材料のパターン状層を有するパターニング・デバイス３２を素材層の表面に設けることと、ＰＦＰＥ液層４０を形成するため、表面に表面を覆うＰＦＰＥ液を塗布することと、ＰＦＰＥ液層の少なくとも一部を除去することとを含む。 - 特許庁 - To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials
ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁 - The method for forming a reticle includes a process of providing a reticle blank having a quartz layer, attenuation phase change layer and metal layer, a process of coating the reticle blank with a resist, a process of patterning the resist into a plurality of levels, and a process of etching the reticle blank in accordance with the multilevel resist pattern.
本発明のレチクル形成方法は、石英層、減衰位相変化層および金属層を有するレチクルブランクを提供する工程と、該レチクルブランクをレジストで覆う工程と、該レジストを複数レベルにパターンニングする工程と、該マルチレベルレジストパターンに従って該レチクルブランクをエッチングする工程とを包含する。 - 特許庁 - A laser beam radiated in the shape of a circular cross section from a laser oscillator 4 is shaped into almost a rectangle by placing, in the laser beam, a set of two cylindrical lenses 5a and 5b arranged orthogonally to each other, when the tin oxide film applied onto a glass substrate 9 is subjected to the electrode patterning process by the irradiation of the laser beam.
ガラス基板９上に被覆された酸化錫膜にレーザービームの照射により電極パターニング加工をするとき、レーザー発振器４から出射したビームの断面円形状をシリンドリカルレンズを互いに直交方向に配置した２個のレンズ５ａ、５ｂを２個１組としてレーザービーム中に配置して略矩形に整形する。 - 特許庁 - Thus, since the accumulated capacitance electrode is formed on the layer different from that of the thin film transistor, the spot defect due to the short circuit between the accumulated capacitance electrode and the transistor is suppressed and, also, the display unevenness is suppressed by making smaller the fluctuation of an offset voltage by the fluctuation of an area when patterning the accumulated capacitance electrode.
蓄積容量電極を薄膜トランジスタと異なる層に形成するため、蓄積容量電極とトランジスタの短絡による点欠陥を抑制し、また、蓄積容量電極のパターニング時の面積変動によるオフセット電圧の変動を小さくして表示むらを抑制することができる。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.
メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.
誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁 - The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.
基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁 - Means for imparting the mutually different designs to both the decorative sheets may include a means for patterning both the decorative sheets differently from each other, a means for coloring both the decorative sheets differently from each other, a means for shaping both the decorative sheets differently from each other by forming a groove in one or both of surfaces of the floor plate.
両化粧シートに互いに異なる意匠を付与する手段としては、両化粧シートを互いに異なる模様とする手段、両化粧シートを互いに異なる色とする手段、床板の片面あるいは両面に溝を設けて両化粧シートを互いに異なる形状とする手段等が挙げられる。 - 特許庁 - The method for producing the black matrix of the color filter includes a stage of forming a black matrix layer of a hydrophobic organic material on one surface of a transparent substrate, a stage of forming a black matrix by patterning the black matrix layer, and a stage of making side surfaces of the black matrix hydrophilic by irradiating the other surface of the transparent substrate with ultraviolet rays while heating the black matrix.
透明基板の一の面に疎水性有機物からなる遮光層を形成する段階と、遮光層をパターニングしてブラックマトリックスを形成する段階と、ブラックマトリックスを加熱しながら透明基板の他の面側に紫外線を照射してブラックマトリックスの側面を親水化させる段階とを含む。 - 特許庁 - By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.
ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁 - In addition, since the protective insulator film 17 is provided between the top 11t of the recording layer 11 and the interlayer insulator film 16, damage to the recording layer 11 can be reduced at the time of patterning of the recording layer 11 or forming of a through hole 16a by which a part of the recording layer 11 is exposed.
しかも、記録層１１の上面１１ｔと層間絶縁膜１６との間に保護絶縁膜１７が設けられていることから、記録層１１のパターニング時や、記録層１１の一部を露出させるスルーホール１６ａの形成時において、記録層１１に与えるダメージを低減することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a fabric-fulling or tie-patterning method by which a fabric to be processed can efficiently be treated in processes for sticking the fabric to a thermally shrinkable film and then thermally shrinking the film to full and compact the fabric or draw a tie-pattern on the fabric, while omitting a process for drying an adhesive applied on the thermally shrinkable film and the fabric.
熱収縮性フイルムを被加工布帛に貼り合わせて加熱収縮させて被加工布帛を縮絨緻密化し、或いは、被加工布帛に絞り模様を描出する過程において、熱収縮性フイルムと被加工布帛に塗着した接着剤の乾燥工程を省き、効率的に被加工布帛を処理する。 - 特許庁 - This patterning base plate has the base material and a cell adhesion layer, wherein the cell adhesion layer is formed on the base material, contains a cell adhesion material having adhesiveness to the cells and decomposed or denatured by action of a photocatalyst due to energy irradiation, and further contains a binder.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、細胞と接着性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解または変性される細胞接着材料、およびバインダを含有する細胞接着層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁 - In addition, since the manufacturing method is based on such a unique idea that thermocouples are not combined, but many thermocouples are produced by patterning a sheet obtained by sticking different kinds of conductive materials to each other by etching, the semiconductor technology can be applied and fine thermocouples can be mass-produced inexpensively with a high productive efficiency.
さらに、熱電対を組み立てるのではなく、異なる導電性材料を貼り合わせたシートから多数の熱電対をエッチングでパターン化するという独特の発想に基づいているため、半導体技術を応用でき、微細な熱電対を高い生産効率と低いコストで大量に生産できる。 - 特許庁 - The mask blank comprises a thin film formed on a substrate for forming a mask pattern, and a resist film formed above the thin film, and is characterized in that the patterned resist film is prevented from collapsing upon developing the resist film for patterning by inserting a deposition layer joined with the thin film and the resist film.
基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、 前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a curable resin composition capable of forming cured films having high flatness and being preferably used to form protective films for optical devices having high transparency and surface hardness, excellent in heat and pressure resistance, acid resistance, alkali resistance and spattering resistance and having good patterning characteristics of wired electrodes, and excellent in preservation stability.
平坦性の高い硬化膜を形成することができ、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性に優れ、配線電極のパターニング特性が良好な光デバイス用保護膜を形成するために好適に用いることができ、保存安定性に優れる硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - In the method of manufacturing semiconductor device to perform patterning by partially removing an insulation film formed on a semiconductor wafer such as the marking of an ID number given to the semiconductor wafer, the insulation film is removed by irradiating a DUV laser which is aligned in the wavelength to the absorbing end of the insulation material forming the insulation film.
半導体ウェハに付されるＩＤ番号のマーキング等の半導体ウェハに形成された絶縁膜を部分的に除去してパターニングを行なう半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を構成する絶縁材料の吸収端に波長を合せたＤＵＶレーザの照射によって前記絶縁膜の除去を行なう。 - 特許庁 - According to this structure, the area of notches for release from the gripper 5 of the electrostatic chuck d2 can be made small, and as it is unnecessary to notch the center part of the electrostatic chuck, the attraction of the electrostatic chuck can be improved, deformation of the wafer 7 when it is attached and lowering of the patterning accuracy and inspection accuracy caused by the above-mentioned deformation can be prevented.
この構成により、静電チャック１２のグリッパ６からの逃げ用切り欠き４の面積を小さくでき、特に静電チャック１２の中央部１４を切り欠く必要が無いので、静電チャック１２の吸着能力が向上し、吸着時のウエハ７の変形とそれに起因する描画精度または検査精度の低下を防止できる。 - 特許庁 - An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.
次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device capable of improving brightness of display while improving adhesion between an organic transparent insulation film and an electrode formed on it, suppressing reduction in transmissivity of the organic transparent insulation film in the position wherein there is no electrode, and preventing patterning defective of the electrode, and to provide a method of manufacturing the same.
有機系透明絶縁膜とその上に形成される電極との密着性を改善すると同時に、前記電極が存在していない箇所における前記有機系透明絶縁膜の透過率の低下を抑制し、もって前記電極のパターン化不良を防止しながら表示の明るさを向上できる液晶表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.
基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁 - The method for creating a pattern data of a photomask for multiple exposure techniques is to be applied for multiple patterning using a plurality of photomasks prepared by dividing a designed pattern; and the method is characterized in that the pattern is divided to render the area of each pattern set to be almost equal to others in each pattern set in the plurality of photomasks after dividing the pattern.
設計パタンをパタン分割した複数のフォトマスクを用いて多重パターニングを行う多重露光技術用フォトマスクのパタンデータ作成方法であって、前記パタン分割後の複数のフォトマスクの各々のパタン集合において、前記各々のパタン集合の面積がほぼ等しくなるようにパタン分割することを特徴とする。 - 特許庁
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