「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 次へ＞- This method of manufacturing display device includes a step of patterning a resist layer 2 having a thickness excluding the thickness of the thickest resist film of a plurality of resist films having different film thicknesses in an area 13 other than a display area in a photoengraving process in which the plurality of resist films are provided for forming the pattern of the display device on the surface of a substrate 5.
基板５表面上に表示装置のパターンを形成するために、複数のレジスト膜厚を設ける写真製版工程において、表示領域以外の領域１３に、前記複数のレジスト膜厚のうち、最も厚いレジスト以外の厚さを有するレジスト層２をパターン形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 特許庁 - The color filter substrate 100 has a plurality of color filters through patterning processes, such as pattern exposure, by the use of exposure mask having the transflective region at the end of the transmissive region, development, and post baking so that an overlap step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a can be reduced to a height of 0.5 m or smaller.
本発明のカラーフィルタ基板１００は、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像、ポストベーク等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成しているので、ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を０．５μｍ以下にすることができる。 - 特許庁 - In a process of patterning a wiring 210 on a metal plug 206, when a photoresist 218 is removed, impurity is added to oxygen plasma 220 with a ratio of oxygen to impurity at about 1:1 or with the amount of oxygen decreased with respect to that of impurity, and then the photoresist 218 is removed by an oxygen plasma and then a substrate 200 is wet-cleaned with an alkaline solution.
金属プラグ上に配線をパターニングする工程において、フォトレジストを除去する時に、酸素プラズマ中に不純物を添加し、かつ酸素と不純物との比率を約１：１または酸素含有量が不純物含有量よりも小さくしてから、酸素プラズマによりフォトレジストを除去し、アルカリ性溶液で基板に対する湿式洗浄を行う。 - 特許庁 - A mask member provided with an aperture patterning for forming a recessed part at a short circuit waveguide termination is formed on a base member for forming the short circuit waveguide termination and thereafter fine abrasive grains are jetted to the surface of the base member exposed in the opening of the mask member to form the recessed part thereby forming the short circuit waveguide termination the bottom side of which is a short circuit side.
短絡導波管終端を形成する基材上に、短絡導波管終端の凹部を形成するための開口パターニングを備えたマスク材を形成した後、マスク材の開口内に露出する基材表面に、微細砥粒を噴射させて凹部を形成し、その底面を短絡面とする短絡導波管終端を形成する。 - 特許庁 - The color filter 10 comprising patterning a hydrophobic black matrix 13 on a light transmissive and hydrophilic glass substrate 11, coating and forming a plurality of colored pixels 14 respectively transmitting visible light of a plurality of colors in the apertures of the black matrix 13, and forming thick film parts and thin film parts within the same colored pixels 14, and the method for manufacturing the same are provided.
光透過性で親水性のガラス基板１１の上に疎水性のブラックマトリクス１３をパターニングし、該ブラックマトリクス１３の開孔に異なる色の可視光をそれぞれ透過する複数の着色画素１４を塗工形成し、同一の着色画素１４内に厚膜部と薄膜部とを形成してなるカラーフィルタ１０およびその製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an array substrate comprising the steps of simultaneously patterning a three-layer metal film (Mo/Al/Mo) and multilayer nonmetallic film (SiNx/aSi:H/n+-type a-Si:H), by using one mask pattern capable of forming a stepwise cut of a film covering the multilayer film pattern and sufficiently preventing a fault due to the cut.
一つのマスクパターンを用いて、三層金属膜（Mo／Al／Mo）及び多層非金属膜（ＳｉＮｘ／ａ-Ｓｉ:Ｈ／ｎ^+ａ-Ｓｉ:Ｈ）を一括してパターニングする工程を含むアレイ基板の製造方法において、多層膜パターンを覆う膜についての段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁 - The magnetic card comprises a first concealing layer 3 and a second concealing layer 4 to cover a magnetic recording layer 2 on the basic material for the card 1 provided with the magnetic recording layer 2, a solid ink layer 7 not having the same color as that of the concealing layer and a patterning layer 5 onto the first concealing layer 3 disposed partially, and a protective layer 6.
磁気記録層２を設けたカード基材１上に、該磁気記録層２を被覆するように第一隠蔽層３と第二隠蔽層４とを設け、部分的に露出させた第一隠蔽層３上に、隠蔽層とは同一色ではないベタインキ層７と絵柄層５とを施し、さらに保護層６を設けたことを特徴とする磁気カード。 - 特許庁 - To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.
支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁 - The laminate composed of the dielectric layer and the metallic tin-film layer is manufactured by using a process in which a resin material is attached and the dielectric layer is formed, a process in which a patterning material is attached on the dielectric layer in a beltlike manner, and a process in which the metallic thin-film layer is laminated as one unit and repeating the processes in fixed numbers.
樹脂材料を付着させて誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上にパターニング材料を帯状に付着させる工程と、金属薄膜層を積層する工程とを一単位とし、これを所定の回数繰返すことにより、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層体を製造する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.
半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁 - If polymethyl methacrylate is irradiated with electron beams or is subjected to irradiation with the electron beams by applying a technique of electron beam lithography and is reacted with a metal complex, the reducing power of the metal captured into the polymethyl methacrylate can be regulated; free patterning can be performed and the polymethyl methacrylate-metal cluster complex can be obtained.
ポリメチルメタクリレートに対し、電子線を照射、又は電子線 リソグラフィーの手法を適用して、電子線照射を行い、これに金属錯体を反応させると、ポリメチルメタクリレート内部に取りこまれる金属の還元力を調整することができ、自由なパターニングを行うことでき、ポリメチルメタクリレート−金属クラスター複合体をえることができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor element having a p-type gallium nitride semiconductor layer doped with Mg comprises irradiating the surface of the p-type gallium nitride semiconductor layer with ultrasonic waves in at least one treating liquid among strong acids and strong alkalis to pretreat the surface of the layer before resist coating for p-type patterning.
マグネシウムがドープされたｐ型窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法において、ｐ型パターニングのためのレジスト塗布の前に、強酸及び強アルカリの少なくとも１つの処理液中で超音波を照射しながらｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を前処理する。 - 特許庁 - To provide an improved plasmon element itself important for assisting and supporting various application techniques and utilization techniques and a relatively simple method of high capacity for manufacturing the same, especially to provide a composite film capable of patterning a surface plasmon intensifying field in high density and having the surface plasmon intensifying field low in cost.
各種応用技術、利用技術の発展を援助し、支えるのに重要な改良されたプラズモン素子自体、及びそのための、比較的簡単で高性能な製造法を提供することを目的とするものであり、特に、表面プラズモン増強場を高密度にパターニングでき、かつ低コストな表面プラズモン増強場を有する複合膜を提供すること。 - 特許庁 - An alignment marker used for patterning in repeatedly performing epitaxial growth and ion implantation on a low resistance arsenic-doped silicon substrate by using the multistage epitaxial system is formed as a projection or recess having a level difference which is formed by selectively reducing the thickness of an oxide film provided on a back side opposite to an epitaxial growth side.
低抵抗砒素ドープシリコン基板に多段エピタキシャル方式によるエピタキシャル成長とイオン注入を繰り返し実施する際にパターニングに用いられるアライメントマーカーを、前記エピタキシャル成長面とは反対側の裏面に設けた酸化膜の膜厚を選択的に減厚して形成した段差からなる凸部又は凹部として形成する。 - 特許庁 - To provide resin compositions, which have high dimensional stability and sufficient mechanical strength and can obtain a porous polyimide resin film performable of minute patterning and giving excellent photosensitivity; a porous polyimide obtained by using these resin compositions; and a printed wiring board having a protective film formed of the porous polyimide.
高い寸法安定性と十分な機械強度を有し、かつ微細なパターニングが可能な優れた感光性を付与することが可能な多孔質ポリイミド樹脂膜を得ることができる樹脂組成物、及びこれらの樹脂組成物を用いて得られる多孔質ポリイミド、当該多孔質ポリイミドからなる保護膜を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.
また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁 - The patterning apparatus has a vacuum chamber adjustable in pressure, a nozzle connected to a material feeding source and also arranged in the vacuum chamber, into which a material from the material feeding source is fed, and a substrate stage arranged in the vacuum chamber for holding and fixing a substrate.
本発明に係るパターニング装置は、圧力を調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続され、かつ前記真空チャンバーに取り付けられ、前記真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給するノズルと、前記真空チャンバー内に設けられた、基体を保持固定するための基体ステージと、を備えている。 - 特許庁 - In a manufacturing method for an active matrix substrate used for a reflective liquid crystal display device, for forming unevenness on a surface of a pixel electrode (reflection electrode) to scatter light, convex parts 701 and 702 are formed through patterning using the same photomask as that used for forming a TFT, thereby forming unevenness on a surface of a pixel electrode 169.
本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 - 特許庁 - The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.
非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a surface finish method which enables the range worked with patterning to be designed easily and to be carried out efficiently with a satisfactory finish condition not depending on a grinding method by handyman's hands or machines, when making the concrete surface of exposed concrete or a precast product express the ballast of aggregate and attaching concave-convex patterns.
打ち放しコンクリートやプレキャスト製品のコンクリート表面に骨材の砂利を表出させて凹凸模様を付ける際に、職人の手や機械によってハツル方法によらず、仕上がり状態が良好で、模様付けする範囲を容易にデザインすることができ、かつ効率的に行うことができる、表面仕上げ方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce contact resistance between first and second electrodes, with respect to an acoustic wave device which has the first electrode, and the second electrode laminated at a part of the upper surface of the second electrode to be electrically connected to the first electrode, and in which patterning using alkali developer is performed between first and second electrode formation processes, and a method for manufacturing the same.
第１の電極と、第２の電極の上面の一部に積層されて第１の電極に電気的に接続される第２の電極とを有し、第１，第２の電極形成工程の間に、アルカリ現像液を用いたパターニングが行われる弾性波装置及びその製造方法において、第１，第２の電極間の接触抵抗を小さくする。 - 特許庁 - This connection structure of a printed circuit board 400 equipped with a patterned grounding contact is configured of a grounding contact by forming a grounding pattern by patterning one face of a printed circuit board 400, and directly soldering a shield wire 130 of a coaxial cable 100 exposed to the outside on the formed grounding pattern to form a shield wire soldering part 320.
パターン化した接地部を備えた印刷回路基板４００の接続構造体は、印刷回路基板４００の一面にパターン化して接地パターンを形成し、形成された接地パターン上に外部に露出した同軸ケーブル１００のシールドワイヤ１３０を直接半田付けして、シールドワイヤ半田付け部３２０を形成することにより、接地部を構成する。 - 特許庁 - The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.
基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁 - The mask with an open end corresponding to the electro- conductive film formed part, for patterning the electro-conductive film by forming the electro-conductive film through the open end in a state that the mask is brought into contact with a substrate, is characterized by being provided with convexoconcave on a contacting face of the mask with the substrate.
導電膜パターンの形成部分が開口部となっているマスクであって、該マスクを基板に接触させた状態で該マスクの開口部を介して導電膜を成膜して導電膜のパターン化をおこなう導電膜パターン化用マスクにおいて、該マスクの基板と接触する面に凹凸を設けたことを特徴とする導電膜パターン化用マスク。 - 特許庁 - Since the heaters 15 are formed on the insulating base layer 14 formed on the back of the solid electrolyte substrate 11 by patterning using insulating paste, the heat conductivity to the solid electrolyte substrate 11 from the heaters 15 is enhanced as compared with a conventional example wherein the heaters are patterned on separate substrates and the number of members or manufacturing processes is also reduced.
固体電解質基板１１の裏面に形成された絶縁性ペーストによる絶縁基層１４上にヒータ１５がパターニング形成されているため、ヒータが別途のヒータ基板上にパターニングされている従来例に較べ、ヒータ１５から固体電解質基板１１への熱伝導性が向上し、しかも、部材や製造工程も削減される。 - 特許庁 - The reticle 2 usable for EUV aligners comprises a super-invar substrate 20, a smoothed layer FL formed on the upside of the substrate, a multilayer film ML formed on the layer FL for reflecting EUV rays and a patterning layer AL having an exposure pattern on the multilayer film.
本発明に係るレチクルは、ＥＵＶ露光装置に用いるレチクル２であって、スーパインバ基板２０と、このスーパインバ基板の上面に形成された平滑化層ＦＬと、この平滑化層上に形成された、ＥＵＶ光を反射するための多層膜ＭＬと、この多層膜上に形成された、露光パタンを有するパタニング層ＡＬと、を具備するものである。 - 特許庁 - To provide: a method for forming a solder layer in which the solder layer is formed on a surface of a terminal with high patterning precision even when terminals have high density without using a large-scale device; a method for connection between the terminals that uses the solder layer formed by the method for forming the solder layer; a semiconductor device having high reliability; and an electronic apparatus.
大掛かりな装置を用いることなく、高密度な端子であっても高いパターニング精度で端子の表面に半田層を形成することができる半田層の形成方法、かかる半田層の形成方法により形成された半田層を用いた端子間の接続方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁 - The pattern forming method includes steps of: forming an etching mask 9 having a predetermined pattern formed on a member 3 to be processed; impregnating the etching mask 9 with a predetermined material 12; and patterning the member 3 to be processed using the etching mask 9 impregnated with the predetermined material 12.
被加工部材３上に所定のパターンが形成されたエッチングマスク９を形成する工程と、前記エッチングマスク９に所定の物質１２を含浸させる工程と、前記所定の物質１２を含浸した前記エッチングマスク９を用い、前記被加工部材３をパターニングする工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。 - 特許庁 - The fabric type semiconductor device package comprises a fabric printed circuit substrate having a woven fabric and a first lead part formed by patterning a conductive material on the woven fabric; a semiconductor device having an electrode part connected to the lead part of the fabric printed circuit substrate; and a molding that seals the fabric printed circuit substrate and the semiconductor device.
布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成された第１リード部と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。 - 特許庁 - The method for manufacturing the partition of the biochip 100 including a substrate 10 and the partition 20 for partitioning its surface includes a first film formation process for forming a first film on the substrate 10 by using the radiation-sensitive composition containing a color former (A), and a partition forming process for forming the partition 20 by patterning the first film by a lithography method.
基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁製造方法で、カラーフォーマー（Ａ）を含む感放射線性組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する隔壁形成工程と、を備える。 - 特許庁 - In the method for manufacturing an active matrix substrate used for a reflective liquid crystal display device, projections 701, 702 to roughen the surface of the pixel electrode (reflection electrode) to scatter light are formed by patterning by using the same photo mask used for the formation of TFTs to form the recesses and the projections on the surface of the pixel electrode 169.
本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the substrate for microarray 100, equipped with a substrate 10, a bulkhead 20 partitioning surface of the substrate 10 and an area 30 partitioned by the bulkhead, includes the process to form the first film by using the composition containing compound (A) such as C.I. pigment red 254, and the process to form the bulkhead through patterning of the first film.
基板１０とその表面を区画する隔壁２０と隔壁により区画された領域３０とを有するマイクロアレイ用基板１００の製造方法において、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２５４等の化合物（Ａ）を含む組成物を用いて第１膜を形成する工程と、第１膜をパターニングして隔壁を形成する工程と、を備える。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device includes: a step of sequentially forming a metal-containing film 108 and polysilicon film 109; a step of patterning the metal-containing film and polysilicon film to be shaped to the resistive element; and a step of forming a hollow region 119 under the polysilicon film by removing a portion of the metal-containing film.
基板上に金属含有膜１０８及びポリシリコン膜１０９を順次形成する工程と、前記金属含有膜及び前記ポリシリコン膜を抵抗素子形状にパターニングする工程と、前記金属含有膜の少なくとも一部分を除去することにより、前記ポリシリコン膜の下に中空領域１１９を形成する工程とを備えている。 - 特許庁 - The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.
電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁 - To achieve the object, there are provided a cell culture patterning substrate comprising, a substrate material provided with a convex portion, and a cell culture region, which is a region for culturing a cell, formed on a surface of the substrate material, wherein the cell culture region is partitioned with the convex portion of the substrate material provided with the convex portion.
上記目的を達成するために、本発明は、凸部を有する基材と、前記基材表面に形成された細胞を培養する領域である細胞培養領域とを有し、前記細胞培養領域が、凸部を有する基材の前記凸部によって区画されていることを特徴とする細胞培養用パターニング基板を提供する。 - 特許庁 - When the temperatures of a shield plate assembly 130 and the patterning slit sheet 150 are sufficiently low, the vapor deposition substances 115 radiated to no-desired directions are all absorbed to the face of the shield board assembly 130 to retain a high vacuum, thereby the straight travelling properties of the vapor deposition substances can be secured without generating collision between the vapor deposition substances.
遮断板アセンブリ１３０とパターニングスリットシート１５０との温度が十分に低ければ、所望しない方向に放射される蒸着物質１１５は、いずれも遮断板アセンブリ１３０面に吸着されて高真空を維持できるため、蒸着物質間の衝突が発生せずに、蒸着物質の直進性を確保することができる。 - 特許庁 - The tree classification method and pruning method are such that garden trees are classified in five categories from the viewpoint of a tree form, and shown as tree forms made by patterning peculiar features for each classification, based on each physiological ecology for each classification, and the pruning method backed up from the physiological ecology.
課題を解決するために、樹形という観点から庭木を5つに分類して、分類毎に其々の生理生態と生理生態から裏付けされた剪定方法に基づいて、分類毎に特徴的な形態をパターン化した樹形とて現したことを特徴とする樹木の分類法と剪定のメソッドを提供して課題解決を図るものである。 - 特許庁 - On a substrate used for a production process of a large liquid crystal display, a probe card capable of the simultaneous collective contact to the entire chips on a wafer in high accuracy and low cost is disposed by patterning the following components using photolithography technique or the like: a contact pad with wafer and required wiring; a correction capacity for frequency characteristic improvement; and a signal switching thin-film transistor, and the like.
大型液晶ディスプレイの製造工程で採用されている基板上に、ウエハーとのコンタクトパッドと必要な配線、周波数特性改善用の補正容量、信号切り替え薄膜トランジスター等をフォトリソグラフ技術等でパターンニングすることにより、高精度且つ低コストのウエハー全チップ一括同時コンタクトが可能なプローブカードを作成する。 - 特許庁 - The phosphor-powder application process of the light-emitting diode comprises the steps of providing a chip, forming a photoresist layer so as to cover the chip, exposing a phosphor powder application area on the chip by patterning the photoresist by the optical lithography process, and filling phosphor powder containing resin to the area.
チップを提供するステップと、前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.
半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁 - A molten ink 4 in a molten condition is coated on a printed wiring board, having at least a conductive layer 2 on an insulative base; an absorptive sheet 5 capable of absorbing the heat melting ink is overlaid on the printed wiring board; and a non-patterning part is heated in accordance with data to heat transfer it, thereby forming a resist pattern.
絶縁性基材上に少なくとも導電性層２を設けてなるプリント配線板上に、熱溶融インク４を溶融状態でプリント配線板にコーティングし、次に熱溶融インクを吸収しうる吸収シート５をプリント配線板に貼り合わせ、データに従って非画像部を加熱し、吸収シートに熱転写することによりレジスト画像を形成する。 - 特許庁 - A resist layer 2 is formed on a surface 1A of a work 1 with the very small groove to be formed thereon, the patterning corresponding to the required very small groove is performed, an electrolyte 5 is interposed between the work 1 and a machining electrode 3, the pulse voltage is applied from a pulse voltage generator 6, and the work 1 is electrolytically etched using this resist layer 2.
微小溝を形成しようとする被加工物１の表面１Ａにレジスト層２を形成して所要の微小溝に相応したパターニングを行い、被加工物１と加工用電極３との間に電解液５を介在させてパルス電圧発生器６からパルス電圧を印加し、このレジスト層２を用いて被加工物１を電解エッチングする。 - 特許庁 - The step of forming the trench etching pattern on the substrate substantially further includes depositing the silicon nitride film on the substrate on which a pad oxidation film is formed, patterning, and forming a thermal oxidation film on the inner wall surface by an annealing so as to repair etching damages between the step of forming the trench and the liner.
本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。 - 特許庁 - The resist removing composition is used to remove resist for patterning of a metal film for an electronic circuit or metal wiring of a display device, has excellent power to remove resist remaining on a patterned metal film, ensures a slight composition change due to volatilization at high temperature and a low fatigue degree of the liquid chemicals, and minimizes corrosion of the patterned metal film.
本発明のレジスト除去用組成物は電子回路又は表示素子の金属配線をパターンするレジスト除去に使用されて、パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去力が優れており、高温で揮発に応じた組成変化及び薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐食を最少化できる。 - 特許庁 - To provide a method for removing a silicon-containing two-layer resist comprising a first resist layer containing an organic high molecular compound and a photosensitive silicon-containing second resist layer for reworking after the patterning of the second resist layer while suppressing the occurrence of defects on a wafer in removal in a process for producing a device using the two-layer resist on a substrate.
基板上に有機高分子化合物を含む第１レジスト層と感光性シリコン含有第２レジスト層からなるシリコン含有２層レジストを用いるデバイス製造工程において、第２レジスト層をパターニングした後で、リワーク等のために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記２層レジストを剥離する方法を提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming a resin layer 4a, getting round the electrodes, patterning the conductive layer 5 on the electrodes and on the resin layer 4a in correspondence with the projections 4, and forming the projections 4 by removing the resin layer 4a located between the conductive layers 5, with the patterned conductive layer 5 as a mask.
半導体装置１に電極を避けて樹脂の層４ａを形成する工程と、電極上及び樹脂の層４ａ上に導電層５を突起体４に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層５をマスクとし、導電層５の間に位置する樹脂の層４ａを除去して突起体４を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the ferroelectric memory device comprises processes of (a) forming a ferroelectric layer 214a over a first conductive layer 212a, (b) patterning the ferroelectric layer 214a, and (c) forming an insulation layer 222 so as to fill in spaces formed in the ferroelectric layer 214a by a method which allows no hydrogen to be generated.
強誘電体メモリ装置の製造方法は、（ａ）第１導電層２１２ａの上に、強誘電体層２１４ａを形成する工程、（ｂ）強誘電体層２１４ａをパターニングする工程、（ｃ）強誘電体層２１４ａの相互間を充填するように、水素を発生させない方法により絶縁層２２２を形成する工程を含む。 - 特許庁 - The micro movable element manufacturing method includes a step of forming the movable part 10, the frame 20 and the connecting part 40 on a material substrate, and a step of sticking a film material to the surface of the material substrate during the forming step and patterning the film material to form the support structure member 71 for bridging the movable part 10 and the frame 20.
本発明は、材料基板に可動部１０、フレーム２０、および連結部４０を作り込む成形工程と、成形工程の途中において、材料基板の表面にフィルム材料を貼り合せ、当該フィルム材料をパターニングすることにより、可動部１０およびフレーム２０を架橋するためのサポート構造体７１を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - This resin composition for artificial marble is obtained by compounding additives such as a filler, a patterning material, an inner mold release agent, and a hardening agent into a thermosetting resin, and is used for manufacturing artificial marble by pouring the resin composition into a casting mold to be hardened and molded, where glass micro-balloons are added and compounded in the resin composition.
熱硬化性樹脂に充填材、柄材、内部離型剤、硬化剤等の添加物を配合した樹脂組成物を得て、これを注型用金型に注入して成形硬化させることにより人造大理石を製造するのに用いる人造大理石用の樹脂組成物であって、この樹脂組成物中にガラス微小中空球を添加配合した。 - 特許庁
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