「plane pattern」を含む例文一覧(760)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 15 16 次へ＞- The pneumatic tire comprises a tread portion provided with an asymmetrical tread pattern comprising a crown rib 3 partitioned by a main groove in the crown circumferential direction of the both sides of a tire equatorial plane.
トレッド部に、タイヤ赤道面両側のクラウン周方向主溝によって区画されるクラウンリブ３を含む非対称パターンを具える。 - 特許庁 - The slit type image is configured to generate a curved pattern image of a patterned radiation beam on the image flat plane of a projection system.
スリット型の像は、パターニングされた放射ビームの湾曲パターンイメージ部分を投影システムの像平面に生成するように構成されている。 - 特許庁 - X-ray diffraction pattern (lattice plane spacing d/Å): 13.2±0.6, 12.3±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1, and 3.4±0.1.
Ｘ線回折パターン格子面間隔ｄ／Å（オングストローム）１３．２±０．６１２．３±０．３９．０±０．３６．８±０．３３．９±０．２３．５±０．１３．４±０．１ - 特許庁 - The first diffusing pattern 22 is a V-shaped groove 22B provided in the inner surface of a rectangular hollow 22A recessed in the plane of incidence 19.
第１の拡散パターン２２は、光入射面１９に凹設された矩形状をした窪み２２Ａの奥面にＶ溝２２Ｂを設けたものである。 - 特許庁 - The concave-convex surface forms a pattern 5a, having one or more divisions 7 arranged in a plane which is parallel to the main plane of the substrate, and the convex portions are arranged in either the divisions 7 or other parts.
凹凸面が、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画７を有するパターン５ａを構成し、区画７の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。 - 特許庁 - In the pattern drawing apparatus, the plane mirror 51 rotates in the opposite direction to a rotating direction of the stage 3 in pre-alignment of a substrate, so that a reflection surface of the plane mirror 51 is set perpendicular to the main scanning direction.
パターン描画装置では、基板のプリアライメント時におけるステージ３の回転方向とは反対向きにプレーンミラー５１が回転することにより、プレーンミラー５１の反射面が主走査方向に対して垂直とされる。 - 特許庁 - The extraction part 15 transfers the read imaging picture, as an extracted pattern picture, via a plane area extraction part 16 and a correspondence coordinate calculation part 17 to a plane projection matrix calculation part 18.
パターン抽出部１５では、読み出したパターン撮像画像を抽出パターン画像として平面領域抽出部１６、対応座標算出部１７を経て平面射影行列算出部１８に転送する。 - 特許庁 - First, the line width of the inside of the wafer surface is measured after a photolithography process is completed, and a Zernike coefficient in a Zernike polynomial for indicating a plurality of in-plane pattern components is calculated from the in-plane line width measurement value of the wafer.
先ず，フォトリソグラフィー工程が終了したウェハ面内の線幅を測定し，そのウェハ面内の線幅測定値から，複数の面内傾向成分を表すゼルニケ多項式のゼルニケ係数を算出する。 - 特許庁 - To provide a pachinko machine capable of continuously identifying a prize hitting pattern determined and stopped in a pattern display device when variable display is started for the next prize hitting judgement after prize hitting display is determined on a prize hitting judgement display plane of the pattern display device.
図柄表示装置の当り判定用表示面において当り表示が確定した後、次の当り判定のための変動表示が開始された場合、該確定停止した当り図柄を図柄表示装置において継続して確認できるパチンコ遊技機を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist pattern, a method for fabricating a semiconductor device, and an apparatus for forming the resist pattern, in which advantages of sililation process is displayed while line width can be controlled precisely and uniformly in plane irrespective of density or size of the pattern.
パターンの粗密やサイズに関係なく、高精度且つ面内均一に線幅制御が可能でありながら、シリル化プロセスの利点を生かすことができるレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびレジストパターンの形成装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a stencil mask for reducing an influence on the roughness of a transfer penetration pattern, and for controlling the dimension of the transfer penetration pattern while maintaining the rectangularity of the transfer penetration pattern or dimension uniformity in a plane, and a method for manufacturing the stencil mask.
転写貫通パターン端部のラフネスへの影響が小さく、また転写貫通パターンの矩形性や面内の寸法均一性を維持したまま転写貫通パターンの寸法を制御することができるステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A plane size of the irregular pattern P is almost a rectangle of 50 nm×50 nm to 30 μm×15 mm, and flatness of the disk is 50 μm or less.
凹凸パターンＰの平面サイズが５０ｎｍ×５０ｎｍ〜３０μｍ×１５ｍｍの略矩形であり、ディスクの平坦度が５０μｍ以下である。 - 特許庁 - The end parts of a metallic plane sheet in which hole parts 3a are pierced to form a required pattern are welded to constitute a hollow cylinder, forming a resistance heating body 3.
穴部３ａを打ち抜いて所要のパターンを形成した金属平板の端部を溶接して中空円筒を構成し、抵抗発熱体３とする。 - 特許庁 - In a plane that is perpendicular to the longitudinal direction of the differential transmission pattern 2 and the differential transmission cable 4, the signal lines are positioned at the apexes of an equilateral triangle.
差動伝送パターン２と差動伝送ケーブル４の長手方向に直交する平面において、各信号線は正三角形の頂点に位置する。 - 特許庁 - To provide projection optical equipment which can align an image plane of a pattern and an exposed surface of a photosensitive substrate with each other without increasing the size of a substrate stage.
基板ステージを大型化することなくパターンの像面と感光基板の被露光面とを合致させることができる投影光学装置を提供する。 - 特許庁 - A patterned medium 1 has a bit pattern 6 consisting of convex parts 4 of a magnetic material at one side plane or both planes of a non-magnetic substrate 2 having a center hole 3.
パターンドメディア１は、中央穴３を有する非磁性基板２の片面あるいは両面に、磁性体の凸部４からなるビットパターン６を有する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a photosensitive resin film by which in-plane film thickness variation of the photosensitive resin film before pattern image formation can be diminished.
パターン画像を形成する前の感光性樹脂膜の面内膜厚変動を小さくすることができる感光性樹脂膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14.
ダミーセル部１４では、ダミーセル活性領域３８及びこれを区画するダミーセル素子分離領域４０の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁 - To provide a base station antenna device capable of achieving a wide half width of not less than 100° in a horizontal plane by improving F/B ratio of radiation pattern characteristics.
放射パターン特性のＦ／Ｂ比を改善し、水平面内で１００°以上の広域な半値幅を実現可能な基地局アンテナ装置を提供する。 - 特許庁 - The in-plane film thickness distribution of a wafer W is determined according to a processing recipe including the type of resist liquid and the transition pattern of the number of revolutions of the wafer W.
ウエハＷの面内の膜厚分布は、レジスト液の種類及びウエハＷの回転数の推移パターンを含む処理レシピに応じて決まる。 - 特許庁 - The method includes a step 502 for selecting at least one super-pixel in an object plane of a desired pattern, wherein the super-pixel is formed of at least two pixels.
所望パターンの物体平面で少なくとも１つのスーパーピクセルを選択するステップ５０２を含み、スーパーピクセルは少なくとも２つのピクセルから形成される。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board which is free from cracks of the edge plane of outline punching and which improves the outline workability from the aspect of the pattern design.
外形加工性の改善を、パターン設計の面から改善するとともに、外形打抜き端面のクラック発生などがないプリント配線板を提供する。 - 特許庁 - Thus, when a winding stem 8 is pulled by one step, the reset-lever 3 is moved over planar plane to a predetermined direction to contact its leading end 3a to the overhung pattern 4a.
従って、巻真８を１段引くと、リセットレバー３が所定の方向に平面移動し、その先端部３ａをオーバーハングパターン４ａに接触させる。 - 特許庁 - Further, an insulation film 2a is deposited on the entire principal plane of the substrate 1S to cover the pattern of the insulation film 4a and a gate electrode G.
さらに、半導体基板１Ｓの主面上全面には、絶縁膜４ａのパターンおよびゲート電極Ｇを覆うように絶縁膜２ａが堆積されている。 - 特許庁 - To provide a three-dimensional pattern-like woven fabric from which many cubes or hexahedrons are seen so as to be floated up even by a plane woven fabric.
平面織物でありながらも無数の立方体或いは直方体が浮かび上がって見える立体柄風織物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The conductive pattern part 40 is formed, for example, around each of holes 21c and 21d on the plane on which the wing surface panel 21A and the wing surface panel 21B abut against each other.
この導電パターン部４０は、例えば、翼面パネル２１Ａと翼面パネル２１Ｂの合わせ面において、孔２１ｃ、２１ｄの周囲に形成される。 - 特許庁 - To provide an antenna system from which a radiation pattern of a vertically polarized wave with non-directionality on a horizontal plane can be obtained without the need for arranging its antenna elements in the middle of an earthing board.
アンテナを地板中央に配置することなく垂直偏波の水平面無指向性の放射パターンが得られるアンテナ装置を提供する。 - 特許庁 - One face of a metallic mirror 1 is used as a mirror plane 12 and the other face 10 to be worked is masked 2 by coating with a resin while leaving a letter pattern 110.
金属鏡１の一方の面を鏡面１２とし、反対側の加工表面１０に文字型１１０を残して、樹脂の塗布によりマスキング２を施す。 - 特許庁 - At least a part of a position of the photomask which corresponds to the position of the extreme value on the imaging plane is determined as a formation position of the auxiliary pattern.
前記結像面における前記極値をとる位置に対応する前記フォトマスクにおける位置の少なくとも一部を補助パターンの形成位置とする。 - 特許庁 - A slender winding extraction section is provided at ground/ power supply plane directly below a pad section 102 in parallel with a direction for withdrawing a pattern section 101 from the pad section 102.
パッド部１０２からパターン部１０１を引き出す方向に平行に、パッド部１０２直下のグランド／電源プレーンに細長い繰り抜き部を設ける。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method capable of easily suppressing the in-plane dispersion of dimensions generated from post exposure delay while drawing electron beams.
電子線描画中におけるポストエクスポージャーディレイから生じる寸法の面内ばらつきを簡便に抑制できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - This substrate has a surface substantially parallel to a {111} plane of the crystal material and the surface is processed to form cubic elements consisting of recesses, protrusions, or a combination of the recesses and protrusions in a given pattern.
この基板の表面を加工して、凹部、凸部、または凹部と凸部との組み合わせからなる立体形状要素を所定のパターンで形成する。 - 特許庁 - To appropriately define coordinates of respective spots in a nano electron beam diffraction pattern to calculate a lattice plane distance with sufficient accuracy.
本発明の課題は、ナノ電子線回折パタンにおける各スポットの座標を適切に定義し、格子面距離を精度良く算出することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a slot array antenna having a required frequency bandwidth for the antenna so that a main beam of a directional radiation pattern is perpendicular to the radiating plane of the antenna.
スロットアレーアンテナに必要な周波数の帯域幅をもたせると、放射指向性の主ビームがアンテナの放射面に垂直になるようなスロットアレーアンテナ - 特許庁 - The electrodes 11 are structured so as to be directly soldered to a wiring pattern 50 formed on the attached plane Pa of the printed wiring board P.
電極部１１は、プリント配線基板Ｐの被取付面Ｐａに形成された配線パターン５０に直接はんだ付けされるように構成される。 - 特許庁 - To provide an antenna device which has an omnidirectional horizontal radiation pattern and can set the direction of a main beam to a desired direction in a vertical plane.
水平面指向性が無指向性であり、かつ垂直面では主ビームの方向を所望の方向に設定することが可能なアンテナ装置を提供する。 - 特許庁 - Here, a perfect crystal means a parallel-sided slab of defect-free crystalline material, which produces an ideal point diffraction pattern when illuminated by a plane wave.
ここで、「完全結晶」とは欠陥がない結晶性の平行平板を意味し、これは平面波で照らされるとき理想的な「点状の」回折図形を作る。 - 科学技術論文動詞集 - For a game machine such as a PACHINKO machine, all or part of a pattern group which is displayed after displaced to or stopped at a displacement area 6a is arranged on almost the same plane to form a planar pattern group.
パチンコ機等の遊技機について、変動領域６ｂで変動または停止して表示する図柄群について、当該図柄群の全部または一部をほぼ同一面上に配置して面状図柄群を形成する。 - 特許庁 - With this, plane light emission giving out the irregular roughnesses and finenesses can be formed, so that state direction illumination such as a water surface pattern and a starry sky pattern can be easily formed at low cost without the need of any complicated light control.
これにより、不規則な粗密を成す面発光を形成することができるので、水面模様や星空模様等の演出照明を、複雑な調光制御なしに、容易、かつ、安価に実現することができる。 - 特許庁 - To provide resist pattern forming method and a device for the same, which can improve the protection performance of a first resist pattern and the in-plane coating performance of a second resist while saving the resist.
第１レジストパターンの保護性能の向上及び第２レジストの面内塗布性能の向上が図れ、かつ、レジストの省薬液化を図れるようにしたレジストパターン形成方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁 - A pattern formed on a mask is imaged and transferred onto an exposure plane by each of small regions 1, and the transferred images of the small regions 1 are linked together and arranged into an original pattern through this method.
本方法は、マスク上に形成されたパターンを小領域１毎に被露光面上に結像転写し、被露光面上では該小領域の像を繋げて配置することによりパターン全体を転写する方法である。 - 特許庁 - The first semiconductor pattern 15a and the second semiconductor pattern 15b include flat top surfaces 15t of a (100) crystal plane that are parallel with the central top surfaces 9t, and sidewalls 15s that are substantially perpendicular to the flat top surfaces.
第１半導体パターン１５ａ及び第２半導体パターン１５ｂは中心上面９ｔに平行な（１００）面の平坦な上面１５ｔ及び平坦な上面に実質的に垂直な側壁１５ｓを有する。 - 特許庁 - Also, the second substrate 3b is arranged on the first substrate 3a so that a portion of the second pattern 1b can be overlapped with a portion of the first pattern 1a in one region R in a plane layout.
また第２の基板３ｂは、平面レイアウトにおいて第２のパターン１ｂの一部が第１のパターン１ａの一部と一の領域Ｒにおいて重複するように第１の基板３ａ上に配置されている。 - 特許庁 - A tread 12 of the pneumatic tire 10 has an asymmetrical pattern as shown in Fig.1(A) when the tire is new, and has a point symmetrical pattern with a tire equatorial plane CL as a center as shown in Fig.1(B) when the tire is worn.
空気入りタイヤ１０のトレッド１２は、新品時は図１（Ａ）に示すように非対称パターンであり、摩耗時は図１（Ｂ）に示すようにタイヤ赤道面ＣＬを中心とする点対称のパターンとなる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method and a pattern size setting program that suppress in-plane variation in size of a pattern formed finally on a layer to be processed when a sidewall process is used.
側壁プロセスを用いた場合において、被処理層に最終的に形成されるパターン寸法の面内ばらつきを抑制することができる半導体装置製造方法および最適寸法設定プログラムを提供する。 - 特許庁 - A second substrate 20 is arranged on an XY axial plane in which a first substrate 10 is arranged, and a surface in which a first wiring pattern 12 is formed and a surface in which a second wiring pattern 22 is formed are opposed.
第１の基板１０が配置されたＸＹ軸平面上に、第２の基板２０を配置して、第１の配線パターン１２が形成された面と第２の配線パターン２２と形成された面とを対向させる。 - 特許庁 - A second substrate 30 is arranged on an XY axial plane in which a first substrate 10 is arranged, and a surface in which a first wiring pattern 12 is formed and a surface in which a second wiring pattern 32 is formed are opposed.
第１の基板１０が配置されたＸＹ軸平面上に、第２の基板３０を配置して、第１の配線パターン１２が形成された面と第２の配線パターン３２が形成された面とを対向させる。 - 特許庁 - To provide a processing liquid for forming a pattern due to a chemically amplified resist composition superior in in-plane uniformity (CDU) and defect performance of a resist pattern and in addition, for forming the resist pattern reducing an amount of use of the processing liquid in order to stably form a highly precise fine pattern for manufacturing highly integrated and highly precise electronic device, and to provide a method for forming the pattern using it.
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - An evaluation point P is determined on each partial curved plane S and the distribution pattern of light is calculated and displayed for each curved plane S based on the reflection conditions of the light from the light source position F for each evaluation point P.
そして、部分曲面Ｓ上に評価点Ｐを設定するとともに、評価点Ｐそれぞれでの光源位置Ｆからの光の反射条件に基づいて、部分曲面Ｓごとに配光パターンを算出して表示する。 - 特許庁 - Two-layer lens structure is obtained by arranging the respective microlenses 13 of a second microlens group arranged as one pattern which constitutes a checker in plane view on the respective microlenses 11 of a first microlens group arranged as the other pattern which constitutes a checker in plane view through a second transparent protection film 12.
平面視で市松模様状を構成する一方模様として配置された第１マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１１上に、第２透明保護膜１２を介して、平面視で市松模様状を構成する他方模様として配置された第２マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１３が配置されて２層レンズ構造となっている。 - 特許庁
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