「r-R」を含む例文一覧(23713)

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  • Solaris 10 Operating System (Solaris OS) (SPARC速 and x86/x64Platform Edition)
    Solaris[tm] 10 オペレーティングシステム (Solaris OS) (SPARC[R] および x86/x64 プラットフォーム版) - NetBeans
  • In the formula (1), R^1 and R^2 each independently represent a hydrogen atom or a 1-6C hydrocarbon group.
    (式中、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、または炭素数1〜6の炭化水素基である。) - 特許庁
  • In general formula (a), each of R^1 to R^6 represent a hydrogen atom or a monovalent substituent independently.
    前記一般式(a)中、R^1〜R^6は、各々独立に、水素原子または1価の置換基を表す。 - 特許庁
  • In general formula (1), each of R^1 to R^4 independently represents a hydrogen atom, a 1-12C alkyl group or the like.
    (R^1〜R^4は、それぞれ独立しており、水素原子や炭素数1〜12のアルキル基等である。) - 特許庁
  • In the formulae, R^1, R^3 show an alkyl group, an aralkyl group and an allyl group substituted or not substituted by hydrogen atom.
    式中、R^1、R^3は、水素原子、置換又は無置換の、アルキル基、アラルキル基、アリール基を表す。 - 特許庁
  • In the formula (2), R^a to R^e present hydrogen atom or 1-4C alkyl group, and m denotes an integer of 0 to 3.
    式(2)中、R^a〜R^eは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基、mは0〜3の整数である。 - 特許庁
  • In the formula, each of R is a hydrogen atom or a methyl group, and R may be the same or different from each other.
    (式中、Rは水素原子又はメチル基を表し、Rは互いに同じでも異なっていてもよい。) - 特許庁
  • The isonitrile is represented by general formula R-NC (R is preferably an i-butyl group or a t-butyl group).
    また、イソニトリルは、一般式 R−NCであり、Rは、i-ブチル基またはt-ブチル基であることが好ましい。 - 特許庁
  • In the formula, R^1 to R^4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or the like.
    下記式中、R^1〜R^4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基などを表す。 - 特許庁
  • In the general formula (I), R^1 and R^2 express respectively a hydrogen atom or a hydrocarbon group independently.
    下記一般式(I)中、R^1及びR^2は、各々独立に、水素原子、又は炭化水素基を表す。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING (R)-2-CHLOROMANDELIC ACID METHYL ESTER
    (R)−2−クロロマンデル酸メチルエステルの製造方法 - 特許庁
  • In formula (1), R^1 is a hydrogen atom or a methyl group; and R^2 is a 1C-6C alkyl group.
    式中、R^1は、水素原子又はメチル基を示し、R^2は炭素数1〜6のアルキル基を示す。 - 特許庁
  • For example, R^1 and R^2 may unitedly form a piperidine ring, a morpholine ring, a pyridine ring, or a pyrazinyl ring.
    たとえば、R1およびR2は、結合して、ピペリジン環、モルフォリン環、ピリジン環、またはピラジニル環を形成してもよい。 - 特許庁
  • A plurality of fibers 86 which are thicker than Teflon (R) are woven in a Teflon(R) layer 82.
    テフロン(登録商標)層82には、テフロン繊維よりも太い繊維86が複数本織り込まれている。 - 特許庁
  • The hose 26 consists of a Teflon(R) hose and a double-structured cover hose for covering this Teflon(R) hose.
    可撓性ホース26を、テフロンホースと、このテフロンホースを覆う二重構造のカバーホースとから構成する。 - 特許庁
  • The substrate material includes stainless steel, glass, Mylar (R) and Teflon (R).
    基材材料の例としては、ステンレス鋼、ガラス、マイラー(登録商標)またはテフロン(登録商標)が挙げられる。 - 特許庁
  • Fluorine-containing polyether represented by a general formula R^2O_2BC_6H_4NR^1CORfCONR^1C_6H_4BO_2R^2 is reacted with m- or p-dihalogenated benzene to provide fluorine-containing polyether oligomer.
    含フッ素ポリエーテル R^2O_2BC_6H_4NR^1CORfCONR^1C_6H_4BO_2R^2 にm-またはp-ジハロゲン化ベンゼンを反応させ、含フッ素ポリエーテルオリゴマーを得る。 - 特許庁
  • However, in the general formula (1) and the general formula (2), A, B, R^1 and R^2 are each independently hydrogen or a substituent.
    ただし式中、A,B,R^1およびR^2は、それぞれ独立に水素または置換基を示す。 - 特許庁
  • The five frictional fastening elements 13R/C, 234/C, 12/B, 4/B and R/B are collectively arranged on the rear side of the output gear OUT.
    出力ギアOUTの後方側に、5つの摩擦締結要素13R/C,234/C,12/B,4/B,R/Bをまとめて配置する。 - 特許庁
  • COMPACT FLASH (R) CARD AND ITS CONNECTOR DEVICE
    コンパクトフラッシュ(登録商標)カードとそのコネクタ装置 - 特許庁
  • The general formula (11) is CH_2=CR^7R^8 (in the formula, R^7 is hydrogen or methyl group, and R^8 is hydrogen or a group having a polar group).
    CH_2=CR^7R^8(11)(但し、R^7:水素又はメチル基、R^8:水素又は極性基を有する基) - 特許庁
  • R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is an integer].
    R−O−(C_3H_6O_2)_n−H (I)(式中、Rは炭素数6〜22の炭化水素基を、nは整数を示す。) - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING R-T-B PERMANENT MAGNET
    R−T−B系永久磁石の製造方法 - 特許庁
  • The (Z1): a group having R^FO- group on its terminal (R^F is a 1-20C perfluoroalkyl group or the like).
    基(Z1):末端にR^FO−基を有する基(R^Fは炭素数1〜20のペルフルオロアルキル基等。) - 特許庁
  • The transceiver includes an electric circuit having a series resistance to which modulation processing is performed in a form of resistor R(modulator).
    抵抗R(modulator)の形態でモジュレーション処理される直列抵抗を有した電気回路を含んでいる。 - 特許庁
  • RELEASING AGENT FOR FORMING R-Fe-B MAGNET
    R−Fe−B系磁石成形用離型剤 - 特許庁
  • SEAM WELDING MACHINE FOR WELDING INSIDE R OF WORK
    ワークの内Rを溶接するためのシーム溶接機 - 特許庁
  • FACTOR FOR ACTIVATING TRANSCRIPTION OF OATP-R TRANSPORTER
    OATP−Rトランスポーターの転写活性因子 - 特許庁
  • Output signals of each adder R, G, B are expressed as each display signal SR, SG, SB of R, G, B.
    各加算器11〜13の出力信号をR,G,Bの各表示信号SR,SG,SBとする。 - 特許庁
  • FILM DEPOSITION METHOD FOR R-T-B BASED MAGNET
    R−T−B系磁石の皮膜形成方法 - 特許庁
  • An actuator 31 constitutes an ON-OFF switchover device of an eddy current reduction gear R or R'.
    渦電流式減速装置R又はR’のON−OFF切換装置を構成するアクチュエータ31である。 - 特許庁
  • CRUSHING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING R-T-B TYPE PERMANENT MAGNET AND R-T-B TYPE PERMANENT MAGNET
    粉砕システム、R−T−B系永久磁石の製造方法、R−T−B系永久磁石 - 特許庁
  • To produce a compound of the formula, R^2CFICF_2OSO_2Cl (wherein R^2 is fluorine or perfluoroalkyl).
    R^2がフッ素またはパーフルオロアルキルである式R^2CFICF_2OSO_2Clの化合物を製造する。 - 特許庁
  • Wherein, R^1 and R^2 are same or differently H or a 1-4C alkyl.
    (式中、R^1,R^2は、同一又は異なるもので、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表わす。) - 特許庁
  • Water, ethanol or their mixed solvent is preferably used as an extractant for Nasturtiumofficinale R.
    オランダガラシ(Nasturtiumofficinale R. Br.)の抽出溶媒としては、水、エタノール、若しくはこれらの混合溶媒を用いることが好ましい。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD FOR R-T-N MAGNET POWDER
    R−T−N系磁石粉末の製造方法 - 特許庁
  • FRAME TRANSFER METHOD AND NODE IN ETHERNET (R)
    イーサネット(R)におけるフレーム転送方法及びノード - 特許庁
  • If R_1 and R_2 are selected, the circuit 16 has a resistive value R of R=(R_1×R_2)/(R_1+R_2).
    R_1 とR_2 とを選択すると、ゲイン調整回路の抵抗値Rは、R=(R_1 ×R_2 )/(R_1 +R_2 )となる。 - 特許庁
  • BUBBLE JET (R) SYSTEM INK JET PRINTER
    バブルジェット(登録商標)方式のインクジェットプリントヘッド - 特許庁
  • (Wherein, R^1 is a 6-20C aliphatic acyl; and R^2 is H or acetyl).
    (式中、R^1は炭素数6〜20の脂肪族アシル基であり、R^2は水素又はアセチル基を表す。) - 特許庁
  • (In the formula (5), R denotes a 1-5C alkyl group).
    (式(5)で、Rは炭素数1〜5のアルキル基を表す。) - 特許庁
  • In formula (1), R^1 is a lower alkyl group.
    但し、(1)式中R^1は低級アルキル基である。 - 特許庁
  • Companies’ R&D activities have declined both quantitatively (Chart 1-5) and qualitatively.
    企業の研究開発の量や質は低下 - 経済産業省
  • (Encouraging utilization of joint R&D by universities and companies, R&D for technology transfer purposes, or their outcomes)
    (大学等と企業等の共同研究、技術移転のための研究開発、成果の活用促進) - 経済産業省
  • First of all, the estimation results in the first stage (Fig. 2.1.9) showed that of all non-R&D intellectual assets, non-R&D intellectual assets common to all companies pushed up sales of the group of companies for which R&D expense data was available by an average 3 percent and also increased sales of the group of companies for which R&D expense data was not available by an average 2 percent.
    まず、第一段階の推計結果として(第2-1-9図)、非R&D知的資産のうち、すべての企業に共通な非R&D知的資産は、研究開発支出データが存在する企業群の売上を平均で3%、研究開発支出データがない企業群の売上を平均で2%、各々増加させている。 - 経済産業省
  • Figure 2.1.11 Relationship between R&D expenditures and ROE (IT field)
    第2-1-11図 研究開発費とROEとの関係(IT分野) - 経済産業省
  • 1. Promotion of R&D in line with the establishment of the control tower function for R&D related to healthcare
    1.医療分野の研究開発の司令塔機能の創設に伴う研究開発の促進等 - 厚生労働省
  • Apologies. senator hawkins. ray vincent.
    失礼 ホーキンス議員からで 広報担当のR・ヴィンセントだ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Its major production areas are the Tango region in Kyoto Prefecture where Tango Chirimen R is produced and Nagahama City in Shiga Prefecture where Hama Chirimen is produced.
    主な産地は京都府丹後地方の丹後ちりめんR、滋賀県長浜市の浜ちりめんである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The possible file open modes are "r" (read), "w" (write, clears the file first) and "a" (append to the end).
    使用できるオープンモードは "r" (読み込み)、"w" (書き込み、最初にファイルをクリアする)そして "a" (追記) のいずれかです。 - PEAR
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