「ray diffraction」を含む例文一覧(1018)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 20 21 次へ＞- The conductive compound has a main peak similar to a main peak of AgNiO_2 (X=Y=1) in X-ray diffraction, and is formed of a crystal where peaks of Ag_2O and AgO do not appear.
この導電性化合物は、Ｘ線回折においてＡｇＮｉＯ_2（Ｘ＝Ｙ＝１）の主ピークと同じ主ピークを有し、Ａｇ_2ＯおよびＡｇＯのピークが現れない結晶からなる。 - 特許庁 - When mounting parts 9, 10 are mounted on a rail 1, this X-ray diffraction device 5 is installed on the rail 1, and the incident angle ϕ_0 of X-rays is set at a single-incident angle.
装着部９，１０をレール１に装着するとレール１上にＸ線回折装置５が設置されて、Ｘ線の入射角ψ_0が単一入射角度に設定される。 - 特許庁 - Alternatively, in the Mo target material, the relative intensity ratio R_(110) in the (110) plane standardized by the main peak 4 points in the X-ray diffraction of the sputter face is ≥40%.
また、好ましくは、スパッタ面のＸ線回折における主ピーク４点で規格化した（１１０）面の相対強度比Ｒ_（１１０）が４０％以上であるＭｏターゲット材である。 - 特許庁 - To provide an X-ray diffraction measuring method capable of evaluating crystalline orientation of a drawn wire material, without requiring work for cutting or the like and without requiring labors and time for parallel array.
切断などの加工や平行に並べたりする手間を要することなく、伸線材の結晶配向性を評価することが可能なＸ線回折測定方法を提供する。 - 特許庁 - This PBN vessel to be used in producing the subject compound semiconductor single crystal is so designed that the X-ray diffraction integral intensity ratio for (100)-face and (002)-face: {I (002)/I (100) } determined for the face perpendicular to the thickness direction of the PBN vessel is set at 8-50.
ＰＢＮ製容器の厚さ方向に垂直な面で測定した（１００）面と（００２）面のＸ線回折積分強度比｛Ｉ（００２）／Ｉ（１００）｝の値を８〜５０に設定した。 - 特許庁 - A material that has a half-value width B of a reflection peak under the reflective X-ray diffraction corresponding to the (440) face of lithium manganate of a spinal structure is B≤0.145, is used as a positive electrode active material.
スピネル構造のマンガン酸リチウムの（４４０）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの半価幅Ｂが、Ｂ≦０．１４５であるものを正極活物質として用いる。 - 特許庁 - (Step 2) The crystal size of t is determined by a following equation from a half value width w of a peak observed when q of a scattering vector is in a range of 5<q<30 nm^-1 on the X-ray diffraction pattern acquired.
（ステップ２）得られたＸ線回折図形で、散乱ベクトル：ｑが、５＜ｑ＜３０ｎｍ^-1の範囲に観察されるピークの半値幅：ｗより次式により結晶サイズ：ｔを求める。 - 特許庁 - In the tungsten sputtering target, a crystal orientation ratio (110)/(200) of crystal surfaces (110) and (200) found by X-ray diffraction of a surface to be sputtered is 0.1 to 6.5.
Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。 - 特許庁 - The area shielded is changed according to the incident angle θ of the incoming X-ray, and a regularly or substantially optimum valid diffraction area on the curved dispersive crystal 3 can be thus used.
遮蔽される領域は入射Ｘ線の入射角θに応じて変化し、常に最適又はそれに近い湾曲分光結晶３上の有効回折領域を用いることができる。 - 特許庁 - In addition, it is expected that the present invention will provide a reliable and reproducible method for quantitative measurement of a very small amount of active oxygen produced therefrom through the X-ray diffraction analysis.
また、本発明は、その時に発生する微量の活性酸素をＸ線回折分析で定量して、信頼性及び再現性ある活性酸素発生量の測定技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a point-diffraction interferometer capable of inspecting surface quality of an extreme ultraviolet lithography optical system using a high-order harmonic X-ray source with excellent coherence.
干渉性が優秀な高次高調波エックス線光源を利用して超紫外線リソグラフィー用光学系の表面品質を検査できるエックス線干渉計測装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor X-ray detector which can be configured in a desired shape suitable for detecting diffraction X rays within a short distance by forming an opening in the center.
所望の形状に構成能で、中央部に開口部を形成して近距離での回折Ｘ線の検出に好適な形状に構成可能な半導体Ｘ線検出器を提供する。 - 特許庁 - The flake-like hydrous titanium oxide has such a layer structure that at least one peak of an X-ray diffraction pattern shows 2-4 nm d-spacing of lattice planes.
Ｘ線回折パターンの少なくともひとつのピークが２ないし４ｎｍのｄ面間隔を示す層状構造を有することを特徴とする薄片状含水酸化チタンを開示する。 - 特許庁 - To provide a structure analysis method of a crystal applicable even to a case where a peak usable as a reference peak cannot be observed near an analysis object peak in an X-ray diffraction method.
Ｘ線回折法において、基準ピークとなるようなピークが解析対象ピークの近傍に観測できないような場合にも適用できる結晶の構造解析方法を提供する。 - 特許庁 - This titanium hydride has microcrystal grains in which the half width value of the peak in the (1, 1, 1) plane as the strongest line of titanium hydride TiH1.971 by X-ray diffraction is 0.2122 degree or more.
水素化チタンは、Ｘ線回折による水素化チタンＴｉＨ_１．９７１の最強線である（１，１，１）面におけるピークの半価幅値が０．２１２２ｄｅｇｒｅｅ以上である微小結晶粒を持つ。 - 特許庁 - A ratio of peak intensity at (222) plane to that of (400) plane of the indium tin oxide of the ITO transparent conductive film at an X-ray diffraction is not less than 1:1 and not larger than 4:1.
成膜されるＩＴＯ透明導電膜は、Ｘ線回析において、酸化インジウム錫の（２２２）面のピーク強度と（４００）面のピーク強度の比が１：１以上４：１以下である。 - 特許庁 - The biaxially stretched polyamide film is characterized by that the fine crystal size thereof measured by X-ray diffraction is within a range of 45-100 Å over the total width thereof and the sonic wave elastic modulus thereof is 1.6 GPa or more.
フィルムの全幅に渡って、Ｘ線回折により測定される微結晶サイズが４５〜１００Åの範囲内にあり、且つ、音波弾性率が１．６ＧＰａ以上である。 - 特許庁 - When performing counting for "to" as time interval in a spectral diffraction position, the standard deviation Eo for the dispersion in the count N of X-ray total values which does not include statistical fluctuation is Sqrt (N).
ある分光位置においてｔｏ時間計数したときの統計変動を含まないＸ線計数値Ｎカウントが持つばらつきの標準偏差ＥｏはＳｑｒｔ（Ｎ）である。 - 特許庁 - <Positions (lattice plane distance d/Å) by the lattice plane distance display of the peaks in the X-ray diffraction pattern>: 12.4±0.8, 10.8±0.5, 9.0±0.3, 6.0±0.3, 3.9±0.3, 3.4±0.1.
＜Ｘ線回折パターンにおけるピークの格子面間隔表示による位置（格子面間隔ｄ／Å）＞１２．４±０．８、１０．８±０．５、９．０±０．３、６．０±０．３、３．９±０．３、３．４±０．１ - 特許庁 - Through X-ray diffractometry of the surface layer, a primary diffraction peak corresponding to at least one of the (111) crystal plane, (200) crystal plane and (311) crystal plane is observed.
表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。 - 特許庁 - To provide a stress holding device and an X-ray diffraction device having a low device height, allowing incidence of X-rays of wide angles and holding optional stress.
本発明は、装置の高さが低く、広角度のＸ線が入射でき、かつ、任意の応力が保持できる応力保持装置およびＸ線回折装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - This is conductive paste containing silver powder, an organic binder and solvent, and peak width at half band width of the main peak in the X-ray diffraction measurements of the silver powder is 0.25 degree or less.
銀粉末と、有機バインダと、有機溶剤とを含有する導電性ペーストであって、前記銀粉末のＸ線回折測定におけるメインピークの半値幅が０．２５度以下である。 - 特許庁 - In the step of forming the ZnO film, the ZnO film having a (002) peak at least 5 times greater than the (100) peak, as measured by X-ray diffraction, is formed.
上記ＺｎＯ膜を形成する工程では、一般的に、Ｘ線回折により測定される（００２）ピークが（１００）ピークよりも５倍以上大きいＺｎＯ膜を形成させる。 - 特許庁 - Angle dispersive X-ray diffraction is used to test pharmaceutical products including the dosage form inside packaging, for example the tablet inside a blister pack, without removing the dosage form from the packaging.
パッケージング内の剤形、たとえばブリスターパック内の錠剤を含む医薬製品を、剤形をパッケージングから取り出すことなく試験するために角度分散X線回折が使用される。 - 特許庁 - Amount of average gaps Δx of each layer is acquired from a specific algebraic expression using a crystal lattice constant a0 and c0, and a surface to layer distance d112 obtained from X-ray diffraction of a carbon material.
炭素材料のＸ線回折から得られる、結晶格子定数ａ_0 およびｃ_0と面層間距離ｄ_112 を用い、特定の数式から各層の平均ずれ量Δｘを求める。 - 特許庁 - The Ni-W-S alloy film 2 preferably has a finely uneven surface, and has an amorphous or microcrystalline X-ray diffraction pattern.
このとき、Ｎｉ−Ｗ−Ｓ合金膜２の表面が微細凹凸面になっていることが好ましく、そのＸ線回折パターンがアモルファス状又は微結晶状であることが好ましい。 - 特許庁 - To attain highly accurate thermal analysis measurement by making ambient environment of a sample for measurement and a standard sample the same on the premise of configuration for performing X-ray diffraction measurement by a transmission method.
透過法によるＸ線回折測定ができる構造を前提として、被測定試料と標準試料の周囲環境を同じにして高精度な熱分析測定を実現する。 - 特許庁 - The sputtering target is characterized in that it contains indium, tin, zinc and oxygen and only a peak ascribed to a bixbyite structure compound is practically observed by X-ray diffraction (XRD).
インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - SODIUM CHANNEL SPECIFIC TO PERIPHERAL NERVOUS SYSTEM, DNA ENCODING THE SAME, CRYSTALLIZATION, X-RAY DIFFRACTION, COMPUTER MOLECULAR MODELING, RATIONAL DRUG DESIGNING, DRUG SCREENING, AND METHODS FOR MANUFACTURING AND USING THE DRUG
末梢神経系特異的ナトリウムチャンネル、それをコードするＤＮＡ、結晶化、Ｘ線回折、コンピューター分子モデリング、合理的薬物設計、薬物スクリーニング、ならびにその製造法および使用法 - 特許庁 - The electrolytic slime is mixed with a solution of potassium formate, potassium carbonate, potassium hydroxide and dithylenediaminetetraacetic acid, and barium sulfate which influences the X-ray diffraction method is dissolved and removed.
電解スライムを蟻酸カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム及びジエチレントリアミン五酢酸の溶液と混合して、Ｘ線回折に影響を与える硫酸バリウムを溶解除去する。 - 特許庁 - To perform measurements on wide energy regions in the system which diffracts, with a diffraction grating, the characteristic X-ray from a sample irradiated with an electron beam and collects spectra with an image sensor.
電子線を照射した試料からの特性Ｘ線を回折格子により回折させてイメージセンサでスペクトルを採取するシステムにおいて、幅広いエネルギー領域の測定を行う。 - 特許庁 - Preferably, the fluorine content is ≤0.5 mass% and the half-value width (2θ) of the maximum peak of cerium oxide by X ray diffraction measurement is 0.10-0.50°.
また、そのフッ素は０．５質量％以下であることが好ましく、Ｘ線回折測定における酸化セリウムの最大ピークの半値幅（２θ）が０．１０〜０．５０°であるものが望ましい。 - 特許庁 - To provide a new form of 1,4-diketo-3,6-di(4'-tert-butylphenyl)-2,5- dihydropyrrolo[3,4-c]pyrrole pigment having a distinguished color property and a distinguished X-ray diffraction pattern.
際立った色特性及びＸ線回折図形を有する新規形態の１，４−ジケト−３，６−ジ（４′−tert-ブチルフェニル）−２，５−ジヒドロピロロ〔３，４−ｃ〕ピロール顔料を提供すること。 - 特許庁 - Since the charge transfer timing of the CCD sensor 22 is synchronized with its scanning moving distance, the X-ray intensity at each diffraction angle can be accumulated accurately by each CCD pixel.
ＣＣＤセンサ２２の電荷転送タイミングとその走査移動距離が同期しているので、個々の回折角度におけるＸ線強度を個々のＣＣＤ画素によって正確に蓄積できる。 - 特許庁 - This optical lever method allows the Young's modulus to be measured with the laser beam without deforming the measuring object because measurement is performed with X-rays in the in-plane X-ray diffraction method.
光てこ方式ではレーザ光によって、in-planeＸ線回折法ではＸ線によって測定を行うため被測定物を変形させることなくヤング率Εを測定することができる。 - 特許庁 - To derive accurately a stress without limiting the wavelength and the diffraction surface of an X-ray used for measurement, even when a material has orientation or elastic anisotropy.
材料の配向性や弾性異方性がある場合においても、測定に用いるＸ線の波長と回折面を限定することなく、応力を精度良く導き出すことができるようにする。 - 特許庁 - Using the slurry containing iron with a half band width of an X ray diffraction peak on (110) plane of iron being at least 0.2° and not more than 0.6° and a mean particle diameter being in a range of 0.01-5 μm, is preferable.
鉄の（１１０）面のＸ線回折ピ−クの半値幅が０．２°以上０．６°以下、平均粒子径が０．０１〜５μｍの範囲である鉄含有スラリ−を用いることが好ましい。 - 特許庁 - Only a signal light of BD (Blu-ray Disc (R)) light passing through the diffraction regions 118a0 to 118h0 is radiated on sensor portions B1 to B8 which are disposed on a light receiving surface of a photodetector 120.
光検出器１２０の受光面上に配されたセンサ部Ｂ１〜Ｂ８には、回折領域１１８ａ０〜１１８ｈ０を通るＢＤ光の信号光のみが照射される。 - 特許庁 - This manufacturing method includes synthesizing AlH_3, and ball-milling the synthesized AlH_3 in a condition of applying a force of 2 G to 20 G (where G represents gravity acceleration) to make an X-ray diffraction pattern of AlH_3 into a halo pattern.
ＡｌＨ_3を合成した後、２Ｇ〜２０Ｇ（Ｇは重力加速度）の力を付与する条件でボールミリングを行い、Ｘ線回折パターンがハローパターンとなるＡｌＨ_3とする。 - 特許庁 - A knowledge of the Debye-Waller factor is essential in order to convert a structure factor measured by electron diffraction at temperature T into the corresponding X-ray structure factor at temperature T.
デバイワラー因子に関する知識は、温度Tにおいて電子回折によって測定された構造因子を温度Tにおけるその対応するX線の構造因子に変換するために不可欠である。 - 科学技術論文動詞集 - The seed material 12 is one in which a primary diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed and no other primary diffraction peaks having diffraction intensity of 10% or more that corresponding to the (111) crystal plane are not observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C, through X-ray diffractometry of the surface layer containing polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.
シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 - 特許庁 - Here, Ip represents a maximum value of intensity of a part above a tangent drawn to both bottoms of the diffraction peak of the (002) surface, and Io represents the remaining X-ray intensity obtained by subtracting scatter intensity of air from measured diffraction intensity at an angle 2θ indicating Ip.
（ここで、Ｉｐとは（００２）面の回折ピークの両裾に接線を引き、その接線から上の部分の強度の最大値であり、ＩｏとはＩｐを示す回折角２θにおける実測回折強度から空気の散乱強度を差し引いた残りのＸ線強度である。） - 特許庁 - Zinc borate has a specific chemical composition and has a crystalline size of not less than 60 nm determined based on any of diffraction peak of surface indices (020), (101) and (200) in an X-ray diffraction image and a sodium content of not more than 100 ppm measured by means of an atomic absorption method.
特定の化学組成を有し、Ｘ線回折像（Cu-kα）における面指数(０２０)(１０１)及び(２００)の回折ピークから求めた結晶子サイズが何れも６０ｎｍ以上であり、且つ原子吸光法で測定したナトリウム分の含有量が１００ｐｐｍ以下であるホウ酸亜鉛。 - 特許庁 - The ultraviolet sensor is of the type utilizing photoconductive effect of zinc oxide and is characterized in that the zinc oxide is additive-free zinc oxide and the half bandwidth of a diffraction peak in a (002) surface is not more than 0.5 degrees in an X-ray diffraction pattern of the zinc oxide.
本発明の紫外線センサは、酸化亜鉛の光導電効果を利用した紫外線センサであって、前記酸化亜鉛が無添加の酸化亜鉛からなり、前記酸化亜鉛のＸ線回折パターンにおいて（００２）面における回折ピークの半値幅が０．５度以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - An ultraviolet ray curable resin 3A loaded with a reactive silicone made by modifying a polyether modified silicone by acrylic modification as a mold releasing agent is interposed between an original impression 4 having the optical diffraction structure and a substrate 2 of the duplicate impression 1 where the optical diffraction structure is to be copied.
光回折構造を有する複製元の版４と、光回折構造が複製されるべき複製版１の基材２との間に、ポリエーテル変性シリコーンをアクリル変性してなる反応性シリコーンを離型剤として添加させた紫外線硬化樹脂３Ａを介在させる。 - 特許庁 - The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.
ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおいて、Ｓｉ（２２０）面回折ピークの半値幅をＢとするとき、Ｂ＜３°（２θ）である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁 - Lithium manganate satisfying that a Li/Mn composition ratio is 0.55 to 0.60, and the variation of half-value width of a main diffraction line by X-ray diffraction under a charging condition of 0% to 100%, is 25% or more is used as a positive electrode active material, and amorphous carbon is used in a negative electrode active material.
正極活物質にＬｉ／Ｍｎ組成比が０．５５以上０．６０以下で、充電状態０％乃至１００％間のＸ線回折による主要回折線の半値幅変化を２５％以上としたマンガン酸リチウムを用い、負極活物質に非晶質炭素を用いた。 - 特許庁 - This metallic film transfer film for an electronic component has such structure that a mold releasing layer and a metallic layer are made in this order on the plastic film, and the half-value width of the diffraction peak which shows the crystal plane (111) obtained by the wide-angle X-ray diffraction of a metallic film is 1.5° or under.
プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、金属膜の広角Ｘ線回折によって得られる（１１１）結晶面を示す回折ピークの半値幅が１．５°以下であることを特徴とする電子部品用金属膜転写フィルム。 - 特許庁 - This electrode for a lithium secondary battery comprises a current collector 7 and a positive electrode active material layer that is formed on the current collector 7 by a vacuum evaporator 1 and is made mainly of Fe_3O_4 and has a diffraction peak in the vicinity of 30° when evaluated by the X-ray diffraction method.
このリチウム二次電池用電極は、集電体７と、集電体７上に真空蒸着装置１により形成され、Ｆｅ_3Ｏ_4を主成分とするとともに、Ｘ線回折法により評価した場合に３０°付近に回折ピークを有する正極活物質層とを備える。 - 特許庁 - The spherical porous silica particle has an average particle diameter of 50-500μm and an X-ray diffraction peak at the diffraction angle (CuKα) of 1-5° and modified with an organic functional group of an organic silicon compound coordinated to the Si atom of a silicate skeleton.
平均粒径が５０乃至５００μｍの範囲にあり、回折角１乃至５度（ＣｕＫα）にＸ線回折ピークを有し、且つ有機シリコン化合物に含まれる有機官能基がシリケート骨格中のＳi原子に配位されている有機官能基で修飾された球状多孔質シリカ粒子。 - 特許庁
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