「reaction processing」を含む例文一覧(605)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 次へ＞- The wafer plasma processing chamber is constituted so as to allow reaction radicals to react with the seeds on the surface of a wafer arranged in the wafer plasma processing chamber.
ウエハプラズマ処理チャンバは、ウエハプラズマ処理チャンバ内に配置されたウエハの表面において反応基を種と反応させるように構成されている。 - 特許庁 - The vapor-phase processing apparatus 1 includes a processing chamber 4 for circulating a reaction gas, gas inlets (gas supply ports 13), and rectifying plates 20.
この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。 - 特許庁 - A device processing organic matter to generate energy includes a reaction vessel water thermally processing the organic matter with water and generating flow out matter.
有機物質を処理してエネルギーを生成する装置は、水と共に有機物質を水熱的に処理し流出物を生成する反応容器を含む。 - 特許庁 - To provide a method for processing a substrate and an apparatus for processing the substrate, which is capable of completing a removal process of reaction products in a short time.
反応生成物の除去処理を短時間に完了することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供するこを目的とする。 - 特許庁 - Thereafter, a reaction tube of the thermal processing apparatus 101 has its internal temperature raised to baking temperature, to perform baking for predetermined time.
ロード後、熱処理装置１０１の反応管内を焼成温度まで上昇させ、所定時間焼成させる。 - 特許庁 - To provide a plasma generator capable of enhancing processing efficiency by generating a high-temperature reaction field.
高温の反応場を生成して処理効率を高めることができるプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁 - OPTICALLY-HARDENING REACTION CONTROL IMPRINT MOLD AND IMPRINT PROCESSING METHOD USING THE SAME, AND IMPRINT PROCESSED PRODUCT
光硬化反応制御型インプリント金型およびそれを用いたインプリント加工方法ならびにインプリント加工製品 - 特許庁 - In a reaction vessel 1, garbage processing material such as woody chips on which microorganisms are living is provided.
反応容器１内には、微生物が生息した木質細片のような生ごみ処理材が投入されている。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT, AND PHASE REACTION PROCESSING APPARATUS PROVIDED WITH END POINT DETECTING APPARATUS
終点検出方法及び終点検出装置、並びに終点検出装置を備えた気相反応処理装置 - 特許庁 - Subsequently, the insulation film having that diffused state undergoes a reaction/fluidization step in the processing container 2.
引き続いて、処理容器２内において、この拡散状態を持つ絶縁膜に反応・流動化過程を実行する。 - 特許庁 - Then, reaction gas is supplied from a gas bomb 1 into the vacuum processing room 2 by opening the stop valve 5.
次に、開閉弁５を開くことにより、ガスボンベ１から真空処理室２内に反応ガスを供給する。 - 特許庁 - The reaction system can be processed into useful polymer products using a wide range of conventional polyurethane processing methods.
広範囲な慣用的ポリウレタン加工方法を用いて、該反応系を有用なポリマー物品に加工することができる。 - 特許庁 - The reaction force processing apparatus 1 is also provided with first and second reaction force processing actuators 2_1, 2_2 for applying counter thrust forces R_1, R_2 to the platen 11, and a control section 31 for controlling the magnitude of the counter thrust forces R_1, R_2.
また、反力処理装置１は、カウンタ推力Ｒ_１，Ｒ_２を定盤１１に印加する第１及び第２反力処理アクチュエータ２_１，２_２と、カウンタ推力Ｒ_１，Ｒ_２の大きさを制御する制御部３１と、を備えている。 - 特許庁 - A determination part 53 compares the calculation processing data for each pixel unit with a specified range of calculation processing data that has been obtained in advance for a specific fluorescent reaction 81 to detect whether the specific fluorescent reaction 81 is present in a sample 8 or not.
判定部５３は、各画素単位ごとの演算処理データを、予め特定蛍光反応８１について求めた演算処理データの規定範囲と照合して、試料８中における特定蛍光反応８１の有無を検出する。 - 特許庁 - The reaction containers 110 and a stem mechanism 111 are interlocked and when one of the processing sections 501-506 of each reaction container 110 comes to right below the stem mechanism 111 in accordance with processing procedures, the corresponding stem 401, a magnetic substance chip 402 mounted therein or its cover 405 is controlled to enter/leave the processing section.
反応容器110とステム機構111とを連動させて、各反応容器110の処理部501〜506の一つが処理手順にしたがってステム機構111の直下にきた時に対応のステム401或いはそれに装着される磁性体チップ402、そのカバー405が処理部内に出入り可能に制御される。 - 特許庁 - To provide a substrate processing system and a dark room for substrate processing by which photochemical reaction during processing of a substrate can be sufficiently prevented without complicating a constitution, control, and manufacturing processes.
構成、制御および製造工程を複雑化することなく、基板の処理時における光化学反応を十分に防止することができる基板処理システムおよび基板処理用暗室を提供する。 - 特許庁 - To enable continuous plasma processing in a single processing vessel simultaneously for multiple source gaseous species and moreover to enlarge plasma processing region while avoiding the influence of side reaction products or the like.
１つの処理容器内で連続したプラズマ処理を複数の原料ガス種に対し同時に行うことを可能とし、さらに副反応物等の影響をさけながらプラズマ反応領域を広げる。 - 特許庁 - To provide a remote input device with superior ease of operation, capable of facilitating a pointer to be moved from a certain reaction force area on a menu screen to another reaction force area, without needing complicated processing and control.
複雑な処理、制御を必要とせずに、メニュー画面上のある反力エリアから他の反力エリアにポインタを移動させやすい操作性に優れた遠隔入力装置を提供する。 - 特許庁 - The reaction gas supply means include reaction gas supply paths 20 having a space defined between the other wall surface of the microwave radiation member and part of the inner wall surfaces of the processing chambers.
反応ガス供給手段は、マイクロ波放射部材の他方壁面と処理室の内壁面の一部との間に形成された空間を有する反応ガス供給路２０を含む。 - 特許庁 - A boat 20 on which wafers 1 are mounted is inserted into a reaction tube 3 and a processing gas 10 is introduced in a shower shape from a ceiling part of the reaction tube 3 while heating the wafers 1 by a heater 7.
反応管３内にウェーハ１を載置したボート２０を挿入し、ヒータ７でウェーハ１を加熱しつつ、反応管３の天井部からシャワー状にプロセスガス１０を導入する。 - 特許庁 - To provide a system for etching a material of low reactivity in the processing of product while reducing adhesion of reaction products to the side wall of a reaction tube made of a dielectric.
製品処理において反応性の低い材料のエッチングを行い、誘電体よりなる反応管側壁における反応生成物の付着量が少ないエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, the throughput is improved by processing a plurality of three or more reaction substrates in parallel within a reaction time of a minimum unit which has been conventionally controlled in rate.
これにより従来律速となっていた最小ユニットの反応時間内に３枚以上の複数の反応基板を並列に処理することにより、スループットの向上を図ることが可能となる。 - 特許庁 - Processing gas is introduced into a reaction chamber in a state where it is controlled to prescribed gas pressure, and it is kept a for prescribed time.
次に、所定のガス圧力に制御した状態でプロセスガスを反応室内に導入し、一定時間保持する。 - 特許庁 - To provide a microdevice suitable for processing such as separation, immobilization, analysis, extraction, purification or reaction of a target material.
標的物質の分離、固定化、分析、抽出、精製または反応などの処理に適したマイクロデバイスを提供すること。 - 特許庁 - To provide a reaction vessel and a plasma processing apparatus free from elemental impurity contamination on a sample and damages by the plasma.
元素不純物で試料が汚染されず、且つプラズマによる損傷が少ない反応容器及びプラズマ処理装置。 - 特許庁 - REACTION FORCE PROCESSING MECHANISM, STAGE APPARATUS PROVIDED WITH THE SAME, AND SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS PROVIDED WITH THE STAGE APPARATUS
反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus which can surely dry a substrate after reaction products are removed from the substrate.
反応生成物を除去する処理後にその基板を確実に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - As a result, it enables the capacity of the reaction container to be adaptable to the size of the base body in the plasma processing device 101.
これにより、プラズマ処理装置１０１が、前記反応容器の容積を基体の大きさに適合可能としている。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which can accurately predict a cleaning timing of a reaction chamber and can increase a production throughput.
反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - The plasma processing device is comprised of a reaction container 2 of which one side is opened as a blowing outlet 1 and plural electrodes 3, 4.
片側が吹き出し口１として開放された反応容器２と複数の電極３、４とを具備して構成される。 - 特許庁 - The long nozzle (gas supply nozzle) 232 is extended along an inside of an inner tube 204 which constitutes a reaction tube (the processing chamber).
反応管（処理室）を構成するインナチューブ２０４の内側に沿ってロングノズル（ガス供給ノズル）２３２が延在される。 - 特許庁 - An MOCVD apparatus 10 includes a chamber 11; a reaction pipe 12 where a processing space 50 is located with a substrate 14 positioned, and which is located in the chamber 11; and a pyrometer 25 which is located outside the reaction pipe 12, and observes the inside of the reaction pipe 12.
ＭＯＣＶＤ装置１０は、チャンバ１１と、基板１４が設置される処理空間５０を規定し、チャンバ１１内に配置される反応管１２と、反応管１２の外側に設けられ、反応管１２内を観測するパイロメータ２５とを備える。 - 特許庁 - A control part 100 controls a heater for heat-up 16 to heat the interior of a reaction tube 2 to a predetermined temperature and supplies a cleaning gas containing a fluorine gas and a silane gas from a processing gas introduction tube 17 to the reaction tube 2 with the reaction tube 2 heated to the predetermined temperature.
制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応室２内にフッ素ガスとシランガスとを含むクリーニングガスを供給する。 - 特許庁 - In the automatic analyzer including a plurality of systems of reaction lines capable of measuring an optional measuring item in order to analyze a component of a sample, a measurement result measured by using the plurality of systems of reaction lines is outputted by applying thereto a processing for discriminating the reaction lines according to the state, or outputted by applying thereto a processing not discriminating the reaction lines.
試料を成分分析するために任意の測定項目を測定可能な反応ラインを複数系統装備する自動分析装置において、前記複数系統の反応ラインを用いて測定された測定結果に対し、状況によって前記反応ラインを区別する処理を施して出力する、又は前記反応ラインを区別しない処理を施して出力する。 - 特許庁 - A substrate processing apparatus is provided with a reaction tube 30 to form a substrate processing region to process a wafer W, a furnace flange 4 to support the reaction tube 30, a gas supply pipe 7 provided to the furnace flange 4 to supply the gas to the reaction tube 30, and a plasma generating means 32 to generate plasma.
基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管４内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成するプラズマ生成手段３２とを備える。 - 特許庁 - The reaction room control device is provided with a processing recipe storage means 7 for storing a gas flow rate and reaction room pressure corresponding to the contents of processing, an operation expression storage means 8 for storing an operation expression representing the characteristic of a pressure control means and an operation means 11 for operating the pressure control means for controlling the pressure of the reaction room 1.
加工処理の内容に応じたガス流量と反応室圧力とを記憶する処理レシピ記憶手段７と、圧力制御手段の特性を表す演算式を記憶する演算式記憶手段８と、反応室１の圧力を調節する圧力制御手段を運転する演算手段１１とを設ける。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for plasma processing which can prevent reaction products from sticking on a dielectric plate, reduce loss, and ensure uniformity of the processing.
誘電板への反応生成物の付着を防止し、かつ損失を低減するとともに処理の均一性を確保できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - Since the mist reacts with the processing liquid to additionally form a hydroxide radical and, since the mist and the processing liquid perform heat generation reaction, the efficiency in removal of the photoresist can be improved.
ミストは、処理液と反応して水酸化ラジカルを追加的に形成し、ミストと処理液が発熱反応するため、フォトレジスト膜の除去効率を向上させることができる。 - 特許庁 - Thus, more uniform ultrasonic fields are formed in the processing vessel 11 and the efficiency of liquid processing such as enhancing chemical reaction, emulsification and waste water treatment is increased.
これにより、処理容器１１の中でより均一の音場を形成でき、化学反応の促進、乳化、廃水処理等の液体処理の効率を向上できる。 - 特許庁 - To save cleaning gas consumption by enhancing a reaction capability of plasma with a deposited substance within a processing chamber through the use of cleaning gas or more quickly exhausting the gas from the processing chamber.
クリーニングガス導入によりプラズマの処理チャンバ内の堆積物との反応性を高めて、また処理チャンバ内からガス排気を速めてクリーニングガスの消費量を削減する。 - 特許庁 - To provide a wet etching processing method characterized by the effective processing of any impurities generated by the etching reaction, and an etching system implementing such a method.
エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること - 特許庁 - To provide a substrate processing device capable of suppressing chemical reaction of a by-product produced in substrate processing as it comes into contact with water remaining in a load lock chamber.
基板処理時に生成する副生成物がロードロック室に残留する水分と接触し化学反応することを抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - A main gas nozzle 13 is provided for supplying Si system reaction gas and etching gas simultaneously from the upper part of a substrate processing region 203 for processing the mounted wafer 200.
積載したウェハ２００を処理する基板処理領域２０３の上部から、Ｓｉ系反応ガス及びエッチングガスを同時に供給するメインガスノズル１３を備える。 - 特許庁 - To rovide plasma processing equipment which can perform various plasma processing even in a process where the conditions of plasma processing are limited by its device configuration when at least two plasma processing steps are performed in the same plasma reaction chamber.
同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus includes a reaction chamber which can be decompressed, and a shower head having a gaseous diffusion plate 9 in which through holes 10, 11' and 11 are formed to supply processing gas to the interior of the reaction chamber, and a substrate supporting part for installing the substrate.
基板処理装置は、減圧可能な反応室と、貫通孔１０、１１’、１１が形成されたガス拡散プレート９を有し、反応室の内部に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、基板を設置するための基板支持部とを備えている。 - 特許庁 - In the organic waste liquid processing apparatus, surplus sludge separated in a settling tank via a biological reaction tank is sprayed in droplets by a sludge spray nozzle from the top of an ozone gas-supplied reaction vessel, and the solubilized and sterilized sludge is dropped to the bottom of the reaction vessel to be returned to the biological reaction tank.
この有機性廃液の処理装置は、生物反応槽を経て沈殿槽で分離した余剰汚泥を、オゾンガスが供給された反応容器の上部から、汚泥噴霧ノズルによって液滴状の汚泥を散布し、可溶化と殺菌がなされた汚泥を反応容器下部に滴下して回収し、生物反応槽に返送する。 - 特許庁 - This manufacturing method of a semiconductor device manufactures a semiconductor device, by using a substrate treatment device, having passed through a process of supplying the whole of a reaction gas used in processing a substrate to a reaction vessel for removing an element contained in the cleaning gas supplied, into the reaction vessel, after a process of supplying the cleaning gas into the reaction vessel to clean the inside of the reaction vessel.
半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 - 特許庁 - Then, by a chemical liquid processing and a pure water processing for removing a reactive product (residue) generated at the RIE, electrochemical reaction (battery effect) will not take place during the pure water processing, nor corrosion will occur at the metal wiring.
この後、ＲＩＥ時の反応生成物（残渣）を除去する薬液処理及び純水処理を行えば、純水処理中に、電気化学反応（電池効果）が発生することはなく、金属配線の腐蝕もなくなる。 - 特許庁 - To provide a cleaning method of a plasma processor for easily removing a reactant in a reaction chamber, after a plasma etching processing.
プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供すること。 - 特許庁 - The post-exposure processing preferably involves ambient to moderately elevated temperature and the presence of a deprotection reaction-dependent co-reactant (e.g. water).
この露光後処理は、好ましくは、室温からやや高い温度と脱保護反応依存共反応体（例えば、水）の存在を伴う。 - 特許庁
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