「reduced pattern」を含む例文一覧(1008)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 20 21 次へ＞- After that, width of the mask pattern is reduced by etching.
その後、エッチングによりこのマスクパターンの幅を狭める。 - 特許庁 - To generate a high-speed optical pattern signal reduced in pattern dependency jitter and reduced in the deterioration of a waveform.
パターン依存性ジッタが少なく、波形劣化の少ない高速な光パターン信号を発生できるようにする。 - 特許庁 - AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT WITH REDUCED FIXED PATTERN NOISE
固定パタ−ンノイズを低減した増幅型固体撮像素子 - 特許庁 - After the resist pattern is formed, the first pattern layers 14a are reduced by additional processing.
レジストパターンを形成した後、第１のパターン層１４ａを付加処理によって小さくする。 - 特許庁 - The time to design the liquid-crystal array pattern can be reduced.
液晶アレイパターンの設計時間の短期間化を実現できる。 - 特許庁 - Next, the resist film 6 processed into the initial pattern 6a is trimmed such that the film 6 is reduced into a reduced pattern 6a1.
次に、初期パターン６ａに加工されたレジスト膜６を縮小パターン６ａ１に細らせるように、トリミング処理を行う。 - 特許庁 - Next, the resist film reduced into the reduced pattern 6a1 is expanded to be a final pattern 10, and then sililation is carried out.
次に、縮小パターン６ａに細らせられたレジスト膜を、最終パターン１０となるように太らせて、シリル化処理を行う。 - 特許庁 - By turning the second mask pattern to a linear mask pattern, a parameter to be added to the simulation of the resist pattern can be reduced.
第２マスクパタンをライン状マスクパタンとすることにより、レジストパタンのシミュレーションに追加するパラメータが少なくて済む。 - 特許庁 - Especially, the destruction of the mold pattern can be reduced even in the pattern transfer of a high aspect ratio.
特に、高アスペクト比のパターン転写であってもモールドパターン破壊を低減することが可能となる。 - 特許庁 - The dummy pattern 20 whose size is reduced is then located (step A5).
次に、サイズを縮小したダミーパターン２０を配置する（ステップＡ５）。 - 特許庁 - To obtain a compact electronic part in which the DC resistance value of a conductor pattern can be reduced, and the variation of the size precision of the conductor pattern can be reduced.
導体パターンの直流抵抗値が小さく、かつ、導体パターンの寸法精度のばらつきが小さい小型の電子部品を得る。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition, a compound and a method for forming a pattern to obtain a pattern with few pattern collapses, reduced line edge roughness and having pattern profile.
パターン倒れが少なく、ラインエッジラフネスを小さくでき、パターンプロファイルが優れた感光性組成物、化合物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Separation of a usual pattern and the dummy pattern is made greater than the minimum separation of the usual pattern, so that wiring capacity is reduced.
また、通常パターンとダミーパターンのセパレーションを通常パターンの最小セパレーションより大きくし、配線容量を低減する。 - 特許庁 - Therefore, the size of a wiring pattern whose width and interval are equal is reduced as much as possible when the wiring pattern is manufactured.
従って、等幅・等間隔の配線パターンはそのサイズを製造上で可能な限り縮小できる。 - 特許庁 - To select a screen pattern so that image quality deterioration is visually reduced.
視覚的に画質劣化が軽減されるようにスクリーンパターンを選択する。 - 特許庁 - Thus, possibility that no pattern is reflected can be reduced.
これによって、パターンが反映されなくなる可能性を減らすことができる。 - 特許庁 - By transferring the servo pattern in this way, the defective transfer of the servo pattern is avoided or reduced, the abort rate of the memory medium is reduced, and the manufacturing cost of the memory device can be reduced.
このようにしてサーボパターンを転写すると、サーボパターンの転写不良を回避又は低減し、記憶媒体の廃棄率を低減し、記憶装置の製造コストを低減することが可能になる。 - 特許庁 - Then, a second development is applied to the heated first resist pattern 102a, to obtain a second resist pattern 102b which is a reduced pattern of the first resist pattern 102a.
その後、加熱された第１のレジストパターン１０２ａに第２の現像を行って、第１のレジストパターン１０２ａが縮小された第２のレジストパターン１０２ｂを得る。 - 特許庁 - To fabricate a fine pattern capable of preventing the deformation and collapse of the pattern when a resist pattern is reduced and to manufacture a semiconductor device using the fine pattern.
レジストパターンを縮小化させる際のパターンの変形や倒壊を防止することが可能な微細パターンを作製し、この微細パターンを用いて半導体装置を製造する - 特許庁 - The size of the second mask pattern is reduced by removing a surface part of the second mask pattern by etching.
第２のマスクパターンの表層部をエッチング除去することにより、第２のマスクパターンの寸法を縮小させる。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition and a resist pattern forming method for forming a resist pattern with reduced line width roughness.
ＬｉｎｅＷｉｄｔｈＲｏｕｇｈｎｅｓｓの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - After the scroll display speed of a right pattern is reduced, the right pattern is completely stopped in the display form of '7'.
次に、右図柄のスクロール表示速度を減速させた後、右図柄を「７」の表示態様で完全停止させる。 - 特許庁 - Also, the left pattern 71 and the right pattern 72 are reduced and displayed and a reduction sound is outputted at the time.
また、左図柄７１及び右図柄７２を縮小表示させ、この際に縮小音を出力させる。 - 特許庁 - To provide a resist composition for forming a resist pattern with reduced roughness and to provide a method for forming a resist pattern.
ラフネスの低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To estimate a feature pattern corresponding to an observation from a pattern of an observation target at extremely reduced calculation costs.
観測対象のパターンから、観測に対応する特徴パターンを格段に少ない計算コストで推定すること。 - 特許庁 - In this case, the resist pattern 2a is a hole pattern and the size of the hole pattern in the outside of the exposure region can be reduced from that before the heat treatment.
この場合、レジストパターン２ａはホールパターンであり、露光領域外のホールパターンの寸法を熱処理前よりも小さくすることができる。 - 特許庁 - REDUCED-VERSION DRESSMAKING PAPER PATTERN USED AFTER BEING COPIED FOR ENLARGEMENT INTO ACTUAL SIZED ONE
拡大コピーで実物大に拡大して使用する縮小版洋裁用型紙 - 特許庁 - Thereafter, the controller 40 specifies a maximum matching position by pattern-matching the reduced image.
その後、縮小した画像をパターンマッチングして最大マッチング位置を特定する。 - 特許庁 - To provide a base material for a pattern forming material, a positive resist composition, and a method for forming a resist pattern which enable a pattern with reduced line edge roughness (LER) to be formed.
ＬＥＲの低減されたパターンが形成できるパターン形成材料用基材、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - A pattern generating part 7 arrays the reduced images acquired by a reducing part 6 and different in attribute by the pattern set by the pattern setting part 4.
パターン作成部７において縮小部６において得られた属性の異なる縮小画像がパターン設定部４において設定されたパターンで配列される。 - 特許庁 - A pattern creation part 7 arrays the reduced images of different attributes obtained by a reduction part 6, with the pattern set by the pattern setting part 4.
パターン作成部７において縮小部６において得られた属性の異なる縮小画像がパターン設定部４において設定されたパターンで配列される。 - 特許庁 - When checking the drawing by comparing the substrate pattern with the expected pattern, a simulation pattern can be formed with reduced errors caused by the pattern size differences in the multiple exposure area.
基板パターンを予想した予想パターンと比較して検図する際に、多重露光領域でのパターンの大きさの相違に起因するエラーの発生を防止したシミュレーションパターンを形成できる。 - 特許庁 - To provide a pattern formation method for forming a pattern where unevenness is reduced on a sidewall by a multilayer resist process.
側壁の凹凸を低減したパターンを、多層レジストプロセスを用いて形成可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Then, after the scroll display speed of a center pattern is reduced, the center pattern is completely stopped in the display form of '7'.
次に、中図柄のスクロール表示速度を減速させた後、中図柄を「７」の表示態様で完全停止させる。 - 特許庁 - Pattern generators are reduced to one set, and two scanning electromagnet power sources can be controlled by one pattern generator.
パターン発生装置を１台に削減し、１つのパターン発生装置で２台のスキャン電磁石電源を制御できる。 - 特許庁 - The pattern detection part 21 detects the pattern of human eyes or the like and their coordinates from the reduced image data created.
パターン検出部２１は、生成された縮小画像データから人物の目などのパターンおよびその座標を検出する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition and a resist pattern forming method capable of forming a resist pattern with reduced roughness.
ラフネスの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The pattern width can be reduced and the power circuit board can be made small-sized.
よって、パターン幅を縮小することができ、電源回路基板を小型化できる。 - 特許庁 - To utilize a set where a test case has been reduced during a test pattern execution stage.
テスト・パターン実行段階の間にテスト・ケースの縮小されたセットを活用する。 - 特許庁 - An adhesive force between the substrate 11 and the transfer pattern 12 can be reduced.
基板及１１及び転写パターン１２間の密着力を低下させることができる。 - 特許庁 - An appearing pattern having the sense of noise reduced is obtained by error computations of interlace scanning.
クシ型走査した誤差演算により、ノイズ感を軽減した出現パターンを得る。 - 特許庁 - Accordingly, pattern line width variation occurring during the development process can be reduced.
よって、現像段階で生じるパターン線幅変化を減少させることができる。 - 特許庁 - For example, the reduced pattern group 61 is displayed while being overlapped on a temporarily stopped and displayed middle identification pattern 22C, and the reduced patterns 62... stuck on the middle identification pattern 22C are integrated with the middle identification pattern 22C and updated into display thickened for one stage.
例えば、仮停止表示された中識別図柄２２Ｃに重ねて縮小図柄群６１を表示し、中識別図柄２２Ｃに付着した縮小図柄６２…をこの中識別図柄２２Ｃに一体化させて１段階太い表示に更新する。 - 特許庁 - To provide a method and program of verifying a semiconductor device pattern, with which computational loads can be reduced and computational time can be reduced.
計算負荷を低減でき、計算時間を低減できる半導体デバイスパターン検証方法および検証プログラムを提供する。 - 特許庁 - Thereby, the edge curl formed in a circuit pattern 20 can be reduced sharply.
これにより、配線パターン２０に形成されるエッジカールを大幅に低減することができた。 - 特許庁 - Thus, resonance frequencies can be reduced, and the antenna pattern can be made small.
このため、共振周波数を低くできるため、アンテナパターンを小さくすることができる。 - 特許庁 - A replica circuit 20 is a circuit to which a layout pattern of the output circuit 10 is reduced.
レプリカ回路２０は、出力回路１０のレイアウトパターンを縮小したものである。 - 特許庁 - ULTRA-HIGH-SPEED LASER ANNEALING WITH REDUCED PATTERN DENSITY EFFECT IN MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUIT
集積回路の製造における、パターン密度効果を低減させた超高速レーザーアニーリング - 特許庁 - To obtain a stamper of fine pattern whose change in shape during manufacture is reduced at a low cost.
製造時における形状変化の少ない微細形状のスタンパーを低コストで得る。 - 特許庁 - To provide a device for correcting layout pattern data, with which a description of an OPC rule required for correcting the layout pattern data can be reduced.
レイアウトパターンデータ補正に必要とされるＯＰＣルールの記述を削減できるレイアウトパターンデータ補正装置を提供する。 - 特許庁
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