「reference element」を含む例文一覧(1724)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 34 35 次へ＞- The plural data processors 2 are respectively provided with an address constituting element for indicating the corresponding document reference inside the repository 28 of the electronic document, a parameter constituting element for defining a document property and a token preparation module connected to a user input module for preparing the token provided with a security parameter depending on user identity.
複数のデータ処理装置（２）はそれぞれ、電子ドキュメントのリポジトリ（２８）内の対応するドキュメント参照を指示するアドレス構成要素、ドキュメント・プロパティを定義するパラメータ構成要素、およびユーザ同一性に依存するセキュリティ・パラメータをもつトークンを作成する、ユーザ入力モジュールに接続されたトークン作成モジュールを有している。 - 特許庁 - A recognizing device 1 of an optical reflecting element 2 is provided with an illuminating means 4 for radiating illuminating light, a photodetector 5 for receiving reflected light from the optical reflecting element 2, a signal processing part, an A/D converter, a memory and a CPU or the like and performs pattern recognizing processing by comparing image data with previously stored reference data.
反射光学素子２の認識装置１は、照明光を照射する照明手段４、反射光学素子２からの反射光を受光する受光素子５、信号処理部、Ａ−Ｄ変換器、メモリ、ＣＰＵなどを備え、画像データと予め記憶された基準データとを比較してパターン認識処理を行う。 - 特許庁 - A ladder (50, 51) having top (top side of rails 132 and 133) and bottom (sides opposite top side of rails (132, 133)) portions, first (132) and second (133) rails, the rails having a first side (side facing the gutter 54), the ladder comprises a non-slip element (see figure 12, reference 75) attached to a rail: wherein the non-slip element has an adhesive layer (71).
梯子は、頭頂部（レール132及び133の頭頂部）及び底部（レール132及び133の頭頂部の反対側）、第１（132）及び第２（133）レールを有する 。レールは、第１の側面（溝54に面している側面）を有する 。梯子は、レールに取り付けられたスリップ防止部材（第12図の符号75参照）を含み、スリップ防止部材は接着層（71）を有する。 - 特許庁 - When the high-side drive circuit 10a turns on the high-side switching element M1 and a low-side drive circuit 10b turns off the low-side switching element M2, a bootstrap compensation circuit 12 supplies a current from a floating power supply FV, whose reference potential is a high voltage side potential, to the other end of the bootstrap capacitor Cbs.
ハイサイド駆動回路１０ａがハイサイドスイッチング素子Ｍ１をＯＮにし、ローサイド駆動回路１０ｂがローサイドスイッチング素子Ｍ２をＯＦＦにする場合に、ブートストラップ補償回路１２は、ブートストラップコンデンサＣｂｓの他端に、高圧側電位を基準電位とするフローティング電源ＦＶからの電流を供給する。 - 特許庁 - In addition, in accordance with that a measured value reaches a predetermined reference value, it is determined that the display light corresponding to the light receiving element 32 to be measured is operated, a function or operation corresponding to the operated display light is selected, and a display mode of the light emitting element 32 of the operated display light is changed.
また計測値が所定の基準値に到達したことに応じて、計測対象の受光素子３２に対応する表示灯が操作されたと判定し、操作された表示灯に対応する機能または動作を選択するとともに、操作された表示灯の発光素子３２の表示態様を変更する。 - 特許庁 - In an FPC 50 for feeding a driving signal to a piezoelectric element of an inkjet recording unit, an interval for a plurality of solder bumps which are loaded on a solder bump loading section 50B is set in a manner to become narrower than an interval of electrode pad sections of the piezoelectric element as a distance from a reference mark 54 becomes longer.
インクジェット記録ユニットの圧電素子に駆動信号を供給するためのＦＰＣ５０では、半田バンプ搭載部５０Ｂに搭載された複数の半田バンプ３４の間隔を、基準マーク５４からの距離が長くなるにつれて、圧電素子の電極パット部の間隔よりも狭くするように設定する。 - 特許庁 - The beam splitter divides light emitted from the light source, irradiates a substrate where a pattern of an inspection object is formed and the transmittance control element, and generates interference light by superimposing signal light which is reflected light from the substrate on reference light which is reflected light from the transmittance control element.
前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。 - 特許庁 - The method further includes a step in which a reference process mark 600 having a double rotational symmetry with respect to a rotation center 600c is created by adding another element graphic 630, in which the extracted element graphic 620 is rotated by, for example, 180° on the rotation center 600c, to the tentative process mark 605.
当該方法は更に、抽出された要素図形６２０を回転中心６００ｃの周りで例えば１８０°回転させた更なる要素図形６３０を暫定的なプロセスマーク６０５に追加することにより、回転中心６００ｃに関して２回回転対称性を有する基準プロセスマーク６００を作成するステップを含む。 - 特許庁 - A lighting quantity control part 34 controls the lighting quantity of the deteriorated element increased more than that of a reference lighting quantity with regards to a part of or the entire deteriorated elements estimated by a deteriorated element estimating part 24, based on the distribution of the accumulated lighting quantity of a part or the entire light emitting elements acquired by a light quantity acquisition part 22.
点灯量取得部２２により取得された一部又は全部の各発光素子の累計点灯量の分布に基づき、劣化素子推定部２４が推定した一部又は全部の劣化素子について、点灯量制御部３４が当該劣化素子の点灯量を基準点灯量よりも増やすように制御する。 - 特許庁 - A pressure sensing element 4 for generating an electric signal based on strain of the diaphragm 3 is formed in a surface at the side of the reference pressure chamber 2 of the diaphragm 3 and in the pressure sensing element 4, a signal can be picked up to the one surface 1a of the semiconductor board 1 by a conductor 5 formed inside the semiconductor board 1.
ダイヤフラム３の歪みに基づいた電気信号を発生するための感圧素子４が、ダイヤフラム３の基準圧力室２側の面に形成されており、この感圧素子４は、半導体基板１の内部に形成された導電体５により、半導体基板１の一面１ａに信号取出し可能となっている。 - 特許庁 - The drive circuit for a semiconductor switching element has in a gate driving circuit 16c a means which detects a voltage between a gate and an emitter during a mirror period when the semiconductor switching element 1 is turned on as the gate threshold voltage, and a means which displaces emitter potential Ve corresponding to a difference between a gate threshold voltage reference value and the detected gate threshold voltage.
ゲート駆動回路１６ｃ内に、半導体スイッチング素子１のターンオン時におけるミラー期間のゲート・エミッタ間電圧をゲート閾値電圧として検出する手段と、ゲート閾値電圧基準値と検出されたゲート閾値電圧との差分に応じてエミッタ電位Veを変位させる手段とを備える。 - 特許庁 - This gas sensor 1 is provided with a sensor element 2 having a solid electrolyte 21, a reference gas side electrode 22 arranged on one face of the solid electrolyte 21, and a measuring gas side electrode 23 arranged in the other side face thereof, an insulator 3 for mounting the sensor element 2, and a housing 4 for holding the insulator 3 in its inside.
固体電解質体２１と固体電解質体２１の一方の面に配設した基準ガス側電極２２と他方の面に配設した被測定ガス側電極２３とを有するセンサ素子２と、センサ素子２を搭載する絶縁碍子３と、絶縁碍子３を内側に保持するハウジング４とを備えたガスセンサ１。 - 特許庁 - As a result, when it is determined that the first space element Q_1 establishing the contact condition exists on the determination aspect, a route where the reference space factor Q_0 may move while avoiding the contact with a second space factor Q_2 on the determination aspect is set as a new "first action plan element".
その結果、当該判定面において接触条件を満たす第１空間要素Ｑ_1が存在すると判定された場合、当該判定面において基準空間要素Ｑ_0が第２空間要素Ｑ_2との接触を回避しながら移動しうる経路が新たな「第１行動計画要素」として設定される。 - 特許庁 - The laser diode element is held such that the first reference surface of a core to be mounted and the surface of the laser diode element having a light emitting point may be in proximity state immediately before mounting, positional relationship of respective surfaces is determined in this proximity state by means of a displacement sensor, and fine adjustment is conducted before mounting operation is carried out.
被実装物たるコアの第一の基準面とレーザダイオード素子の発光点を有する面とが実装直前の近接状態となるように当該素子を保持し、この近接状態での各々の面の位置関係を変位センサによって求め、微調整を行った上で実装操作を実施する。 - 特許庁 - A charge/discharge current Icp is input from the charge pump 14 to the capacitive element 15 to reduce the difference between the phase of a reference oscillation signal RCLK and that of a feedback oscillation signal PCLK input to the phase comparison unit 12, and the potential of a first end of the capacitive element 15 is adjusted by the potential adjustment unit 16.
位相比較部１２に入力される基準発振信号ＲＣＬＫと帰還発振信号ＰＣＬＫとの位相差が小さくなるように、チャージポンプ１４から容量素子１５へ充放電電流Ｉｃｐが入力され、また、電位調整部１６により容量素子１５の第１端の電位が調整される。 - 特許庁 - Power supply is made to the lighting circuit through a semiconductor switching element 11 that is installed in the switch control circuit 8, and, by detecting a part of the current flowing in the semiconductor switching element 12 and comparing this with the reference value by comparators 21, 22, abnormality of the lighting circuit or the discharge lamp is detected.
スイッチコントロール回路８に設けられた半導体スイッチ素子１１を介して点灯回路に電源供給を行うとともに、半導体スイッチ素子１２に流れる電流の一部を検出して、これをコンパレータ２１、２２で基準値と比較することにより、点灯回路又は放電灯の異常検出を行う構成にした。 - 特許庁 - When new weather prediction data and weather observation data are acquired, a probability calculation part 17 determines each element on the acquired data, and calculates a generation probability of the specific weather phenomenon on reference to the conditional probability table corresponding to a weather determination element based on the determination result.
確率算出部１７は、新たな気象予測データ及び気象観測データが取得されたとき、取得されたデータについて各要素の判定を行い、この判定結果をもとに気象判定要素に対応する条件付確率表を参照して、特定の気象現象の生起確率を算出する。 - 特許庁 - The laminated type gas sensor element 400 has plate-like element body in which ceramic-made base substance 2 internally containing resistance heating element 21, oxygen concentration cell element 1 with sensing electrode 131 and reference electrode 132 formed on both faces of sensing layer 11 consisting of solid electrolyte, and electrode protective layer 5, are laminated.
抵抗発熱体２１を内部に有するセラミック製の基体２と、固体電解質体からなる検出層１１の表裏面に検知電極１３１、基準電極１３２が形成された酸素濃淡電池素子１と、電極保護層５とを積層した板状の素子本体を有する積層型ガスセンサ素子４００において、少なくとも測定対象気体に晒されることになる先端側全周に、多孔質接着層４１と多孔質表面層４２とからなる多孔質保護層４０を形成する。 - 特許庁 - In the solid electrolyte type gas sensor element which has a normal pole on one side of a solid electrolyte layer and a reference pole and a detection pole covered with a metallic carbonate layer on the other side thereof, an obstacle is arranged so as to keep the metallic carbonate surrounding the detection pole from moving to the reference pole.
固体電解質層の一方の面に基準極を、他方の面に参照極及び金属炭酸塩層によって覆われた検知極とを有する参照極付き固体電解質型ガスセンサ素子において、検知極周囲の金属炭酸塩が参照極へ移動しないための障害を有する固体電解質型ガスセンサ素子。 - 特許庁 - This device has a pixel substrate 2, in which provided at least are a scanning line 5 connected to a gate electrode 18 of a switching element 8, a pixel electrode 9 connected to a drain electrode 19b, a reference signal line 6 connected to a source electrode 19a, and a gate insulating film 16 that insulates/protects the gate electrode 18 and the scanning line 5 or the reference signal line 6.
スイッチング素子８のゲート電極１８に接続された走査線５と、ドレイン電極１９ｂに接続された画素電極９と、ソース電極１９ａに接続された基準信号線６と、ゲート電極１８と走査線５または基準信号線６を絶縁保護するゲート絶縁膜１６とが少なくとも設けられた画素基板２を有する。 - 特許庁 - By operating the switch circuit SW1 through a decoder circuit TD by a mode change signal MODE1-n inputted from the outside, the burn-in test reference voltage VrefB can be applied to the memory element through a sense circuit SC in a burn-in test, instead of the reference voltage VrefN for the the normal read out.
外部からモード移行用信号ＭＯＤＥ１〜ｎを与えてデコード回路ＴＤを介しつつ切り換え回路ＳＷ１を操作することにより、バーンインテスト時には、通常読み出し動作時の参照電圧ＶｒｅｆＮに代えてバーンインテスト用参照電圧ＶｒｅｆＢを、センス回路ＳＣを介してメモリ素子に印加することができる。 - 特許庁 - The switching power supply is provided with: a comparator 17 that compares the output of an amplifier 11 for generating voltage based on the difference between output voltage and a first reference voltage Vref1 with a second reference voltage Vref2, and an AND circuit 18 that determines the logical product of the output of the comparator and an inverting pulse signal supplied to the synchronous commutation switching element 56.
出力電圧と第１の基準電圧Ｖｒｅｆ１との差に基づく電圧を生成するアンプ１１の出力と第２の基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較するコンパレータ１７と、コンパレータの出力と同期整流スイッチング素子５６へ供給される反転パルス信号との論理積を求めるアンド回路１８とを設ける。 - 特許庁 - A light source 31 for irradiating light on a specimen on a stage 10, a photoelectric conversion element for carrying out photoelectric conversion, an optical means for guiding the light, a carriage 35, and the reading reference plate 110 are respectively fitted to an apparatus frame 70, and the reading reference plate 110 is located in parallel with the stage 10 in a moving direction of a scanning unit A.
載置台１０上の読取物に光を照射する光源３１と、光電変換する光電変換素子と、光を導く光学手段と、キャリッジ３５と、読取基準板１１０とをそれぞれ装置フレーム７０に取付け、上記読取基準板１１０を走査ユニットＡの移動方向に上記載置台１０と並列に配置する。 - 特許庁 - To provide a storage element of a magnetic random access memory (MRAM) with a thermally assisted switching writing procedure comprising: a magnetic tunnel junction formed from a magnetic storage layer, a reference layer, and an insulating layer inserted between the reference layer and the storage layer; and a first strap portion laterally connecting one end of the magnetic tunnel junction to a first selection transistor.
磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。 - 特許庁 - In this three-dimensional electronic camera, a half mirror 105 superimposes an object light produced when a light receiving luminance modulation with a 1st frequency by a lighting section 101 onto a reference light that is luminance modulated with a 2nd frequency generated by a reference light generating section 108 to form an image onto a sensitivity modulation type two-dimensional image pickup element 106.
照明部１０１により第１の周波数で輝度変調された光を物体１００に照射したときの物体光と、参照光生成部１０８によって生成された第２の周波数で輝度変調された参照光とをハーフミラー１０５により重畳して感度変調型２次元撮像素子１０６上に結像させる。 - 特許庁 - In this case, the capacity voltage conversion circuits 8, 9 are composed of high impedance amplification circuits 60, 80 and diodes 64, 74, 84, 85 for applying reference voltage from a reference voltage source 70 on the input side of the amplification circuits 60, 80, and the whole block can be formed to be integrated on one semiconductor board together with the angular speed detection element 1.
この場合、容量電圧変換回路８，９は、高入力インピーダンス増幅回路６０，８０と、この増幅回路６０，８０の入力側に基準電圧源７０から基準電圧を印可するダイオード６４，７４，８４，８５とから構成し、角速度検出素子１と共に回路ブロック全体を１枚の半導体基板に集積化して形成可能とする。 - 特許庁 - Furthermore, the imaging device includes a selection unit 107 which selects the suitable delay amount according to the determination result of the determination unit 106, a signal processing unit 108 which processes the image signal having been selected by the selection unit 107, and a reference signal generation unit 110 which generates a reference signal for synchronizing the signal processing unit 108 and imaging element 102 with each other.
また、判定部１０６の判定結果より前記適正な遅延量を選択する選択部１０７と、選択部１０７により選択された後の画像信号を処理する信号処理部１０８と、信号処理部１０８と撮像素子１０２の同期を取るための基準信号を生成する基準信号生成部１１０とを備える。 - 特許庁 - A diffraction optical element 22 included in the reference standard plate 20 with the diffraction grating is configured to convert measurement light from a reference standard plane 21 into off-axis measurement light incident on the lens to be checked 70 from the all directions around an optical axis C_70 of the lens to be checked 70 at a predetermined inclination angle with respect to the optical axis C_70.
回折格子付参照基準板２０が有する回折光学素子２２は、参照基準面２１からの測定光を、被検レンズ７０の光軸Ｃ_７０の回り全方位から光軸Ｃ_７０に対し所定の傾斜角度をなして被検レンズ７０に入射する軸外測定光に変換するように構成されている。 - 特許庁 - The MEMS element is equipped with a stationary comb-shaped electrode and a movable comb-shaped electrode which are arranged with a prescribed space apart, wherein the movable comb-shaped electrode moves in a direction angled to a movable reference plane, and wherein an electrostatic attraction operating surface of the stationary and the movable comb-shaped electrodes has a circular arcuate shape in the movable reference plane.
所定の間隔を有して配置された固定櫛歯電極と可動櫛歯電極とを備え、前記可動櫛歯電極が可動基準面に対して角度をなす方向に移動するＭＥＭＳ素子であって、前記固定櫛歯電極および前記可動櫛歯電極の静電引力作用面が、前記可動基準面内において円弧形状を有している。 - 特許庁 - By making the light-emitting elements 12A-12D and the light-emitting element 12R for reference light at different timings, and by comparing the result of detection of detecting light L2 by a photodetector 30, with the result of detection of the reference light Lr by the photodetector 30, accordingly, the X-axis coordinate and the Y-axis coordinate of the target object Ob can be detected.
このため、発光素子１２Ａ〜１２Ｄ、および参照用発光素子１２Ｒを異なるタイミングで点灯させて、光検出器３０での検出光Ｌ２の検出結果と光検出器３０での参照光Ｌｒの検出結果とを比較すれば、対象物体ＯｂのＸ座標およびＹ座標を検出することができる。 - 特許庁 - The image sensor IC is characterized in that a low pass filter is interposed between a reset means and a reference voltage circuit, the image sensor IC comprising: a plurality of photoelectric conversion elements; a plurality of reset means respectively connected to the photoelectric conversion elements and for initializing each photoelectric conversion element; and the reference voltage circuit for generating a reset voltage applied to the reset means.
複数の光電変換素子と、光電変換素子にそれぞれ接続する光電変換素子を初期化する複数のリセット手段と、リセット手段に供給するリセット電圧を発生する基準電圧回路からなるイメージセンサーＩＣにおいて、リセット手段と基準電圧の間にローパスフィルターを入れたことを特徴とするイメージセンサーＩＣ。 - 特許庁 - In the cation conductive solid electrolyte independent type carbon dioxide detecting element equipped with a detection electrode 4 based on lithium carbonate, a cation conductive solid electrolyte 2 containing a divalent or trivalent cation as a main conductive seed and a reference electrode 3, the reference electrode is coated with a gas impermeable film 5.
炭酸リチウムを主体とする検出極４と、２もしくは３価のカチオンを主たる導電種とするカチオン導電性固体電解質２と、基準極３とを備えるカチオン導電性固体電解質単独型二酸化炭素検出素子において、前記基準極にガス非透過性被膜５を被覆することによって、課題を解決する。 - 特許庁 - An input terminal of output limiting voltage VMAX is disposed in the differential amplification circuit 103 for amplifying the output Va_out from a photoelectric conversion element array 101 with reference to a predetermined voltage from a reference voltage output section 102, and the output limiting voltage VMAX is supplied from an output limiting voltage source 104 to the input terminal.
光電変換素子アレイ１０１からの出力Ｖａ＿ｏｕｔを、基準電圧出力部１０２からの所定電圧を基準として増幅する差動増幅回路１０３に出力制限電圧ＶＭＡＸの入力端子を設けておき、この入力端子に出力制限電圧源１０４から出力制限電圧ＶＭＡＸを供給する。 - 特許庁 - When finely adjusting the resistance value of a first resistor R3 concerned in generation of reference voltage in order to suppress "apex temperature variation" and "output voltage variation" of reference voltage V_ref due to element variation, the resistance value of a third resistor R4 which generates temperature sensor output V_PTAT is finely adjusted simultaneously in the same proportion.
素子ばらつきによる基準電圧Ｖ_ｒｅｆの「頂点温度ばらつき」と「出力電圧ばらつき」を抑えるために、基準電圧の生成に関与する第１の抵抗Ｒ３の抵抗値を微調整する場合、温度センサ出力Ｖ_ＰＴＡＴを生成する第３の抵抗Ｒ４の抵抗値も同時に、同比率で微調整する。 - 特許庁 - A level shifter comprises: a wiring 112 for generating a magnetic field to which an input signal is applied; a magnetoresistance effect element 11 for detection which outputs a detection signal for which the wiring 112 for generating the magnetic field takes a value corresponding to the generated magnetic field; magnetoresistance effect elements 21 and 31 for reference which output reference signals of a certain value.
レベルシフタは、入力信号が印加される磁界発生用配線１１２と、磁界発生用配線１１２が発生した磁界に対応した値をとる検出信号を出力する検出用磁気抵抗効果素子１１と、一定の値をとる参照信号を出力する参照用磁気抵抗効果素子２１，３１を備える。 - 特許庁 - A reference voltage circuit 6 supplies a reference voltage VDDR in which a first power supply voltage VDD to be supplied from a first power supply terminal 10 is reduced at a predetermined potential, to a buffer circuit 5 as a voltage for electrically short-circuiting between first and second power supply terminals 10 and 11 while controlling a transistor 7 (clamp element) in an on-state.
基準電圧回路６は、トランジスタ７（クランプ素子）をオン状態に制御して第１及び第２電源端子１０，１１間を電気的に短絡させるための電圧として、該第１電源端子１０から供給される第１電源電圧ＶＤＤを所定電位にて降圧した基準電圧ＶＤＤＲをバッファ回路５に供給する。 - 特許庁 - An indication determination part 22 periodically acquires a light receiving amount in a light receiving element 132 when a work W passes through a detection position Ps to determine whether or not there is an indication of an abnormality in a detection sensor 12 based on comparison between a acquisition waveform to be generated based on the acquisition result and a reference waveform to be stored in a reference storage part 20.
兆候判定部２２は、検出位置ＰｓをワークＷが通過する場合における受光素子１３２での受光量を周期的に取得して該取得結果に基づき生成される取得波形と、基準記憶部２０に記憶される基準波形との比較に基づき、検出センサ１２に異常の兆候があるか否かを判定する。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus that accurately detects toner image density of a reference density pattern and carries out image formation with preferable density, irrespective of characteristics of a photoreceptor drum that carries a reference density pattern or the surface of an intermediate transfer belt, after use of a light-emitting element that constitutes a toner density sensor for a long period, which results in decrease in brightness.
基準濃度パターンを担持する感光体ドラム、あるいは中間転写ベルトの表面の特性に依らずに、トナー濃度センサを構成する発光素子が長時間点灯し光度が低下したときでも基準濃度パターンのトナー像濃度を正確に検出し、好ましい濃度の画像形成を行うことができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - A first evaluation value derivation module derives the maximum brightness value (reference value) in a block from the brightness value of each picture element belonging to the block in units of blocks produced by dividing an image based on image data and determines the first evaluation value of the image according to the derived maximum brightness value (reference values) in each block.
第１の評価値導出部が、画像データに基づいて、画像を複数に分割して得られる各ブロック毎に、そのブロックに属する各画素の輝度値から、そのブロックにおける基準最大輝度値をそれぞれ導き出し、それら導き出された各ブロック毎の基準最大輝度値から、画像についての第１の評価値を導き出す。 - 特許庁 - In this temperature detection circuit 20, a detection circuit 22 for detecting a detection voltage Vsen by a sensor element Sen uses a logic voltage Vcc for its driving power source, and the detection voltage Vsen and a reference potential Gnd' of a reference voltage Vref2 are connected not to the earth Gnd but to an output voltage Vref3 outputted from a voltage follower circuit 23, respectively.
温度検出回路２０では、センサー素子Ｓenによる検出電圧Ｖsen を検出する検出回路２２は、その駆動電源をロジック電圧Ｖccとし、また検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’をいずれもアースＧndにすることなく、電圧フォロア回路２３から出力される出力電圧Ｖref3にしている。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus which comprises imaging areas of a standard part and a reference part where a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element are arrayed respectively and performs phase difference detection type automatic focus, signals output from the standard part and the reference part are output to output circuits of individual channels, which are arranged adjacently to each other.
光電変換素子を有する画素がそれぞれ複数配列された基準部と参照部の撮像領域から成り、位相差検出型オートフォーカスを行う固体撮像装置において、前記基準部と参照部から出力される信号を個別のチャンネルの出力回路に出力し、前記各出力回路は、互いに隣接して配置される。 - 特許庁 - When a luminance adjustment switching element 43 turns the drive transistor 41 off in a lights-out period of the LED circuit 11, for example, in a horizontal retrace interval or a vertical retrace interval, when the detection voltage and the reference voltage are exchanged, the average voltage generated in the current detection circuit 42 becomes equal to the reference voltage and the influence of the offset voltage is eliminated.
輝度調整スイッチ素子４３が、ＬＥＤ回路１１の消灯期間、例えば水平帰線期間又は垂直帰線期間に、駆動トランジスタ４１をオフさせるときに、検出電圧と基準電圧とを交換させれば、電流検出回路４２に生じる平均電圧は、基準電圧と等しくなり、オフセット電圧の影響を消去することができる。 - 特許庁 - A power control circuit 17 controls amplification of an amplifying element in the power device 14 so that the difference between the voltage of the transmission signal that the power device 14 sends out and the voltage of the reference signal supplied from the control IC 16 approximates 0.
パワーコントロール回路１７は、パワーデバイス１４が送出する送信信号の電圧と制御ＩＣ１６から与えられた基準信号の電圧との差分が０に近づくように、パワーデバイス１４内の増幅素子の増幅を制御する。 - 特許庁 - Correction coefficient of each print engine 13-15 is determined with reference to the energy being impressed to a first print engine 12 based on the offset amount of a platen roller and a heating element, the pressing force of the platen, the environmental temperature, and the like.
第１プリントエンジン１２の印加エネルギを基準としたときの各プリントエンジン１３〜１５の補正係数を、プラテンローラと発熱素子とのオフセット量、プラテン押圧力、環境温度などの各種要因に基づき求めておく。 - 特許庁 - To provide a hologram recording/reproducing device whose optical system can be simplified even when a phase modulating element is used for both signal light and reference light and which can suppress occurrence of noise and a decrease in quantity of light.
信号光及び参照光の両方に位相変調素子を用いた場合であっても、光学系を簡略化でき、かつ、ノイズの発生と光量の低下を抑えることができるホログラム記録再生装置を提供すること。 - 特許庁 - A distance G2 from the external terminal electrode 21 nearest to an end face 13a to the end face 13a is measured, if the measured distance G2 does not satisfy a predetermined reference value, the ceramic element body is screened and removed as a defective product.
端面１３ａに最も近い外部端子電極２１から端面１３ａまでの距離Ｇ２を測定し、測定された距離Ｇ２が所定の基準値を満たさない場合、そのセラミック素体を不良品として選別除去する。 - 特許庁 - The relevant incident reference beam (RL) has its traveling direction changed into a reverse direction by the hologram element (40) regardless of its incident angle, follows the same optical path as the incoming path, and is applied again to the hologram recording medium (30).
当該入射した参照光ＲＬは、ホログラム素子４０によって、入射角度に関わらずその進行方向を逆向きに変えられ、往路と同一の光路を通ってホログラム記録媒体３０に再び照射される。 - 特許庁 - For example, level values a to h of peripheral picture elements and a level value o of a target picture element are respectively inputted in eight comparators 11, and when the absolute value of the difference between the level values is smaller than a reference level θ, a value of '1' is outputted.
例えば８個の比較器１１にそれぞれ周囲画素のレベル値ａ〜ｈと注目画素のレベル値ｏとが入力され、それぞれのレベル値の差の絶対値が基準レベルθの値より小さいとき値“１”が出力される。 - 特許庁 - Second MOS 102 where a gate is not connected to a terminal 101 is arranged in series between first MOS 111 and reference potential wiring 106, and it is provided with a fourth electrostatic protection element 124 close to the gate and a source.
ゲートが端子１０１に接続されない第２のＭＯＳ１０２は、第１のＭＯＳ１１１と基準電位配線１０６との間に直列に配置され、ゲート−ソース間に近接して第４の静電保護素子１２４を備える。 - 特許庁 - A control part controls ON/OFF of the cooling fan according to the temperature detected by a thermal element 23, starts the cooling fan at the input of a trigger signal when the internal temperature is a certain reference value or higher, and stops the cooling fan after a fixed time.
制御部は感熱素子23による検出温度に応じて冷却ファンのオン・オフを制御し、内部温度が或る基準値以上でトリガ信号が入力されたときに冷却ファンを起動し、一定時間後に停止する。 - 特許庁
