「reference element」を含む例文一覧(1724)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 34 35 次へ＞- The gap G1 comprises ends 11A1 and 11A2 counterposed mutually with a predetermined clearance in order that the semiconductor substrate may make only the abnormal voltage transmitted to the MOS element Q1 bypass reference potential (grounding potential).
ギャップＧ１は、ＭＯＳ型素子Ｑ１へ伝達されようとする異常電圧のみを半導体基板は基準電位（接地電位）にバイパスさせるため、所定の離間距離をもって互いに対向する尖端部１１Ａ１，１１Ａ２を有する。 - 特許庁 - In this method, a current is carried to the gas sensor element 1 comprising a solid electrolyte 11 and a measuring gas-side electrode and reference gas-side electrode provided on the solid electrolyte 11, whereby the output characteristic value is set to a prescribed value.
固体電解質体１１と，該固体電解質体１１に設けた被測定ガス側電極と基準ガス側電極とよりなるガスセンサ素子１であって，これに対し通電することにより出力特性値を所定の値とする。 - 特許庁 - Then a clock S7 generated by delaying a clock CLK2 to be a standard by the selected delay element and a reference clock CLK1 have their frequencies divided by frequency dividing circuits 1 and 2 to the same frequency and a phase comparing circuit 3 compares the phases of both clocks.
その後、被基準クロックCLK2を前記選択された遅延素子で遅延したクロックＳ７と、基準クロックCLK1とを、分周回路１、２で分周し、同一周波数として、この両クロックを位相比較回路３で位相比較する。 - 特許庁 - When the scanning electrode line 7 is selected and a voltage rises to a high level, the thin-film transistor 17 is turned on, and a current signal flowing to the signal electrode 9 with this timing flows through the image memory element 1 to a reference electrode line 15.
走査電極線７が選択されて電圧がハイレベルとなると、薄膜トランジスタ１７がオンし、このタイミングで信号電極９に流れている電流信号が画像メモリ素子１を通って基準電極線１５に流れる。 - 特許庁 - In an oxygen sensor element, a heater is provided inside the alumina substrate, a reference electrode 4 made of platinum or the like is formed on one surface of the solid electrolyte layer, and a measurement electrode 5 made of the platinum or the like is formed on the other.
酸素センサ素子とする場合は、アルミナ基体の内部にヒータが配設され、固体電解質層の一面には白金等からなる基準電極４が、他面には同じく白金等からなる測定電極５が形成される。 - 特許庁 - The bolometers 11-14 each include a bolometer element 112 which is connected to a reference resistor 111 in series, and varies in a resistance value with intensity of infrared ray, and a differential circuit 113 which differentiates a sensor signal to obtain a differential signal.
各ボロメータ１１〜１４は、基準抵抗器１１１と直列に接続され、赤外線の強度に応じて抵抗値が変化するボロメータ素子１１２と、センサ信号を微分して微分信号を取得する微分回路１１３とを備える。 - 特許庁 - When the reference clock frequency is 13.5 MHz, vertical display position control over the liquid crystal display element 121B is stopped at fixed intervals, and the ratio of an effective display area to an input video signal is varied.
基準クロック周波数が１３．５ＭＨｚであるとき、液晶表示素子１２１Ｂの垂直方向の表示位置制御を一定間隔で停止し、入力映像信号に対する有効表示領域の比率を変化させる。 - 特許庁 - The calculating means 12 analyzes output data corrected, so that the null interference fringe pattern can be observed at the photographing means 11 after the phase control element 9 aligns the phase distribution of the reference wave with the surface 7a to be measured.
上記演算手段１２は、上記位相制御素子９により参照波の位相分布を被測定面７ａに合わせ、撮像手段１１でヌルの干渉縞を観測できるように補正した出力データを解析する。 - 特許庁 - The dispersion compensator provided with a multiple reflection element, a condenser lens and a mirror, is characterized in that α(y) satisfies the relation expressed by Equation (1) when the inclination of a mirror reflection surface 15a of the mirror with respect to a reference direction Y is indicated by a function α(y).
多重反射素子と、集光レンズと、ミラーとを備える分散補償器において、基準方向Ｙに対する前記ミラーのミラー反射面１５ａの傾きを関数α（ｙ）で表示したときに、α（ｙ）は次式： - 特許庁 - An output signal of an error amplifier 5 having a reference terminal to which a voltage having no fluctuation of a temperature characteristic is applied and a detection terminal to which a voltage detection terminal VO2 is connected is transferred to a control terminal of a switch element 6.
温度特性変動を有しない電圧が印加された基準端子と電圧検出用端子ＶＯ２が接続された検出端子とを有した誤差増幅器５の出力信号をスイッチ素子６の制御端子に伝達する。 - 特許庁 - The sensor element 500 includes: a solid electrolyte layer 310; and a reference electrode 320 and a sensing electrode 340 which are disposed at the solid electrolyte layer 310 so as to face each other through the solid electrolyte layer 310.
センサ素子５００は、固体電解質層３１０と、この固体電解質層３１０を介し互いに対向するように当該固体電解質層３１０に設けた基準電極３２０及び検出電極３４０とを有する。 - 特許庁 - In this chemical sensor, pairs of reference electrodes 8 and detecting electrodes 9 are formed respectively on a face of a quartz oscillator 7, and the porous sensing element 10 of a thin film is formed between the detecting electrodes 9 on the face of the quartz oscillator 7.
水晶振動子７の面にそれぞれ一対の参照電極８と検出電極９とを形成し、さらに水晶振動子７の面の検出電極９間に多孔性で薄膜の感応体１０を形成する。 - 特許庁 - In the sensor element 10, the peripheral edge surface 32 of the first electrode layer 20 is exposed to the gas to be measured so as to expose a part of the second electrode layer 22 to the reference gas.
そして、ガスセンサ素子１０において、前記第１電極層２０における周縁面３２を被測定ガスに曝すことができるように露出させ、かつ、前記第２電極層２２の一部を基準ガスに曝すことができるように露出させる。 - 特許庁 - The control units 8-11 vary the electron multiplication gate voltage set in the electron multiplication CCD imaging element 4, and records the electron multiplication gate voltage when the measurement matches the reference value as a calibrated set value.
そして、制御部８〜１１は、電子増倍型ＣＣＤ撮像素子４に設定している電子増倍ゲート電圧を変化させ、測定値が基準値に一致したときの電子増倍ゲート電圧を校正後の設定値として記録する。 - 特許庁 - A self-oscillation is operated by use of a first switching transistor Q1 that is connected in series with a choke coil and a second switching transistor Q2 that is connected in series with an impedance element R1 between an input and a reference electric potential of the power supply.
チョークコイルと直列に接続された第１のスイッチングトランジスタＱ１と入力端と電源装置の基準電位間にインピーダンス素子Ｒ１と直列に接続された第２のスイッチングトランジスタQ2を用いて自励発振させる。 - 特許庁 - A first format conversion section 10 extracts the plurality of first pixel element data with a given reference bit from the first pixel data signal 2a as the head on the basis of the first setting information 31, and generates a pixel data signal 12.
第１のフォーマット変換部１０は、第１の設定情報３１に基づいて、第１の画素データ信号２ａから所与の基準ビットを先頭として複数の第１の画素要素データを取り出し、画素データ信号１２を生成する。 - 特許庁 - A shift of an imaging position can be corrected by using an output of the second light receiving element for receiving the reference light even when the imaging position of the diffracted light is shifted due to an individual difference of width of grating of the diffraction grating part 3.
回折格子部３の格子幅の固体差で回折光の結像位置がずれても参照光を受光する第２の受光素子の出力を利用することで結像位置のずれについての補正を行うことができる。 - 特許庁 - In the group III nitride semiconductor element, a junction JC is inclined with respect to the reference surface perpendicular to a c axis of a gallium nitride-based semiconductor layer, and an electrode is joined to a semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer.
このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。 - 特許庁 - The gas sensor element 100 includes a solid-state electrolyte body 11, and a reference electrode 132 and a detection electrode 131 located on the solid-state electrolyte body 11 so that the electrodes face each other via the solid-state electrolyte body 11.
固体電解質体１１と、この固体電解質体１１を介して互いに対向するように当該固体電解質体１１に設けられた基準電極１３２及び検知電極１３１とを備えたガスセンサ素子１００である。 - 特許庁 - Each integrated circuit 101 constituting the clock abnormality detection system 100 calculates the number of stages of a delay element for one period of the reference clock signal for operating each integrated circuit 101 in a clock period detection circuit 1.
クロック異常検出システム１００を構成する各集積回路１０１は、クロック周期検出回路１において、各集積回路１０１を動作させるための基準クロック信号の１周期に係る遅延素子の段数を算出する。 - 特許庁 - The radar equipment has a transmission controller 50, which equally synchronizes each transmit phase of the respective transmitter signal supplied to each antenna element during calibration of the radar equipment to define the phase shift amount of the transmit phase shifter as reference transmission phase shift amount.
レーダ装置の較正時に、各アンテナ素子に供給する各送信信号の各送信位相を同一に同期させて、送信移相器の移相量を基準送信移相量とする送信制御装置５０を有する。 - 特許庁 - A wavelength conversion layer which contains a substance, e.g. a phosphor, generating visible light according to incident light at a wavelength shorter than that of the visible light is formed on the light receiving face of a semiconductor light receiving element, whose light receiving sensitivity with reference to the visible light is high.
可視光に対する受光感度の高い半導体受光素子１０の受光面にこれよりも短波長の入射光に応じて可視光を発生する物質、例えば蛍光体を含む波長変換層２１を設ける。 - 特許庁 - The tuning device is constituted by installing a vibration sensor on a clip and connecting the clip and a tuning state display part by a flexible joint; and a piezoelectric element is used as the vibration sensor, which serves as a generation body for a reference sound.
調律装置において振動センサをクリップに設置し、該クリップと調律状態表示部とを屈曲可能な継手で連結した構成を採り、該振動センサには圧電素子を用い、該振動センサが基準音の発生体も兼ねる。 - 特許庁 - THe gas sensor element 1 is provided with chambers 121 and 122 for gases to be measured; a reference gas chamber 160; a pump cell 2 for introducing and extracting oxygen to and from the chambers 121 and 122 for the gases to be measured; and a sensor cell 4 for measuring the concentration of specific gases in the gases to be measured.
被測定ガス室１２１，１２２と，基準ガス室１６０と，被測定ガス室１２１，１２２に対し酸素を出し入れするポンプセル２と，被測定ガス中の特定ガス濃度を測定するセンサセル４とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁 - When the reference value is not exceeded, in a step S6, the amount of fluctuation IH (Ta) of a driving current command value which is based on the environmental temperature Ta, and the amount of current decrease IST (ST, dST) which is determined by deterioration of the element are operated.
基準値を超えない場合にはステップＳ６で周囲温度Ｔａに基づく駆動電流指令値の変動量ＩＨ（Ｔａ）と素子の劣化によって決まる電流低下量ＩＳＴ（ＳＴ，ｄＳＴ）を演算する。 - 特許庁 - This results in that the first part, alone, specifies the type of the reference element and that an improvement in extensibility is achieved based on a schema version number to be transmitted and on firmly determined extension strategies that are also familiar to a decoder.
この場合、第１の部分が参照される要素の型だけを指定し、伝送すべきスキーマバージョン番号およびまえもって固定的に定められデコーダにとって既知の拡張ストラテジに基づき、拡張性の改善が実現される。 - 特許庁 - A gas sensor element consists of a solid electrolyte 10, the electrode 12 on the side of reference gas and electrode 11 on the side of gas to be measured provided thereto and the porous protective layer 13 provided so as to cover the surface of the electrode 11 on the side of the gas to be measured.
固体電解質体１０とこれに設けられた基準ガス側電極１２及び被測定ガス側電極１１と，被測定ガス側電極１１の表面を覆うように設けられた多孔質の保護層１３とからなる。 - 特許庁 - To accurately program a reference element for reading the memory state by separating the memory function from the transistor operation function of a gate insulating film, thinning the gate insulating film to suppress the short channel effect without losing the memory function, and facilitating miniaturization.
メモリ機能と、ゲート絶縁膜が担うトランジスタ動作機能とを分離し、メモリ機能を損なわず、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャンネル効果を抑制し、微細化を図り、メモリ状態を読み出すための基準素子を、正確にプログラムする。 - 特許庁 - A determination part 112 compares reference data based on the PTC element of a regular product and stored in a memory 120 with the data for determination to determine whether the PTC component 100 and the consumable component 10 are each a regular product.
判定部１１２は、メモリ１２０に記憶された正規品のＰＴＣ素子に基づく基準データと判定用データとを比較し、ＰＴＣ素子１００および消耗部品１０が正規品であるか規格外品であるかを識別する。 - 特許庁 - A proportional-integral compensator 32 generates a conductance indicating current so that the conductance of a semiconductor switching element 13 may increase with the passage of time, from the current value of the reference current and the current value that a current detector 6 has detected.
比例−積分補償器３２は基準電流の電流値と電流検知部６が検知した電流値とから時間とともに半導体スイッチング素子１３の導通率が増加するように導通率指示電流を生成する。 - 特許庁 - To provide a design support system, with which the target of reference can be easily specified, efficiency in design is improved and convenience can be improved, in the design support system capable of referring to graphic element data contained in another design file.
他の設計ファイルに含まれる図形要素データを参照可能な設計支援システムにおいて、参照の対象を容易に特定でき、設計効率を向上させ、利便性を高めることのできる設計支援システムを提供する。 - 特許庁 - The simulation of a releasing amount in addition to a design value is performed during the manufacture of a specular piece, shape data practically manufactured based on reference data on an analogous optical element are carried out, and processing is done based on this value.
そのために、本発明では、鏡面駒作成時には設計値に加え離型量のシュミレーションや、類似の光学素子の参照データを基に実際に製作する形状データを作成し、この値に基づいて加工する構成をとる。 - 特許庁 - A gas sensor element 1 has: an oxygen ion conductive solid electrolyte 11; a measured gas side electrode and a reference gas side electrode provided to the solid electrolyte 11; and a porous diffusion resistance layer 17 which transmits measured gas.
ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と固体電解質体１１に設けられた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と被測定ガスを透過させる多孔質の拡散抵抗層１７とを有する。 - 特許庁 - Accordingly, the silicone adhesive for supporting the piezoelectric element 4 in the holder 3 from the side with respect to a reference line FL is prevented from flowing out to the moving area MR on the driving shaft 6 while regarding the flange member 20 as a barrier.
そのため、鍔部材２０がバリアとなって、基準線ＦＬに対して側方から圧電素子４をホルダ３に支持させるためのシリコーン接着剤が、駆動軸６の移動領域ＭＲに流れ出すのを防止することができる。 - 特許庁 - The change over circuit is equipped with a comparator for comparing the specified varying voltage with previously set reference voltage; and a switching element for sequentially applying voltage to the luminescent member based on the resulting voltage of the comparator.
そして、前記切替回路は、所定の変化電圧とあらかじめ設定した基準電圧とを比較する比較器と、この比較器の結果信号に基づいて前記発光部材に順次電圧を印加するスイッチング素子とを備えている。 - 特許庁 - The method includes a step for collecting a query signal (including reflected constitutional element) from the evaluated long structure, and for comparing the signal with a reference signal selected from a known geometric feature part stored in a database.
本方法は、評価される長さのある構造物から問合せ信号（反射される構成要素を含む）を集め、その信号を、データベースに保管された既知の幾何学的特徴部から選択された基準信号と比較する段階を含む。 - 特許庁 - A cabinet for projection-type television system includes the structure which is integrally formed for fitting an optical element, the structure for mechanically arranging the important optical elements of the television system, and an integrated reference surface.
本発明の投写型テレビジョンシステム用のキャビネットは、光学要素を取付けるための、一体に成形された構造と、テレビジョンシステムの重要な光学要素を互いに機械的に整列させる構造と一体にされる基準表面とを含む。 - 特許庁 - A sensed signal output from a sensor element and a reference voltage having a constant voltage level are selectively input to an amplifier, and amplified signals thereof are sequentially output as A/D-converted data by the A/D converter.
センサ素子から出力される検知信号および電圧レベルが一定の基準電圧を選択的に増幅器に入力し、これらの増幅信号がＡＤ変換器によりＡＤ変換データとして順次出力される。 - 特許庁 - The reference position is set on the position of a pixel outputting the peak value when the peak value exists, or is set on the position of a pixel positioned on the center O of a light receiving surface of the imaging element when the peak value does not exist.
なお、この基準位置は、ピーク値が存在する場合には、該ピーク値を出力した画素の位置に設定される一方、ピーク値が存在しない場合には、撮像素子の受光面の中心Ｏに位置する画素の位置に設定される。 - 特許庁 - To provide a lens array element which suppresses occurrence of a defect in accuracy caused by releasing property when it is molded by using a metallic mold concerning a reference surface provided at an end face of a rectangular plate shape for the purpose of optical alignment.
光学的な位置合わせのために矩形板状の端面に設けられる基準面について、金型を用いて成形される際の離型性に起因する精度不良の発生が抑制されたレンズアレイ素子を提供する。 - 特許庁 - Between the base of the first switching transistor Q1 and the reference electric potential of the power supply, there is connected to a series circuit of a control transistor Q4 wherein the bias-impedance element R1 and the second switching transistor Q2 are complementarily operating.
第１のスイッチングトランジスタＱ１のベースと電源装置の基準電位との間に、バイアス用のインピーダンス素子Ｒ１と第２のスイッチングトランジスタＱ２とは相補的な動作をする制御用トランジスタＱ４の直列回路を接続する。 - 特許庁 - The substrate 2 is provided with a recession part 19 having a prescribed positional relation to alignment marks 12a, 12b, etc. to be reference parts for positioning the photo-detection element 5, and the lens part 3 is fitted in the recession part 19.
基板２には、光検出素子５を位置決めするための基準部となるアライメントマーク１２ａ，１２ｂ等に対して所定の位置関係を有する凹部１９が設けられており、レンズ部３は、凹部１９に嵌め合わされている。 - 特許庁 - The output reference terminal VNO is connected between a portion P1 wherein low voltage side terminals of low voltage side switching element S1-S3 are connected in an external terminal N of the power semiconductor device 11a, and a portion P2 exposed outside the external terminal N.
出力基準端子ＶＮ０は、その外部端子Ｎにおいて低圧側スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ３の低圧側端子が接続される部分Ｐ１と、外部端子Ｎの外部に露出した部分Ｐ２との間に接続される。 - 特許庁 - The reference voltage generating element 23 comprises MOSFETs 24, 25 having an identical configuration to that of MOSFETs 8, 9 being components of the inverter 7, and the MOSFETs 24, 25 are configured to be diode connection and connected in series.
基準電圧発生素子２３は、インバータ７を構成するＭＯＳＦＥＴ８、９と同一のＭＯＳＦＥＴ２４、２５からなり、この各ＭＯＳＦＥＴ２４、２５をダイオード接続にするとともに、これらを直列に接続するようにした - 特許庁 - The produced reference light of the P polarized beam is emitted to a hologram recording medium 68, and the laser beam passing through the hologram recording medium 68 is collimated to a beam with a large diameter by a lens 70, and is made incident on a spacial light modulation element 74.
生成されたＰ偏光の参照光は、ホログラム記録媒体６８に照射され、ホログラム記録媒体６８を透過したレーザ光は、レンズ７０で大径のビームにコリメートされ、空間光変調素子７４に入射する。 - 特許庁 - The document compressing device is configured to compress an element specified by an XML document analyzing part 12, provide an XML document compressing part 13 which creates a correspondence list indicating the correspondence relationship between before and after compression of the element, and create an XSLT 4 for reconstruction for reference when the compressed element is reconstructed based on the correspondence list created by an XML document compressing part 13.
ＸＭＬ文書解析部１２により特定された要素を圧縮するとともに、その要素の圧縮前後の対応関係を示す対応表を作成するＸＭＬ文書圧縮部１３を設け、そのＸＭＬ文書圧縮部１３により作成された対応表に基づいて圧縮後の要素を復元する際に参照する復元用ＸＳＬＴ４を生成するように構成した。 - 特許庁 - In the delay amount control circuit 210, an output signal of a voltage controlled oscillator 211 is constituted by connecting a plurality of stages of delay elements 211a having the same constitution as each delay element 221 of the delay circuit 220 in ring-form, and is locked at a position where the delay amount of the delay element 211a becomes integer-th part of a single period of a reference clock.
この遅延量制御回路２１０では、遅延回路２２０の各遅延素子２２１と同一の構成を有する複数段の遅延素子２１１ａをリング状に接続して構成される電圧制御発振器２１１の出力信号を、遅延素子２１１ａの遅延量が基準クロックの１周期の整数分の１となるところでロックする。 - 特許庁 - To provide an image forming device which can effectively compensate the increase/decrease of a light-emitting power resulting from the temperature rising of a light-emitting element or a driving element by providing a reference voltage generating circuit having smaller power source voltage dependency, and at the same time, can remarkably reduce effects by a temperature drift right after the turning on of a power source.
電源電圧依存性が少ない基準電圧発生回路を提供して、発光素子や駆動素子の温度上昇に起因する発光パワーの増減を効果的に補償することができるとともに、電源投入直後における温度ドリフトによる影響を著しく軽減することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - The gas sensor element 1 includes an oxygen-ion inductive solid-state electrolyte body 13, the measurement target gas side electrode 14 and a reference gas side electrode 15 respectively installed on one surface and the other surface of the solid-state electrolyte body 13, and a diffused resistor layer 12 for penetrating the formed measurement target gas between the measurement target gas side electrode 14 and the outside of the element.
酸素イオン伝導性の固体電解質体１３と、固体電解質体１３の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極１４及び基準ガス側電極１５と、被測定ガス側電極１４と素子外部との間に形成され被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁 - The ambient temperature of an LED element 12 is detected by a temperature sensor 14 and when the luminance control circuit 16 of this controller judges that the ambient temperature exceeds a first reference temperature (60°C), the controller controls so as to reduce the light emission luminance of the LED element 12 at a fixed rate by changing a duty ratio while thinning out the driving signal at a fixed rate.
ＬＥＤ素子１２の周囲温度の検出を温度センサ１４で行い、輝度制御回路１６が第１の基準温度（６０℃）を越えていると判断した場合は、ＬＥＤ素子１２の駆動信号を一定の割合で間引いてデューティ比を変化させ、ＬＥＤ素子の発光輝度を一定の割合で低減させるように制御する。 - 特許庁
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