「reference line」を含む例文一覧(2557)

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  • To provide a reference line tracking device capable of generating a control signal by tracking a reference line even when a working area is far from the same.
    基準線が作業域から離れて設けられていてもこれを追跡して制御信号を発生できるような基準線追跡装置を提供する。 - 特許庁
  • The current output circuit 23 outputs a data signal Xj corresponding to a reference voltage Vref1 applied to a reference voltage line 25 to a data line 103.
    電流出力回路２３は、基準電圧線２５に印加される基準電圧Ｖref1に応じたデータ信号Ｘjをデータ線１０３に出力する。 - 特許庁
  • A location reference line segment L1 of a line segment for a length within a prescribed range from SP is set as a reference for the location of OR blocks OR1-OR9.
    ＯＲブロックＯＲ１〜ＯＲ９の配置の基準とするためＳＰから所定の範囲の長さの線分である配置基準線分Ｌ１を設定する。 - 特許庁
  • Based on the light distribution characteristic, a pass line corresponding to or substantially corresponding to a cross line between the required reflection plane within the reference plane and the reference plane.
    配光特性に基づいて、基準平面内に、求めるべき反射面と該基準平面との交線に一致もしくは近似するパス線を決定する。 - 特許庁
  • The reference current is generated with a large step until a comparator 220 comparing the bit line voltage with the precharged bit line reference voltage is switched.
    ビット線電圧とプリチャージされたビット線基準電圧とを比較する比較器２２０が切り替わるまで、基準電流は大きなステップで発生される。 - 特許庁
  • A first switch 50 outputs the line reference instruction signal in a normal state, and outputs the pseudo line reference position instruction in an abnormal state.
    第１の切替器５０は、異常が無い場合にライン基準指令信号を出力し、異常が有る場合に疑似ライン基準位置指令を出力する。 - 特許庁
  • Even if the construction position does not coincide with the reference line, minute adjustment of the vertical travel reference line can be performed by a construction position minute adjustment lever 24a.
    基準線と施工位置との不一致がある場合にも、施工位置微調整レバー２４ａによって垂直移動基準線の微調整を行うことが出来る。 - 特許庁
  • Only a two-track portion of a storage area as the reference line and the decoding line is reserved in the data buffer 8, and toggle management of the DMA address of the reference line and that of the encoding line can be performed in the unit of lines.
    また、データバッファ８に参照ライン及び復号化ラインとしての記憶領域を２ライン分だけ確保し、参照ラインのＤＭＡアドレスと符号化ラインのＤＭＡアドレスをライン単位でトグル管理することもできる。 - 特許庁
  • The lens face angle α (°) in a reference point SP on the outer contour crossing a straight line SL in contact with the adjacent unit lens making angle 80° with the normal line, an angle β (°) between a reference line segment for connecting the reference point SP to the end part and the reference tangential line at the reference point and a lens face angle γ (°) at the end part form a prescribed relation.
    法線方向に対して８０°の角度をなす隣の単位レンズに接する直線ＳＬと交差する外輪郭上の基準点ＳＰでのレンズ面角度α（°）と、基準点ＳＰと端部とを結ぶ基準線分が基準点での基準接線に対してなす角度β（°）と、端部でのレンズ面角度γ（°）と、が所定の関係にある。 - 特許庁
  • A representative electric pole of the present invention is an electric pole to which a communication line is to be installed under a pole transformer having: a transformer reference mark indicating a reference position of the bottom of a pole transformer; a communication line reference mark indicating a reference position of a communication line; and an embedding reference mark indicating a reference position of an embedding depth.
    本発明にかかる代表的な電柱は、柱上変圧器の下に通信線を架設する電柱であって、柱上変圧器底面の基準位置を示す変圧器基準マークと、通信線の基準位置を示す通信線基準マークと、埋設深さの基準位置を示す埋設基準マークとを有することを特徴とする。 - 特許庁
  • After cutting the belt-like base stock 3 pulled out of the coiled material on a first cutting line S1 parallel to a reference cutting line S0, the cut-out member is cut on a second cutting line S2 orthogonally crossing the reference cutting line S0 and the first cutting line S1.
    コイル材から引き出された帯状の素材３を、基準切断線S0に対して平行な第１切断線S1で切断した後、切り出された部材を基準切断線S0及び第１切断線S1に対して直交する第２切断線S2で切断する。 - 特許庁
  • A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with a bit line 14, a bit line 16, a reference cell 20, and a reference cell 30.
    ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、ビット線１４、ビット線１６、リファレンスセル２０、およびリファレンスセル３０を備えている。 - 特許庁
  • The voltage of a reference bit line RBL1 is changed through an NMOS transistor connected between the reference bit line RBL1 and a reference virtual ground line RVGL2 in a second reference memory cell 30-2 and the voltage of a dummy bit line DBL is changed through a transistor in a second dummy memory cell 30-3.
    第２基準メモリーセル３０−２の基準ビットラインＲＢＬ１と基準仮想接地ラインＲＶＧＬ２との間に連結されているＮＭＯＳトランジスタを通じて基準ビットラインＲＢＬ１の電圧を変化させ、第２ダミーメモリーセル３０−３のトランジスターを通じてダミービットラインＤＢＬの電圧を変化させる。 - 特許庁
  • After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.
    その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁
  • The reference template PR is formed into a three-dimensional pattern by using a three-dimensional pattern of a marked portion (head of a nose, line of nose) as a reference position and a reference attitude.
    基準テンプレートＰＲは注目部分（鼻の頭、鼻筋）の３次元パターンを基準位置および基準姿勢とした３次元パターンとする。 - 特許庁
  • A reference side rotary body 21 capable of abutting to the work W is arranged on the tip of the reference vice 19 so as to be positioned on a work width reference line.
    基準バイス１９の先端にはワークＷに当接可能な基準側回転体２１がワーク幅基準ライン上に位置するように設けられている。 - 特許庁
  • In a bit line reference potential (VBL) generating circuit 801, a pad 401 is connected to a reference node A2 in a reference stage 500 through a transfer gate 213.
    ビット線参照電位（ＶＢＬ）発生回路８０１において、リファレンス段５００内の基準ノードＡ２にトランスファゲート２１３を介してパッド４０１を接続する。 - 特許庁
  • A control section, when setting the threshold voltages of the reference cell transistors, sets the reference word line and the reference global bit lines to predetermined voltages.
    制御部は、リファレンスセルトランジスタの閾値電圧を設定するときに、リファレンスワード線およびリファレンスグローバルビット線をそれぞれ所定の電圧に設定する。 - 特許庁
  • The word line RWL0 for reference cell is a word line activated when a memory array normal word line MWL being not a redundant line of a memory array MA is selected.
    リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０は、メモリアレイＭＡの冗長でないメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁
  • A second board 3 is electrically connected to the second circuit 3c by the use of a signal line 5 and a reference line 6.
    第２基板４は、信号線５および基準線６を用いて第２回路３ｃと電気的に接続した。 - 特許庁
  • A reference ignition timing line A and an MBT line B are set based on engine speed and engine load.
    エンジン回転数及びエンジン負荷に基づいて基本点火時期ラインＡ及びＭＢＴラインＢを設定する。 - 特許庁
  • This first reference line 54 is set to be orthogonal to a center line 55 extended in a back and forth direction of a slider body 31.
    この第１基準線５４は、スライダ本体３１の前後方向に延びる中心線５５に直交する。 - 特許庁
  • A cutting line 33 is formed on the second coating layer 21 with a cutter by using the cutting line indication mark 25 as a reference.
    分断線表示マーク２５を基準にして、カッタにより第２被覆層２１に分断線３３を形成する。 - 特許庁
  • After voltage difference between the bit line and the complementary bit line is sensed, the complementary capacitor is isolated from the reference capacitor.
    ビットラインと相補ビットラインとの間の電圧差を感知した後、相補ビットラインからリファレンスコンデンサが絶縁される。 - 特許庁
  • The reference running line 13 and the predicted running line 14 are compared by the comparing means, and the difference is acknowledged.
    比較手段により基準走行ライン１３および予想走行ライン１４を比較し、その差異を認識する。 - 特許庁
  • A reference signal W[i] which maintains a low potential in the first period when a scan line 13 corresponding to a reference signal line 17 is selected, and has a potential changed with time in a second period different by reference signal lines 17 is supplied to the reference signal line 17.
    各基準信号線１７には、当該基準信号線１７に対応した走査線１３が選択される第１期間にて低電位を維持するとともに基準信号線１７ごとに相違する第２期間にて経時的に電位が変化する基準信号Ｗ[i]が供給される。 - 特許庁
  • When one reference bit line BLr is driven to a selection state in accordance with a reference string selection signal SELref which is the result of decoding a column address CA at data access, the potential of the selection reference bit line BLr is transferred to a reference data bus line BDref.
    データアクセス時において、コラムアドレスＣＡのデコード結果である参照列選択信号ＳＥＬｒｅｆに応じて１本の参照ビット線ＢＬｒが選択状態に駆動されると、選択参照ビット線ＢＬｒの電位が参照データバス線ＢＤｒｅｆへと伝達される。 - 特許庁
  • A folding reference line 14 is formed in a valley shape, a part between a folding reference line 10 and a folding reference line 11 is pressed inside the cylindrical structure, and the surface 3 and the surface 7 are folded along the folding reference lines 12 and 13, respectively, to form a buffer member having an L-shaped bent part.
    折り曲げ基準線１４を谷状にして折り曲げ基準線１０と折り曲げ基準線１１との間を筒状構造の内部に押し込んで、面部３と面部７とをそれぞれ折り曲げ基準線１２，１３に沿って折り曲げて、Ｌ字形の屈曲部を有する緩衝部材を形成する。 - 特許庁
  • When a reference voltage which is generated in a reference voltage generating circuit 600 is applied to the bypass signal line 31, the reference voltage is amplified by the auxiliary signal line output buffer 32.
    ここで、ソースドライバ内バイパス信号線３１に基準電圧生成回路６００で生成された基準電圧を与えると、その基準電圧は予備信号線出力バッファ３２によって増幅される。 - 特許庁
  • The original can correctly and also easily be set along the reference line.
    この基準線に沿って原稿を、正確かつ容易に設定することができる。 - 特許庁
  • During this operation, a reference current is generated on the other half bit line.
    この動作中に、基準電流が他方の半分のビット線上で発生する。 - 特許庁
  • A reference line 24 (500μm in the figure) on an image is measured with a rule 23.
    定規３で画像上にある基準線２４（図では５００μｍ）を計る。 - 特許庁
  • The magnets 14a-14n indicate a reference line position for the ultrasonic flaw detection.
    この磁石１４ａ〜１４ｎは超音波探傷用の基準線位置を指示する。 - 特許庁
  • The visual line guiding device 1 includes a control start reference point arithmetic unit 21.
    視線誘導装置１は制御開始基準点演算部２１を備えている。 - 特許庁
  • To detect the breakage of a reference connecting line and a fuse by a simple circuit constitution.
    簡単な回路構成で基準接続ラインやヒューズの断線を検出する。 - 特許庁
  • When the stock amount of the discharge line 13 of the storage part becomes a predetermined replenishment reference amount, the cups C of the replenishment line 15 are replenished to the discharge line 13.
    記憶部の排出列13の在庫数が予め定めた補充基準数になれば、補充列15のカップＣを排出列13に補充する。 - 特許庁
  • A reference point calculation part 24 calculates a reference point to be used for curvature calculation on the basis of the obtained approximate line.
    基準点算出部２４は、取得した近似線に基づいて曲率算出に用いる基準点を算出する。 - 特許庁
  • METHOD FOR ACQUIRING PREFERENCE DEGREE INFORMATION OF CUSTOMER ON-LINE, AND TARGET ADVERTISING METHOD USING REFERENCE DEGREE REFERENCE ELECTRONIC MAIL
    オンライン上の顧客の嗜好度情報取得方法，及び嗜好度基準の電子メールを使用したターゲット広告方法 - 特許庁
  • Causes a line break and begins collection of reference information until the reference end macro is read.
    改行を挿入してから、参考文献の終了マクロが読み込まれるまで参考文献の情報を収集する。 - JM
  • The armature core 17 is formed symmetrically with respect to a line with reference to the slot position reference lines L of the slots S1, S6.
    そして、アマチュアコア１７はスロットＳ１，Ｓ６のスロット位置基準線Ｌを基準として線対称に形成されている。 - 特許庁
  • A reference bit line RBL is connected to the reference cell 21, and a precharge voltage is applied thereto when a reading operation is executed.
    リファレンスビット線ＲＢＬは、リファレンスセル２１に接続され、読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加される。 - 特許庁
  • Reference plate data for one line obtained by reading a reference plate for shading correction are averaged for each LED block (S138).
    シェーディング補正用の基準板を読み取った１ライン分の基準板データを、ＬＥＤブロック別に平均化する（Ｓ１３８）。 - 特許庁
  • ROBOT, REFERENCE-VOLTAGE GENERATION CIRCUIT USED FOR TRANSMISSION LINE FOR ROBOT, AND HUB DEVICE HAVING REFERENCE-VOLTAGE GENERATION CIRCUIT
    ロボット、ロボット用伝送路に使用される基準電圧生成回路ならびに基準電圧生成回路を有するハブ装置。 - 特許庁
  • Reference surface calculation area setting means sets a reference surface calculation area within an area inside the dividing line upon receiving the dividing line information, and reference surface calculation means sets a plane which is formed in the reference surface calculation area, as a reference surface on the basis of the displacement information within the reference surface calculation area.
    基準面算出領域設定手段は、分割ライン情報を受け分割ラインの内側の領域内に基準面算出領域を設定し、基準面算出手段が基準面算出領域内の変位情報に基づいて、基準面算出領域に形成される平面を基準面として設定する。 - 特許庁
  • Thus, the bit line and the complementary bit line are made to have the same loading, after the reference capacity is connected to the complementary bit line, until voltage difference between the bit line and the complementary bit line is sufficiently sensed.
    このようにして、リファレンスコンデンサを相補ビットラインに連結した後、ビットラインと相補ビットラインとの電圧差を充分に感知するまで、ビットラインおよび相補ビットラインが同一のローディングを有するようにする。 - 特許庁
  • In an image coordinate system, the formula of a straight line L which passes through an end point equivalent to the right side of the human body of the reference auxiliary line and is vertical to the reference auxiliary line is optained (step S31), and the coordinates of respective points on the reference auxiliary line of the respective vertical auxiliary lines are obtained (step S32).
    画像座標系において、基準補助線の人体の右側に相当する端点を通り、基準補助線に垂直な直線Ｌの式を取得し（ステップＳ３１）、各垂直補助線の基準補助線上の各点の座標を取得する（ステップＳ３２）。 - 特許庁
  • A reference point light source forming a reference point to an overlapped part of photographing areas is provided, photographing the data by the 1st line sensor camera that are data up to reference point data corresponding to the reference point and photographing the data by the 2nd line sensor camera that are data after the reference point data are extracted and synthesized.
    撮影区域の重なり部分に基準点を形成する基準点光源を設け、第１ラインセンサカメラの撮影データは基準点に対応した基準点データまでのデータを、また第２ラインセンサカメラの撮影データは基準点データからのデータを取り出して、合成する。 - 特許庁
  • A straight line is connected between the first measurement point 24a and the second measurement point 24b, and by using the straight line as a reference straight line 25, the distance from the reference straight line to the surface of an actual slope 23 is defined as a radial curvature (RC).
    第１測定点２４ａと第２測定点２４ｂとの間を直線で結び、同直線を基準直線２５として、当該基準直線２５から実際の斜面２３の表面までの距離をラジアルカーベィチャー（ＲＣ）とする。 - 特許庁
  • Thereby, at read-out, potentials of the word line RWL0 for reference cell (or word line RWL1 for reference cell) and the memory array normal word line MWL (or memory array redundant word line ReWL) are made rise synchronously with each other.
    これによって、データの読み出し時に、リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０（またはリファレンスセル用ワード線ＲＷＬ１）とメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬ（またはメモリアレイ通常ワード線ＲｅＷＬ）との電位が同期して立上がる。 - 特許庁
  • A color shift occurs in such a direction that the plurality of line sensors spread, which results from a difference between projection positions of images in a reference line sensor which is a reference of the plurality of line sensors and those of images in the remaining line sensors.
    色ずれは、複数のラインセンサのうち基準となる基準ラインセンサにおける画像の投影位置に対する残りのラインセンサについての画像の投影位置の違いに起因して、複数のラインセンサが延在する方向に発生する。 - 特許庁
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