「reference memory」を含む例文一覧(1980)
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内容参照メモリ - 特許庁 - INTEGRATED MEMORY HAVING MEMORY CELL AND REFERENCE CELL
メモリセルと基準セルを有する集積メモリ - 特許庁 - RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL
選択された基準メモリセルを具備する抵抗型メモリ素子 - 特許庁 - A soft-reference magnetic memory digitizing device 100 includes an array of soft-reference magnetic memory cells 104.
軟基準磁気メモリデジタイジング装置100は軟基準磁気メモリセル104のアレイを有する。 - 特許庁 - ACCESSING MEMORY USING FRACTIONAL REFERENCE VOLTAGE
部分参照電圧を利用するメモリアクセス - 特許庁 - TECHNOLOGY FOR PERFORMING MEMORY REFERENCE FILTERING
メモリ参照フィルタリングを実行する技術 - 特許庁 - A memory device has a dynamic reference cell and a fixed reference cell.
メモリ素子は、ダイナミックリファレンス及び固定リファレンスセルを有する。 - 特許庁 - MEMORY DEVICE AND REFERENCE CURRENT SETTING METHOD
メモリ装置とリファレンス電流設定方法 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY
半導体メモリの基準電位発生回路 - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY CELL HAVING SOFT REFERENCE LAYER
軟らかい基準層を有する磁気メモリセル - 特許庁 - SOFT-REFERENCE FOUR CONDUCTOR MAGNETIC MEMORY STORAGE DEVICE
軟基準４導体の磁気メモリ記憶デバイス - 特許庁 - A memory 18 accumulates digitized reference data containing a reference sequence.
メモリ１８が基準シーケンスを含むデジタル化基準データを蓄積する。 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF NON-VOLATILE MEMORY
不揮発性メモリの基準電圧発生回路 - 特許庁 - INTEGRATED MEMORY, AND METHOD FOR GENERATING REFERENCE VOLTAGE ON REFERENCE BIT LINE OF INTEGRATED MEMORY
集積メモリおよび該集積メモリの参照ビット線上に参照電圧を発生させる方法 - 特許庁 - A storage section stores information indicative of a selected reference memory cell which is one of reference memory cells.
記憶部は、リファレンスメモリセルのいずれかである選択リファレンスメモリセルを示す情報を記憶する。 - 特許庁 - A reference data accumulator 2 holds reference image data in a memory device.
参照データ蓄積部２は、参照画像データを記憶装置に保持する。 - 特許庁 - The reference cell has the same size as a memory cell.
基準セルは、メモリセルと同一のサイズを有する。 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF FERROELECTRIC MEMORY
強誘電体メモリの基準電圧発生回路 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND MEMORY READ-OUT CIRCUIT
半導体記憶装置の基準電圧発生回路及びメモリ読出回路 - 特許庁 - The reference cell RC makes the reference by which data of the memory cell MC is decided.
レファレンスセルＲＣは、メモリセルＭＣのデータを判断する基準を作る。 - 特許庁 - The shading memory 52 stores shading reference data.
シェーディングメモリ５２は、シェーディング基準データを記憶する。 - 特許庁 - MEMORY PROVIDED WITH REFERENCE-INITIATED SEQUENTIAL SENSING FUNCTION
基準始動式シーケンシャルセンシング機能を備えたメモリ - 特許庁 - A memory device 50 having an intersection array 100 of a memory cell 130 is provided with a temperature sensor 150 and a reference memory cell 160.
メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。 - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY DEVICE WITH REFERENCE LAYER THAT CONDUCTS CURRENT
電流を伝える基準層を有する磁気メモリデバイス - 特許庁 - DEVICE FOR SELF-REFERENCE FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL
強誘電体メモリセルの自己参照のための装置 - 特許庁 - SYSTEM FOR UTILIZING DYNAMIC REFERENCE BY TWO-BIT CELL MEMORY
２ビットセルメモリにてダイナミックリファレンスを利用するシステム - 特許庁 - USING BIT SPECIFIC REFERENCE LEVEL TO READ MEMORY
メモリを読み出すためのビット特定基準レベルの使用 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS REFERENCE POTENTIAL GENERATION METHOD
半導体メモリ及びそのリファレンス電位発生方法 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATOR OF FERROELECTRIC SUBSTANCE MEMORY ELEMENT
強誘電体メモリ素子の基準電圧発生装置 - 特許庁 - The reference cell is the same as a memory cell of the array and used for generating reference voltage for a reference bit line.
基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁 - A reference cell is the same as a memory cell of an array, and used for generating reference voltage for reference bit line.
基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁 - A white memory 280 for storing white reference data and a black memory 270 for storing black reference data are made to function as one memory.
白リファレンスデータを記憶する白メモリ２８０及び黒リファレンスデータを記憶する黒メモリ２７０を１つのメモリとして機能させている。 - 特許庁 - RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL, AND METHOD OF OPERATING THE SAME
選択された基準メモリセルを含む抵抗型メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁 - GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成 - 特許庁 - BIT LINE REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT FOR INTEGRATED CIRCUIT MEMORY
集積回路メモリのためのビット線基準電圧回路 - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY DEVICE HAVING SOFT MAGNETIC REFERENCE LAYER
磁気的に軟らかい基準層を有する磁気メモリデバイス - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD THEREOF
半導体メモリの基準電圧発生装置及び方法 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
参照電圧発生回路および半導体記憶装置 - 特許庁 - NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REFERENCE CELL ARRAY
基準セルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁 - SYSTEM FOR SETTING REFERENCE CELL THRESHOLD VOLTAGE IN MEMORY DEVICE
メモリ装置における基準セル閾値を設定するシステム - 特許庁 - Sense amplifiers compare reference data in the reference cells with data in the memory cells to detect the data in the memory cells.
センスアンプは、参照セルに記憶された参照データとモリセルのデータとを比較してメモリセルのデータを検出する。 - 特許庁 - A memory comprises an array 100, constituted of memory cells and a reference cell array 200 constituted of reference cells of plural units.
メモリは、メモリセルで構成されたアレイと、複数のユニットの基準セルで構成された基準セルアレイとを含む。 - 特許庁 - The reference data accommodation memory accommodates the reference data for the variable control constant data written in the data memory.
基準データ格納メモリはデータメモリに書き込まれる可変制御定数データに対する基準データを格納する。 - 特許庁 - The number of reference cells forming the series reference cell group is less than the number of memory cells forming the series memory cell group.
直列リファレンスセル群をなすリファレンスセルの個数が直列メモリセル群をなすメモリセルの個数よりも少ない。 - 特許庁 - The reference memory cell section 3 includes a reference memory cell 3a for detecting the data holding state for a non-operation period.
参照メモリセル部３は、非動作期間のデータ保持状態を検出するための参照メモリセル３ａを含む。 - 特許庁 - Furthermore, a reference image frame memory 5 also stores the image signal in the case of updating a reference image by a reference image update device 4.
また、基準画像更新器４により基準画像更新時には基準画像フレームメモリ５にも蓄積する。 - 特許庁 - Furthermore, a reference image frame memory 5 also stores the image signal when updating a reference image by a reference image update device 4.
また、基準画像更新器４により基準画像更新時には基準画像フレームメモリ５にも蓄積する。 - 特許庁 - On the other hand, a reference pixel value is once accumulated in a reference memory 2 and inputted to reference registers 4 and 5.
参照画素値は参照メモリ２に蓄積され、参照レジスタ４，５に入力され、ＰＥ６，７に入力される。 - 特許庁 - MEMORY HALF CELL REFERABLE TO TERNARY CONTENTS, AND MEMORY CELL ENABLING REFERENCE TO TERNARY CONTENTS
３進内容参照可能メモリハーフセルおよび３進内容参照可能メモリセル - 特許庁 - A reference memory cell MCr is connected to two reference bit lines BLref 0-1.
参照メモリセルＭＣｒは、２本の参照ビット線ＢＬｒｅｆ０−１に接続される。 - 特許庁
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