「reference memory」を含む例文一覧(1980)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 39 40 次へ＞- REFERENCE DEVICE FOR FERROELECTRIC MEMORY AND METHOD OF DRIVING THE SAME
強誘電体メモリの参照装置及びその駆動方法 - 特許庁 - METHOD FOR REDUCING SIZE OF REFERENCE FRAME BUFFER MEMORY, AND FREQUENCY OF ACCESS
参考フレームバッファメモリのサイズとアクセス量を減らす方法 - 特許庁 - The reference cell 21 has a structure similar to that of a memory cell 11.
リファレンスセル２１は、メモリセル１１と同じ構造を有する。 - 特許庁 - REFERENCE GENERATOR CIRCUIT AND METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE
非揮発性メモリ装置用基準発生器回路及び方法 - 特許庁 - In addition to a multi-frame memory (external memory) FrmMem for storing reference pixel data of a plurality of reference pictures, a cache memory CacheMem for storing the reference pictures is provided.
複数枚の参照ピクチャの参照画素データを記憶するマルチフレームメモリ（外部メモリ）ＦｒｍＭｅｍに加えて、参照ピクチャを格納するためのキャッシュメモリＣａｃｈｅＭｅｍが備えられる。 - 特許庁 - This memory system includes a main memory, a reference data storage device and a controller.
本発明によるメモリシステムはメインメモリ、基準データ貯蔵装置、およびコントローラを含む。 - 特許庁 - READING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, REFERENCE CIRCUIT THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
半導体記憶装置の読み出し回路、そのリファレンス回路および半導体記憶装置 - 特許庁 - This memory device reading apparatus reads data stored in memory cells of the memory device by using two reference voltages.
本メモリデバイス読出し装置は、２つの基準電圧を使用してメモリデバイスのメモリセルに記憶されているデータを読出す。 - 特許庁 - A flash/EEPROM memory cell having the same structure as a memory cell M1 is used as a memory cell RM1 for reference.
リファレンス用メモリーセルＲＭ１として、メモリーセルＭ１と同じ構造のフラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーセルを用いる。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.
半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁 - A motion detection apparatus 11 is equipped with a target image memory 3, a reference image memory 4, a reference image memory control section 6 and a motion detection section 8.
動き検出装置１１は、対象画像メモリ３と、参照画像メモリ４と、参照画像メモリ制御部６と、動き検出部８とを備えている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device capable of reducing the total number of magnetic memory elements equipped to a reference memory cell for generating a reference current.
基準電流を生成するための基準メモリセルに備えられる磁気メモリ素子の総数を減らすことができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁 - In a memory cell array of MRAM, a regular memory cell stores one bit per one cell by comparing it with a reference memory cell holding a reference value.
ＭＲＡＭのメモリセルアレイにおいて、正規メモリセルは参照値を保持する参照メモリセルと比較することにより、１セルあたり１ビットを記憶させる。 - 特許庁 - A memory part 9 stores a reference signal to become a reference for every color and outputs the reference signal to a second switch 12.
記憶部９は、色毎に基準となる基準信号を記憶しており、基準信号を第２スイッチ１２へ出力する。 - 特許庁 - The memory device is equipped with a reference circuit 1 in which a reference memory element 50 having the same property as that of a memory element 51 is used and a memory energizing circuit 2 which sets the read current of the memory element referring to the amount of a current which is made to flow in the reference circuit 1.
メモリ素子５１と同じ特性の参照メモリ素子５０を用いた参照回路１と、この参照回路１に流れる電流量を参照してメモリ素子の読み出し電流を設定するメモリ通電回路２とを備えた。 - 特許庁 - SYNCHRONOUS SEMICONDUCTOR MEMORY AND REFERENCE SIGNAL GENERATING CIRCUIT THEREFOR
同期式半導体メモリ装置及びその基準信号発生回路 - 特許庁 - REFERENCE LEVEL GENERATION CIRCUIT OF NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY
不揮発性強誘電体メモリ装置の参照レベル発生回路 - 特許庁 - A reference potential is generated by averaging these memory cells.
これらのメモリセルを平均化してリファレンス電位を発生させる。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric memory device where fluctuations of reference potential in a reference memory cell system can be reduced.
リファレンスメモリセル方式における基準電位のばらつきを、より一層少なく出来る強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁 - CACHE MEMORY DEVICE AND BIT ERROR DETECTING METHOD FOR REFERENCE HISTORY
キャッシュメモリ装置、及び、参照履歴のビット誤り検出方法 - 特許庁 - The nonvolatile storage system 1 includes a reference cell 12 for main memory corresponding to a main memory cell array 10 and a reference cell 13 for spare memory corresponding to a spare memory cell array 11.
不揮発性記憶システム１は、メインメモリセルアレイ１０に対応してメインメモリ用リファレンスセル１２が備えられ、スペアメモリセルアレイ１１に対応してスペアメモリ用リファレンスセル１３が備えられる。 - 特許庁 - A supplementarily measured reference point data memory 55 stores reference point measured data supplementarily measured at a building site.
補測基準点データ記憶部５５は、現地にて補測した基準点計測データを記憶する。 - 特許庁 - The CPU 19 takes out reference level from a memory 20 to compare the reference level with the receiving level.
このＣＰＵ１９において、メモリ２０から基準レベルが取り出され、受信レベルと比較される。 - 特許庁 - The memory 107 for the image frame stores a reference frame to be a reference of preparing the interpolation frame.
画像フレーム用メモリ１０７は、補間フレームを作成する基準となる基準フレームを記憶する。 - 特許庁 - A reference image memory 107 stores reference images to be used for motion search and motion compensation.
参照画像メモリ１０７は動き探索と動き補償に使う参照画像を蓄積する。 - 特許庁 - A two-dimensional reference image selecting part 305 selects two-dimensional reference images in the image accumulating memory 303.
２次元参照画像選択部305 は，画像蓄積メモリ303 内の２次元参照画像を選択する。 - 特許庁 - The reference coordinates memory stores the first reference coordinates set in the first object to be measured.
基準座標記憶部は、第１被測定物に設定された第１基準座標を記憶する。 - 特許庁 - The reference memory cell 3 for testing includes a reference selection transistor T1r, and a reference cell transistor T2r connected to the reference selection transistor T1r in series.
試験用基準メモリセル３は、基準選択トランジスタＴ１ｒと、該基準選択トランジスタＴ１ｒに直列接続された基準セルトランジスタＴ２ｒとを有する。 - 特許庁 - The spare memory part 19 replaces a defective memory part 9 being the memory part 9 in which defect exists in the first reference cell 5.
予備記憶部１９は、第１リファレンスセル５に不具合がある記憶部９としての不良記憶部９を置換する。 - 特許庁 - When a memory reference event occurs in response to an operand reference instruction, the CPU core also accesses the second storage part via the exclusive bus, and acquires a memory reference destination address corresponding to the event of memory reference, and a reference destination data sequence or the like.
さらにＣＰＵコアは、オペランド参照命令によるメモリ参照イベントが発生した場合、上記専有バスを介して上記第２記憶部にアクセスし、メモリ参照のイベントに対応したメモリ参照先アドレスと当該参照先データ列等を取得する。 - 特許庁 - This method is a method for refreshing a reference memory cell (Cref) in a non-volatile memory.
本発明は、不揮発性メモリ（１０）内の基準メモリセル（Ｃｒｅｆ）をリフレッシュする方法である。 - 特許庁 - The memory device includes a reference cell array and a plurality of banks each of which includes a memory cell.
本発明によるメモリ装置は、基準セルアレイと各々がメモリセルを含む複数個のバンクを含む。 - 特許庁 - To improve data read accuracy from a reference cell when whether the reference cell is good or not is determined in an nonvolatile memory device provided with the reference cell and a memory cell.
参照セルとメモリセルとを備える不揮発性記憶装置において、参照セルの良否を判定する際に参照セルからのデータ読出精度を向上させる。 - 特許庁 - To provide a magnetic random-access memory, having reference magneto-resistance.
基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリを提供すること。 - 特許庁 - REFERENCE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH THE CIRCUIT
基準電位発生回路及びそれを備えた半導体記憶装置 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路 - 特許庁 - The memory stores reference data showing features of a main subject.
メモリは、主要被写体の特徴を示す参照データを記憶する。 - 特許庁 - A memory 2 stores a cross-reference table between genres and control parameters.
メモリ２には、ジャンルと制御パラメータの対応表が記憶されている。 - 特許庁 - A memory of the communication equipment stores data cross-reference table for each time area.
通信装置のメモリには、各時間エリアのデータ対照表がある。 - 特許庁 - PROGRAMMING METHOD OF REFERENCE CELL AND NONVOLATILE MEMORY UNIT USING THEREOF
リファレンスセルのプログラム方法及びこれを用いた不揮発性メモリ装置 - 特許庁 - To provide a magnetic memory device having a soft magnetic reference layer.
磁気的に軟らかい基準層を有する磁気メモリデバイスの提供。 - 特許庁 - REFERENCE FAIL BIT VERIFICATION CIRCUIT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
基準フェイルビットの確認回路及び不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁 - Thus, a memory 100 stores the pseudo reference coded data.
これにより、メモリ１００は、その疑似参照符号化データを蓄積する。 - 特許庁 - This image reader has a memory which stores the SH data to serve as a reference, and a line memory which is used at SH sampling, and this compares the reference SH data.
リファレンスとなるＳＨデータを格納するメモリ、ＳＨサンプル時に使用するラインメモリを持ち、リファレンスデータＳＨデータを比較する。 - 特許庁 - When the detected memory charge level of the selected memory element is smaller than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the second reference memory element (step S2), and the selected memory element is in a state 1 or 2.
選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第１基準メモリ素子のそれより小さいとき、検出されたメモリ電荷レベルが第２基準メモリ素子と比較され（ステップＳ２）、選択されたメモリ素子は、状態１又は２のいずれかである。 - 特許庁 - In a first write operation, a memory cell current for a write reference memory cell is selected as a write reference current, and data is written to the memory cell and either a first or a second memory cell.
第１書き込み動作において、書き込みリファレンスメモリセルのメモリセル電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルと第１および第２リファレンスメモリセルの一方とにデータが書き込まれる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device capable of simply and easily controlling the setting of a reference memory cell when a value stored in a core memory cell is determined based on the reference memory cell.
リファレンスメモリセルを基にコアメモリセルに記憶されている値を判定する際に、リファレンスメモリセルの設定の制御を簡単かつ容易にすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The memory is used to store the reference grayscale value relating to each of the pixels and a threshold associated with the reference grayscale value.
メモリは各画素に関する基準グレースケール値と基準グレースケール値に関する閾値の保存に用いる。 - 特許庁 - A reference point data memory 50 stores reference point data required for forming an orthoscopic image corresponding to an origin.
基準点データ記憶部５０は、大元にあたるオルソ画像作成に要する基準点データを記憶する。 - 特許庁 - A reference frame is fed to a reference frame coding section 102, wherein the reference frame is coded, and other frames are fed to a frame memory 105.
基準フレームは基準フレーム符号化部１０２に供給されて符号化され、その他のフレームは、フレームメモリ１０５に供給される。 - 特許庁
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