「resolution pattern」を含む例文一覧(1444)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 28 29 次へ＞- The image processing apparatus uses at least part of a document image for a processing object, applies low resolution processing to the processing object image, generates a pattern image on the basis of the low resolution image obtained by the low resolution processing, and composes the pattern image with the document image to generate a composite document image.
ドキュメント画像の少なくとも一部の画像部分を処理対象として、当該処理対象画像部分を低解像度処理し、この低解像度処理により得られた低解像度画像に基づいてパターン画像を生成し、当該パターン画像をドキュメント画像に合成して、合成ドキュメント画像を生成する画像処理装置である。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an exposure mask and an exposure method for performing pattern exposure with a high precision and a high resolution for a more versatile pattern with respect to pattern exposure using a Levenson-type phase shift mask.
レベンソン型位相シフトマスクを用いたパターン露光において、より多用なパターンについて高精度かつ高解像度でパターン露光を行うことが可能な露光マスクの作製方法および露光方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern inspection device capable of inspecting a pattern with high resolution even when the dimension of an inspection object is the wavelength of inspection light or smaller, and to provide a pattern inspection method and a method for manufacturing semiconductor device.
本発明は、検査対象の寸法が検査光の波長以下となっても、高解像度の検査をすることができるパターンの検査装置、パターンの検査方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a widely applicable pattern forming method giving a high sensitivity and high resolution fine pattern without requiring a complex step or an expensive device and capable of forming a pattern from digital data with an infrared laser or the like.
複雑な工程や高価な装置を必要とせず、高感度で高解像度の微細なパターンが得られ、赤外線レーザ等によりデジタルデータからパターン形成が可能な、応用範囲の広いパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Region image data having pixel values indicated by multi-valued resolution based on importance information of the pattern is created on the basis of region data including at least some pattern defined by the design pattern data.
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する。 - 特許庁 - To provide a method for creating a photomask pattern using an assist pattern, with which separation or placement lacking of an assist pattern is prevented, high resolution is achieved and inspection of mask defects is easily carried out.
アシストパターンを用いたフォトマスクパターンの作成方法に関し、アシストパターンの分離や未配置を防止し、解像力が高くマスク欠陥検査を容易に行うことができるフォトマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition having high exposure latitude for forming a resist pattern on a substrate and capable of forming a pattern with excellent resolution and perpendicularity, and to provide a method for forming a resist pattern.
基板上にレジストパターンを形成する際の露光余裕度が大きく、且つ解像性、垂直性に優れるパターンを形成することができるポジ型フォトレジスト組成物、及びレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁 - In a photomask 100 used in a semiconductor manufacturing process, a first mask pattern 106 transferred to a resist pattern and a second mask pattern 108 of a resolution limit or less for suppressing the light proximity effect are provided.
半導体製造工程に用いられる露光用１００において、レジストパタンに転写される第１マスクパタン１０６と光近接効果を抑制するための、解像限界以下の第２マスクパタン１０８を設ける。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified photoresist which exhibits excellent sensitivity and resolution and gives a pattern having a good section shape when such a fine resist pattern as a pattern with 0.15-0.22 μm fineness is formed using a KrF excimer laser.
ＫｒＦエキシマレーザーを用いて０．１５〜０．２２μｍのような微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ホトレジストを提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming apparatus and a pattern forming method by which a pattern using charged particles is highly precisely formed onto a body to be transferred at a high resolution while suppressing transfer electric field.
この発明は、転写電界を抑制しつつ被転写媒体に対して帯電粒子によるパターンを高い解像度で高精細に形成できるパターン形成装置、およびパターン形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - An edge detection unit 202 acquires edges from a low-resolution image, and a corresponding point search unit 204 searches for a predetermined number of corresponding points having a pattern close to a luminance pattern of one low-resolution pixel and pixels at its periphery as to the acquired edges.
エッジ検出部２０２は、低解像度画像からエッジを取得し、対応点探索部２０４は、この取得されたエッジそれぞれについて、１つの低解像度画素とその周辺の輝度パターンが近いパターンを持つ対応点を所定数探索する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming material having good strippability after pattern formation, excellent in resolution and tenting property, having large development latitude, providing a high-definition pattern, and excellent in adhesion to a substrate such as a substrate for printed wiring formation, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.
パターン形成後の剥離性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、しかも現像ラチチュードが広く、高精細なパターンが得られ、しかもプリント配線形成用基板等の基体との密着性に優れるパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - By appropriately selecting the interval and thickness of a resist pattern, a fine pattern having a three-dimensional height or a fine pattern having a pattern width equal to or smaller than the resolution of exposure light can be formed in a single lithographic process.
本発明の構成によれば、レジストパターンの間隔と、レジストパターンの厚みを適宜選択することにより、単一のリソグラフィ工程で、３次元的な高さを持った微細パターンや、露光光の解像限界以下のパターン幅を持った微細パターンを形成することが出来る。 - 特許庁 - To simplify pattern data as well as to form a narrow pattern beyond the conventional resolving power and to form a fine pattern with enhanced resolution, in relation to a mask and a pattern forming method using the mask.
本発明はマスク及びマスクを用いたパターン形成方法に関し、従来の解像力を越えて幅の狭いパターンを結像することができ、微細なパターンを解像度を向上させて形成することができると共に、パターンデータを簡略化可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method for forming a pattern with high sensitivity, excellent resolution of a trench pattern and good density distribution dependency, in order to stably form a high-precision fine pattern for producing a high-integration and high-precision electronic device.
高集積且つ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、高感度、且つトレンチパターンの解像性に優れ、更には疎密依存性の良好なパターンを形成する為のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern defect repairing device where a problem when a laser beam is adopted as a light source of an inspection device of a pattern defect, the defect of a pattern is inspected with higher resolution and the defect of the mask pattern can highly precisely be repaired.
レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern defect repair apparatus capable of repairing the defect of a higher fineness mask pattern by solving the problem of the case a laser beam is employed as a light source for an inspection apparatus for the pattern defect and by inspecting the defect of the pattern with higher resolution.
レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an exposure method with good resolution, a device manufacturing method and a determining method of determining exposure parameters and a reticle pattern.
解像性の良い露光方法、デバイス製造方法および露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法を提供する。 - 特許庁 - A code pattern 3 corresponding to the pixel and the number of gradations is selected, and print data 4 with high resolution is outputted according to them.
画素と階調数に対応した符号パターン３を選択し、これにより、解像度の高いプリントデータ４を出力する。 - 特許庁 - Such a negative photosensitive resin composition has excellent pattern resolution and excels also in adhesiveness to the opposite bases.
このようなネガ型感光性樹脂組成物は優れたパターン解像性を有し、且つ対向基盤との接着性にも優れている。 - 特許庁 - To provide a coating composition which can increase the resolution of a photoresist image which is pattern-formed on an antireflection coating film layer.
反射防止塗膜層上にパターン形成されたフォトレジスト像の解像度を増大できるコーティング組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for detecting a defect by inspecting a microscopic circuit pattern with high resolution.
本発明は，微細な回路パターンを高い分解能で検出し，欠陥を検出する方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a pattern forming material excellent in resolution and mask coverage dependency and useful in microfabrication using an electron beam or far-ultraviolet radiation.
解像性とマスク被覆率依存性に優れ電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用なパターン形成材料。 - 特許庁 - To form a fine pattern exceeding the resolution limit of an exposure apparatus by using a lithography process without performing overlay exposure.
重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。 - 特許庁 - To restrict a decrease in a pattern resolution resulting from the component of exposure light made incident on the photo-mask non-vertically.
フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。 - 特許庁 - To control the position of the edge of a figure element with high resolution, without causing a transfer omission, in a pattern drawing apparatus.
パターン描画装置において、転写ヌケを発生させることがなくかつ図形要素のエッジの位置を高分解能にて制御する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition capable of accurately forming a pattern having excellent resolution and a desired shape.
解像度に優れており、且つ所望形状のパターンを精度良く形成することのできる感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - To prevent a resist which serves as a resist pattern for forming a wiring groove in a dual damascene process of forming vias previously from deteriorating in its resolution.
ヴィア先作りのデュアルダマシンプロセスにおける配線溝形成用のレジストパターンとなるレジストの解像低下を防止すること。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which can attain high resolution and form a pattern having a high refractive index and a high transmittance.
高い解像性が得られ、高屈折率かつ透過率が高いパターンを形成可能な感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To improve throughput while forming a high-resolution pattern without lowering scanning speed and extending the length of an exposure pitch.
走査速度の低下、露光ピッチの長さ拡張等することなく、高解像度パターンを形成しながらスループットを向上させる。 - 特許庁 - The setting data 400 is, for example, a temporary display of EXIF reduced image data, a monitor resolution, an image correction pattern or the like.
設定データ４００は、例えば、ＥＸＩＦ縮小画像データの一時表示、モニタ解像度、画像補正パターン等である。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a patterned substrate on which a high-resolution pattern of a layer made of a functional material is formed.
機能性材料からなる層のパターンが高い解像度で形成されたパターン形成基材を製造する方法の提供。 - 特許庁 - To provide a high-quality image forming device capable of faithfully reproducing a high-resolution image pattern over 600 to 1200 DpI.
６００〜１２００ＤＰＩ超の高解像度画像パターンを忠実に再現する高画質画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To form the pattern of a film to be processed having a space between minute patterns exceeding resolution limit of a mask layer such as a resist.
レジストなどマスク層の解像限界を超えた微細なパターン間スペースを有する被加工膜のパターンを形成可能にする。 - 特許庁 - To provide a method and a device for detecting a minute circuit pattern with high resolution to detect a defect.
本発明は、微細な回路パターンを高い分解能で検出し、欠陥を検出する方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a photoresist composition which improves the shape of a resist pattern, that is, rectangularity and film thickness reduction while retaining resolution.
解像性は維持しつつ、レジストパターンの形状、すなわち、矩形性および膜減りを改善したホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To define the region for inspection of defects, and to make a pattern to restrict a light-shielding region smaller than the resolution limit of a reduction stepper.
欠陥検査領域の明確化と遮光領域規定パターンを縮小投影露光装置の解像限界以下とする。 - 特許庁 - In an imaging method having an increased resolution imaging process and a halftone process, a matrix size of the dither is made an integral multiple of a resolution increase coefficient (a ratio of a resolution of images and the resolution of imaging control electrodes), thereby preventing interference fringes between the density irregularity and the dither pattern.
高解像度化画像形成工程とディザーを用いた中間調処理工程とを有する画像形成方法において、ディザーのマトリックスサイズを、高解像度化係数（画像の解像度と画像形成制御電極の解像度の比）の整数倍とし、濃度むらとディザーのパターンとの干渉縞が発生しないようにした。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method by which a pattern having high sensitivity and resolution, small line width roughness (LWR), and a superior exposure latitude (EL) and pattern form is formed, to provide a pattern formed by the pattern forming method, and to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming method, and a resist film formed of the chemically amplified resist composition.
感度及び解像力が高く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、露光ラチチュード（ＥＬ）及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming material having good scratch resistance in a developer, excellent in resolution and tenting property, ensuring small variation in line width, providing a high-definition pattern, and excellent in adhesion to a substrate such as a substrate for printed wiring formation, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.
現像液中での耐傷性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、線幅のバラツキが小さく、高精細なパターンが得られ、しかもプリント配線形成用基板等の基体との密着性に優れたパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, having evaluation with the same light exposure near the margin of resolution by which the size in which a nondense pattern vanishes and the marginal resolution size of a dense pattern show approximate values closer to each other and ensuring low surface roughness of a line pattern.
半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも解像限界あたりにおいて、同一露光量の評価で、疎パターンが消失してしまう寸法と密パターンの限界解像寸法の二者がより近い近似値を示し、更にラインパターンの表面ラフネスが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition capable of forming a high resolution resist pattern with good rectangularity and reduced LER, and to provide a pattern forming method using the positive resist composition.
矩形性が良好で、ＬＥＲが低減された、高解像性のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a negative resist composition capable of forming a high-resolution resist pattern excellent in plating resistance, and being suitably used for producing MEMS, and a resist pattern forming method.
メッキ耐性に優れた高解像性のレジストパターンを形成でき、ＭＥＭＳを製造するために好適に用いられるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a proximity exposure apparatus corresponding to a large substrate, preventing decrease in the pattern resolution even when an exposure gap changes in pattern exposure using the proximity exposure apparatus.
近接露光装置を用いたパターン露光において、露光ギャップが変動しても、パターン解像度を低下させない大型基板対応の近接露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a pattern forming material having an excellent preventing effect against tearing in an unexposed film, high resolution, excellent tenting property and developability and favorable strippability during etching, and to provide a pattern forming method.
未露光膜破れの防止効果に優れ、高解像度であり、かつテント性及び現像性に優れ、エッチング時の剥離性が良好なパターン形成材料、並びにパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - Since the line- and-space pattern P is smaller than the resolution limit of the reducing stepper, an image can not be focused through the pattern P onto a wafer, and thereby no problem is caused for exposure.
ラインアンドスペースパターンＰは、縮小投影露光装置の解像限界以下のピッチであるため、そのパターンＰを通してウェハ上に結像することがなく、露光に支障を与えることがない。 - 特許庁 - In addition, the angle θ of the projected lattice pattern P' is changed by changing the angle of a lattice pattern P by an angle changing mechanism 12, to thereby change resolution of height measurement.
さらに、角度変更機構１２により格子パターンＰの角度を変えて投影格子パターンＰ’の角度θを変えることにより、高さ計測の解像度を変更することができる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can easily form a wiring pattern of not more than a resolution limit of lithography and a wiring pattern of an optional dimension other than that.
リソグラフィの解像限界以下の配線パターンと、それ以外の任意の寸法の配線パターン等を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified resist composition excellent in fine resolution and improving at least one of the LER and SW of a resist pattern, and also to provide a resist pattern forming method.
微細解像性に優れ、レジストパターンのＬＥＲおよびＳＷの少なくとも一方を改善できる化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition excellent in sensitivity, stability with time, resolution, roughness characteristics, a pattern profile and outgassing characteristics, and to provide a method for forming a pattern by using the resin composition.
感度、経時安定性、解像性、ラフネス特性、パターン形状及びアウトガス特性に優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
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