「reverse current」を含む例文一覧(1060)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 21 22 次へ＞- To prevent a voltage drop caused by a reverse current electric charge generated at the standstill of a boosting circuit in an internal power source circuit to be used for a flash memory.
本発明は、フラッシュメモリに用いられる内部電源回路において、昇圧回路の停止時に発生していた逆流電荷による電圧降下を阻止できるようにする。 - 特許庁 - Even when a counter electromotive force is induced in a coil connected to the output terminal, a body diode D10 of the first N channel transistor Q10 blocks a reverse current.
このとき、出力端に接続されたコイルに逆起電力が生じても、第１ＮチャネルトランジスタＱ１０のボディーダイオードＤ１０が逆方向電流を阻止する。 - 特許庁 - To surely discriminate a three-phase short circuit accident or a two- phase short circuit accident, eliminating the defects of a conventional method of detecting the short circuit accident of a heavy load power system from the current with reverse phase.
重負荷電力系統の短絡事故を逆相分電流から検出するのでは、３相短絡事故や２相短絡事故を確実に判別できない。 - 特許庁 - To provide a kinesthetic sense device which can be operated with a small current and gives the sense of rebounding in the reverse direction to an operating direction.
小電流で作動させることができ、力覚として操作方向と反対方向に跳ね返されるような感覚を得ることができる力覚ディバイスの提供。 - 特許庁 - A reverse current to the DC supply E1 through the body diode of the first field effect transistor F1 is blocked by the body diode of the second field effect transistor F2.
第１電界効果トランジスタＦ１のボディダイオードを介した直流電源Ｅ１への電流の逆流が、第２電界効果トランジスタＦ２のボディダイオードによって阻止される。 - 特許庁 - On the contrary, when power source interruption is caused during seek operation to an reverse direction of the evasion position, the HDD 1 starts supply of the retract-current omitting brake processing (S15).
これに対して、退避位置の反対方向へのシーク動作中に電源遮断が起きると、ＨＤＤ１は、ブレーキ処理を省略してリトラクト電流の供給を開始する。 - 特許庁 - When the interlinkage magnetic flux of the permanent magnet 3 is reduced, a magnetic field having a direction reverse to that of the magnetization direction of the permanent magnet 3 is allowed to act by a current of an armature winding.
永久磁石３の鎖交磁束を減少させる場合は、電機子巻線の電流により永久磁石３の磁化方向と逆方向の磁界を作用させる。 - 特許庁 - Further, in the inverter circuit 120, synchronous rectification is executed to cause the SiC-MOSFET 130 to be turned on at a predetermined timing when a reverse current is applied to the parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130.
さらに、インバータ回路（120）では、SiC-MOSFET（130）の寄生ダイオード（131）に逆方向電流が流れる所定のタイミングでSiC-MOSFET（130）がオン状態となる同期整流が行われる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, with a MPS structure, capable of reducing leakage current in reverse characteristics.
本発明は、ＭＰＳ構造の半導体装置において、逆方向特性の漏れ電流を低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device with a Schottky diode that reduces stationary loss during forward bias application without increasing a leakage current during reverse bias application.
逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a power amplifier capable of stably performing signal amplification by effectively suppressing bias variation resulting from reverse flow of a bias current from an amplifier that is multi-stage connection type.
多段接続される増幅器からのバイアス電流の逆流に起因するバイアス変動を効果的に抑制し、安定して信号増幅できる電力増幅器を提案する。 - 特許庁 - To provide a backside electrode type solar cell capable of preventing a leak current when the reverse bias voltage is applied, and a method of manufacturing the backside electrode type solar cell.
逆バイアス電圧がかかった際、リーク電流を抑えることが可能な裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The drive command correcting part 60 generates a correcting torque current command value according to the turning degree of the upper structure 3 in a reverse direction with respect to a turning operating direction.
駆動指令補正部６０は、旋回操作方向とは逆方向への上部旋回体３の旋回度合に応じて補正用トルク電流指令値を生成する。 - 特許庁 - Since the input impedance of Gm1 and Gm2 are extremely large, the current fed back can flow into neither of reverse-phase input terminals in2 of Gm1 nor Gm2, thus, it becomes I1+I2=0.
Gm1、Gm2の入力インピーダンスは非常に大きいので、帰還された電流はGm1、Gm2のどちらの逆相入力端子in2にも流れ込むことができないからI1+I2=0となる。 - 特許庁 - To provide a load driving unit which has a function for turning on/off load current and a protection function at the time of battery reverse connection without making a circuit configuration complicated.
回路構成を複雑にすることなく、負荷電流をオンオフする機能とバッテリ逆接続時の保護機能とを持たせることができる負荷駆動ユニットを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device provided with a protection circuit capable of protecting a protected element having low surge pressure resistance in the reverse direction and a small surge current resistance value.
逆方向のサージ耐圧が低くサージ電流耐量の小さい被保護素子をサージから保護することが可能な保護回路を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - In addition, the voltage applied to the electrode is a positive/negative pulse voltage or a positive/negative alternating voltage or the same polarity as in a charged polarity of the dust or a direct current of reverse polarity.
また、電極に印加される電圧はが正負のパルス電圧、正負の交流電圧また挨の帯電極性と同極性または逆極性の直流電圧である。 - 特許庁 - To provide a protection circuit of simple constitution which can protect a circuit without fail even in case that a DC current of reverse polarity is applied, in a power supply circuit.
電力供給回路において、逆極性の直流電流が印加された場合でも、確実に回路を保護することができる、簡便な構成の保護回路を提供する。 - 特許庁 - The current control circuit is composed of a switch circuit 3 and a microcomputer 4 with a timer controlling the switch circuit; and the switch circuit 3 is composed of a normal/reverse changeover driver.
前記電流制御回路は、スイッチ回路３とこれを制御するタイマー付マイコン４とから構成し、前記スイッチ回路３は、正・逆転切り替えドライバで構成する。 - 特許庁 - A surge voltage absorber circuit 4 absorbs a surge voltage which generates in the choke coil 20 resulting from a reverse current which is generated by a delay of off of the switch element 23 for commutation.
サージ電圧吸収回路４は、転流用スイッチ素子２３のオフの遅れで生じる逆電流に起因して、チョークコイル２０に発生するサージ電圧を吸収する。 - 特許庁 - A driver circuit is connected to the terminal of the electric motor, and supplies a driving current of a size based on the reverse EMF from the electric motor to the electric motor in a driving phase.
ドライバ回路は電気モーターの端子に接続され、駆動フェーズにおいて電気モーターからの逆ＥＭＦに基づく大きさを持つ駆動電流を電気モーターに供給する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.
ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A reverse recovery current preventing device 2 includes a full-wave rectification unit 21, first and second diodes D22, D23, a switching element 24, and a switching element control unit 30.
逆回復電流防止装置２は、全波整流部２１と、第１及び第２ダイオードＤ２２，Ｄ２３と、スイッチング素子２４と、スイッチング素子制御部３０とを備える。 - 特許庁 - The constant current circuit, which is a single switch reverse-exciting converter, includes a control circuit, a detection resistor R_s, a transformer T_5, a voltage-dividing compensation circuit, and a primary power switch Q_5.
定電流回路は単スイッチ逆磁変換器であり、制御回路と、検出抵抗Ｒ_sと、変圧器Ｔ_5と、分圧補償回路と、一次電力開閉器Ｑ_5とを含む。 - 特許庁 - To provide the driving circuit in a low-price synchronous rectifying circuit for preventing a reverse current from an output circuit, and to provide a power converter with the driving circuit incorporated therein.
出力回路からの逆電流が防止できる低価格の同期整流回路の駆動回路、およびこの駆動回路を組み込んだ電力コンバータを提供する。 - 特許庁 - Since the current technology executes the reverse operation at the time t21 when an estimated lateral acceleration differential value α' changes from a negative value to a positive value, rolling motion was probably promoted.
従来技術では、推定横加速度微分値α’が負から正に変わる時刻ｔ２１で前記反転作動を実施するため、ロール運動を助長することが起こり得た。 - 特許庁 - Power can be supplied to the power system only with an inverter by connection a plurality of power generators with DC via a voltage step-up circuit and an reverse current stop diode.
複数台の発電機を昇圧回路と逆流防止ダイオード介して直流で接続し、インバータ１台で電力系統に電力を供給する構成にした。 - 特許庁 - To provide an inductive load drive circuit for reducing power consumption in normal time, and suitably preventing occurrence of large current in battery reverse connection.
通常時における電力消費を低減させるとともに、バッテリ逆接時の大電流の発生を好適に防止できる誘導性負荷駆動回路を提供すること。 - 特許庁 - To provide a MOS transistor of nanometer scale that has reduced parasitic capacitance and junction leakage current by forming an SSR epi-channel, a silicon epi-layer, and a reverse spacer.
ＳＳＲエピチャネルとシリコン・エピ層そしてリバース・スペーサを形成することで寄生抵抗及び接合漏洩電流が減少されたナノメートルスケールのモストランジスタを提供する。 - 特許庁 - Thereby, the electric current flows in a reverse direction to an ordinary power generation, and reaction generated water is generated in the anode, thus the interface of the anode catalyst can be formed efficiently.
これにより、通常発電とは逆向きに電流が流れ、アノードにおいて反応生成水を発生させて、アノード触媒の界面を効率的に形成できる。 - 特許庁 - REVERSE FLOW SUPPRESSION CIRCUIT OF OUTPUT CURRENT, PROTECTION CIRCUIT AT SELF-EXCITED OSCILLATION, AND SELF-EXCITED OSCILLATION PROTECTION CIRCUIT OF DC-DC CONVERTER
ＤＣ−ＤＣコンバータにおける出力電流の逆流抑制回路、ＤＣ−ＤＣコンバータの自励発振時保護回路、及びＤＣ−ＤＣコンバータの自励発振保護回路 - 特許庁 - The transistor Q1 is not broken down when a reverse voltage larger than that when the current-limiting resistance R2 is not provided is not applied to the input end of the transistor Q1.
トランジスタＱ１のブレークダウンは、電流制限抵抗Ｒ２を設けない場合よりも大きな逆方向電圧がトランジスタＱ１の入力端に加わらないと発生しない。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, easily decreasing a reverse direction leakage current by reducing defects in a semiconductor substrate during manufacturing processes.
製造工程中に半導体基板に発生する欠陥を低減し、逆方向リーク電流を小さくすることが容易な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To configure an active layer comprising a III-V compound semiconductor layer of low dislocation concentration, for example, and to stably supply LED excellent in dielectric withstanding voltage in reverse current.
活性層を低転位密度のIII−Ｖ族化合物半導体層で構成し、例えば、逆方向電流の耐電圧に優れるＬＥＤを安定して提供する。 - 特許庁 - To provide a power supply system and an image forming apparatus that enhances the charging efficiency, while preventing reverse current from an electricity accumulation means toward a charging means.
蓄電手段から充電手段への逆流の発生を防止することができ、かつ充電効率を高めることができる電源装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide Schottky diode which can reduce a leak current when a reverse voltage is applied without using ion injection and a method for manufacturing the same.
イオン注入を用いることなく、逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することができる炭化珪素ショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A peak current flowing through the chuck during workpiece lifting from the chuck controls the amplitude and/or duration of the reverse polarity voltage during the next dechucking operation.
チャックからの工作物持ち上げの間にチャック中を流れるピーク電流は、次のデチャッキング操作中の逆極性電圧の振幅および／または持続時間を制御する。 - 特許庁 - A peak current flowing through the chuck during workpiece lifting from the chuck controls the amplitude and/or duration of the reverse polarity voltage during the next dechucking operation.
チャックからの工作物持上げ時のチャック中を流れるピーク電流は、次のデチャッキング操作中の逆極性電圧の振幅及び／または持続時間を制御する。 - 特許庁 - The drive parts 11, 12, 13, 20 apply reverse bias to a control terminal of the drive transistor within a non-emission period when drive current is not supplied to the self-light emission elements.
駆動部１１，１２，１３，２０は、自発光素子に駆動電流が供給されない非発光期間内に駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加する。 - 特許庁 - The dark current, which tends to increase due to the thicker depletion layer, is absorbed in the substrate 1 side by applying a reverse bias between the substrate 1 and the semiconductor layer 2.
空乏層の厚化によって増加傾向となる暗電流は、基板１と半導体層２との間には逆バイアスを印加することで、基板１側に吸収する。 - 特許庁 - Therefore, abnormal generation at the loads and breakage of the loads due to reverse connection of a battery can be prevented, so as to block a dark current when an engine is not started for a long time.
負荷での異常発生やバッテリの逆接続による負荷の破損を防ぎ、長期間エンジンを掛けないときの暗電流の遮断を行なうことができる。 - 特許庁 - A reverse flow regulating part suppressing air current reversely flowing to a suction side through the opening hole part 21 along the wall surface is formed at the flat surface wall part 25.
そして、平面壁部２５に、この壁面に沿って開口孔部２１を介して吸込側に逆流する空気流を抑制する逆流規制部が形成されている。 - 特許庁 - To provide a current adjusting apparatus for preventing a reverse power flow by simple construction and efficiently supplying a power to a load.
簡単な構成で逆潮流の発生を防止でき、あるいは負荷に電力が効率的に供給されるようにするための電流調整装置を提供することである。 - 特許庁 - The rotational amount of the DC motor in a time zone Tb, when the load current of the DC motor becomes substantially 0 after starting the reverse driving, is measured as the amount of backlash.
そして、この反転駆動開始からＤＣモータの負荷電流がほぼ「０」となる時間帯ＴｂにおけるＤＣモータの回転量をバックラッシュ量として計測する。 - 特許庁 - The width W of each active area 36 is restricted by the refractive index waveguide structure or current stricture structure, and heat sinks 37 and 38 are provided on both the top and reverse surfaces of an element 35.
各活性領域36の幅Ｗはそれぞれに屈折率導波構造もしくは電流狭窄構造により制限し、素子35の上下両面にヒートシンク37, 38を設ける。 - 特許庁 - Under the circumstances, holes in the vicinity of the first base region 12 are promptly extracted upon application of a reverse bias to the voltage across the emitter and the base, and this suppresses the occurrence of a tail current.
このため、エミッタ−ベース間電圧が逆バイアスされると、第１ベース領域１２近傍の正孔が速やかに引き抜かれ、テール電流の発生が抑えられる。 - 特許庁 - To prevent flow of a unreasonable current by an after process added to a battery box on the market or an existing battery box in an equipment, even when a battery is inserted in reverse.
市販の電池ボックスや、機器における既設の電池ボックスに対し後付け加工して電池を逆挿入しても不適切な電流が流れないようにする。 - 特許庁 - On the other hand, when the rotor 19 is rotated reversely, electric current is carried to a piezoelectric element 35, the piezoelectric element 35 is elongated, and a left end plane of the bevel gear for reverse rotation 17 is pressed.
一方、逆にロータ１９を反転させたいとき、圧電素子３５に通電し、圧電素子３５を伸長させ、反転用傘歯車１７の左端平面を押圧する。 - 特許庁 - To provide a magnetic disk device of a perpendicular magnetic recording system which uniforms intensity of magnetization recorded on a magnetic disk without depending on a reverse interval of a recording current.
記録電流の反転間隔に依らずに、磁気ディスクに記録される磁化の大きさを一様にすることが可能な垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a method for manufacturing an SiC Schottky barrier diode which can suppress an increase in leakage current at the time of a reverse bias without generating surface roughness.
表面荒れを発生させることなく、逆方向のバイアス時にリーク電流の増加を抑制できるSiCショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁
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