「reverse current」を含む例文一覧(1060)

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  • Then, when a reader of the magnetic tape is detected, a brake mechanism is driven and the reverse starting current is caused to flow again through the capstan motor for the prescribed period of time.
    この後、磁気テープのリーダが検出されたときに、ブレーキ機構が駆動されると共に、キャプスタンモータに再度逆起動電流が所定時間流される。 - 特許庁
  • To provide a Schottky barrier diode which can be markedly lessened in reverse current, reduced in electrostatic capacity, and enhanced in high-frequency characteristic.
    逆方向電流を大幅に小さくすることができ、かつ静電容量も低減できる高周波特性に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device capable of preventing avalanche current during reverse bias application from concentrating on near a gate electrode, and a method of manufacturing the same.
    逆バイアス印加時のアバランシェ電流がゲート電極付近に集中してしまうことを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Since it is unnecessary to apply reverse current from the transfer roller 7 to the photoreceptor drum 5, the mixture of toner having different color is suppressed.
    また、転写ローラ７から感光体ドラム５へ逆方向電流を通電する必要もないので、色の異なるトナーが混ざるのも抑制することができる。 - 特許庁
  • That is, feedback for offsetting the in-phase component is applied to the reverse-phase input terminals in2, the in-phase component is eliminated from the output current.
    すなはち、逆相入力端子in2には同相成分を相殺する帰還がかかり、出力電流からは同相成分が除去されていることがわかる。 - 特許庁
  • The battery 1 is provided with an insulator 6 on the reverse side of its cover, and a current collector having a connecting tab 7a hangingly disposed therein is accommodated in a recess of the insulator 6.
    電池１の蓋部の裏面には絶縁体６が設けられ、絶縁体６の凹部には、接続タブ７ａが垂設された集電体が収容されている。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which can shorten a convergence time of a vibration phenomenon of a current and voltage occurring during reverse recovery action of a reflux diode.
    、環流ダイオードの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • Forward direction and reverse direction reflective trackings are calculated, based on the boundary condition such that the drift angle of reflective tracking coefficient is zero in the direct current.
    順方向及び逆方向反射トラッキングは、反射トラッキング係数の偏角が直流で零であるような境界条件に基づいて計算される。 - 特許庁
  • To provide a resistance change type memory device capable of preventing disturbance caused by the flowing of reverse element current at the end time of a low resistance operation.
    低抵抗化動作の終了時に、逆向きの素子電流が流れディスターブが発生することを防止した抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁
  • To reduce a forward voltage drop and its variation, to improve the trade-off of the forward voltage drop and reverse recovery loss, and to make a current softly recovered.
    順方向電圧降下とそのばらつきの低減を図り、順方向電圧降下と逆回復損失のトレードオフの改善を図り、ソフトリカバリー化を図る。 - 特許庁
  • The reverse voltage of a photodiode 34 is maintained at almost the same level in order to properly transmit current generated by an optical component circuit 40 to an integrating capacitor 30.
    光素子回路40で生成される電流を積分コンデンサ30に適正に伝達するために、フォトダイオード34の逆電圧をほぼ一定のレベルに維持する。 - 特許庁
  • Protective relays SG-A, SG-B for distribution on the panel SG are directional relays to detect each reverse current.
    配電盤ＳＧに備えられる配電側の保護リレーＳＧ−Ａ，ＳＧ−Ｂは、互いに逆方向の電流を検出する方向性を有する保護リレーである。 - 特許庁
  • To measure forward voltage by supplying fixed forward current to a light emitting diode while avoiding destruction by application of overvoltage in reverse connection.
    逆接続時における過電圧の印加による破壊を回避しつつ、一定の順方向電流を発光ダイオードに供給して順方向電圧を測定する。 - 特許庁
  • On the reverse side of the diffraction grating layer 25 sandwiching the active layer 24, a tuning layer 22 capable of injecting a current independently from the active layer 24 is provided.
    活性層２４を挟んで回折格子層２５と反対側には、活性層２４とは独立して電流を注入可能なチューニング層２２を設ける。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which can shorten a convergence time of a vibration phenomenon of a current and voltage occurring during reverse recovery action of a reflux diode.
    環流ダイオードの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To protect a motor drive circuit of a direct PWM drive type brushless motor from breakdown due to a reverse regenerative current generated in the motor.
    ダイレクトＰＷＭ駆動方式によるブラシレスモータで発生する逆流回生電流に起因するモータ駆動回路の耐圧破壊を防止すること。 - 特許庁
  • A reactor 24 for preventing the reverse current to the diode 23 is connected with the diode 23 provided at each of the switching modules 11 to 20 in series.
    スイッチングモジュール１１〜２０の各々に設けられたダイオード２３に対して直列に、ダイオード２３の逆電流を防止するためのリアクトル２４を接続した。 - 特許庁
  • A one digit/letter color description is treated as foreground or background color dependant on the current attributes: if reverse mode is set, the background color is changed instead of the foreground color.
    数値にせよ文字にせよ、一色だけを指定した場合に、それが前景色として扱われるか背景色になるかは、現在の属性に依存する。 - JM
  • To reduce reverse leakage current of a semiconductor device produced by grinding a semiconductor substrate to have a smaller thickness and performing ion implantation on the grinding surface.
    半導体基板を研削して薄くし、その研削面にイオン注入を行うことにより作製される半導体装置の逆漏れ電流を少なくすること。 - 特許庁
  • To prevent an abnormal reverse current or an overcurrent from flowing through an assist motor 1 without causing any error operation or increase in a cost in an electric power steering device.
    電動パワーステアリング装置において、アシストモータ１に異常な逆電流や過大電流が流れることを、誤動作やコスト増を生じることなく防止する。 - 特許庁
  • To provide a guide light which detects an existence of a commercial power supply quickly and does not require a reverse current preventing diode and an output capacitor.
    商用電源の有無を迅速に検出でき、且つ、逆流防止ダイオードや出力コンデンサを削除することができる誘導灯を提供する。 - 特許庁
  • To improve large incident light quantity resistance and large reverse bias voltage applying resistance by preventing concentration of current caused by light absorption in the vicinity of a light incident edge.
    光入射端近傍に光吸収電流が集中するのを防止し、大入射光量耐性、大逆バイアス印加耐性を向上させる。 - 特許庁
  • As a result, it is possible to restrict the occurrence of a recovery current flowing locally largely towards the lower face of the field limiting innermost peripheral layer 4 at reverse biasing.
    その結果、逆バイアス時に、フィールドリミティング最内周層４の下面に向かって局所的に大きく流れるリカバリー電流の発生を抑制できる。 - 特許庁
  • This constitution makes it possible to prevent a reverse current at the time of high-speed synchronized rectification, while suppressing the switching noise of the three-phase inverter 3 at the time of starting the engine.
    これにより、エンジン始動時の三相インバータ３のスイッチングノイズを抑止しつつ、高速同期整流時の逆流を防止することができる。 - 特許庁
  • In addition, the current value ratio Ra is used instead of the vehicle speed signal from the vehicle speed sensor for actualizing the variable control of the upper reverse position P2.
    しかも、電流値比率Ｒａを用いることで、車速センサからの車速信号を用いずに上反転位置Ｐ２の可変制御を行うことができる。 - 特許庁
  • The wafer is cooled by a reverse flow of current through the thermoelectric module, by making a cooling medium distribute through the cooling channels, or both of these methods.
    ウェハの冷却は、熱電モジュールにより電流を逆流させたり、冷却流路により冷却流体を分布させたり、或いはそれら両方により行う。 - 特許庁
  • A problem of the motor power supply voltage increase by the reverse regenerative current and that causes the dielectric breakdown of the motor drive circuit can be avoided surely.
    よって、逆流回生電流によってモータ電源電圧が上昇して、モータ駆動回路の耐圧破壊を引き起こすという弊害を確実に防止できる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which possesses reverse blocking characteristics and achieves a normally-off characteristic, on-state resistance, and the suppression of off-state current.
    本発明は、逆阻止特性を有し、かつノーマリオフ特性、オン抵抗とオフ電流の抑制を実現する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • Thereafter, a nonpolar electrolytic capacitor 5 connected in series with a resistor 4 is connected in parallel with the solenoid coil 1 and with the diode 2 for preventing the reverse current of the solenoid coil 1.
    それから、前記ソレノイドコイル１と前記逆流防止のダイオード２に対し、抵抗４と直列接続の無極電解コンデンサ５を並列に接続する。 - 特許庁
  • The board side antenna portion 4 is in parallel with a parallel antenna portion 6 constituting a reverse L-shaped antenna, and an antenna current I flows in the same direction as the parallel antenna portion 6.
    この基板側アンテナ部４は、逆Ｌ型アンテナを構成する平行アンテナ部６と平行で、同じ向きにアンテナ電流Ｉが流れるようにする。 - 特許庁
  • In a normal operation, a DC power generated by solar cell strings 11 to 1n is outputted to an inverter 61 through reverse current blocking diodes 21 to 2n.
    通常の運転は、太陽電池のストリング１１〜１ｎで発電された直流電力は、逆流防止ダイオード２１〜２ｎを経てインバータ６１に出力される。 - 特許庁
  • When line voltages exceed the magnitude of the bias voltage, each blocking diodes 82a, 82b prevent a current from flowing through the bias voltage source 48 in a reverse direction.
    線間電圧がこのバイアス電圧の大きさを超えると、ブロッキング・ダイオード８２ａ，８２ｂが、電流がバイアス電圧源４８を逆方向に流れるのを阻止する。 - 特許庁
  • The negative electrode 200 includes an n-type amorphous silicon film 4, a reverse-surface electrode 6, and a current collection electrode 8 forme din order on the i-type amorphous silicon film 3.
    負極２００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｎ型非晶質シリコン膜４、裏面電極６および集電極８を含む。 - 特許庁
  • To provide a method of effectively improving the trade off relation between the forward voltage(VF) of a Schottky barrier diode(SBD) and its reverse leakage current (JR).
    ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の順方向電圧（Ｖ_Ｆ）と逆方向漏れ電流（Ｊ_Ｒ）のトレードオフ関係を効果的に改善する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a diode using a nitride semiconductor with sufficiently reduced reverse-direction leakage current even if a passivation film is formed.
    パッシベーション膜を形成した場合においても逆方向リーク電流を十分に低減した窒化物半導体を用いたダイオードを実現できるようにする。 - 特許庁
  • To realize a power supply changeover circuit with a C-MOS process which practices a reverse current preventive function between power supplies and eliminates an excessive voltage drop.
    電源間の逆流防止機能を果たすと同時に余分な電圧降下を除去した、ＣＭＯＳプロセスによる電源切り替え回路を実現する。 - 特許庁
  • When all of the switching elements Tu3 and Tu2, Tv3 and Tv2, Tw3 and Tw2 are turned on, the current flows into each of the phase windings in reverse direction, and the motor revolves reversely.
    又、スイッチング素子Ｔu3とＴu2、Ｔv3とＴv2、Ｔw3とＴw2が共にオンとなったとき巻線には逆方向に電流が流れモータは逆転する。 - 特許庁
  • A slave unit control section 20 detects a change in the phase of the current to decide that the wall switch 5a is push-off-operated and throws contacts 21 to a reverse position.
    子機制御部２０は、電流位相の変化を検出することで、壁スイッチ５ａがプッシュオフ操作されたと判定し、接点部２１を反転動作させる。 - 特許庁
  • The commutating MOS FET 6 is turned off and generation of the surge voltage and the reverse current are surely prevented when the operation of a switching element 2 stops.
    また、スイッチング素子２の動作停止時にも、転流ＭＯＳ型ＦＥＴ６がオフし、サージ電圧の発生や逆方向電流を確実に防止できる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which an ON voltage is low at the time of an IGBT operation and forward operation of a diode, a reverse recovery current is small at the time of the reverse operation of the diode, and soft recovery characteristics are attained.
    ＩＧＢＴ動作時およびダイオード順動作時のオン電圧が低く、また、ダイオード逆動作時の逆回復電流が小さく、ソフトリカバリー特性となる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • A switching transistor 267d is provided between the EL element 266 and a driving transistor 267a which controls a current value so as to apply a reverse bias voltage to the EL element 266, and turned off in the reverse-bias application period.
    ＥＬ素子２６６に逆バイアス電圧を印加するために、ＥＬ素子２６６と電流値を制御する駆動トランジスタ２６７ａの間にスイッチングトランジスタ２６７ｄを設け、逆バイアス印加期間では非導通状態とする。 - 特許庁
  • The amplifier has a frequency generating section composed of a capacitor C2 and a resistor R3 and generating a desired frequency, a current multiplying section constituted of two current mirror circuits composed of transistors Q2-Q8, and a discharge circuit for providing the LED 1 with a reverse current distributed from the current multiplying section.
    そして、この増幅器は、所望の周波数を生成するコンデンサＣ２と抵抗Ｒ３の周波数生成部と、トランジスタＱ２〜Ｑ８からなる二つのカレントミラー回路で構成された電流逓倍部を有するようにし、更に該電流逓倍部から分配してＬＥＤ１に逆方向電流を与えるディスチャージ回路を有するようにする。 - 特許庁
  • When a current flows to a self arc-distinguishing element S2 and the element is switched off, the current flows first to a high-speed diodes D1, however a reverse bias voltage is applied to D1 by a series resistor Ra1, so that the current of D1 for power increases, and the current of a diode PD1 for positive power increases gradually.
    自己消弧素子Ｓ２に電流が流れているとき、これをオフすると電流はまず高速ダイオードＤ１に流れるが、直列抵抗Ｒａ１によってＤ１に逆バイアス電圧が印加されるためＤ１の電流が減少し、正側電力用ダイオードＰＤ１の電流が増加していく。 - 特許庁
  • In a current resonance converter, an I/V conversion circuit 51 and a current state detection circuit 52 detect the state where a commutation current flows through commutation diodes D1 and D2 connected in reverse parallel with switching elements Q1 and Q2 as the state of a current flowing to the primary side through switching operation.
    電流共振形コンバータにおいて、スイッチング動作により一次側に流れる電流の状態として、スイッチング素子Ｑ1,Ｑ2に逆並列接続された転流用ダイオードＤ1，Ｄ2に転流電流が流れている状態であることを、Ｉ／Ｖ変換回路５１及び電流状態検出回路５２により検出する。 - 特許庁
  • The current-voltage conversion circuit employing an operational amplifier having a feedback loop by a shunt resistor is characterized in that a protection means with a current limit function and a reverse current block function is placed between an output terminal of the operational amplifier and the shunt resistor.
    シャント抵抗による帰還ループを有する演算増幅器を用いた電流−電圧変換回路において、演算増幅器の出力端子とシャント抵抗の間に、電流制限機能と逆流阻止機能を有する保護手段を設けたことを特徴とするもの。 - 特許庁
  • The amplitude of the current flowing through the electron passing layer 4 is set so that the current density of the current flowing through the electron passing layer 4 during the reverse voltage period becomes equal to or lower than that during the forward voltage period.
    電子通過層４に流れる電流の振幅は、逆電圧期間Ｔ２において電子通過層４に流れる電流の電流密度が、順電圧期間Ｔ１において電子通過層４に流れる電流の電流密度以下になるように設定する。 - 特許庁
  • A plurality of reverse current prevention diodes 13 are arranged in parallel between adjacent terminal assemblies 12 each of which is connected to an electrode a of a solar battery module M, and the current i of each diode is decreased to a level determined by dividing the current by the number of diodes connected in parallel, resulting in heating value decrement.
    太陽電池モジュールＭの電極ａが接続される隣り合う各端子板１２間に逆流防止用ダイオード１３を複数並列に接続し、各ダイオードの電流ｉをその並列数分の１として、各ダイオードの発熱量も少なくする。 - 特許庁
  • Main current paths of a plurality of switching elements 12, 16, such as IGBT elements, are connected in parallel, and the temperature detector 13 is disposed and thermally coupled to a diode 14, such as a reverse current preventing diode, connected to the main current paths of the switching elements 12, 16.
    複数のＩＧＢＴ素子等のスイッチング素子１２、１６の主電流路を並列接続し、これらのスイッチング素子１２、１６の主電流路に接続された逆流防止ダイオード等のダイオード１４に温度検出器１３を熱的に結合して配置する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor-switching device and usage thereof wherein a back-flow current of the semiconductor-switching device can be passed in a closed circuit, having a sufficient current capacity and moreover, to provide a reverse recovery current of a diode can be suppressed.
    本発明は、半導体スイッチング装置の還流電流を十分な電流容量を備える閉回路で流すことができ、しかもダイオードの逆回復電流を抑制できる半導体スイッチング装置及びその使用方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • Let the current flow in a direction shown by a reverse printed arrow mark on the current path IS1 on the detection current path IS1, the 1st magnetic vector activating in a direction of the vector MV1a, MV1b etc. is generated.
    いま、電流検出の対象となる被検出電流路ＩＳ１に白抜き矢印の方向に電流が流れているとすると、この被検出電流路ＩＳ１上にはベクトルＭＶ１ａ、ＭＶ１ｂ等の方向に作用する第１の磁気ベクトルが発生する。 - 特許庁
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