「second layer」を含む例文一覧(21455)
＜前へ 1 2 .... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 429 430- The transparent resin base material film 11 has a glass transition temperature Tg of 150-300°C and a hight transmissivity of 80% or above and a second transparent inorganic compound layer 13B has a surface roughness Ra (average roughness) of 5 nm or below and the Rmax (maximum roughness) of 120 nm or below.
透明樹脂基材フィルム１１の一方の面へ１又は複数の層を有し、該層の少なくとも１つの層を形成する際に、水若しくは親水性溶媒を塗布若しくは浸漬し乾燥した後に、１５０℃以上に加熱する湿潤加熱工程を有し、前記透明樹脂基材フィルム１１のガラス転移温度Ｔｇが１５０℃以上３００℃以下、かつ光線透過率が８０％以上であり、前記第２透明無機化合物層１３Ｂの表面粗さＲａ（平均粗さ）が５ｎｍ以下、Ｒｍａｘ（最大粗さ）が１２０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - A circulating magnetic field formed in a circulating magnetic layer can be restrained from decreasing in intensity, and the magnetic sensing layers included in the first and second laminate can be reversely magnetized by a small write current.
外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、第１の積層体と第２の積層体との間に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配置されると共に、軸方向に沿って複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを有するようにしたので、還流磁性層に形成される還流磁界の強度低下を抑制することができ、より小さな書込電流によって第１および第２の積層体における感磁層の磁化反転を行うことができる。 - 特許庁 - A Young's modulus of the base part of the interlayer is lower than either of Young's modulus of the cured ionizing radiation curable resin forming the first resin layer and Young's modulus of the ionizing radiation curable resin cured by the second ionizing radiation curable resin.
積層板は硬化された電離放射線硬化型樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層よりも入光側に配置された第２樹脂層と、前記第１樹脂層および前記第２樹脂の間に配置された中間層とを含み、前記中間層は、樹脂材料からなるベース部のみ、或いは、樹脂材料からなるベース部とベース部中に分散された粒子状成分とからなり、前記中間層の前記ベース部のヤング率は、前記第１樹脂層をなす硬化された電離放射線硬化型樹脂のヤング率および前記第２電離放射線硬化型樹脂硬化された電離放射線硬化型樹脂のヤング率のいずれよりも低い。 - 特許庁 - An integrated circuit surface of a third semiconductor substrate 40, where a third integrated circuit is formed on a surface layer is bonded to the backside of the second semiconductor substrate 30, so that the third integrated circuit is connected electrically to the exposed part of the embedded wiring 48.
第１の半導体基板２０と第２の半導体基板３０とを接着した後、第２の半導体基板３０の裏面側を研磨し、第２の半導体基板３０に一端が第１の集積回路及び前記第２の集積回路の少なくとも一方に電気的に接続され第２の半導体基板３０の裏面側に他端が露出した埋め込み配線４８を形成し、表層に第３の集積回路が形成された第３の半導体基板４０の集積回路面を該第３の集積回路が前記埋め込み配線４８の露出部に電気的に接続されるように第２の半導体基板３０の裏面側に接着する。 - 特許庁 - A light of wavelength λj(j=1-m), corresponding to the mixed crystal ratio xj incident on the outside surface of the m-th mixed crystal layer, is detected and a corresponding voltage Vj across first and second electrodes is output.
この発明の光検出器は、ｐ形またはｎ形Ｓi 基板６の一面に第１電極４が形成され、Ｓｉ基板６の他面にｐｎ接合を有するＳｉ_1-x1Ｇｅ_x1第１混晶層７−１がヘテロエピタキシャル成長により形成され、その第１混晶層の上面にｐｎ接合を有するＳｉ_1-x2Ｇｅ_x2第２混晶層７−２がヘテロエピタキシャル成長により形成され、同様にして、ｐｎ接合を有するＳｉ_1-xjＧｅ_xj第ｊ混晶層（ｊ＝１〜ｍ；ｘ１＞ｘ２＞…＞ｘｍ）７−ｊが順に積層され、その第ｍ混晶層の外面の周辺に第２電極５が形成され、その第ｍ混晶層の外面に入射された混晶比ｘｊに対応する波長λｊ（ｊ＝１〜ｍ）の光を検出して、第１，第２電極間に対応する電圧Ｖｊを出力する。 - 特許庁
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