「second layer」を含む例文一覧(21455)

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  • The second outer layer covers the second surface of the inner layer.
    第二外層は、内層の第二面を覆う。 - 特許庁
  • The second conductive layer is buried in the second surface of the inner layer and contacts with the second outer layer.
    第二導電層は、内層の第二面に埋まり第二外層に接する。 - 特許庁
  • So the second layer of simplicity
    簡潔性の第二層は - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The second conductivity type layer has: a second clad layer; a current diffusion layer; and a second contact layer.
    前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。 - 特許庁
  • The second circuit layer is provided on the second dielectric layer.
    第２回路層が第２誘電層上に配置される。 - 特許庁
  • The second electrode layer is provided on the second semiconductor layer.
    第２電極層は、第２半導体層の上に設けられる。 - 特許庁
  • The second DAC is disposed on a second layer on the first layer.
    第２ＤＡＣは、第１層の上の第２層に配置される。 - 特許庁
  • One second layer extends while the other second layer contracts.
    一方の第２層が伸張し、他方の第２層が収縮する。 - 特許庁
  • The lower substrate has a second conductive layer and a second alignment layer.
    下部基板は、第２導電層と第２配向層を有する。 - 特許庁
  • Each second lamination has a second opening to expose the second electrode layer, and includes a second conductive layer and also a second insulating layer disposed between the second conductive layer and the second electrode layer.
    各第２積層は、第２電極層を露出する第２開口を有するとともに、第２導電層および第２導電層と第２電極層の間に配置された第２絶縁層を含む。 - 特許庁
  • The first layer is a semiconductor layer and the second layer is a metal layer.
    前記第１層は、半導体層であり、前記第２層は、金属層である。 - 特許庁
  • The system also comprises a second outer layer and a second device layer comprising a second set of MEMS devices, wherein the second device layer is bonded to the second outer layer.
    システムは、第２の外側層と、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む第２のデバイス層とをさらに備え、第２のデバイス層は第２の外側層に接合される。 - 特許庁
  • A second bonding layer is formed on the second ohmic contact layer.
    第２のオーミックコンタクト層の上に第２の接合層を形成する。 - 特許庁
  • The second layered body 16 has a second reflection layer 32, a data recording layer 34, a second dielectric layer 36 and a second cover layer 38.
    第２積層体１６は、第２反射層３２と、データ記録層３４と、第２誘電体層３６と、第２カバー層３８とを有する。 - 特許庁
  • A second metal layer 15 is formed on the second dielectric layer 14.
    第２金属層１５は、第２誘電体層１４に形成される。 - 特許庁
  • A light emitting layer is formed between the second layer and the second electrode.
    第２の層と第２の電極との間には発光層を有する。 - 特許庁
  • A second insulation layer and a second metal layer are laminated onto the lower surface.
    第２絶縁層と第２金属層が下表面にラミネートされる。 - 特許庁
  • The second layer, the intermediate layer and the first layer are fixedly attached, and the intermediate layer is disposed between the second layer and the first layer.
    第２層、中間層および第１層は固定的に取り付けられ、中間層は第２層と第１層の間に配置される。 - 特許庁
  • A separation layer (120) is arranged between the first layer and the second layer.
    第１の層と第２の層の間に分離層(120)が配置される。 - 特許庁
  • The electrode comprises the first layer and the second layer.
    電極は、第１の層と第２の層とを含む。 - 特許庁
  • The second frame F1 is delivered to the second layer.
    第２のフレームＦ１を、第２のレイヤへ受け渡す。 - 特許庁
  • The first layer is formed of unitary construction with the second layer, and the second layer is joined to the first layer at opposite sides of the second layer.
    第１の層は第２の層と一体の構成で形成され、第２の層は第２の層の両側で第1の層に連結される。 - 特許庁
  • The layer 114 is formed in a three-layer structure consisting of a first layer Ti layer, a second layer Pt layer and a third layer Au layer.
    第二の電極層１１４は、第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造とする。 - 特許庁
  • The layer 113 is formed in a two-layer structure consisting of a first layer Ni layer and a second layer Pt layer.
    第一の電極層１１３は、第１層目がＮｉ、第２層目がＰｔからなる２層構造とする。 - 特許庁
  • A dielectric layer 124 is formed and covers the second insulation layer and the second conductive layer.
    誘電層１２４が形成され、第２絶縁層および第２導電層を被覆する。 - 特許庁
  • A first semiconductor layer is disposed between the second electrode layer and the second reflection layer.
    第１半導体層は、第２電極層と第２反射層との間に配置される。 - 特許庁
  • The first layer is arranged in a lower order than the second layer, and the second layer is arranged in a lower order than the third layer.
    第一層は第二層よりも下位に配置され、且つ第二層は第三層の下位に配置される。 - 特許庁
  • On a layer higher than the first metal layer, a second metal layer and a third metal layer higher than the second metal layer are arranged.
    第１の金属層よりも上層には、第２の金属層と、その上層の第３の金属層が配置されている。 - 特許庁
  • A second electrode layer 60 is deposited on the second insulating layer 50.
    第２の絶縁層上に第２の電極層（６０，１６０）を堆積する。 - 特許庁
  • The second layer is provided on the protective layer side of the semiconductor layer.
    第２の層は、半導体層において保護層側に設けられる。 - 特許庁
  • The inner layer circuit board has a first circuit layer, a second circuit layer, and a core layer positioned between the first circuit layer and the second circuit layer.
    内層回路板は、第１回路層と、第２回路層と、第１回路層及び第２回路層の間に位置するコア層と、を有する。 - 特許庁
  • The second layer is provided closer to the protective layer, on the semiconductor layer.
    第２の層は、半導体層において保護層側に設けられる。 - 特許庁
  • The dopant layer has a first layer of dopant material and a second layer.
    ドーパント層は、ドーパント材料の第１層と、第２層とを有する。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion layer 20 includes a first layer 21 and a second layer 22.
    光電変換層２０は、第１層２１と第２層２２を含む。 - 特許庁
  • As another option, the magnetic element includes a second pinned layer, a second spacer layer, and a second free layer magnetostatically coupled to the free layer.
    他の選択肢として、第２固定層と第２スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第２自由層とが含まれる。 - 特許庁
  • The second adhesion layer is disposed between the second conductive layer and the second metal substrate and between the second conductive layer and the frame jig.
    第２接着層は、第２導電層と第２金属基板の間、および第２導電層とフレーム治具の間に配置される。 - 特許庁
  • A second electric conductive layer (5) is formed.
    第２導電層（５）を形成する。 - 特許庁
  • A second metal layer is disposed on the dielectric layer.
    第二金属層は、誘電体層上に配置する。 - 特許庁
  • The second layer is a layer containing an inorganic compound.
    また、第２の層は、無機化合物を含む層である。 - 特許庁
  • The semiconductor structure comprises a substrate, a metal layer, an insulation layer, a first semiconductor layer, and a second semiconductor layer.
    基板、金属層、絶縁層、第一半導体層、第二半導体層を含む。 - 特許庁
  • The second electrode layer is provided on the second semiconductor layer side of the structure.
    第２電極層は、構造体の第２半導体層の側に設けられる。 - 特許庁
  • The transition channel is positioned between the target layer and the second layer to fluidly couple the second layer to the target layer.
    移行チャネルは、第２層をターゲット層に流体カップリングするように、ターゲット層と第２層との間に位置する。 - 特許庁
  • The first electrode layer is in electrical conduction with the second semiconductor layer and the second electrode layer is in electrical conduction with the first semiconductor layer.
    第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 - 特許庁
  • A water repellent layer is also formed on the second glass layer 5.
    第２ガラス層５の表面には撥水層７もある。 - 特許庁
  • The second core layer is arranged on the first core layer.
    第２のコア層は第１のコア層の上に配置される。 - 特許庁
  • The third wiring layer is disposed on the second dielectric layer.
    第３配線層が第２誘電層上に配置される。 - 特許庁
  • The second binding layer is arranged on the first binding layer.
    第二結合層は、第一結合層上に配置される。 - 特許庁
  • A second insulating layer is arranged on the first insulating layer.
    第２絶縁層は、第１絶縁層上に配置される。 - 特許庁
  • The second polyimide resin layer consists of a second polyimide resin.
    第２ポリイミド樹脂層は、第２ポリイミド樹脂から成る。 - 特許庁
  • Then, the second electrode is deposited on the second organic layer.
    次いで第２電極が第２有機層に堆積される。 - 特許庁
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