「second layer」を含む例文一覧(21455)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 429 430 次へ＞- A first coil layer 18 and a second coil layer 23 are connected electrically via a contact layer 50.
第１コイル層１８と第２コイル層２３がコンタクト層５０を介し電気的に接続されている。 - 特許庁 - The first spacer layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and is non-magnetic.
第１スペーサ層は、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ非磁性である。 - 特許庁 - An active layer 5, a second clad layer 6 and a current diffusing layer 7 re-laminated ad formed thereon.
その上に、活性層５、第２クラッド層６および電流拡散層７を積層形成する。 - 特許庁 - A second pressure-sensitive adhesive layer 51 is layered over a second base material 52 in the second small-wound tape 13.
第２小巻テープ１３では、第２基材５２に第２粘着剤層５１が積層される。 - 特許庁 - A second region of the semiconductor layer is provided with a second trench having a second channel surface.
半導体層の第２の領域は、第２のチャネル面を有する第２のトレンチが設けられている。 - 特許庁 - A second electrode layer and a plurality of second laminates are stacked in this order on the second element substrate.
第２素子基板の上に、第２電極層および複数の第２積層を順番に積み重ねる。 - 特許庁 - The third layer 14-3 is provided on the second layer 14-2 and has a refractive index smaller than that of the second layer 14-2.
第３の層１４−３は、第２の層１４−２上に設けられており、第２の層１４−２より屈折率が小さい。 - 特許庁 - The stamper is peeled (ST5), a second layer is film-deposited on the 2P resin and then a cover layer is formed on the second layer (ST6).
スタンパを剥がし（ＳＴ５）、前記２Ｐ樹脂層上に第２層を成膜後、前記第２層上にカバー層を形成する（ＳＴ６）。 - 特許庁 - The assignment of a second layer is given priority over a first layer, and the assignment of a third layer is given priority over the first and second layers.
第１レイヤより第２レイヤの割り当てを優先させ、第１および第２レイヤより第３レイヤの割り当てを優先させる。 - 特許庁 - A first layer 51a of the Mo layer 51 is formed by the first condition, and afterwards, a second layer 51b is formed by the second condition.
まず、第１条件でＭｏ層５１の第１層５１ａを形成し、その後第２条件で第２層５１ｂを形成する。 - 特許庁 - A protective layer 6 is deposited on the second surface layer 5 so as to cover the entire second surface layer 5 which is exposed (Fig.1(e)).
露出した第２の表面層５全体を覆うように保護層６を第２の表面層５上に堆積させる（図１（ｅ））。 - 特許庁 - The second layer is provided on the luminescent layer side opposite to the first layer, and has a second conductive shape.
前記第２の層は、前記第１の層とは反対の側となる前記発光層の側に設けられ、第２導電形を有する。 - 特許庁 - The third layer 13-3 is provided on the second layer 13-2 and has a refractive index smaller than that of the second layer 13-2.
第３の層１３−３は、第２の層１３−２上に設けられており、第２の層１３−２より屈折率が小さい。 - 特許庁 - A unit pixel comprises a second conductive layer 110, a first interlayer insulating layer 120 on the second conductive layer 110, a first conductive layer 130 on the first interlayer insulating layer 120, and a second interlayer insulating layer 140 on the first conductive layer 130.
単位画素は、第２導電層１１０、第２導電層１１０上の第１層間絶縁層１２０、第１層間絶縁層１２０上の第１導電層１３０、及び第１導電層１３０上の第２層間絶縁層１４０を備える。 - 特許庁 - The second electrical fuse 13 has a second upper layer wire 131 and a second lower layer wire 132 formed in different wire layers, and a via 133 for connecting the second upper layer wire 131 to the second lower layer wire 132.
第二の電気ヒューズ１３は、異なる配線層に形成された第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２と、第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２を接続するビア１３３とを有する。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a third semiconductor layer of the second conductivity type and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.
実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第２半導体層と、第２導電形の第３半導体層と、第１半導体層に接続される第２電極層と、を備える。 - 特許庁 - The liquid crystal display device 100 is equipped with: a first polarizing layer 101; a first optical compensating layer 102; a first glass substrate 103; a first alignment layer 104; a liquid crystal layer 105; a second alignment layer 106; a second glass substrate 107; a second optical compensating layer 108; and a second polarizing layer 109.
液晶表示装置１００は、第１偏光層１０１、第１光学補償層１０２、第１ガラス基板１０３、第１配向膜１０４、液晶層１０５、第２配向膜１０６、第２ガラス基板１０７、第２光学補償層１０８、及び、第２偏光層１０９を備える。 - 特許庁 - A channel protection layer 24 consisting of a lower layer side first channel protection layer 24A and an upper layer side second channel protection layer 24B is provided.
下層側の第１のチャネル保護層２４Ａと、上層側の第２のチャネル保護層２４Ｂとからなるチャネル保護層２４を設ける。 - 特許庁 - The sleeper 1 includes an A layer 41 as a first layer and a C layer 43 and a B layer 42 as a second layer.
本発明のまくら木１は、第１の層であるＡ層４１及びＣ層４３と、第２の層であるＢ層４２が設けられている。 - 特許庁 - The second conductive layer is the conductive layer having a pure nickel layer and a nickel-phosphorous alloy layer sequentially laminated on the surface of a copper layer (1).
（１）第２導電層は、銅層の表面に純ニッケル層とニッケル−リン合金層とが順次積層された状態で備える。 - 特許庁 - Then a resistance reducing layer 4 is formed as a second layer covering the whole electrode layer and/or the surface layer of the electrode layer itself.
さらに、電極層全体を覆う次層として、および／または、電極層自体の表層として、抵抗低減層４を形成する。 - 特許庁 - The second oxide film covers the side surfaces of the diode layer.
第２の酸化膜は、ダイオード層の側壁を覆う。 - 特許庁 - The photoresist 12 of the second layer is thereafter developed.
この後、第２層目のフォトレジスト１２を現像する。 - 特許庁 - The second air permeable sheet layer 26 consists of nonwoven fabric.
第二通気性シート層２６は、不織布からなる。 - 特許庁 - The second magnetic layer 32 is a perpendicular magnetization film.
また、第２磁性層３２は垂直磁化膜である。 - 特許庁 - The contact probe 112 is opposed to the second polymer layer 120.
接触プローブ(112)は第２のポリマー層(120)と面する。 - 特許庁 - A second ground layer 14 is layered on the base 11.
第２グラウンド層１４は、ベース１１に積層する。 - 特許庁 - The second layer 6b is formed from a nylon film.
第２層６ｂは、ナイロンフィルムによって形成する。 - 特許庁 - The second layer is composed of a simple substance such as chromium (Cr).
第２層は、クロム（Ｃｒ）などの単体からなる。 - 特許庁 - The second layer 13A2 is in contact with the third surface.
第２層１３Ａ２は第３の面に接している。 - 特許庁 - Included therein are a first structural part positioned on a reference layer and a second structural part positioned on a second layer.
参照用層の上に位置する第１構造部と、第２層の上に位置する第２構造部とを含む。 - 特許庁 - A first conductive layer 31 is formed on first side faces 20c and 40c, while a second conductive layer 32 is formed on second side faces 20d and 40d.
第１の導電層３１は、第１の側面２０ｃ、４０ｃの上に形成されている。 - 特許庁 - A plurality of slits 7 penetrating through the second layer 5 in a laminated direction are formed in the second layer 5.
第２層５には、第２層５を積層方向に貫通する複数のスリット７が形成されている。 - 特許庁 - The ratio of the thickness of the second GaN layer 111a to that of the second AlN layer 111a is 4 to 5.
第２のＡｌＮ層１１１ａに対する第２のＡｌＮ層１１１ａの厚さの比は４〜５である。 - 特許庁 - The second reinforcement layer 20 is positioned between the first reinforcement layer 18 and the second ply 34.
この第二の補強層２０は、この第一の補強層１８とこの第二のプライ３４との間に位置する。 - 特許庁 - The second organic layer 20 is coated with a second inorganic layer 21 composed of ITO, SiN, or the like.
第２の有機質層材２０は、ＩＴＯやＳｉＮ等からなる第２の無機質層２１で覆われている。 - 特許庁 - After the second photoresist pattern has been removed, a layer to be etched is etched, by using the second hard mask layer pattern.
第２フォトレジストパターンを除去した後、第２ハードマスク層パターンを用いて、被エッチング層をエッチングする。 - 特許庁 - Furthermore, the light-emitting device has a multi-layer structure which includes at least a second layer of a second semiconductor material.
さらに、発光デバイスは少なくとも第2の半導体素材の第2の層を含む多層構造体である。 - 特許庁 - The second chip comprises a second wiring layer and a second conductive substrate in the first side and the second side of the second chip, respectively.
第２のチップが、第２のチップの第１の側と第２の側とにそれぞれ第２の配線層と第２の導電性基板とを含む。 - 特許庁 - At a boundary between the first layer 18 and the second layer 20, the composition of the first layer 18 is made similar to the composition of the second layer 20.
第１の層１８と第２の層２０との境界部においては、第１の層１８の組成と第２の層２０の組成とがほぼ同じとなるようにする。 - 特許庁 - In the second fanout layer below the voltage layer, the remaining signal pads are made to escape.
電圧層の下の第２のファンアウト層で、残りの信号パッドを逃がす。 - 特許庁 - The base material is subjected to an electroplating treatment to form a second plated layer 22 on the first plated layer 20, further to form a third plated layer 23 on the second plated layer 22.
その後、電気めっき処理を行って、第１めっき層２０上に第２めっき層２２を、第２めっき層２２上に第３めっき層２３を担持させる。 - 特許庁 - A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).
第２のｐ型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁 - A stacked structure of a nitride semiconductor comprises; a substrate 10; a first buffer layer 12; a first crystalline layer 14; a second buffer layer 16; and a second crystalline layer 20.
窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。 - 特許庁 - The second electrode layer 12g is removed to expose the organic layer OL.
第２電極層１２ｇを除去して有機物層ＯＬを露出させる。 - 特許庁 - Since parts in each function group are isolated from the first ground layer of a second layer and the second ground layer of a fourth layer, the parts receive no effect of noise.
また、各機能グループ中の部品は第２層の第１グランド層、第４層の第２グランド層から離れているのでノイズの影響を受けない。 - 特許庁 - The first layer is provided over the second layer, or the second layer is provided over the first layer.
第１の層と第２の層は積層して設けられており、第１の層上に第２の層が設けられているか、または、第２の層上に第１の層が設けられている。 - 特許庁 - The first layer and the second layer are then bonded in a bonding process, thereby forming a bonding layer, where the metal studs contact the second layer.
次いで、接着プロセスにおいて、第１の層および第２の層を接着し、これによって、金属スタッドが第２の層に接触する接着層を形成する。 - 特許庁 - The end of a first layer is connected to the end of a second layer.
本発明によれば、第一層の端は、第二層の端に結合されている。 - 特許庁 - A capacitor insulating layer 13 is made be to interposed on the second conductive layer 21.
第２の導電層１３の上にキャパシタ絶縁膜１３が設けられる。 - 特許庁
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