「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 .... 429 430 次へ＞- The outer layer 12B includes a mixed polymer made up of (A) ethylene vinyl acetate copolymer of 50 to 92 mass%,(B) medium density polyethylene of 3 to 25 mass%, and(C) styrene ethylene butylene styrene block copolymer of 5 to 25 mass%, and is made up of a second insulative composition that does not include metal hydrate.
外層１２Ｂは（Ａ）エチレン・酢酸ビニル共重合体５０〜９２質量％、（Ｂ）中密度ポリエチレン３〜２５質量％および（Ｃ）スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体５〜２５質量％からなる混合ポリマーを含有し、金属水和物を含有しない第２の絶縁性組成物から構成される。 - 特許庁 - A width direction end 22E of the spiral belt layer 22 is arranged in an area sandwiched between a first normal HL1 passing through a ground end 26E vertical to a tread, and a second normal HL2 passing through a point P reaching to 20 mm on a tire equator face side along a tread from the ground end 26E vertical to the tread.
スパイラルベルト層２２の幅方向端部２２Ｅは、踏面に対して垂直でかつ接地端２６Ｅを通る第１の法線ＨＬ１と、踏面に対して垂直でかつ接地端２６Ｅから踏面に沿ってタイヤ赤道面側へ２０ｍｍ至る点Ｐを通る第２の法線ＨＬ２とで挟まれる領域内に配置する。 - 特許庁 - The dopant seed is activated by annealing the substrate, the sacrifice oxide layer is removed by etching the substrate surface, the first subset is set to the height of a first level, and a topology is formed such that the first subset has the first level different from a second level of the marker structure surface part different from the first subset.
この基板をアニールしてドーパント種を活性化させ、半導体表面をエッチングして犠牲酸化物層を取り除き、第１サブセットを第１レベルの高さにし、第１サブセットが、第１サブセットと異なるマーカ構造表面部分の第２レベルと異なる第１レベルを有するようにトポロジーを生成する。 - 特許庁 - If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only a metallic powder particle MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic by the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.
セラミックグリーンシート５に積層形成する配線パターン層６用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子ＭＰのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁 - A counter substrate 300 includes: a counter electrode 330 extended to the outside of the active area and provided with a cutout part CT formed opposite to an area interposed between the first connection wiring and the second connection wiring; and a light-shielding layer BMX disposed outside the active area and formed of resin.
対向基板３００は、アクティブエリア外に延在し第１接続配線と第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部ＣＴが形成された対向電極３３０と、アクティブエリア外に配置され樹脂によって形成された遮光層ＢＭＸと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The insulating layer 18 has a plurality of first openings 18a formed in a matrix-shape with prescribed intervals W from each other in the display region S, and second openings 18b formed with the prescribed intervals W from the first openings 18a in a region where the first electrode 17 is not formed.
絶縁層１８は、表示領域Ｓにて各々所定幅Ｗをあけてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部１８ａと、第一電極１７が形成されていない領域にて第一の開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて形成された第二の開口部１８ｂと、を有する。 - 特許庁 - In the semiconductor device having a plurality of gate electrodes, arranged in parallel in the first direction, a gate wiring consisting of a plurality of first portions extending in the first direction and a second portion, extending in the direction perpendicular to the first direction, is provided on the upper layer of the gate electrode, the source wiring and the drain wiring.
複数のゲート電極が第１の方向に平行に配置された半導体装置において、該ゲート電極、ソース配線、およびドレイン配線より上層に設けられ、前記第１の方向に延在する複数の第１の部分、および該第１の方向と垂直な方向に延在する第２の部分からなるゲート配線を設ける。 - 特許庁 - A method for producing a thin polarizing film includes a step of producing a laminate by forming a polyvinyl alcohol resin layer on a thermoplastic resin base material after drawing the thermoplastic resin base material in a first direction, and a step of contracting the laminate in the first direction and drawing in a second direction.
本発明の薄型偏光膜の製造方法は、熱可塑性樹脂基材を第１の方向に延伸した後、この熱可塑性樹脂基材上にポリビニルアルコール系樹脂層を形成して積層体を作製する工程と、積層体を第１の方向に収縮させて、第２の方向に延伸する工程とを含む。 - 特許庁 - A second optical system 21 guides green fluorescent light in +X direction excited by irradiating the phosphor layer 315 of the other side of the fluorescent plate 31 with blue laser light emitted from the solid light source unit 20, to the rod integrator 411 together with red LED light and blue LED light.
第２の光学系２１は、固体光源ユニット２０から出射される青色レーザ光が蛍光板３１の他方面の蛍光体層３１５に照射されて励起される＋Ｘ方向の緑色蛍光を、赤色ＬＥＤ光及び青色ＬＥＤ光と共にロッドインテグレータ４１１まで導光する。 - 特許庁 - Surplus liquid 201 remaining in a second portion 135 which is a portion furthermore on the gravity direction side than the first portion 134, including an end on the gravity direction side of the composite molding 130 is removed by the gas blown out from the nozzle, to thereby form a uniform suspension layer 203 on the surface of the composite molding 130.
複合成形体１３０における重力方向側の端部を含み、且つ第一部位１３４より重力方向側の部位である第二部位１３５に残った余剰液２０１が、ノズルから吹き出される気体によって除去され、複合成形体１３０の表面に均一な懸濁液層２０３が形成される。 - 特許庁 - In a navigation system 1, when reading necessary data from an optical disk 2 is completed, an optical pick-up 4 is moved to the outer circumference side of the optical disk 2 by a feeding mechanism 5; and a lens 43 is focused at a position in which voice data stored in the second layer of the optical disk 2 is read by an actuator 44.
ナビゲーション装置１において、光ディスク２から必要なデータの読み取りが終了すると、送り機構５により、光ピックアップ４を光ディスク２の外周側に移動させ、アクチュエータ４４により、光ディスク２の２層目に記録されている音声データを読み取る位置にレンズ４３の焦点を合わせる。 - 特許庁 - The display label comprises; a first display part that displays a color corresponding to the scattered light when illuminated with white light from the front side of the display label; and a second display part that displays a color due to the print layer when illuminated with white light from the front side of the display label.
この表示体は、前記表示体の前面側から白色光で照明した際に前記散乱光に対応した色を表示する第１表示部と、前記表示体の前面側から白色光で照明した際に前記印刷層に起因した色を表示する第２表示部とを備えている。 - 特許庁 - A wiring 39 is electrically connected to the lands 22 for outputting a differential signal via vias 38 penetrating through the third insulating layer 33 in a thickness direction, and a wiring 41 is electrically connected thereto via vias 40 continuously penetrating through the third and second insulating layers 33 and 32 in the thickness direction.
差動信号出力用ランド２２には、第３絶縁層３３を厚さ方向に貫通するビア３８を介して、配線３９が電気的に接続され、また、第３絶縁層３３および第２絶縁層３２を厚さ方向に連続して貫通するビア４０を介して、配線４１が電気的に接続される。 - 特許庁 - In the method for manufacturing an electronic component mounting circuit board, a flexible film is stuck to a first reinforcing plate via a strippable organic substance layer; and next, after a circuit pattern is formed on the flexible film, the flexible film with the circuit pattern is transferred to a second reinforcing plate, so that the electronic components are mounted on the circuit pattern.
可撓性フィルムを剥離可能な有機物層を介して第１の補強板と貼り合わせ、次いで、可撓性フィルム上に回路パターンを形成した後、第２の補強板に該回路パターン付き可撓性フィルムを移し取り、電子部品を該回路パターン上に実装する電子部品実装回路基板の製造方法。 - 特許庁 - The structure is constituted in such a manner that in the melt-sprayed composite material layer 28, the first material has larger composition rate closer to the heat sink 21 and the second material has larger composition rate closer to the metal wiring 23, consequently the difference in thermal expansion coefficient between the heat sink 21 and metal wiring 23 is absorbed thereby reducing thermal stress.
溶射複合材料層２８内において、ヒートシンク２１に近いほど第１の材料の組成率が大きく、金属配線２３に近いほど第２の材料の組成率が大きくなっており、ヒートシンク２１と金属配線２３との熱膨張係数差を吸収して、熱応力を低減する構造となっている。 - 特許庁 - The copper foil 1 is provided with a copper foil material 10 having a first recessed part 15 on one surface and a copper plated layer 20 provided on one surface to have a second recessed part 25 having average depth narrower than that of the first recessed part 15 at a position corresponding to the first recessed part 15.
本発明に係る銅箔１は、一方の表面に第１の凹部１５を有する銅箔材１０と、第１の凹部１５の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第２の凹部２５を、第１の凹部１５に対応する位置に有して一方の表面上に設けられる銅めっき層２０とを備える。 - 特許庁 - This is the manufacturing method of the organic EL element including a process of forming a first electrode at a flexible base body, a process of forming a spacer on a light emitting face after the process of forming the first electrode, a process of forming an organic layer after the process of forming the spacer, and a process of forming a second electrode.
フレキシブル基体に第１の電極を形成する工程と、第１の電極を形成する工程の後に、発光面にスペーサを形成する工程と、スペーサを形成する工程の後に、有機層を形成する工程と、第２の電極を形成する工程とを含む有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁 - On a boundary between adjacent ceramic wiring boards, a first break groove 13 is formed from the first principal plane 1A side, and a bottomed hole 15 which is opened on the second primary plane 1B side and is formed on its inner face 15B with a metallized layer 7 is formed, being stretched over the adjacent ceramic wiring boards 1.
隣接するセラミック配線基板１同士の境界上には、第１主面１Ａ側から形成した第１ブレイク溝１３を有し、また、隣接するセラミック配線基板１間に跨り、第２主面２Ｂ側に開口し、内壁面１５Ｂにメタライズ層７が形成された有底孔１５を有する。 - 特許庁 - A beam steering element 32 is embedded in the second dielectric layer and electromagnetically coupled to the radiating element.
ビームステアリング要素を第２誘電層に埋め込むこと、及びビームステアリング要素を放射要素に電磁的に結合することにより、アンテナが自動車による屋根障害を克服するように放射ビームをチルトすることを可能にし、ＳＤＡＲＳアプリケーションについて、受け付けられるゲイン、偏波及び指向性の特性を改善することを可能にする。 - 特許庁 - Further, by applying a peelable adhesive sealing seal 44 or a removable sealing member 40 to the body part 18 with the post attaching part 16 being attached to and filling concentration gel solution in it, a second sealed space filled with the concentration gel is defined, and the concentration gel layer is formed by polymerizing the concentration gel solution.
更に、後付部１６を取付けた本体部１８に剥離可能な粘着性の封止シール４４または除去可能な封止部材４０を適用して濃縮ゲル溶液を充填することで、濃縮ゲル溶液が充填された第２密閉空間を画成し、その濃縮ゲル溶液を重合させて濃縮ゲル層を形成する。 - 特許庁 - The second tapered shape T2 is formed at the end of the external semiconductor 13, by tapering and cutting a shoulder at the end of the external semiconductor layer 13 so as to leave only the tip of the first tapered shape T1, and has axis line which is longer, in other words, with a gentler slope than the first tapered shape.
次に外部半導電層１３の端部の肩の部分を、第一のテーパー形状Ｔ１の先端部だけが残るようにテーパー状に削り取って、外部半導電層１３の端部に第一のテーパー形状よりも軸線の長さが長い（つまり勾配のゆるい）第二のテーパー形状Ｔ２を形成する。 - 特許庁 - It is preferable that an anode activator layer 13B contains Sn and first elements (Al, Zn, Ag, In, Sb, Pb or the like) excluding Sn capable of reacting with Li as constituent, and further contains second elements (Mn, Fe, Co, Ni, Cr or the like) not electrochemically reacting with Li which are outside of constituent of anode current collector 11.
負極活物質層１３Ｂは、構成元素として、Ｓｎと、Ｓｎ以外でＬｉと電気化学的に反応可能な第１元素（Ａｌ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｐｂなど）とを含んでおり、更に負極集電体１１の構成元素以外でＬｉと電気化学的に反応しない第２元素（Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒなど）とを含んでいることが好ましい。 - 特許庁 - A thin-film magnetic head is provided with first and second magnetic layers 8 and 14, a connection 12 for magnetically connecting the magnetic layers 8 and 14 at a position apart from a medium opposite surface ABS, a gap layer 9 placed between the magnetic layers 8 and 14, and a thin-film coil 10 partially placed between the magnetic layers 8 and 14.
薄膜磁気ヘッドは、第１および第２の磁性層８，１４と、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において磁性層８，１４を磁気的に連結する連結部１２と、磁性層８，１４の間に設けられたギャップ層９と、一部が磁性層８，１４の間に設けられた薄膜コイル１０を備えている。 - 特許庁 - A relation between a stress value and a wave number value of a fluorescence peak is found preliminarily using the first and second reference samples SB1, SB2 having compositions the same to those of the layers 1, 3 or the layer 2, utilizing the wave number value of the fluorescence peak emitted by Cr^3+ ion in the alumina crystal particle is varied by the stress when irradiated with a laser beam.
レーザ光を照射したときにアルミナ結晶粒子中のＣｒ^3+イオンが発する蛍光のピークの波数値が応力によって変化することを利用し、層１，３あるいは層２と同じ組成の第１，第２基準試料ＳＢ１，ＳＢ２を用いて、応力値と蛍光ピークの波数値との関係を求めておく。 - 特許庁 - A connecting body 4 in which an aluminum layer 43 is provided between the first and second resin films 41 and 45 is arranged along a contacting part of both end faces of the laminated body 3, and both side parts of the first resin film 41 consisting of the same resin as that of the outside resin film 31 are welded to both end parts of the outside resin film 31.
第１、第２樹脂フィルム４１，４５の間にアルミニウム層４３が設けられた接合体４を積層体３の両端面の接触部に沿って配置し、外側樹脂フィルム３１と同一の樹脂からなる第１樹脂フィルム４１の両側部を外側樹脂フィルム３１の両端部に溶着する。 - 特許庁 - In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.
第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the optical master disk for forming projecting and recessed patterns by developing an exposed photoresist, the photoresist layer is irradiated with the second harmonic of solid laser as reference beam in the development and the developing process is finished based on the level of a diffracted light in the projecting and recessed pattern.
露光されたフォトレジスト層を現像し凹凸パターンを形成する光ディスク原盤の製造方法において、上記現像の際にフォトレジスト層に対して固体レーザの第２高調波を参照光として照射し、上記凹凸パターンにおける回折光のレベルに基づいて現像工程を終了させる。 - 特許庁 - The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.
集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁 - In the method for producing the transparent conductive film 70, a first film 16 having a hard coat layer and/or an anti-glare layer and a second film 62 having a transparent conductive film are laminated through an adhesive layer 44.
【解決手段】ハードコート層及び／又はアンチグレア層を有する第１フィルム１６と透明導電膜を有する第２フィルム６２とを接着剤層４４を介して積層する透明導電性フィルム７０の製法であり、接着剤層付き前記第１フィルム１８のセパレーター１０の第２面と第１フィルム１６との間の両端部にスペーサーを供給しながら巻芯に巻き重ねて接着剤層付き第１フィルムのロール体とする工程、接着剤層付き第１フィルム１８のロール体から巻き戻しつつセパレーター１０を除去し、両端部にスペーサーを介して巻芯に巻き重ねられたロール体から第２フィルム６２を供給して接着する積層工程を有する製造方法とする。 - 特許庁 - A power amplifier of one embodiment comprises: at least one or more first growth ring gate structure formed in a semiconductor layer to perform power amplification operation; multiple second growth ring gate structures formed in the semiconductor layer to be adjacently positioned to surround the first growth ring gate structure in order to isolate the first structure from the surroundings by forming a depletion region by applying reverse bias when the first structure performs power amplification operation.
一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも１つ以上から構成され、電力増幅動作する第１のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第１のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第１の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第１の構造体を周囲からアイソレートする複数の第２のグロースリングゲート構造体とが設けられる。 - 特許庁 - In this electrochemical measurement sensor for measuring gas components in a gas mixture and/or the gas concentration with the use of a sensor element disposed on an ion conductive solid electrolyte and having at least one electrode at least exposed regionally to the gas, the electrode includes at least two layers, and the second layer opposite to the gas has a electron conductivity higher than that of the first layer counterposed to the solid electrolyte.
イオン伝導性固体電解質体上に配置された、少なくとも領域的にガスに暴露される少なくとも１個の電極を有するセンサー素子を用いてガス混合物中のガス成分および／またはガス濃度を測定するための電気化学的測定センサーの場合に、電極が少なくとも２つの層を有し、この場合ガスに対向した第２の層は、固体電解質体に対向した第１の層と比較してよりいっそう高い電子伝導性を有する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a plurality of TFTs each having a back gate electrode, a semiconductor active layer provided in contact with the back gate electrode through a first gate insulating film, and a gate electrode provided in contact with the semiconductor active layer through a second gate insulating film, and a circuit for controlling the threshold of the plurality of TFTs wherein the back gate electrode is applied with an arbitrary voltage by the threshold control circuit.
本発明に係る半導体装置は、バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第１のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第２のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする。 - 特許庁 - A method for manufacturing a photoelectric converter includes the steps of directly dissolving chalcogen elemental substance and metal in a mixed solvent including an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic solvent to prepare a material solution, applying the material solution onto a light absorbing layer 3 consisting of a first semiconductor to form a film, and heating up the film to form a buffer layer 4 consisting of a second semiconductor including a chalcogen compound semiconductor.
含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む混合溶媒に、カルコゲン元素の単体および金属を直接溶解させることにより、原料溶液を作製する工程と、第１の半導体から成る光吸収層３上に前記原料溶液を塗布して被膜を形成する工程と、前記被膜を加熱してカルコゲン化合物半導体を含む第２の半導体から成るバッファ層４を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁 - The second electrode layer has a window aperture section 34, in a region facing the bonding region of the first electrode layer and the support body.
光透過性を有する圧電振動片１０１と、前記圧電振動片の一面に形成された第一電極層３３と、前記圧電振動片における前記一面と表裏の関係にある他面に形成された第二電極層３１と、前記第一電極層との接続のためのバンプ２３により接合され、前記圧電振動片を支持する支持体２０と、を有し、前記第二電極層は、前記第一電極層と前記支持体との接合領域と対向する領域に窓開け部３４を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The non-halogen flame-retardant adhesive composition is constituted of a structure 20 composed of a first layer 12 composed of magnesium hydroxide 11 and stearic acid for covering magnesium hydroxide 11 in turn and a second layer 13 composed of an organic silane coupling agent, a base resin 10 containing at least an epoxy resin in which the structure 20 is mixed, a curing agent and a carboxy group-containing rubber.
水酸化マグネシウム１１と水酸化マグネシウム１１を順に被覆するステアリン酸からなる第一層１２、有機シランカップリング剤からなる第二層１３とからなる構造体２０と、構造体２０を混入されてなる少なくともエポキシ樹脂と、硬化剤と、カルボキシル基含有ゴムとを含むベース樹脂１０とから構成されているノンハロゲン難燃性接着剤組成物において、ノンハロゲン難燃性接着剤組成物に占める構造体２０の割合を１０〜５０体積％とする。 - 特許庁 - The device comprises a GUNN diode 11 with an anode Ohmic electrode 111 and a cathode Ohmic electrode 112 formed in a region A, the first Schottky diode 12 with a Schottky electrode 116 formed in a region B and a second Schottky diode 13 with the Schottky electrode 116 formed on a low concentration semiconductor layer 103 at the Schottky electrode and an Ohmic electrode 114 formed on a high concentration semiconductor layer 102 at the Ohmic electrode in a region C.
領域Ａにおいて、アノードオーミック電極１１１とカソードオーミック電極１１２が形成されたガンダイオード１１と、領域Ｂにおいて、活性層１０７上にショットキー電極１１６が形成された第１ショットキーダイオード１２と、領域Ｃにおいて、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３上にショットキー電極１１６が形成され、オーミック電極側高濃度半導体層１０２上にオーミック電極１１４が形成された第２ショットキーダイオード１３とを備える。 - 特許庁 - When the whole metal in the second metal alkoxide is calculated as a metal oxide, the rate of the metal oxide contained in the second layer is 70-100 vol.%.
（１）第１の無機微粒子および第１の液体媒体を含む第１の塗工液を基材層上に塗工して第１の塗工膜を形成し、次いで該第１の塗工膜から第１の液体媒体を除去して、第１の層を形成する工程（２）第２の金属アルコキシドおよび第２の水系媒体とを含む第２の塗工液を、前記第１の層上に直接塗工して第２の塗工膜を形成し、次いで該第２の塗工膜から第２の水系媒体を除去して、特定の要件を満たす第２の層を形成する工程 - 特許庁 - The toner for electrostatic latent image development includes two or more color developing portions and a release agent layer containing a release agent which covers at least a part of one or more of the two or more color developing portions, wherein the color developing portion contains a first component and a second component present as separated from each other and developing colors upon reaction and contains a photosetting composition containing one of the first component and the second component.
２以上の発色部と、該２以上の発色部のうちの１以上の発色部の少なくとも一部を被覆するように設けられた離型剤を含む離型剤層とを有し、 前記発色部が、互いに隔離された状態で存在し、互いに反応した際に発色する第１成分および第２成分と、前記第１成分および前記第２成分のいずれか一方を含む光硬化性組成物と含むことを特徴とする静電潜像現像用トナー。 - 特許庁 - In the orange dye donor element for thermal dye transfer including a support carrying a dye layer containing a pink dye dispersed in a polymer binder and the mixture of the first and second yellow dyes, the pink dye has structure expressed by formula A, the first yellow dye has structure expressed by formula C, and the second yellow dye has structure expressed by formula F or formula G.
高分子バインダー中に分散されたピンク染料並びに第１および第２のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のためのオレンジ染料供与体要素であって、前記ピンク染料が下式Ａを有し、前記第１イエロー染料が下式構造を有する式Ｃを有し、前記第２イエロー染料が式ＦまたはＧを有し、前記式Ｆが下記構造を有し、前記式Ｇが下記構造を有する、オレンジ染料供与体要素。 - 特許庁 - In the orange dye donor element for thermal dye transfer including a support carrying a dye layer containing the mixture of a pink dye dispersed in a polymer binder and the first and second yellow dyes, the pink dye has structure expressed by formula A, the first yellow dye has structure expressed by formula E, and the second yellow dye has structure expressed by formula F or formula G.
高分子バインダー中に分散されたピンク染料並びに第１および第２のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のためのオレンジ染料供与体要素であって、前記ピンク染料が下式Ａを有し、前記第１イエロー染料が下式構造を有する式Ｅを有し、前記第２イエロー染料が式ＦまたはＧを有し、前記式Ｆが下記構造を有し、前記式Ｇが下記構造を有する、オレンジ染料供与体要素。 - 特許庁 - In the orange dye donor element for thermal dye transfer including a support carrying a dye layer containing the mixture of a pink dye dispersed in a polymer binder and the first and second yellow dyes, the pink dye has structure expressed by formula A, the first yellow dye has structure expressed by formula B, and the second yellow dye has structure expressed by formula F or formula G.
高分子バインダー中に分散されたピンク染料並びに第１および第２のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のためのオレンジ染料供与体要素であって、前記ピンク染料が下式Ａを有し、前記第１イエロー染料が下式構造を有する式Ｂを有し、前記第２イエロー染料が式ＦまたはＧを有し、前記式Ｆが下記構造を有し、前記式Ｇが下記構造を有する、オレンジ染料供与体要素。 - 特許庁 - The organic EL panel is provided with a laminated body equipped with a plurality of first electrodes 3 formed in line, an organic layer 6 formed on the first electrodes 3, a plurality of barrier rib parts 8 formed so as to cross the first electrodes 3, and second electrodes 7 formed divided into a plurality of lines by the barrier rib parts 8.
有機ＥＬパネルは、ライン状に形成された複数の第一電極３と第一電極３上に形成される有機層６と第一電極３に対して交差するように形成される複数の隔壁部８と、隔壁部８によって複数のライン状に分断形成される第二電極７と、を有する積層体３を有する。 - 特許庁 - Of the fuel cell stack, in unit cells electrically connected and adjoined in series, a water permeating layer is arranged in a state in contact with a second porous body in a cathode electrode and a first porous body in an anode electrode respectively between the cathode electrode of one unit cell and the anode electrode of the other unit cell.
本発明のの燃料電池スタックによれば、電気的に直列接続された隣接する単位セルにおける、一方の単位セルのカソード電極と他方の単位セルのアノード電極との間には、水透過層が、該カソード電極における第２の多孔体及び該アノード電極における第１の多孔体のそれぞれに当接した状態で配設されている。 - 特許庁 - This heat treatment device is provided with: a heat source 3; a plurality of thermoelectric modules 81 and 82 laminated toward the heat source 3; and a temperature setting layer 9 installed between the first thermoelectric module 81 installed at the low temperature side and the second thermoelectric module 82 installed at the high temperature side among the plurality of thermoelectric modules 81 and 82, and set to a predetermined temperature.
熱源３と、該熱源３に向けて積層される複数の熱電モジュール８１，８２と、複数の上記熱電モジュール８１，８２のうち低温側に設置される第１熱電モジュール８１と高温側に設置される第２熱電モジュール８２との間に設置され、かつ、所定の温度に設定される温度設定層９とを備える。 - 特許庁 - The device further has a second semiconductor layer (1aa) having a high concentration region (210) that contains the same conductivity-type impurity as in the channel region, with a higher concentration than in the channel region, and comes into contact with at least a part of the channel region but does not come into contact with the data line side source drain region nor the pixel electrode side source drain region.
更に、チャネル領域と互いに同じ導電型の不純物をチャネル領域よりも高濃度に含み、且つ、チャネル領域の少なくとも一部に接触すると共にデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に接触しない高濃度領域（２１０）を有する第２の半導体層（１ａａ）とを備える。 - 特許庁 - The method of forming the conductive pattern includes: a first step for printing the conductive pattern onto a surface of the base material having a liquid repellent property; a second step for performing lyophilic processing on the surface of the base material which area does not have the conductive pattern printed thereon; and a third step for forming an insulating layer that covers the conductive pattern.
表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 特許庁 - An Si nitride film 3b is an etching stopper film in forming on a TEOS film 6a a trench pattern 7 into which a second layer wiring M2 is buried, but the trench pattern 7 is not formed on the Si nitride film 3b, hence there is no need of applying an excessive over-etching to the Si nitride film 3b and no undercut appears at the Si nitride film 3b.
窒化シリコン膜３ｂは、第２層目の配線Ｍ_2 が埋め込まれる溝パターン７をＴＥＯＳ膜６ａに形成する際のエッチングのストッパ膜であるが、この窒化シリコン膜３ｂには溝パターン７は形成されないので、窒化シリコン膜３ｂに過剰なオーバーエッチングを施す必要がなく、窒化シリコン膜３ｂにはアンダーカットが生じない。 - 特許庁 - Metallic meshes 1 composed of an electric good conductor construction material having almost the same area as window plate glass 3 are arranged by two pieces in a hollow part composed of a layer of the two window plate glass 3 arranged at an interval in parallel in a planar shape, and a relative crossing angle of the first metallic mesh 1 and the second metallic mesh 1 is superimposed on 45°±15°.
平面的平行に間隔をおいて配置してなる２枚の窓板ガラス３の層からなる中空部分に、それら窓板ガラス３とほぼ同面積の電気良導体材質からなる金属メッシュ１を２枚設置して、かつ１枚目の金属メッシュ１および２枚目の金属メッシュ１の相対交差角度を４５°±１５°に重畳するようにした。 - 特許庁 - A first insulating film 102 as an inter-layer insulating film, a second insulating film 103 which is harder to be etched than a third insulating film, and a third insulating film 104 for forming a wiring groove are formed in order on a conductive body 101, and then a contact hole 105 reaching the surface of the conductive body through the first third insulating films is formed.
導電体１０１上に層間絶縁膜として第１の絶縁膜１０２、第３の絶縁膜よりエッチングされにくい第２の絶縁膜１０３、配線溝を形成するための第３の絶縁膜１０４を順に成膜した後、これら第１〜第３の絶縁膜を貫通し導電体の表面に達するコンタクトホール１０５を形成する。 - 特許庁 - A nib 4C forming a heat generation part of heater wiring 4 provided on the main face 21P of a cantilever part 21 constituting this temperature measuring probe 1 is positioned on the tip part 21B of the cantilever part 21, and a thermocouple 8 is provided in piles on the nib 4C through a second insulating layer 5 formed on the heater wiring 4.
温度測定プローブ１を構成するカンチレバー部２１の主面２１Ｐ上に設けられたヒーター配線４の発熱部を形成する尖端４Ｃをカンチレバー部２１の先端部２１Ｂに位置せしめ、熱電対８をヒーター配線４上に形成された第２絶縁層５を介して尖端４Ｃ上に重ね合わせるようにして設けた。 - 特許庁
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