「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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第二の態様においては、（ａ）基体上に有機組成物を適用する工程、（ｂ）有機組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程であって、その有機組成物が、熱処理および／または放射線処理の際にアルカリ溶解性基を生じさせる材料を含む工程を含む方法が提供される。 - 特許庁 - As a result, by introducing the conductive impurities of the second conductivity types into the part which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the capacitor electrodes 11, the two capacitor electrodes 11 can be electrically isolated from each other without performing a process like etching.
このようにすれば、２つのキャパシタ電極１１の間に位置し、このキャパシタ電極１１と同一レイヤからなる部分に第２導電型の導電性不純物を導入することにより、エッチングなどの工程を行うことなく２つのキャパシタ電極１１を電気的に分離することが可能になる。 - 特許庁 - The LC filter 10 is provided with: a first spiral conductor 17 formed to an upper side of an insulation layer 16; a dielectric thin film 18 formed on the first spiral conductor 17; and a second spiral conductor 19 arranged opposite to the first spiral conductor 17 via the dielectric thin film 18.
ＬＣフィルタ１０は、絶縁層１６の上面に形成された第１のスパイラル導体１７と、第１のスパイラル導体１７上に形成された誘電体薄膜１８と、誘電体薄膜１８を介して第１のスパイラル導体１７と対向配置された第２のスパイラル導体１９とを備えている。 - 特許庁 - A gas diffusion layers 42a for constituting the anode side electrode 38 has a surface area wider than that of a gas diffusion layer 42b for constituting the cathode electrode 40, and a prescribed press load is imparted preliminarily to an outer circumferential edge part 45 of the gas diffusion layers 42a, corresponding to an abutting face of the second seal 47b.
アノード側電極３８を構成するガス拡散層４２ａは、カソード側電極４０を構成するガス拡散層４２ｂよりも大きい表面積を有し、前記ガス拡散層４２ａの外周縁部４５には、第２シール４７ｂの当接面に対応して予め所定のプレス荷重が付与されている。 - 特許庁 - The protective sheet for processing the semiconductor wafer is characterized by being laminated, on one side of a first substrate film, with a peelably-controlled first adhesive layer for adhering the wafer and, on the other side of the first substrate film, having at least one second substrate film peelably laminated.
第１基材フィルムの片面に、剥離可能に調整されている、ウエハ貼付用の第１粘着剤層が積層されており、かつ第１基材フィルムの他の片面には、剥離可能に積層されている少なくとも１つの第２基材フィルムを有することを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。 - 特許庁 - For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.
そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁 - The optical recording medium is configured such that a first pigment greatly absorbing a wavelength of a recording/reproducing laser beam and a second pigment the wavelength of greater absorption of which differs from that of the first pigment and extends toward a longer wavelength are added to the recording layer of the optical recording medium adopting the film face incidence system.
膜面入射方式の光記録媒体において、記録層に、記録／再生用のレーザ光の波長に対して大きな吸収を有する第一の色素に加え、大きな吸収を呈する波長領域が第一の色素とは異なり、かつ長波長側である第二の色素を添加する構成とした。 - 特許庁 - The thin film transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114 formed of the microcrystal silicon, first ohmic contact layers 116 and 117, second ohmic contact layers 118 and 119, a drain electrode 120, and a source electrode 121.
薄膜トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、微結晶シリコンから形成された半導体層（チャンネル領域）１１４と、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７と、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９と、ドレイン電極１２０と、ソース電極１２１と、を備える。 - 特許庁 - The manufacturing method of an organic electroluminescent element comprises a process of forming the inorganic sealing layer having an inorganic sealing film composed of either a silicon oxide, a silicon nitride, or a silicon oxynitride on the second electrode, and a process of applying a plasma treatment on a surface of the inorganic sealing film by using fluorine-containing gas.
第二電極上に形成する無機封止層が、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のいずれか一つからなる無機封止膜を形成する工程と、該無機封止膜の表面にフッ素含有ガスを用いたプラズマ処理をおこなう工程とにより形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁 - A protective film is formed on the substrate 9 in a protective film forming chamber 15, the substrate 9 is cleaned by plasma ashing in a first cleaning chamber 22, the substrate is cleaned by gas blow in a second cleaning chamber 23 and burnished in a vacuum in a burnish chamber 24 while being conveyed from the magnetic film forming chamber 14 to the lubricant layer forming chamber 25.
磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。 - 特許庁 - A method of manufacturing the functional composite material comprises processes of forming an insert layer on a first metal board where a groove is cut, arranging a piezoelectric fiber with a metal core on the first metal board, and hot-pressing a second metal board and the first metal board together.
本発明によると、溝が形成された第一の金属基板にインサート層を形成する工程と、前記第一の金属基板に金属コアを有する圧電ファイバを配置する工程と、第二の金属基板と前記第一の金属基板とをホットプレスする工程と、を有する機能性複合材料の製造方法が提供される。 - 特許庁 - At least either one of the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 has first electrode 110, 210 having a forward tapered sidewall, and a second electrode 120, 220 adjoining the first electrode 110 through an insulating layer 150, 250 in a practically same plane and having a reversely tapered sidewall.
下側電極１３０及び上側電極２３０の少なくともいずれかは、順テーパの側壁を有する第１の電極１１０、２１０と、絶縁層１５０、２５０を介して第１の電極１１０と実質的に同じ平面内で隣接し、逆テーパの側壁を有する第２の電極１２０、２２０と、を有する。 - 特許庁 - Thermal movement by thermal conduction is performed from the first surface part 8 to the second surface part 9 through an air layer 16, heat generated inside the optical head 1 is moved effectively to the heat radiation member 10, and the temperature rise of the optical head 1 and the semiconductor laser 4 can be suppressed.
本構成によって第１の平面部８から第２の平面部９へその間の空気層１６を介して熱伝導による熱移動を行い、光学ヘッド１の内部で発生する熱を放熱部材１０へ効果的に移動し、光学ヘッド１ならびに半導体レーザ４の温度上昇を抑制することができる。 - 特許庁 - The radio shielding layer has a plurality of antennae which selectively reflect electric wave of a specific frequency, a first element part in the shape of three segments, which are radially elongated to be approximately the same length and spaced at an angle of 120 degrees from each other from the center, and a second element part in the shape of a segment connected to the outside end of the first element part.
電波遮蔽層は特定の周波数の電波を選択的に反射する複数のアンテナを有し、中心から相互に１２０°の角度をなして放射状に略同一長さでもって延びる３本の線分状の第１エレメント部と、その外側端に結合された線分状の第２エレメント部とを有している。 - 特許庁 - The organic EL panel comprises a base plate 10; a lamination body 11 having at least a first electrode 13, a light emitting layer 15a, and a second electrode 16, laminated on the base plate 10; and a sealing member 12 having first adhesion surfaces 12a, 12b, 12c, 12d adhered to the base plate 10 by an adhesive G.
有機ＥＬパネルは、基板１０と、基板１０に積層形成された少なくとも第一電極１３と発光層１５ａと第二電極１６とを有する積層体１１と、基板１０に接着剤Ｇによって接着される第一の接着面１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有する封止部材１２とを有する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the semiconductor device 1, a first removing process is started in a gate electrode layer 4A on a semiconductor substrate 2, then, the terminal of the first removing process is detected, and the time of a second removing process of a next stage different in a processing condition from the first removing process is determined based on the terminal time.
半導体装置１の製造方法において、半導体基板２上のゲート電極層４Ａにおいて第１の除去処理を開始し、この第１の除去処理の終点を検出し、この終点時間に基づき、第１の除去処理に対して処理条件が異なる次段の第２の除去処理の時間を決定する。 - 特許庁 - In planned regions for resin sealing of a semiconductor-device leadframe 101 on which a multi-layered metal cover film is formed, a plated coating film 108 of paladium or an alloy containing paladium is provided on the outermost surface layer of both first and second principal surfaces, and an oxide coating film 109 thereof is selectively formed on the surface of the plated coating film 108.
複数層の金属被膜が形成された半導体装置用リードフレーム１０１の樹脂封止予定領域内で、第一主面及び第二主面の両方の最表層にパラジウムまたはパラジウムを含む合金のめっき皮膜１０８を備え、その表面に選択的に酸化皮膜１０９が形成されている。 - 特許庁 - This moving layer adsorption device is used for moving a carbon adsorbent and the exhaust gas in the orthogonally crossing direction, and a second section 7b having hollow solid discharge means 8a and 8b provided on a floor surface 8 between a fist section 7a and a third section 7c respectively filled with the carbon adsorbent is provided.
炭素質吸着剤と排ガスとを直交する方向に移動させて接触させる移動層式吸着装置において、炭素質吸着剤がそれぞれ充填された第１の区画７ａと第３の区画７ｃの間に中空で床面８に固形物の排出手段８ａ、８ｂを有する第２の区画７ｂを設ける。 - 特許庁 - In a tandem-type organic photoelectric conversion element including at least one layer of a recombination electrode and at least two or more layers of photoelectric conversion layers between a first electrode and a second electrode, the recombination electrode contains metal nanoparticles coated with an organic substance.
第１の電極と第２の電極の間に、少なくとも１層の再結合電極と少なくとも２層以上の光電変換層を有するタンデム型の有機光電変換素子において、前記再結合電極が有機物で被覆された金属ナノ粒子を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁 - The wiring board 101 has a plurality of IC connection terminals 131 formed on the surface 124H of a second principal surface side insulation layer 124 and connected respectively with the terminals of IC chips IC, and has a plurality of capacitor connection terminals 137 formed on the same surface 124H and connected respectively with the terminals of capacitors CON.
配線基板１０１は、主面側第２絶縁層１２４の表面１２４Ｈ上に形成され、ＩＣチップＩＣの端子と接続される多数のＩＣ接続端子１３１と、同じ表面１２４Ｈ上に形成され、コンデンサＣＯＮの端子と接続される複数のコンデンサ接続端子１３７とを備える。 - 特許庁 - The electrode for the thermal battery is provided with an active material layer containing an active material and molten salt; the molten salt at least contains first salt and second salt, and a melting point of 350°C or more and 430°C or less, and a conductivity at 500°C of 2.2 S/cm or more.
本発明は、活物質と、溶融塩とを含む活物質層を備え、前記溶融塩は、少なくとも第１の塩と第２の塩とを含み、前記溶融塩の融点が３５０℃以上、４３０℃以下であり、前記溶融塩の５００℃での導電率が２．２Ｓ／ｃｍ以上である、熱電池用電極を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a fuse element 130 formed on a second insulating film 10, an alignment mark 140 for detecting the position of the fuse element 130, a passivation film 120 formed on the upper layer than the alignment mark 140, and an opening unit 122 on the alignment mark 140 formed on the passivation film 120.
第２の絶縁膜１０上に形成されたヒューズ素子１３０と、ヒューズ素子１３０の位置を検出するためのアライメントマーク１４０と、アライメントマーク１４０より上層に形成されたパッシベーション膜１２０と、アライメントマーク１４０上に位置し、パッシベーション膜１２０に形成された開口部１２２とを具備する。 - 特許庁 - The annular metal cord C1 comprises an annular core part 3 formed to be annular with first and second strand substances 1, 2 provided by twisting plural metal wires 5, 6, and an outer layer part 4 covering the periphery of the annular core part 3 and provided by spirally twisted plural times around the annular core part 3.
金属素線５，６を複数本撚り合わせてなる第１，第２のストランド材１，２により、環状に形成された環状コア部３と、環状コア部３に対して螺旋状に複数周巻き付けられ環状コア部３の外周面を覆う外層部４とを有する環状金属コードＣ１を形成する。 - 特許庁 - The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.
上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁 - Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.
そして、第１拡散領域３および第２拡散領域４の外周部にｎ^−形半導体層２の表面からｐ形半導体基板に達するｐ形のアイソレーション拡散領域５が形成され、第１拡散領域３とアイソレーション拡散領域５とが接続電極６により電気的に接続されている。 - 特許庁 - An organic EL display device 1 includes a first electrode 14, organic layers 16R(16G, 16B) including at least an organic electroluminescent layer, and a second electrode 17 having a thickness smaller than that of the organic layers 16R(16G, 16B), in order from the side of a drive side substrate 10 having a light extraction surface.
有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する駆動側基板１０の側から順に、第１電極１４と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）と、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）よりも小さな膜厚を有する第２電極１７とを備える。 - 特許庁 - A photoresist is removed from a nitride film at a position where the gate electrode of an HV-MOS is formed, and boron ions are implanted into the surface layer of a P well region 2 at a part 9 which serves as a second P well region penetrating through both a nitride film 4 and an oxide film 3, using the residual photoresist 8 as a mask.
工程Ｄにおいて、ＨＶ−ＭＯＳのゲート電極を形成する箇所の窒化膜上のフォトレジストを除去し、それ以外のフォトレジスト８をマスクに、第２ｐウエル領域となる箇所９に、窒化膜４と酸化膜３を貫通し、ｐウエル領域２の表面層にボロンをイオン注入する。 - 特許庁 - The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.
半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁 - A second wiring section 37 along the inclined inner-surface 45 ranges at an obtuse angle to a direction B1, where the first wiring section 36 along one surface 36 of the semiconductor substrate 31 is extended in the wiring layer 33, and a direction B3 where a third wiring section 38 is extended along the thickness direction T of the semiconductor substrate 31.
この傾斜する内周面４５に沿う第２配線部３７は、配線層３３のうち半導体基板３１の一表面３６に沿う第１配線部３６の延びる方向Ｂ１、半導体基板３１の厚み方向Ｔに沿って第３配線部３８の延びる方向Ｂ３に対して鈍角に連なる。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 11, a sealing layer 26 laminated on a surface 14b of an insulation film 14, a first heat dissipation part 40 provided on an outer peripheral surface 11c of the semiconductor substrate 11, and a second heat dissipation part 30 provided on a main surface 11b of a rear side of the semiconductor substrate 11.
半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。 - 特許庁 - In adhering and fixing the first and second matching layers 4, 12 and an acoustic lens 14 onto the acoustic radiation surface side of the piezoelectric transducer 1 via adhesives, excessive adhesive and bubbles between respective members are made to flow into the through holes 3, 5, 13, and therefore, the adhesive layers are formed thinner without forming an air layer between the respective members.
圧電振動子１の音響放射面側に接着剤を介して第１，２の整合層４，１２及び音響レンズ１４を接着固定する際に、各部材間の余剰な接着剤や気泡を貫通孔３，５，１３に流し込み、各部材間に空気の層を形成することなく接着層を薄く形成する。 - 特許庁 - Since a substrate 1 for mounting a light-emitting element is coated with a glass layer 7 from a second electrode 4 toward a first electrode 3, solder corrosion of an electrode can be limited at the time of direct-mounting by solder flow, or the like, and thereby such problems as increase in resistance, disconnection, and the like, can be reduced.
発光素子実装用基体１は、第２の電極４から第１の電極３に向けて、ガラス層７が被覆されていることから、はんだフロー等により直付けするときに、電極が、はんだ喰われすることを抑制でき、それにより、抵抗値の増大や断線といった問題の発生を抑えられる。 - 特許庁 - The thickness (a) of a second insulation film 7 formed on a control electrode 8 in an element 100 is 1/3 or less the thickness (b) of a third insulation film 10 formed on the principal plane side of a semiconductor layer 2, in a terminal 200 which is adjacent to the element 100 wherein the control electrode 8 is formed.
素子部１００における制御電極８の上に設けられた第２の絶縁膜７の厚さａが、制御電極８が設けられる素子部１００に対して隣接した終端部２００において半導体層２の主面側に設けられた第３の絶縁膜１０の厚さｂの１／３以下である。 - 特許庁 - At the time, by tightening the outer layer 51 made of the flexible material at the fitting part of the linked members by a fixing member 37 having an inner diameter part smaller than the fitting part of the maximum diameter part of the second linkage tool 36 and the tube 5, the members can be fixed certainly so as to ensure the linkage therebetween.
この際、連結された両部材の嵌合部分であって柔軟材で構成された外層５１を第２連結具３６の最大径部分とチューブ５との嵌合部より小さい内径部を有する固定部材３７によってしめつけることで、両部材の連結を確実に固定することができる。 - 特許庁 - When hardened putty is polished, polishing working is performed while protecting an old coating surface which is not a repairing object, with the covering material of a second layer 12.
キズ等の損傷部分を２層以上の被覆材料でカバーし、この多層構造の被覆材料層ごとキズ部分の塗膜を除去してパテを充填し、余分なパテを第一層目の被覆材料ごと除去し、硬化したパテの研磨に際して、第二層目の被覆材料で補修対象となっていない旧塗装面を保護しながら、研磨作業を行う。 - 特許庁 - Subsequently, the dried first coating layer is brought into contact with a second aqueous coating composition containing an aqueous solution or dispersion of a hydrophilic polymer having organic acid functional groups, and the combined coatings are dried to effectuate bonding of the hydrophilic polymer and the polymer of the first coating composition through the crosslinking agents.
次いで、該乾燥した第一の被覆層を、有機酸官能基をもつ親水性ポリマーの水性溶液または分散液を含む第二の水性被覆組成物と接触させ、これらの組み合わせた被膜を乾燥して、該架橋剤を介して、該親水性ポリマーと該第一被覆組成物のポリマーとを結合させる。 - 特許庁 - The semiconductor element 4 is formed in a self-alignment manner in which magnetic contact is made in the first electrode 2 and the second electrode 3 with respect to a source electrode 22 and a drain electrode 23 having a magnetized layer of a magnetic material by connecting the two electrodes so that the field-effect transistor 20 is formed.
帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁 - A capacitor element 12 is configured by a pair of conductive layers 14, 16, a plurality of dielectric materials 18 substantially in the form of a tube, a first electrode 20 on the outside of the dielectric material 18 and a second electrode 24 inside the dielectric material 18, and an insulating cap 28 that insulates the first electrode 20 from the conductive layer 14.
コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６と、複数の略チューブ状の誘電体１８と、該誘電体１８の外側の第１電極２０及び内側の第２電極２４と、前記第１電極２０と導電体層１４を絶縁する絶縁キャップ２８により構成されている。 - 特許庁 - The problem can be solved by providing a second leading back layers (41, 42) at positions of equal distance to the left and right from a leading back layer (40) which is served as an electronic current carrying way and forming these electronic current carrying ways by simultaneous ion implantation using the same mask, so that all the intervals between each channel area within the element is made even.
電子通電路となる打ち返し層（４０）に対して左右等距離の位置に第２の打ち返し層（４１，４２）を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。 - 特許庁 - In the cultivation of the vegetables using the cultivating container 2, the container cultivation culture medium 30 constituted by filling the cultivation container 2 with the first culture medium layer 31 with thickness of 5 cm or more comprising the material with high water holding capability and fertilizer holding capability and the second culture medium 32 with thickness of 3 cm constituted by dispersing swimming stones into peat moss is used.
栽培容器２を使用した野菜類の栽培において、保水力、保肥力の高い材料からなる５ｃｍ以上の厚さの第１倍地層３１と、ピートモスに軽石を分散させた３ｃｍ以上の厚さの第２倍地層３２とを栽培容器２に層状に充填した容器栽培培地３０を用いる。 - 特許庁 - A torsion bar manufacturing method includes a first shaping step 11 of setting the hardness from the inside to an surface layer part to be ≥320 in terms of Vickers hardness (Hv) by contracting a round bar steel by the cold drawing, and a second shaping step 12 of obtaining a small diameter spring part 2 by cutting an area in the middle of the longitudinal direction of the round bar steel.
丸棒鋼材を冷間引き抜き加工により縮径させることにより、内部から表層部までの硬度をビッカース硬さ（Ｈｖ）で３２０以上にする第１整形工程１１と、前記丸棒鋼材の長手方向途中領域を切削することにより小径ばね部２を得る第２整形工程１２とを含む。 - 特許庁 - Accordingly, the pressure exerted on the wiring member 2, a connection electrode 4B on the light receiving side of a first solar cell 3A and a connection electrode 41B on the rear side of a second solar cell 3B during bonding is dispersed to the substantially flat part of the wiring member 2, and then exerted to a solar cell 3 via the bonding layer 7a.
従って、接着時に配線材２と第１の太陽電池３Ａの受光面側の接続電極４Ｂと第２の太陽電池３Ａの裏面側の接続電極４１Ｂとに加えられる圧力は、配線材２の略平坦な部分に分散して加えられ、接着層７ａを介して太陽電池３に加えられる。 - 特許庁 - In a peripheral circuit region B (other than a memory cell region A, in which several memory cells having the transistor 3 and capacitor 8 are included), a second insulation layer 9, which is formed at the same time as the columnar insulation member 8a of the capacitor 8 and is identical with the columnar insulation member 8a which are equal in height and material, is provided.
ＭＯＳトランジスタ３とキャパシタ８とを有するメモリセルを複数含むメモリセル領域Ａ以外の周辺回路領域Ｂには、第１絶縁層５上に、キャパシタ８の柱状絶縁部材８ａと同時に形成され同等の高さを持ち同一の絶縁材料からなる第２絶縁層９が設けられている。 - 特許庁 - A pH of an aqueous water soluble paste kneaded and made of a desired cathode active material and a mixture by using an aqueous solvent is measured and then the aqueous paste of pH6-10 is coated on a collector base plate and an aqueous paste of pH11 or higher is coated on the first coated layer to form the second coated later, and then these laminated coated layers are dried.
所望の正極活物質を水性溶媒を用い合剤と共に混練して成る水性ペーストのpHを測定した後、pH6〜10の水性ペーストを集電用基板上に塗布し、該第一塗工層上にpH11以上の水性ペーストを塗布し、第二塗工層を形成し、次いでこれらの積層塗工層を乾燥する。 - 特許庁 - This electrode substrate 13 has a transparent substrate 37, a first electrode 31 provided on the visible side surface of the transparent substrate 37, and a second electrode 32 provided on the invisible side surface, and an insulating layer 38 is formed between the transparent substrate 37 and the first electrode 31.
本発明の一態様にかかる電極基板１３は、透明基板３７と、透明基板３７の視認側の面に設けられた第１電極３１と、反視認側の面に設けられた第２電極３２とを有し、透明基板３７と第１電極３１との間には絶縁層３８が形成されている。 - 特許庁 - The lithium ion secondary battery is provided with a positive electrode and a negative electrode arranged on both sides of a first solid electrolyte, and at least either between the solid electrolyte and the positive electrode or between the electrolyte and the negative electrode, there is arranged a second solid electrolyte layer which is different from the first solid electrolyte and has a lithium ion conductivity.
第一の固体電解質の両側に正極および負極を備え、該固体電解質と該正極および該負極のすくなくとも一方の間に第一の固体電解質と異なり、かつリチウムイオン伝導性を有する第二の固体電解質層を備えることを特徴としたリチウムイオン二次電池。 - 特許庁 - The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.
この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁 - The solar cell in which at least an electrode 10 having a double-layered structure is formed on a substrate W and a finger electrode 2 of the second layer of the electrode 10 is a copper wire and especially the copper wire is plated on the surface with a soldering material, and the method for fabricating such solar cell are provided.
少なくとも、基板Ｗ上に複層構造の電極１０が形成された太陽電池であって、電極１０の第２層目２が銅の細線であり、特に銅の細線は、その表面にはんだ性材料がメッキされたものである太陽電池及びそのような太陽電池を製造する方法。 - 特許庁 - Further, a through hole 5 reaching the transparent electrode 3 piercing through the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type semiconductor layer 2 is formed, so that a current can be extracted from a rear surface by a metal electrode 7a as a rear electrode formed on the second main surface side of the p-type semiconductor substrate 1.
さらにｐ型半導体基板１およびｎ型半導体層２を貫通して透明電極３に至るスルーホール５を形成し、ｐ型半導体基板１の第２主面側に形成された裏面電極である金属電極７ａによって電流を裏面から取り出すことができるようにする。 - 特許庁 - The second concept prevents anti-phase domains from growing due to the growth of a polar material on a non-polar material using an off-cut corner Si substrate, this solving the problem of the diffusion between dissimilar atoms during growing a usual ZnSe layer on the Si substrate.
第２のコンセプトは、オフカット角Ｓｉ基板を用いた非極性材料上に極性材料を成長させることに起因する反位相領域が生じないようにすることであり、それによってＳｉ基板上に一般的なＺｎＳｅ層を成長している間に異種原子間の拡散の問題が解決される。 - 特許庁
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