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＜前へ 1 2 .... 412 413 414 415 416 417 418 419 420 .... 429 430 次へ＞- The metal membrane formed on a substrate, the layer of a first fixing agent provided in order to fix a target molecule on the metal membrane which is constituted of a compound having the region bonded to a metal and a second fixing agent, and that of a second fixing agent which has a functional group bondable to a target and an alkylene glycol chain for obstructing non-specific adsorption, are formed to the measuring chip for the surface plasmon resonance sensor.
基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上にターゲット分子を固定化するために設けられた、金属及び第二の固定剤と結合する部位を有する化合物からなる第一固定剤と、ターゲットと結合可能な官能基と非特異吸着阻止のためのアルキレングリコール鎖を持つ第二固定剤の層を表面プラズモン共鳴センサー用測定チップに形成させた。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes a light source, a first polarizer, a first transparent film, a liquid crystal cell having a pair of transparent substrates and a polymeric stabilized blue phase liquid crystal disposed therebetween, a second transparent film, and a second polarizer, disposed in this order, and is characterized in that one of the pair of transparent substrates is an array substrate and that no color filter layer is disposed on the other transparent substrate.
光源、第１の偏光子、第１の透明フィルム、一対の透明基板とその間に配置される高分子安定化ブルー相液晶とを有する液晶セル、第２の透明フィルム、及び第２の偏光子がこの順に配置され、一対の透明基板のいずれか一方が、アレイ基板であり、且つ他方の透明基板にカラーフィルタ層が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁 - The fuel cell X1 comprises a fuel cell body 10 equipped with a first electrode 11 for oxidizing a fuel, a second electrode 12 for reducing oxygen, and an electrolyte layer 13 held between the first electrode 11 and the second electrode 12; and an opening and closing device 20 which can select an opened state for permitting feed of the fuel and a closed state for stopping the feed.
燃料電池Ｘ１において、燃料を酸化するための第１電極１１、酸素を還元するための第２電極１２、並びに、第１電極１１および第２電極１２に挟まれた電解質層１３を備える燃料電池本体１０と、第１電極１１への燃料の供給を許容するための開状態および停止するための閉状態を選択可能な開閉装置２０とを具備する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes: first and second substrates; and a liquid crystal layer filled between the first and second substrates.
本発明は、第１及び第２基板と、第１と第２基板との間に充填された液晶層とから構成される液晶表示装置であり、第１基板は、基板の下部に形成され、外部光による光導電体の電気特性変化を通じて位置を感知するタッチ感知層と、タッチ感知層の下部に形成されるとともに光漏れを防止する遮光層と、遮光層との間において発色作用を生じさせるＲＧＢカラーフィルタ層とを含む。 - 特許庁 - The rear projection screen is equipped with an optical unit having a first surface provided with a plurality of columnar convex lenses and a second surface installed relatively to the first surface and provided with a plurality of irregular projecting parts and a light shielding layer having a plurality of strip-like light absorption units adjacent to the second surface, and an optical lens positioned adjacent to the optical unit.
本発明に係わる背面投射型スクリーンは、複数の柱状凸面レンズが設けられた第１表面と前記第１表面と相対的に設置され複数の不規則的な突出部が設けられら第２表面とを有する光学ユニットと、前記第２表面に隣接され複数の条状光吸収ユニットを有する遮光層と、前記光学ユニットに隣接される光学レンズとを備える。 - 特許庁 - In the optical disk wherein two signal layers of first and second signal layers 1B and 1D are provided from an incident light surface side in which the laser beam emitted from the optical pickup incorporated in an optical disk recording and reproducing device is made incident, the visible image can be formed on the second signal layer 1D by the laser beam emitted from the incident light surface side.
光ディスク記録再生装置に組み込まれている光学式ピックアップから照射されるレーザー光が入射される入射光面側から第１信号層１Ｂ及び第２信号層１Ｄの２つの信号層が設けられている光ディスクであり、入射光面側より照射されるレーザー光によって第２信号層１Ｄに可視画像を形成することが出来るように構成されている。 - 特許庁 - The multidomain liquid crystal display device consists of a first substrate 31 and a second substrate 33 on which pixel regions are formed, a liquid crystal layer formed between the substrates 31 and 33, a first dielectric structure 53 formed on one of the pixel region, a second dielectric structure 53 formed on the other pixel region, and a third dielectric structure 53 formed between these dielectric structures 53.
画素領域が形成された第１基板３１及び第２基板３３と、これら基板３１，３３の間に形成された液晶層と、画素領域の一方に形成された第１誘電体構造物５３と、画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物５３と、これらの誘電体構造物５３の間に形成された第３誘電体構造物５３とからなるマルチドメイン液晶表示素子を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor device having an insulation film structure where an organic insulation film is laid on an inorganic insulation film, the insulation film structure has a moisture absorbing first insulation film 12, a second insulation film 13 formed on the first insulation film 12 in order to reduce permeation of moisture to the upper layer, and an organic insulation film 14 formed on the second insulation film 13.
無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した絶縁膜構造を有する半導体装置において、絶縁膜構造は、吸湿性を有する第１の絶縁膜１２と、前記第１の絶縁膜１２上に形成された上層への水の透過を減少させる第２の絶縁膜１３と、前記第２の絶縁膜１３上に形成された有機絶縁膜１４とを有する半導体装置である。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes an insulating film of high dielectric constant has first and second impurity regions formed on a semiconductor substrate, an insulating film, formed in contact with the first and the second impurity regions on the semiconductor substrate from among at least one among Hf silicate, Zr silicate, Y silicate or lanthanum-based metal silicate, and a gate electrode layer formed on the insulating film.
半導体基板にそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、Ｙシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む高誘電率の絶縁膜を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁 - A semiconductor element 100 according to an embodiment includes: a semiconductor element body 2 formed in a rectangular plate shape and having an element part 5 provided on a first principal surface; and an insulative adhesion layer 13 provided to cover a second principal surface and only one lateral face 2C of the semiconductor element body 2, or the second principal surface and only two lateral faces 2C of the semiconductor element body 2.
実施形態に係る半導体素子１００は、四角のプレート状に形成され、第１主面に設けられた素子部５を有する半導体素子本体２と、前記半導体素子本体２の第２主面と１つの側面２Ｃのみと、または、前記半導体素子本体２の第２主面と２つの側面２Ｃのみとを覆って設けられた絶縁性接着層１３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The electrophoresis display device in which pixels each having a first electrode 21, a second electrode 22 opposed to the first electrode 21, and an electrophoresis element 23 having electrophoresis particles sandwiched between the first electrode 21 and the second electrode 22 and electrostatically charged are arrayed in a plane is characterized in that an insulating layer 31 is formed in a region between adjacent first electrodes 21.
第１の電極２１と、第１の電極２１と対向する第２の電極２２と、第１の電極２１と第２の電極２２とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子２３とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、隣り合う第１の電極２１の間の領域に絶縁層３１が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置とした。 - 特許庁 - The photodetector (100) has a first phototransistor (102) which includes germanium, and is structured such that it generates an output current signal in response to incident light, a second phototransistor (104), that is electrically linked to the first phototransistor to generate a reference current signal, and an opaque layer that covers the second phototransistor to shield incident light so as to make the reference signal independently of the incident light.
光検出器（１００）は、入射光に応答して出力電流信号を生成する構成でゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタ（１０２）と、第１のフォトトランジスタに電気的に結合し基準電流信号を生成する第２のフォトトランジスタ（１０４）と、第２のフォトトランジスタを覆って入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層とを備える。 - 特許庁 - A display controller of the present invention includes: a determination unit for determining an attribute of first drawing data drawn in a first window on the basis of an input device type; and a display control unit for selectively displaying the first drawing data on the basis of an attribute of second drawing data drawn in a second window displayed on a lower layer of the first window and the attribute of the first drawing data.
本発明は、入力デバイスの種類に基づいて、第１のウィンドウに描画される第１の描画データの属性を判断する判断部と、前記第１のウィンドウの下位レイヤに表示される第２のウィンドウに描画される第２の描画データの属性と前記第１の描画データの属性とに基づいて選択的に前記第１の描画データを表示させる表示制御部とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - In the organic TFT element having a first and a second transistor each including a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer connecting the electrodes to each other, cells which are formed of regions between electrodes of the first and second transistors and in a length direction of the electrodes and where organic semiconductor layers are disposed are all in the same shape and intervals between adjacent cells are all constant.
ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、第１及び第２のトランジスタの電極間及び電極の長手方向の領域とで形成され有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状でありかつ隣り合うセルの間隔は全て一定であることで解決できる。 - 特許庁 - In the multi-layer molding comprising the first and second members, a first member mainly comprises polyethylenenaphthalate, and a second member mainly comprises a polyester comprising 2,6-naphthalene dicarboxylic acid units, bis[4-(hydroxyethoxy)phenyl]sulfone units, and 2-4C aliphatic glycol units in which the bis[4-(hydroxyethoxy)phenyl] sulfone units occupy 20-60 mol% of the total glycol units.
第１の部材と第２の部材とよりなる多層成形物において、第１の部材が主としてポリエチレンナフタレートからなり、第２の部材が、主として、２，６−ナフタレンジカルボン酸単位とビス［４−（ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホン単位と炭素原子数２〜４の脂肪族グリコール単位とよりなるポリエステルであって、ビス［４−（ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホン単位が全グリコール単位中の２０〜６０モル％を占めるポリエステルからなるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.
本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁 - The electrode for a secondary battery according to the present invention includes: a porous collector formed of a conductive material; first active material layers which are disposed in pores of the porous collector and have a first active material capable of reversibly storing/releasing lithium; and a second active material layer which is disposed on a surface of the porous collector and has a second active material made of a carbon material.
本発明の二次電池用電極は、導電性を有する材質により形成された多孔質集電体と、多孔質集電体の細孔内に配置された、リチウムを可逆的に吸蔵・放出可能な第一の活物質を有する第一の活物質層と、多孔質集電体の表面に配置された炭素材料よりなる第二の活物質を有する第二の活物質層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.
本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁 - The electric double-layer capacitor includes a first collector electrode 11 as a positive electrode, having a rolled electrode 12 on one side and a coated electrode 13 on the other side, a second collector electrode 21 as a negative electrode, having a rolled electrode 22 on one side and a coated electrode 23 on the other side, and a separator 1 interposed between the first collector electrode 11 and the second collector electrode 21.
一方の側に圧延型電極１２を形成し他方の側に塗布型電極１３を形成して正極とした第１集電極１１と、一方の側に圧延型電極２２を形成し他方の側に塗布型電極２３を形成して負極とした第２集電極２１と、上記第１集電極１１と第２集電極２１との間に介挿されたセパレータ１とを具備する。 - 特許庁 - Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.
半導体装置内に形成された複数の拡散層領域２、３の内の少なくとも一部の拡散層領域２に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域３に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域２に接続される第１のコンタクト配線４の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域３に接続される第２のコンタクト配線５の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置１０。 - 特許庁 - The manufacturing method of the optical film at least includes a process of preparing a coating solution by dissolving and/or dispersing a mesomorphism compound in a solvent and a process of applying the coating solution onto the surface of a first optical anisotropic layer containing non-liquid crystalline polymer to form a second optical anisotropic layer on the first optical anisotropic layer.
少なくとも液晶化合物を溶剤に溶解及び／又は分散させて塗布液を調製する工程、及び該塗布液を非液晶性ポリマーを含有する第１の光学異方性層の表面に塗布して、該層上に第２の光学異方性層を形成する工程を少なくとも含む光学フィルムの製造方法であって、前記塗布液の調製に用いられる溶剤が、該溶剤のみを第１の光学異方性層の表面に塗布した場合に、下記式（１）及び（２）を満足する溶剤から選択されることを特徴とする光学フィルムの製造方法である。 - 特許庁 - Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.
本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁 - The separator for the electrochemical element contains a first separator layer and a second separator layer, of which, the former mainly contains resin B swelling by absorbing nonaqueous electrolyte solution as it is heated and increasing its swelling degree in accordance with rise of temperature, and the latter mainly contains a filler with a heat-resistant temperature of 150°C or more, and at least either of them contains planar particles.
本発明の電気化学素子用セパレータは、第１セパレータ層と、第２セパレータ層とを含み、前記第１セパレータ層は、加熱により非水電解液を吸収して膨潤し且つ温度上昇と共に膨潤度が増大する樹脂Ｂを主体として含み、前記第２セパレータ層は、耐熱温度が１５０℃以上のフィラーを主体として含み、前記第１セパレータ層および前記第２セパレータ層の少なくとも一方は、板状粒子を含む。 - 特許庁 - In the stacked photoelectric converter device containing a plurality of photoelectric converter units formed by a pin junction, at least one or more portions constituted sequentially of a first photoelectric converter unit, a silicon composite layer and a second photoelectric converter unit from a side close to the light incident side are contained, and the silicon composite layer contains a silicon crystal phase in an amorphous alloy of silicon and oxygen, thereby solving the problem.
本発明によると、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。 - 特許庁 - A curable composition containing acidic metal phosphate, a curing agent thereof and lightweight aggregate and reinforcing fibers formed in a layered state are compounded to impregnate the reinforcing fibers with the curable composition while regulating the movement of the lightweight aggregate by the reinforcing fibers to obtain a molding material 13 having a first layer 11 containing the lightweight aggregate in relatively large quantities and a second layer 12 containing the reinforcing fibers in relatively large quantities.
酸性リン酸金属塩、その硬化剤、及び軽量骨材を含有する硬化性組成物と、層状に形成した強化繊維とを複合して、前記軽量骨材の移動を前記強化繊維によって規制しつつ、前記硬化性組成物を前記強化繊維に含浸させて、前記軽量骨材を相対的に多く含む第１層１１と、前記強化繊維を相対的に多く含む第２層１２とを有する成形用材料１３を得る。 - 特許庁 - In this first cover substrate 2, an external connecting electrode 25 is positioned inner than a second electrical connecting metal layer 29 jointed to a first electrical connecting metal layer 19 of the sensor substrate 1, and a groove 20b for loosening the stress generated to the movable part together with joint of an external connecting electrode 25 and a conductor pattern 43 of a mounting board 40 is formed between both of them.
第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。 - 特許庁 - The chemical mechanical polishing method uses polishing liquid containing colloidal silica particles having a positive ζ potential and anionic surfactant and having pH ranging 1.5-7.0 to polish the body to be polished at least including a first layer containing polysilicon or modified polysilicon and a second layer containing at least one selected from a group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbonate, silicon carbonitride, silicon carbide and silicon oxynitride.
正のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子と、アニオン性界面活性剤とを含み、且つｐＨが１．５〜７．０の範囲である研磨液を用いて、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第１層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種を含む第２層とを少なくとも有して構成される被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法。 - 特許庁 - A common voltage signal to be a polarity reversed signal is applied to a common electrode layer, the common voltage signal includes a first polarity and a second polarity disagreeing with the first polarity and when a voltage of high level is applied to the scanning line connected to the touch sensing element and the common voltage signal of the common electrode layer has the first polarity, the signal processing circuit reads a signal from the touch sensing line.
前記共通電極層は極性反転信号である共通電圧信号を印加され、前記共通電圧信号は第一極性及び前記第一極性に相反する第二極性を含み、前記タッチ感応素子に連接する前記走査線がハイ・レベルの電圧を印加され且つ前記共通電極層の共通電圧信号が第一極性である際に、前記信号処理回路は前記タッチ感応線から信号を読み取る。 - 特許庁 - The epitaxial substrate and its manufacturing method comprises: a step to form an epitaxial substrate by growing an epitaxial layer on a silicon substrate added with carbon; and a heat treatment step to apply a first heat treatment and second heat treatment to the epitaxial substrate so that an oxygen precipitate density at a surface layer part of the silicon substrate which constitutes the epitaxial substrate becomes larger than an oxygen precipitate density at a thickness center part after the step to form the epitaxial substrate.
炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The method has steps of forming an internal electrode pattern, forming a laminate, forming a laminate block, coating an outer periphery of the laminate block using a second dielectric material composition layer added with more SiO_2 to the first dielectric material composition in a non-sintered dielectric layer, forming a laminate chip, sintering the chip, and forming an external electrode.
積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極パターンを形成する工程、積層体を形成する工程、積層体ブロックを形成する工程、未焼成誘電体層中の第１の誘電体材料組成物に対してさらに多量のＳｉＯ_２が添加された第２の誘電体材料組成物層を用いて積層体ブロックの外周を被覆する工程、積層体チップを形成する工程、焼成工程、外部電極を形成する工程を有する。 - 特許庁 - A display device includes wiring including a first layer containing a thermoresistant conductive material and a second layer containing Al and Nd in a terminal portion of an active matrix substrate used for the display device, and a transparent conductive film electrically connected to the wiring, wherein the transparent conductive film is electrically connected through an anisotropical conductive material to a circuit provided on a substrate different from the active matrix substrate.
表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、耐熱性導電性材料を含有する第１の層と、Ａｌ及びＮｄを含有する第２の層と、を含む配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁 - This optical semiconductor integrated device comprises a mesa stripe 6 including an upper clad layer 5 laminated on the optical waveguide 4 and having side faces insulated by a high resistance embedded layer 7, and first and second electrodes 12a, 12b provided on the upper surface of the mesa stripe 6 via a separating zone 10.
光導波路４上に積層された上部クラッド層５を含み、その側面が高抵抗の埋込み層７により絶縁されたメサストライプ６と、そのメサストライプ６の上面に分離帯１０を介して設けられた第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂとを有する光半導体集積素子において、分離帯１０でのメサストライプ６の最小幅を、第１の電極１２ａ下の最大幅及び第２の電極１２ｂ下の最大幅より狭く構成する。 - 特許庁 - To provide optical recording method and device optically recording the prescribed data for a one side reproducing double layer structural DRAW type recording medium, preventing a signal recorded on a second recording layer relatively far from particularly a light incident side from deteriorating and record-able information density from lowering, and attaining perfect reproducing compatibility and satisfying a request of DVD authoring.
片面再生の２層構造の追記型記録媒体に対して所定のデータを光学的に記録する光記録方法及び光記録装置において、特に光入射側から相対的に遠い第２の記録層に記録した信号が劣化して記録可能な情報の密度が低下することを防止し、完全な再生互換を達成してＤＶＤオーサリングの要求を満たすことが可能になる光記録方法及び光記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This laminated optical film includes a first optical anisotropic layer, and a second optical anisotropic layer.
少なくとも、第１の光学異方性層及び第２の光学異方性層を有する積層光学フィルムであって、第１の光学異方性層のＲｔｈ１と、第２の光学異方性層のＲｔｈ２とが、（１）ΔＲｔｈ１≧０ｎｍ、かつ、ΔＲｔｈ２≦０ｎｍ、及び（２）ΔＲｔｈ１＜０ｎｍ、かつ、ΔＲｔｈ２＞０ｎｍ、のいずれかの関係を満たし、積層光学フィルム全体の厚み方向のレターデーション値Ｒｔｈが、５０ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍである積層光学フィルムを提供する。 - 特許庁 - The method for forming a semiconductor layer on the substrate comprises a first step of generating a three-dimensional nucleus made of a semiconductor material crystal on the substrate with low nucleus density, and a second step of performing crystal growth of the three-dimensional nucleus generated on the substrate in a crosswise growth mode, fusing the three- dimension nucleus for forming a semiconductor layer made of a semiconductor substance crystal on the substrate.
基板上に半導体層を形成する半導体層の形成方法において、基板上に半導体物質結晶よりなる三次元核を低密度の核密度で生成する第１のステップと、上記基板上に生成された前記三次元核を横方向成長モードで結晶成長させ、上記三次元核を融合して半導体物質結晶よりなる半導体層を上記基板上に形成する第２のステップとを有する。 - 特許庁 - The method for forming the inorganic alignment layer, where the inorganic oriented film 3A constituted principally of an inorganic oxide is formed on a base material 100, has a first step for applying a solution containing an inorganic oxide precursor and a surfactant on the base material to form a coating film and a second step for baking the coating film and changing the inorganic oxide precursor into the inorganic oxide to obtain the inorganic alignment layer.
基材１００上に、主として無機酸化物で構成される無機配向膜３Ａを形成する無機配向膜の形成方法であり、基材上に、無機酸化物前駆体と界面活性剤とを含む溶液を塗布して、塗膜を形成する第１の工程と、この塗膜を焼成することにより、無機酸化物前駆体を無機酸化物に変化させて、無機配向膜を得る第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The solid oxide fuel cell power generating device has a plurality of solid oxide fuel cells C, and the solid oxide fuel cell C is interposed between a first conductor 41 having air permeability and coming in contact with a cathode layer 2 and a second conductor 42 having air permeability and coming in contact with an anode layer 3.
本発明の固体電解質燃料電池発電装置は、カソード電極層２とアノード電極層３とが固体電解質基板１の両面に形成された複数の固体酸化物型燃料電池Ｃを備え、固体酸化物型燃料電池Ｃは、通気性を有してカソード電極層２に接触して配置された第１の導電体４１と、通気性を有してアノード電極層３に接触して配置された第２の導電体４２とにより挟持されている。 - 特許庁 - The field emission element comprises a cathode electrode C on which numerous CNT emitters E are arranged, an insulation layer I having through holes T through which electrons from the above CNT emitters E pass, and a gate electrode G corresponding to the hole T of the insulation layer I having an elongated gate hole H forming an electric field having different intensity in a first direction and a second direction orthogonal to the CNT emitters E.
多数のＣＮＴエミッタＥがその上面に配列されるカソード電極Ｃと、前記ＣＮＴエミッタＥからの電子が通過する貫通孔Ｔを有する絶縁層Ｉと、前記絶縁層Ｉの貫通孔Ｔに対応するものであって、前記ＣＮＴエミッタＥに対して第１方向及びこれに直交する第２方向に相異なる強度の電場を形成する細長型のゲートホールＨを有するゲート電極Ｇと、を具備する電界放出素子。 - 特許庁 - The method for manufacturing the heat dissipation structure includes a first process to form a carbon nanotube deposited layer being as a main composition on the surface of the substrate and a second process to extrude the top of carbon nanotube near the surface of substrate at least to contact with the partner material from the carbon nanotube deposited layer and to orient the lengthwise direction of carbon nanotube to direct in the direction vertical to the substrate surface.
本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも相手材に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - This SiC Schottky diode is equipped with a guard ring 4, and a second electrode layer 6 electrically connected to the guard ring 4 and formed of a material different from that of the Schottky electrode layer 5 so as to secure an ohmic contact with the guard ring 4, so that the forward surge breakdown voltage of the SiC Schottky diode is increased without deteriorating its rectifying performance and the reliability is improved.
本発明によれば、ガードリング４を有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、ガードリング４に電気的接続をとる第２の電極層６としてショットキー電極層５とは別の材料を用いることによって、ガードリング４に対するオーミック性を確保することにより、整流性能を劣化させることなく、順サージ電流に対する耐量を向上させることができ、信頼性の高いＳｉＣショットキーダイオードを得ることができる。 - 特許庁 - In this method, a lower layer of a photosensitive conductor paste 24 is a second dielectric layer 20 obtained by exposing and curing the photosensitive dielectric paste 10 in development processing for cleaning out an unexposed portion in the photosensitive paste 24.
感光性導体ペースト２４のうちの未露光部分を洗い流す現像処理に際して、感光性導体ペースト２４の下層が、感光性誘電体ペースト１０が露光硬化された第２誘電体層２０であるため、残査の発生が大幅に抑制されているので、感光性導体ペースト２４の樹脂成分を１０wt％以下に少なくしても、露光・現像に影響がなく、乾燥密度ρ_D が従来の導体ペーストと同様に５ｇ／ｃｍ^3 以上となり十分に得られる。 - 特許庁 - The electroforming mold 6 free from the residue in the opening part is formed with high precision by forming a first photoresist layer 2 having large absorption coefficient in a photosensitive wavelength on the surface of the conductive substrate 1 having the projecting and recessed parts on the surface and further forming a second photoresist layer 3 having smaller absorption coefficient is formed thereon and exposing and developing, thereby providing the electroforming component 8 faithfully transferred of the substrate surface shape.
表面に凹凸を有する導電性を有する基板１の表面に、感光波長における吸収係数が大きな第１のフォトレジスト層２を形成し、さらにその上に、吸収係数が小さな第２のフォトレジスト層３を形成し、露光、現像することにより、精度が良く、かつ、開口部に残渣がない電鋳型６を作ることができるので、基板表面形状を忠実に転写した電鋳部品８を提供する。 - 特許庁 - The shielding unit comprises a first conductor formed in the same wiring layer as the electrodes of the capacitive element so as to surround the capacitive element in a plane, and a second conductor formed in the wiring layer upper than that wherein the electrodes of the capacitive element are formed so as to surround the capacitive element in a plane and extended to the side of the capacitive element than the first conductor in the plane.
シールド体は、容量素子の電極と同一の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成された第１の導電体と、前記容量素子の電極が形成された配線層よりも上層の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成され、かつ前記第１の導電体よりも前記容量素子側へ平面的に延長された第２の導電体とを有する。 - 特許庁 - The electrochemical display element is characterized by having a first transparent electrode, an electrolyte layer containing a color developing material which develops color by a coloring means, electrochemical reduction and oxidation, and precipitation and dissolution accompanied with them, a second electrode having the electrolyte interposed between itself and the first transparent electrode, and a third electrode independent of the first transparent electrode and the second electrode.
本発明に係る電気化学表示素子は、第１の透明電極と、着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層と、上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる第２電極と、上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３電極とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The light-emitting element is provided with a first electrode and a second electrode set in opposition, at least either being transparent or translucent, and a light-emitting layer pinched between the first electrode and the second electrode structured of light emitter particle powder including light emitter particles with the surface coated with a hole transport material and with conductive nanoparticles carried on the surface of the hole transport material.
発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された発光層であって、発光体粒子の表面が正孔輸送材料で被覆され、該正孔輸送材料の表面に導電性ナノ粒子が担持された発光体粒子を含む発光体粒子粉末で構成された、発光層と、を備える。 - 特許庁 - The method for performing integrity protection includes receiving a concatenated message including a NAS message, a first MAC code of the NAS message, a RRC message and a second MAC code of the concatenated message, performing an integrity protection procedure for the concatenated message, and discarding the RRC message and NAS message and not delivering the NAS message to an upper layer when the second MAC code does not pass the integrity protection procedure.
方法は、ＮＡＳメッセージと、該ＮＡＳメッセージの第一ＭＡＣコードと、ＲＲＣメッセージと、連結メッセージの第二ＭＡＣコードを含んだ連結メッセージを受信する段階と、上記連結メッセージに対して完全性保護プロセスを実行する段階と、上記第二ＭＡＣコードが完全性保護プロセスを通過しなかった場合にＲＲＣメッセージとＮＡＳメッセージを削除し、ＮＡＳメッセージを上位層に送信しない段階とを含む。 - 特許庁 - Sandwiching and fixing the power semiconductor chip 5 with a first insulation circuit board 3 and a second laminated insulation circuit board 9 and fitting a board 20, comprising a material having a small linear expansion coefficient in the second board 9, suppresses the deformation of a conductive layer of the fixing part with the chip 5, relaxing the stresses generated in the fixing part in between the chip 5 and the board 9.
電力用半導体チップ５を第１の絶縁回路基板３と、第２の積層絶縁回路基板９で挟み込み固着し、第２の積層絶縁回路基板９内に、線膨張係数の小さな材料からなる基板２０を嵌合することで、電力用半導体チップ５との固着部の導体層の変形を抑制し、電力用半導体チップ５と第２の積層絶縁回路基板９との固着部分に生じる応力の緩和を図ることができる。 - 特許庁 - An electromagnetic wave interface device 200 which supplies or receives power to or from an electromagnetic wave transmission medium having a mesh electrode includes a spiral first conductor 210 which is arranged closely to a first conductor layer substantially in parallel therewith, a second conductor 230 which is arranged to face the first conductor substantially in parallel therewith, and a dielectric 220 which is arranged between the first conductor and second conductor.
メッシュ状の電極を有する電磁波伝達媒体との間で給電または受電する電磁波インターフェース装置２００であって、第一導電体層に近接して略平行に配置されるスパイラル状の第一導電体２１０と、第一導電体に対向して略平行に配置された第二導電体２３０と、第一導電体と第二導電体との間に配置された誘電体２２０とを備える電磁波インターフェース装置とする。 - 特許庁 - In a sensor group formed on a semiconductor substrate having first polarity, at least two vertically laminated sensors each include different spectral sensitivity, can be biased to function as a photo diode, include a carrier collection layer of a semiconducting material having second polarity, and are formed so as to collect a photoexcited carrier having the second polarity when biased to function as the photo diode.
第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes a first substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the first substrate and including transparent electrodes and reflective electrodes formed on portions of the transparent electrodes, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer injected by drop injection between the first substrate and the second substrate, and a plurality of organic insulator patterns formed in regions corresponding to the reflective electrodes.
本発明の一特徴による液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、第１基板に対向する第２基板と、第１基板及び第２基板の間に滴下法で注入される液晶層と、反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備える。 - 特許庁
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