「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 409 410 411 412 413 414 415 416 417 .... 429 430 次へ＞- The protective film 32 has an SiN film of 20 nm thick for generating a compressive stress as a first protective film 32a and an SiO2 film of 20 nm thick for generating a tensile stress as a second protective film 32b in the form of a two-layer laminate structure.
保護膜３２は、第１の保護膜３２ａとして成膜され、圧縮応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜と、第２の保護膜３２ｂとして成膜され、引っ張り応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜との２層の積層構造として形成されている。 - 特許庁 - The phase difference value along the thickness direction of the liquid crystal layer 8 is set within a range of 500-1,600 nm, in this vertically oriented liquid crystal display, and the first phase difference plate 13 is inserted between the first and second polarizing plates 9, 10 crossed orthogonally with absorption axes 9a, 10a.
垂直配向型液晶表示装置は、液晶層８の厚さ方向の位相差値を５００ｎｍ〜１６００ｎｍの範囲に設定するとともに、吸収軸９ａ，１０ａが直交する第１，第２の偏光板９，１０の間に第１の位相差板１３を挿入する。 - 特許庁 - A multilayer film made of a niobium oxide film with the film thickness of 5 nm and the refractive index of 2.30 and a silicon oxide film with the film thickness of 55 nm and the refractive index of 1.45 is formed on a lower layer side of the first light-transmitting electrode pattern 11 and the second light-transmitting electrode pattern 12.
また、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、膜厚が５ｎｍで屈折率が２．３０のニオブ酸化膜、および膜厚が５５ｎｍで屈折率が１．４５のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。 - 特許庁 - An Si-CH_3 group in the eluate component 101 from a silicon sealing material 100 is decomposed by the optical semiconductor 12 contained in the second layer C2 into a hydrophilic group Si-OH group, forming the coating film with an enhanced affinity with moisture such as rain water or the like to improve the permeability in the coating film.
シリコーンシーリング材１００からの溶出成分１０１中のＳｉ−ＣＨ_３基は、第２層Ｃ２中に含まれる光半導体１２により分解され、親水基Ｓｉ−ＯＨ基となり、塗膜は雨水などの水分との親和性が高くなり、塗膜内部の浸透性が向上する。 - 特許庁 - The carcass layer 4 is formed of a plurality of first carcass layers 4A folded back from inside of a tire to the outside thereof around a bead core 6 at both ends thereof and a plurality of second carcass layers 4B arranged outside of the first carcass layers 4A and having both ends 4b arranged outside of the tire around the bead core 6.
カーカス層４が、両端部４ａをビードコア６の周りにタイヤ内側から外側に折り返した複数の第１カーカス層４Ａと、その第１カーカス層４Ａの外側で、両端部４ｂをビードコア６の周りにタイヤ外側から配置した複数の第２カーカス層４Ｂとからなる。 - 特許庁 - By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.
本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁 - Heating S00 for heating a substrate, pretreatment S11 for removing a damaged layer formed on a surface of an organic film pattern, and development (second) S12 for reducing at least a part of the organic film pattern or removing a part of the organic film pattern are performed, in this order.
基板を加熱する加熱処理Ｓ００と、有機膜パターンの表面に形成されたダメージ層を除去する前処理Ｓ１１と、有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか又は前記有機膜パターンの一部を除去する現像処理（２回目）Ｓ１２と、をこの順に行う。 - 特許庁 - Each of the contact plugs (4a, 4b) has a slanted portion 6, having a sidewall 5 slantingly widened toward the second connection layer (3a, 3b) and a top end surface (7a, 7b) whose diameter 9 is smaller than the largest diameter 8 to the slanted portion 6.
コンタクトプラグ（４ａ、４ｂ）は、第２の被接続層（３ａ、３ｂ）に向かって広がる傾斜を持つ側壁５を有する傾斜部分６と、第２の被接続層（３ａ、３ｂ）に接し、直径９が傾斜部分６の直径の最大値８よりも小さい上端面（７ａ、７ｂ）とを有する。 - 特許庁 - The double-woven towel is such that, a first double-sided pile towel cloth 2 and a second double-sided pile towel cloth 3 are laminatedly unified via binding warps 4, and both of them are woven, respectively, with uneven patterns 5 and 6 identified as normal image from the respective obverse surface layer sides.
第１両面パイルタオル地２と第２両面パイルタオル地３を結合経糸４により積層状態に一体化してなり、第１両面パイルタオル地２と第２両面パイルタオル地３にそれぞれの表面層側から正像として識別される凹凸紋様５、６が織成される。 - 特許庁 - Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.
これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁 - A bulkhead which consists of two-layer structure of a first bulkhead 34 and a second bulkhead 35 is formed so as to surround a heating part 31 from three directions, an outflow nozzle 3 is formed by laminating an orifice plate 37 on it, and an ink heating chamber 36 is formed with a shape of turned down cone and tapered toward the upside.
発熱部３１を三方から取り囲むように第１隔壁３４と第２隔壁３５の二層構造からなる隔壁を形成し、この上にオリフィス板３７を積層して吐出ノズル３９を形成し、すり鉢を伏せた形状の上すぼみのインク加圧室３６を形成する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the SOI substrate, a hydrogen ion implantation layer is formed on the front surface of a first substrate as a single crystal silicon substrate, and surface activation processing is applied to at least any one of the surface of a second substrate as a transparent insulative substrate and the surface of the first substrate and both the substrates are laminated.
単結晶シリコン基板である第１の基板の表面側に水素イオン注入層を形成し、透明絶縁性基板である第２の基板の表面及び第１の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施して両基板を貼り合わせる。 - 特許庁 - An end face of a magnetic layer 24, located at a medium facing surface, includes a first part 41 having width that decreases as the distance from the substrate decreases and a second portion 42, that is located farther position from a substrate than the first portion 41 and has uniform width that defines the track width.
媒体対向面に配置された磁極層２４の端面は、基板に近づくに従って小さくなる幅を有する第１の部分４１と、第１の部分４１よりも基板から遠い位置に配置され、トラック幅を規定する一定の幅を有する第２の部分４２とを含んでいる。 - 特許庁 - This is a method used to deposit a passivation layer of a first material on the interior surface of a cold wall reactor or a warm wall reactor, in which the first material inside is nonreactive with one or a plurality kinds of precursors used to form a second material.
中にある第１の物質が、第２の物質を形成するために用いる１種または複数種の前駆物質との反応性を持たないコールド・ウォール反応器またはウォーム・ウォール反応器の反応器内面上に第１の材料のパッシベーション層を堆積させる方法。 - 特許庁 - According to a spline shaft 1, when lubricant is coated on an outer peripheral surface 1A of the fitting portion formed by a tooth 2 and root portion of the spline shaft, lubricant can be stored in the gap 10 since a second melted solid resin layer 8 is provided with a plurality of gaps 10 connected to the outside.
このスプラインシャフト１によれば、第２の溶融固化樹脂層８が、外部に連通する複数の空隙１０を有しているから、スプライン歯２と谷部３とがなす嵌合部の外周面１Ａに潤滑剤を塗布したときに、空隙１０に潤滑剤を溜めることができる。 - 特許庁 - To shorten redundancy switching time when a fault occurs and to realize a default gateway redundant system and a layer 2 redundant system by using a common protocol as to a node which functions as a current system or a standby system by being combined with another node and is capable of connecting first and second networks.
他のノードと組み合わされて現用系又は予備系として機能し、第１ネットワークと第２ネットワークを接続するノードに関し、障害発生時の冗長化切り替え時間を短縮すること、また、デフォルト・ゲートウェイ冗長化方式とレイヤ２冗長化方式を共通のプロトコルで実現する。 - 特許庁 - As compared with the case where the opening area of the first flow passage 13 and the opening area of the second flow passage 15 are equal to each other, the supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 is suppressed, so that the liquid fuel is more easily filled in the first flow passage 13.
この構造によれば、第１の流路１３の開口面積と第２の流路１５の開口面積とが等しい場合に比べて、第１の流路１３から拡散層１７への液体燃料の供給が抑制されて第１の流路１３において液体燃料が充満し易くなる。 - 特許庁 - Farther, the conductor 5 is pinched between an adhering face of the third insulating film 2b wherein the adhering layer 8b is formed only on one side and the other face of the second insulating film 7a, and the non- conductive body parts of the both films 7a, 2b are temporarily adhered to each other by heating and pressurizing by the heating roller.
また、片面のみに接着層８ｂが形成された第三絶縁フィルム２ｂの接着面と、第二絶縁フィルム７ａの他面との間に導体５を挟み込み、両フィルム７ａ，２ｂの無導体部分同士を加熱ローラにより加熱押圧して仮接着する。 - 特許庁 - The SOIMOSFET comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type, first insulation film (that is, a base oxide film) disposed on the semiconductor substrate, and SOI layer having a pair of source and drain of a second conductivity type which is disposed on the insulation film with a channel of a specified distance formed between the source and the drain.
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴは、第１導電型の半導体基板と、この半導体基板上に位置する第１絶縁膜（すなわち下地酸化膜）と、第１絶縁膜上に位置し、所定距離のチャネルを挟んで一対の第２導電型のソースおよびドレインを有するＳＯＩ層を含む。 - 特許庁 - This organic EL display 20 is provided with stripe-like first electrodes 22, an insulating layer 23 formed with multiple opening sections 24 with a nearly rectangular shape in the plan view on the first electrodes 22, organic layers 25a-25c, and stripe-like second electrodes 26 on a transparent substrate 21.
透明基板２１上に、ストライプ状の第１の電極２２…と、第１の電極２２上に平面視略矩形状の開口部２４を複数形成した絶縁層２３と、有機層２５と、ストライプ状の第２の電極２６…とが形成された有機ＥＬディスプレイ２０である。 - 特許庁 - The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.
スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁 - The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the fourth virtual circulating line from the inner side is such an interval that three of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first, second and third virtual circulating lines from the inner side can be put around.
内側から４番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目、２番目及び３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を３本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁 - On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2 formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, surrounding the lower region of the anode electrode and with the same potential as that of the anode electrode.
第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲しアノード電極と同電位である第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁 - The method includes: a step of forming a bottom electrode having a first area; a step of forming an electrical pulse-varying resistance (EPVR) material put on the bottom electrode; and a step of forming a top electrode to put on the EPVR layer with a second area smaller than the first area.
この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁 - The apparatus has a control means 204 that controls the potential to be applied to the first electrode and the potential to be applied to the second electrode, the potential periodically changing between positive and negative with respect to the central potential, so as to periodically change the potential into positive and negative to be applied to the liquid crystal layer.
液晶層に与えられる電位差が正と負とに周期的に変化するように、第１電極に与える電位と、第２電極に与える、中心電位に対して正と負とに周期的に変化する電位とを制御する制御手段２０４を有する。 - 特許庁 - Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) containing a (meta)acryloyl group in the molecule and two or more first functional groups, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.
分子内に、（メタ）アクリロイル基及び、２個以上の第１の官能基を含み、該第１の官能基が電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基である高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁 - The IPv6 address retrieval part 27 is provided with a plurality of repeating tables which store the addresses of the network layer protocols divided into first and second areas, and it retrieves the repeating table, based on the destination address of the received packet and repeats the packet, in accordance with the retrieval result.
ＩＰｖ６アドレス検索部２７は、第１及び第２領域にそれぞれ分割されたネットワーク層プロトコルのアドレスを記憶する複数の中継テーブルを備え、受信したパケットの宛先アドレスに基づいて該中継テーブルを検索すると共に、この検索結果に従ってパケットの中継を行う。 - 特許庁 - On the back surface of the film circuit board 13, an area corresponding to a joining area for electrically joining the semiconductor device 11 on the front side to a board terminal through the anisotropic conductive adhesive 17 is coated with a second organic layer 20 composed of an epoxy-based resin, etc.
フィルム回路基板１３の裏面において、表側の半導体装置１１を異方性導電接着剤１７を介して基板端子部に導通接合する接合領域に対応する領域は、エポキシ系樹脂等からなる第２の有機質層２０で覆われている。 - 特許庁 - The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.
ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁 - The method for producing the novolak type phenol resin comprises the following steps: a first step of reacting the phenols with aldehydes in the presence of phosphoric acids in the heterogeneous system and a second step of adding a water-insoluble organic solvent and water after the first step and recovering the separated aqueous layer.
フェノール類とアルデヒド類とを、リン酸類の存在下で不均一系反応させる第一工程と、前記第一工程後に非水溶性有機溶剤及び水を添加し、分離した水層を回収する第二工程とを有するノボラック型フェノール樹脂の製造方法。 - 特許庁 - In the substrate for liquid discharge head, an upper protective layer 107a which is formed in the region corresponding to a heating part is constituted by laminating two or more first layers which dissolve into a liquid by an electrochemical reaction with the liquid and two or more second layers which change into a passivity.
発熱部に対応する領域に形成された上部保護層１０７ａは、液体との電気化学反応により、前記液体中に溶出する第１の層と、不動態となる第２の層とが其々２層以上積層された構成である液体吐出ヘッド用基板。 - 特許庁 - The multilayer piezoelectric element is formed under a condition of T1<T2 where T1 is a temperature for first heat treatment (baking) by stacking a plurality of piezoelectric ceramic sheets having an internal electrode layer formed, and T2 is a temperature for second heat treatment (baking) after the multilayer piezoelectric element is prepared by cutting it from the baked block.
内部電極層が形成された圧電セラミックのシートを複数枚積層して第１の熱処理（焼成）を行う温度Ｔ１と、ブロック焼成体から切り出して多層圧電素子を作製した後に第２の熱処理（焼成）を行う温度Ｔ２において、Ｔ１＜Ｔ２のようにする。 - 特許庁 - Using as a mask the mask pattern for selective growth, the imbedding layer is made to selectively grow under the conditions growing sideways from the side face of the mesa extending in the second direction opposite from the first direction with the first boundary position as a reference, with the front face of the growth becoming a slope.
選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第１の境界位置を基準として第１の向きとは反対の第２の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12 formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another is provided on a low- resistance silicon substrate 11 one main surface 11a of which is oriented in the (111) crystal plane.
低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面１１ａの結晶面方位を（１１１）ジャスト面とした基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁 - The entire surface is coated with an organic coating film 20, such as resist by rotary coating and inside the hole for connection hole, the organic coating film 20 is left by a method such as full etch back, so that the surface of the organic coating film 20 can be higher than the lower surface of the second wiring correspondent inter-layer insulating film.
回転塗布法により全面にレジスト等の有機塗布膜２０を塗布し、全面エッチバック等の方法により接続孔用の穴１３内で、有機塗布膜２０表面が第２配線対応層間絶縁膜下面よりも上になるように有機塗布膜２０を残す。 - 特許庁 - On the peripheral part of the rear face of the inlet 8, as shown in Fig.2(a), a glue-less portion 9 where the second adhesive layer 10 is not provided or, as shown in Fig.2(b), an adhesive strength adjusting portion 12 where the adhesive strength is reduced or eliminated with a printing ink is formed.
インレット８の裏面の周縁部には、図２（ａ）に示すように、第２の粘着剤層１０が設けられていない糊なし部９または、図２（ｂ）に示すように、印刷インキによって粘着力の減殺または消去を行った粘着力調整部１２が設けられている。 - 特許庁 - A first, a second, a third base parts 22A, 22B, 22C are provided in a region of each the layer 24A, 24B, 24C higher than the other region of the base 22, and substantially cylindrical mound parts 25... are formed at specified intervals, while thereon ring-like small abrasive grain layers are provided.
各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの領域に台金２２の他の領域より高さの高い第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃを設け、所定間隔で略円筒状のマウンド部２５…を多数形成してその上にリング状の小砥粒層部２８を設ける。 - 特許庁 - In a same manner, since when the materials of the luminescent layers 17R, 17G, 17B and the material of the electron injecting layer 19 are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, second diffusion areas 18R, 18G, 18B, the inclined composition area, can be formed.
同様に、発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料と電子注入層１９の材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第２の拡散領域１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成することができる。 - 特許庁 - The hardness after curing a first adhesive 11 for adhering an acoustic matching layer 14 and a case 12 to each other is selected differently from the hardness after curing a second adhesive 13 for adhering the case 12 and a piezoelectric body 16 to each other so as to prevent deterioration in the adhesion under an operating environment.
音響整合層１４とケース１２を接続する第１接着剤１１およびケース１２と圧電体１６を接続させる第２接着剤１３で硬化後の硬度をそれぞれ変えることにより、使用環境における接続の劣化を防止することができる。 - 特許庁 - Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.
容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁 - The electronic part 1 has a lower conductor 21 (a first conductor) formed on the planarizing layer 52 of a substrate 51, a dielectric film 31 formed on the lower conductor 21, and an upper conductor (a second conductor) 23 which is formed on the dielectric film 31 and is thinner than the lower conductor 21.
電子部品１は、基板５１の平坦化層５２上に形成された下部導体（第１導体）２１と、下部導体２１上に形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成されて下部導体２１より薄い上部導体（第２導体）２３とを有している。 - 特許庁 - When the assembly is placed in analyte solution, a detector of the apparatus is operated to detect a phase shift of the light wave reflected from the first and second reflection surfaces so as to detect a thickness change in a first reflection layer generated by the binding of the analyte to an analyte binding molecule.
装置の検出器は、アセンブリを検体溶液内に置く場合、第１および第２反射面から反射される光波の位相シフトを検出することにより、検体の検体結合分子への結合から生じる第１反射層の厚さ変化を検出するように動作する。 - 特許庁 - The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.
Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁 - This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.
平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁 - The welding machine, which welds a member to be welded (structural components of an inner layer of the multilayer printed wiring board) at predetermined places, includes a first welding bit 11a and a second welding bit 11b which press and heat the member to be welded by clamping it from both surfaces of the member for welding.
被溶着部材（多層プリント配線板の内層の構成部材）を所定箇所において溶着する溶着機として、被溶着部材を両面から挟むように加圧及び加熱して溶着する第１溶着ビット１１ａ及び第２溶着ビット１１ｂを備える。 - 特許庁 - Semiconductor layers of p-tpe and n-type first and second thin film transistors constructed on a driving circuit section and a pixel region are formed particularly through a first mask step, and a first storage electrode comprising the semiconductor layer and an auxiliary electrode laminated with each other is formed.
本発明は、特に、第１マスク工程によって、駆動回路部と画素領域に構成するｐ型及びｎ型の第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの半導体層を形成して、半導体層と補助電極が積層された第１ストレージ電極を形成する。 - 特許庁 - When viewed in stacking direction of a dielectric layer 32, capacitance formation parts 48 and 51 of the first and fourth internal electrodes 42 and 45 do not overlap each other, while capacitance formation parts 49 and 50 of the second and third internal electrodes 43 and 44 do not overlap each other.
誘電体層３２の積層方向で見たとき、第１および第４の内部電極４２および４５の各々の容量形成部４８および５１が重なり合わず、第２および第３の内部電極４３および４４の各々の容量形成部４９および５０が重なり合わない。 - 特許庁 - This light emitting device 11 is configured by forming an organic EL element 16 where an organic EL layer 14 is interposed between a transparent electrode 13 and an opposed electrode 15 as a light emitter 17, and provided with a plurality of first regions 19 and a second region 20 interposed between the first regions 19.
発光装置１１は透明電極１３と対向電極１５との間に有機ＥＬ層１４が挟まれた有機ＥＬ素子１６を発光部１７とし、複数の第１の領域１９及び第１の領域１９に挟まれた第２の領域２０を備えている。 - 特許庁 - An end E4 of the auxiliary electrode 150 is formed so as to be positioned outer than an end E2 of the common electrode 72 in a face of a substrate 10, and the end E2 of the common electrode 72 is formed so as to be positioned outer than an end E1 of the second inter-layer insulating film 35.
補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ２よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ２は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ１よりも外側に位置するよう形成される。 - 特許庁 - To restrain occurrence of dielectric breakdowns, even if a dielectric layer is formed at a small thickness as the purpose in a PDP and prevent the occurrence of breakage or the like in a glass substrate in manufacturing the PDP even if the thickness of the glass substrate is reduced, as compared with the conventional cases as second purpose.
ＰＤＰにおいて、誘電体層を薄く形成しても絶縁破壊が発生しにくいようにするこを第１の目的とし、ガラス基板の厚さを従来より薄くしても、ＰＤＰ製造時にガラス基板に割れなどが生じるのを防止することを第２の目的とする。 - 特許庁
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