「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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第２ウェルは、第１ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第１ウェルよりも不純物濃度が低い第１導電型の領域である。 - 特許庁 - Thereafter, in the dry etching process of the second stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, a bottom part 4R of the hole 4a is removed in a state where pressure in the reaction chamber is set to 50-1,000 Pa, and the upper surface of the carbon nanotube layer 3 is exposed.
その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 - 特許庁 - Protection layers 1a, 1b are formed and arranged to be congruent with upper faces of the measuring electrodes 3,4, in a sensor element having the protection layers 1a, 1b, a measuring system 2 having the first measuring electrode 3 and the second measuring electrode 4 engaged with each other comb-likely, and an insulating layer 5.
保護層１ａ；１ｂと、櫛状に相互に係合する第１の測定電極３および第２の測定電極４を有する測定電極システム２と、絶縁層５とを有するセンサ素子において、保護層１ａ；１ｂを測定電極３，４の上面と合同に形成および配置する。 - 特許庁 - The pattern forming material formed on a substrate has first and second reaction layers reacted mutually by heating to be expanded in volume and a third reaction layer expanded in volume by heating.
基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第１の反応層および第２の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第３の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。 - 特許庁 - A sidewall P-conductivity-type region 4b having an impurity concentration higher than that of the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a is formed on the surface-layer part of the sidewall of a second trench that reaches the P-conductivity-type region 2a piercing the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a.
このおもて面側Ｐ導電型領域４ａを貫通してＰ導電型領域２ａに達する第２トレンチの側壁の表層部には、おもて面側Ｐ導電型領域４ａよりも不純物濃度が高い側壁Ｐ導電型領域４ｂが設けられている。 - 特許庁 - A wavelength conversion layer for converting a part of visible light emitted by a semiconductor light emitting element includes a first phosphor having an emission peak in a predetermined visible light range and a second phosphor having an emission peak in each of the predetermined visible light range and a predetermined near infrared light range.
半導体発光素子の発する可視光の一部を変換する波長変換層が、所定の可視光域に発光ピークを有する第１の蛍光体と、所定の可視光域と所定の近赤外光域にそれぞれ発光ピークを有する第２の蛍光体とを含む。 - 特許庁 - In a diode cell 20, a P-type resurf region 52 is formed as an anode having a depth deeper than a trench 38 of an IGBT cell 10 and a surface density lower than that of a channel layer 37, and a P+ type second contact region 55 is formed on a surface part of the resurf region 52.
ダイオードセル２０において、ＩＧＢＴセル１０のトレンチ３８よりも深く、チャネル層３７よりも面密度が小さいアノードとしてのＰ型のリサーフ領域５２が形成され、このリサーフ領域５２の表層部にＰ＋型の第２コンタクト領域５５が形成されている。 - 特許庁 - The optical scattering layer 20 may be substituted for an adhesive material (transparent resin) for sticking the first and the second optical retardation plates 17 and 18 to each other, and the adhesive material is made to have a haze degree of 48-67, by incorporating plastic beads 21 to be transparent fine particles into the adhesive material.
この光散乱層２０は、第１位相差板１７と第２位相差板１８とを貼り合わせる粘着材（透明樹脂）でもって代用してもよく、この粘着材中に透明微粒子であるプラスチックビーズ２１を含有させることで、ヘイズ度を４８〜６７にする。 - 特許庁 - The semiconductor device is constituted so that it has a plurality of core material layers, lands 31 installed onto the surfaces of each core material layer, first vias 32 passing through the lands 31 on one surface of the core material layers 13, and second vias 34 isolated from the lands 31 on one surface of the core material layers 13.
半導体装置は、複数のコア材層と、各コア材層の表面に設けられたランド３１と、コア材層１３の一つの表面においてランド３１を通る第１のビア３２と、コア材層１３の一つの表面においてランド３１とは独立した第２のビア３４とを備えた構成とする。 - 特許庁 - A radiation imaging device 1 includes, in a pixel portion 12, a photoelectric conversion part 111 including a pixel transistor and a photodiode, an insulation film 112, a protective film 113, a second substrate 114, a lens array 115, a planarization film 116, and a scintillator layer 117 in this order on a first substrate 11.
放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。 - 特許庁 - The spin valve magnetic head has a magnetic domain control structure where a first and a second antiferromagnetically coupled magnetic domain control layers 19 and 21 both having the same magnetization are stacked on a soft magnetic free layer 17, and can make both the high output level and stabilization.
反強磁性結合した磁化量の等しい第一の磁区制御層１９及び第二の磁区制御層２１を軟磁性自由層１７上に積層した磁区制御構造を有するスピンバルブ型磁気ヘッドで高い再生出力と高い安定性を両立することを実現した。 - 特許庁 - In this process, in the upper of the part where the second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown laterally in epitaxial manner, propagation of through dislocation which group III nitride-based compound semiconductor layer 31 has is restrained and a region where through dislocation is reduced can be made in the filled steps.
このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁 - The bandpass filter 1 includes: a first capacitance electrode 13 electrically connected to a resonance electrode 7; and a second capacitance electrode 15 electrically connected to the first capacitance electrode and facing the first capacitance electrode via a dielectric layer.
また、これらの電極パターンの形状を変化させて共振周波数を小さくした場合、共振周波数と共振周波数の２倍の周波数帯域の間であって減衰量の小さい帯域が通過帯域から外れてしまうため、通過帯域における信号が大きく減衰してしまう。 - 特許庁 - The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D.
スイッチング用トランジスタ１３は、半導体基板１１上に第２導電型のソース領域１３Ｓおよびドレイン領域１３Ｄを形成し、ソース領域１３Ｓとドレイン領域１３Ｄの間の領域上に絶縁層１２ａを介してゲート電極１３Ｇを形成して構成する。 - 特許庁 - A first latching movable shuttle 103 is formed in the second layer, and, in response to predetermined acceleration of the MEMS device, is moved to a first direction with respect to the wafer to change the operation condition of the MEMS device from a first switch state to an intermediate switch state.
第１ラッチング可動シャトル１０３は第２層内に形成され、第１可動シャトルはＭＥＭＳ装置が所定の加速されることに応答して、ウェハに対する第１の方向に移動され、ＭＥＭＳ装置の動作条件を第１のスイッチ状態から中間のスイッチ状態へと変更する。 - 特許庁 - A copper foil 23, which is combined with a polyamide tape 21, is smoothed by applying a first etching treatment (b) to the copper foil 23, then, a photo resist coating (d), a light exposure/developing (e), and a second etching treatment (f) are applied in order, for a specified pattern on a wiring layer 4 to be formed.
ポリイミドテープ２１と複合化された銅箔２３に第１のエッチング処理（ｂ）を施すことにより銅箔２３の表面を平滑化した後、フォトレジスト塗布（ｄ）、露光・現像（ｅ）および第２のエッチング処理（ｆ）を順に施し、所定のパターンの配線層４を形成する。 - 特許庁 - The rare-earth magnet 1 can be obtained by forming the protection layer 4 so that, after the magnet element assembly 2 is processed with a first processing agent containing metal ions and subsequently a second processing agent having a different pH from the first processing agent, the inorganic particles 6 separated thereby are covered.
この希土類磁石１は、磁石素体２を、金属イオンを含む第１の処理液、及び、第１の処理液とは異なるｐＨを有する第２の処理液で順に処理した後、これによって析出した無機粒子６を覆うように保護層４を形成することで得ることができる。 - 特許庁 - Both of the scattering films 10a, 10b constituting the scattering film layer 10 are forward scattering films which scatter transmitted light from a second incident angle region containing no film normal stronger than transmitted light from a first incident angle region containing the film normal.
この散乱フィルム層１０を構成する散乱フィルム１０ａ、１０ｂの双方を、フィルム法線方向を含む第１の入射角領域からの透過光よりもフィルム法線方向を含まない第２の入射角領域からの透過光を強く散乱させる前方散乱フィルムとする。 - 特許庁 - The surface layer of the development roller contains a polysiloxane containing a fluoroalkyl group and an oxyalkylene group and a polysiloxane comprising a first unit represented by SiO_0.5R^1(OR^2)(OR^3), a second unit represented by SiO_1.0R^4(OR^5) and a third unit represented by SiO_1.5R^6.
現像ローラの表面層が、フッ化アルキル基及びオキシアルキレン基を含有するポリシロキサンを含有し、かつ、ＳｉＯ_0.5Ｒ^1（ＯＲ^2）（ＯＲ^3）で示される第１のユニット、ＳｉＯ_1.0Ｒ^4（ＯＲ^5）で示される第２のユニット及びＳｉＯ_1.5Ｒ^6で示される第３のユニットを有するポリシロキサンを含有する。 - 特許庁 - A first identification mark is formed at the leading part of the ground of the metal pattern layer obtained from the first shot S1, a second identification mark is formed at the rear part of the ground obtained from the n-th shot Sn, and surfaces of the shielding material area between the two identification marks are counted to grasp the number of surfaces.
第１ショット部Ｓ１から得られる金属パターン層のアース部の先頭部に第１識別マークが形成され、第ｎショット部Ｓｎから得られるアース部の後尾部に第２識別マークが形成されるようにし、２つの識別マークの間のシールド材領域をカウントして面数を把握する。 - 特許庁 - A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.
Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁 - The first filter layer is used to receive a biological sample and disk-shaped, has a size deposited in the sealing space provided by mutually engaging the bulge portion of the first sheet and the depression of the second sheet, and comprises components such as sodium azide (NaN_3), sodium dihydrogen phosphate (NaH_2PO_4), and urea.
第１ろ過層は検体の受けに用い、円盤状の構造を有し、その大きさは第１片体の凸部と該第２片体の凹部の相互に嵌合する密閉空間内に収容され、アジ化ナトリウム（ＮａＮ_3）、リン酸二水素ナトリウム（ＮａＨ_2ＰＯ_4）、尿素（Ｕｒｅａ）等の成分を具備する。 - 特許庁 - The bandpass filter has a plurality of first parallel resonance circuits, in which a coil and a capacitor are connected in parallel with a serial arm and a second parallel resonance circuit, in which a coil and a capacitor are connected in parallel with a parallel arm in a laminate, in which an insulator layer and a conductor pattern are laminated.
絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、直列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された複数の第１の並列共振回路を接続し、並列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された第２の並列共振回路を接続したバンドパスフィルタが形成される。 - 特許庁 - In stationarily fixing the magenta thermal coloring layer of a rear end in the fixing direction of a recording area, an emission intensity of the second fixing lamp M2 for magenta disposed at the uppermost stream side in the fixing direction is made stronger than that of the first fixing lamp M1, so that a fixing shortage part is fixed promptly.
記録エリアの定着方向後端のマゼンタ感熱発色層を静止定着する際には、定着方向の最上流側に配置したマゼンタ用第２定着ランプＭ２の発光強度を第１定着ランプＭ１よりも強くして、定着不足部分の定着を迅速に行なう。 - 特許庁 - The laminated material has a core material 11, which comprises a porous material having an adhesive layer 12 comprising a liquid adhesive applied to its surface, as a first sheet material and also has a backing material 17, as a cover material for covering the undersurface being the surface of the core material 11, as a second sheet material.
積層材１０は、第１のシート材として、表面に塗布された液状接着剤からなる接着層１２を有する多孔質体からなる芯材１１と、第２のシート材として、該芯材１１の表面である下面を被覆する被覆材としての裏皮材１７とを有している。 - 特許庁 - This semiconductor laser device is provided with an active layer on a semiconductor substrate and resonators faced to the both ends of the semiconductor substrate, wherein a first dielectric film formed of oxide and a second dielectric film formed of oxynitride are successively laminated on the resonator end surface.
半導体基板上に活性層を有し、半導体基板両端に互いに向かい合う共振器を有し、共振器端面に酸化物で形成された第１の誘電膜、酸窒化物で形成された第２の誘電膜が順次積層された構造を備える半導体レーザ素子。 - 特許庁 - To provide a visible light sensitive resin composition having enough sensitivity to visible light region, especially, to second harmonics of He-Cd laser, argon laser, and YAG laser, excellent in storage stability, and capable of forming an excellent photosensitive layer for a visible light laser.
可視光領域、特に、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、アルゴンレーザー及びＹＡＧレーザーの第二高調波に十分な感度を有し、かつ、保存安定性に優れており、可視光レーザー用の優れた感光層を形成することが可能な可視光感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - Successively, a second seed layer which can adjust a boron content and is used for forming the insulating film 18 is formed using triethyl borate, tetraethyl orthosilicate and oxygen gas, and the insulating film 18 comprising the BPSG film is formed using riethyl borate, triether phosphate, tetraethyl orthosilicate and ozone gas.
続けて、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成のための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁 - Since a polarization function and a diffraction function are separately provided to an inorganic polarizing plate 1 or a diffraction grating layer 4, the satisfactory functions of polarization and diffraction can be provided to first and second optical elements 20 and 25 by independently setting respective functions.
偏光機能と回折機能とを分離して、無機偏光板１または回折格子層４に別々に持たせているため、それぞれの機能を独立して設定することにより、第１および第２光学素子２０，２５に偏光および回折としての十分な機能を持たせることができる。 - 特許庁 - The self-aggregate single molecule layer is removed from a lower substrate following the second pattern by bringing the inert etchant into contact with the exposed portion of the IZO or ITO film.
ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集合単分子層については不活性であるエッチャントと、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触させることにより、第２のパターンにしたがって、下側の基板から除去される。 - 特許庁 - The nanocomposite powder for inner electrodes of multilayer ceramic electronic components includes first metal particles having electrical conductivity, and a second metal coating layer formed on a top or a bottom of the first metal particles and having a higher melting point than that of the first metal particles.
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の内部電極用ナノ複合粉末は、電気伝導性を有する第１金属粒子と、第１金属粒子の上部または下部に形成され、第１金属粒子より融点が高い第２金属コーティング層と、を含む。 - 特許庁 - The method for making a carbon nanotube composite material includes: a first step of providing a carbon nanotube structure comprising a plurality of carbon nanotubes; and a second step where at least one conductive coating layer is covered on the surface of respective carbon nanotubes in the carbon nanotube structure.
本発明のカーボンナノチューブ複合物の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体における各々のカーボンナノチューブの表面に、少なくとも一つの導電性層を被覆する第二ステップと、を含む。 - 特許庁 - Thereby, local deposition of lithium is generated in the negative electrodes; and when it pierces a second lithium ion conducting thin film, lithium deposited at that position comes into contact with the sulfide-based lithium ion conducting solid electrolyte, so that a layer lacking lithium ion conductivity is chemically formed.
これによって、負極において金属リチウムの局部的な析出がおこり、第２のリチウムイオン伝導性薄膜を突き抜けた場合、その部位の析出した金属リチウムは硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質との接触により、リチウムイオン伝導性に欠ける層が化学的に形成される。 - 特許庁 - A first additive such as yttrium is diffused in the surface layer of the composition powder such as barium titanate, then a second additive such as barium, magnesium, manganese and silicon effective to control the temperature characteristics is added to obtain the dielectric ceramic powder.
チタン酸バリウム等の基本組成物からなる基本組成物粉末の表面層に、イットリウム等の第１の添加成分をまず拡散させ、その後、温度特性の調整に効果のあるバリウム、マグネシウム、マンガンおよびケイ素等の第２の添加成分を加えて、誘電体セラミック原料粉末を得る。 - 特許庁 - A laminated element including a transparent support coated with a thermally irreversible layer containing an ethylene/acrylic acid copolymer, a first polyurethane and a second polyurethane polymer, having pH of at least 10 and containing metallic or amphoteric cations is provided.
本発明に従えば、エチレン−アクリル酸コポリマー、第１のポリウレタンポリマー及び第２のポリウレタンポリマーを含んでなり、少なくとも１０のｐＨを有し且つ金属性もしくは両性カチオンを含有する熱的に不可逆的な層がコーティングされた透明支持体を含んでなる積層要素が提供される。 - 特許庁 - The outermost surface layer of the image carrier contains first fluorine resin particles, and the toner contains toner particles and second fluorine resin particles.
像保持体の最表面層が第１フッ素樹脂粒子を含み、トナーがトナー粒子と第２フッ素樹脂粒子とを含み、且つ第１フッ素樹脂粒子の体積平均一次粒径Ｄ１とし、前記第２フッ素樹脂粒子の体積平均一次粒径をＤ２としたとき、下記式（１）で示される関係を満たす画像形成装置。 - 特許庁 - Since a polarization function and a diffraction function are separately provided to a polarization resin film 1 or a diffraction grating layer 4, the satisfactory functions of polarization and diffraction can be provided to first and second optical elements 20 and 25 by independently setting respective functions.
偏光機能と回折機能とを分離して、偏光樹脂フィルム１または回折格子層４に別々に持たせているため、それぞれの機能を独立して設定することにより、第１および第２光学素子２０，２５に偏光および回折としての十分な機能を持たせることができる。 - 特許庁 - Since the iridium has a high adhesiveness to doped-polysilicon and an extremely low adhesiveness to BPSG, the second lower electrode 10 is selectively left only on the connecting layer 9.
そして、層間絶縁膜７及び接続層９の上にイリジウムからなる第２の下部電極１０を堆積させることにより、イリジウムはドープドポリシリコンに対し密着性が高く、ＢＰＳＧに対し密着性がきわめて低いから、第２の下部電極１０は、接続層９の上のみに選択的に残る。 - 特許庁 - The layer (80) consists of a light shielding electrically conductive film and includes a second capacitive electrode which are placed opposite to a first capacitive electrode that is a portion of the capacitive line across the interlayer insulation film and a light shielding section that at least covers the scanning line partially from the top through the interlayer insulation film.
中間導電層は、遮光性の導電膜からなり、容量線の一部である第１容量電極に層間絶縁膜を介して対向する第２容量電極を含むと共に走査線を少なくとも部分的に層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む。 - 特許庁 - The HIC 11 includes a plurality of vias 28 in a substrate layer 12, a plurality of mesas 20 having etched portions, a sealing ring 18, a plurality of internal conductive leads 26 formed on the first surface of the HIC 11, and a plurality of external conductive leads 30 formed on the second surface of the HIC 11.
ＨＩＣ１１は、基板層１２の中の複数のバイア２８と、エッチングされた部分を有する複数のメサ２０と、シールリング１８と、ＨＩＣ１１の第１面上の複数の内部導電性リード２６と、ＨＩＣの第２面上の複数の外部導電性リード３０とを含む。 - 特許庁 - In the both sided wiring board having a recess 106 closed on the first side of an insulator 101 and opening to the second side thereof, the closed part 1061 in the recess is irradiated with laser light in order to remove foreign matters and to form a roughened exposed surface 1031 on a first conductive layer 108.
絶縁体１０１の第１面側にて閉塞し第２面に開口する凹部１０６を形成した両面配線基板にて、上記凹部の閉塞部１０６１に対してレーザー光を照射して、異物の除去及び粗面化をした露出面１０３１を第１導電層１０８に形成する。 - 特許庁 - A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.
処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁 - In the PDP 10, a protective film 114 is formed of a first protective film region 114a and a second protective film region 114b, and both protective film regions 114a, 114b contact a dielectric layer 1134 and face a discharge space 13.
ＰＤＰ１０では、保護膜１１４が第１の保護膜領域１１４ａと第２の保護膜領域１１４ｂとから構成されており、両保護膜領域１１４ａ、１１４ｂは、ともに誘電体層１１３４に接し、且つ、ともに放電空間１３を臨むように形成されている。 - 特許庁 - The first electrode 10 is formed into a wire-like shape, is constituted of at least the first conductive wire material 11 and a porous oxide semiconductor layer 12, arranged in an outer circumference of the first wire material and carrying a pigment and is arranged to be wound around an outside of the second electrode 20.
第一電極１０は、線状をなし、少なくとも導電性を有する第一線材１１と、該第一線材の外周に配され色素を担持した多孔質酸化物半導体層１２とから構成され、かつ、前記第二電極の外側を巡るように配される。 - 特許庁 - A first resin pattern 12p having lower adhesiveness to the surface of an unhardened resin sheet than the surface of a first conductive substrate having the conductive surface is formed on the first conductive substrate (10, 11) to form a master substrate for the formation of a second conductive layer.
表面が導電性である第１の導電性基板（１０，１１）上に、第１の導電性基板の表面よりも未硬化樹脂シートの表面に対して接着性が低い第１の樹脂パターン１２ｐを形成して第２の導電層形成用のマスター基板を形成する。 - 特許庁 - A thermoplastic sheet 19 is arranged on the upper substrate 15 so as to cover a through-hole 18, the thermoplastic sheet 19 is deformed by being pressed by the heated pin 20 to the cantilever 17, and the switch 10 is closed by maintaining the connection state to the second wiring layer 13 of the cantilever 17.
上部基板１５上には、貫通穴１８を覆うように熱可塑性シート１９を配置し、熱可塑性シート１９を加熱したピン２０でカンチレバー１７に押圧することで変形させてカンチレバー１７の第２の配線層１３への接続状態を維持させてスイッチ１０を閉じる。 - 特許庁 - Heat transfer is promoted because a boundary layer is not formed thereby on the surfaces of the fins 5 and the tubes 2, and the heat exchange efficiency is remarkably enhanced thereby between the first fluid such as a coolant flowing inside the tubes 5 and the second fluid such as the air flowing in the outside thereof.
それによってフィン５やチューブ２の表面に境界層が形成されないため、伝熱が促進されることから、チューブ２の内部を流れる冷媒のような第１の流体と、外部を流れる空気のような第２の流体との間の熱交換効率が著しく向上する。 - 特許庁 - The second semiconductor layers and the third semiconductor layers are arranged in a dotted manner when viewed from a direction perpendicular to a principal surface of the first semiconductor layer, and a periodic structure of an outermost periphery of the periodic array structure is different from periodic structures of the periodic array structure other than the outermost periphery.
第１半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、第２半導体層と、第３半導体層と、はそれぞれドット状に配置され、周期的配列構造の最外周の周期構造は、最外周以外の周期的配列構造の周期構造と異なる。 - 特許庁 - This optical head 10 is provided with, on the emission plane 14 of a solid-dipped lens 12, an electrode 21 made of a nontransparent material having a first slit-like very small opening 22, a semiconductor layer 25 functioning as an optical sensor, and an electrode 26 made of a nontransparent material having a second slit-like very small opening 27.
固浸レンズ１２の出射平面１４上に、第１のスリット状微小開口２２を有する不透明材料からなる電極２１、光センサとして機能する半導体層２５、第２のスリット状微小開口２７を有する不透明材料からなる電極２６を形成した光ヘッド。 - 特許庁 - After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.
基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁
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