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半導体装置は、第１導電型の不純物を含む素子形成領域１２を有する半導体基板１０と、素子形成領域１２の上にゲート絶縁膜１４を介在させて形成されたゲート電極１５と、素子形成領域１２におけるゲート電極１５の外側方に形成され、第２導電型の不純物を含むシリコン混晶層２２とを備えている。 - 特許庁 - The second polarizing and selective reflecting layer 7 transmits a light component with λ/4-phase difference given to S component and reflects a light component with λ/4-phase difference given to P component.
第１偏光選択反射層３は、直線偏光板５を透過する光のＳ成分を透過させる一方、直線偏光板５によって吸収される光のＰ成分を反射するものであり、第２偏光選択反射層７は、Ｓ成分にλ／４の位相差が与えられた光成分を透過させる一方、Ｐ成分にλ／４の位相差が与えられた光成分を反射するものである。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer.
シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第１導電形の重くドープした基板の上表面に第２導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも１つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。 - 特許庁 - The thermal transfer image receiving sheet is obtained by a method wherein an ink receiving layer forming solution having a first constituent of the polyester resin, a second constituent of a curing agent for curing the polyester resin, a third constituent of a silica made hydrophobic, a fourth constituent of a hydrophobic ethyl cellulose and a fifth constituent of a solvent is applied on the surface of the substrate and dried.
熱転写基板の表面にインク受容層を設けた熱転写受像シートにおいて、第１成分がポリエステル樹脂、第２成分がポリエステル樹脂を硬化させるための硬化剤、第３成分が疎水化したシリカ、第４成分が疎水性のエチルセルロース及び第５成分が溶剤からなるインク受容層形成溶液を基板表面に塗布、乾燥して得られる熱転写受像シート。 - 特許庁 - The filter is obtained by joining the first and second parallel flat plates with an adhesive layer in such a manner that the antireflection film and the band pass filter film form outer faces and that the two film planes form a specified inclination angle.
上面に反射防止膜を形成した第1の平行平面板と、下面にバンドパスフィルタ膜を形成した第2の平行平面板とから成り、前記反射防止膜とバンドパスフィルタ膜それぞれが外面を形成するとともに、当該2つの膜面が所定の傾斜角度を形成するように前記第1及び第2の平行平面板を接着層を介して接合したことを特徴とする光バンドパスフィルタ。 - 特許庁 - In a semiconductor device having a damascene structure, a TaN film 7 and a Ti film 8 composed of Ti exhibiting good wettability to Cu are formed respectively, as a barrier layer, on the inside walls of a wiring groove G2 and a via hole V2 formed in a second interlayer insulating film 6, so that a Cu seed film 9a can be formed uniformly on the Ti film 8.
ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。 - 特許庁 - This plasma display device has barrier ribs 13 formed to partition a plurality of main discharge cells 15 each formed with a scanning electrode 6, a sustaining electrode 7 and a data electrode 10, and a plurality of priming discharge cells 16 each formed with the scanning electrode 6 and a priming electrode 12; and is provided with a second dielectric layer 20 covering the priming electrodes 12 in the priming discharge cells 16.
走査電極６および維持電極７とデータ電極１０とで形成される複数の主放電セル１５と、走査電極６とプライミング電極１２とで形成される複数のプライミング放電セル１６とを区画するように形成した隔壁１３とを有し、プライミング放電セル１６内にプライミング電極１２を覆う第２誘電体層２０を設ける。 - 特許庁 - In the transparent conductive laminate in which a transparent conductive layer is formed on at least one side of a transparent polymer substrate, the transparent polymer substrate contains an aliphatic polyester resin (A component) and a compound (C component) including at least a cyclic structure which has one carbodiimide group in which the first nitrogen and the second nitrogen are bonded by a bonding group.
透明高分子基板の少なくとも一方の面に透明導電層が形成されてなる透明導電性積層体において、前記透明高分子基板が脂肪族ポリエステル系樹脂（Ａ成分）とカルボジイミド基を１個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造を少なくとも含む化合物（Ｃ成分）を含む。 - 特許庁 - A gas turbine engine 10 is provided with at least one airfoil 50 including the first side 64 and the opposite second side 66, at least one capillary 84 positioned adjacent to at least one of the external surfaces 88 of aerofoil, and at least one composite layer 90 securing the at least one capillary to the at least one aerofoil.
ガスタービンエンジン（１０）は、第１の側部（６４）および相対する第２の側部（６６）を有する少なくとも１つのエーロフォイル（５０）と、少なくとも１つの前記エーロフォイルの外面（８８）に隣接して配置された少なくとも１つの毛細管（８４）と、少なくとも１つの前記毛細管を少なくとも１つの前記エーロフォイルに固定する複合材層（９０）と、を備える。 - 特許庁 - In an electrode forming step, in forming a p-type ohmic electrode composed of a metal film comprising a Pd film and a Ta film by successive lamination of the Pd film which is a first p-type ohmic electrode 10 and the Ta film which is a second p-type ohmic electrode 11 on a p-type GaN contact layer 7, the metal film is formed to include an oxygen atom.
電極形成工程において、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上に、第１ｐ型オーミック電極１０であるＰｄ膜および第２ｐ型オーミック電極１１であるＴａ膜を順次形成して、Ｐｄ膜およびＴａ膜から成る金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を形成するとき、金属膜中に酸素原子が含まれるように金属膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a color filter for semi-transmissive liquid crystal display devices, which has a level difference between a transmissive display area and a reflective display area and has a first alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a color pixel for transmissive display and has a second alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a transparent resist layer.
透過表示領域と反射表示領域に段差があっても、透過表示の着色画素上には所望する高さを有し、表面荒れのない第一配向制御突起が、透明レジスト層上には所望する高さを有し、表面荒れのない第二配向制御突起が形成された半透過型液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。 - 特許庁 - The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by annealing the press molded product obtained by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.
転移点が550℃以上である光学ガラス（第一のガラス）からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁 - The second metallized pattern 12 is partially provided to the outer edge 11a of the first metallized pattern 11 by which a ceramic board 2 can be more firmly bonded to the metallized layer 10, and the ceramic board 2 mounted with an electronic part 100 is hermetically sealed with the lid member by which the ceramic part 100 can be made to operate normally and stably for a long term.
第２のメタライズパターン１２を第１のメタライズパターン１１の外縁部１１ａに部分厚付けすることにより、セラミック基板２とメタライズ層１０との間の接合強度が向上され、蓋部材３により電子部品１００を搭載しているセラミック基板２を気密に封止し、電子部品１００を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.
ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁 - A filter 3, 4 is constituted by a layered structure successively laminating a heater 32 consisting of a heat resistant metal wire extended substantially in parallel, a first/second ceramics non-woven fabric 33 and 35 laminating a heat resistant ceramics fiber at random, a catalytic layer 34 arranged between these non-woven fabrics to include a catalyst reducing a temperature of combustion, and a wire net 36 weaving a heat resistant metal wire.
フィルタ３，４は，実質的に平行に延びている耐熱性金属線から成るヒータ３２，耐熱性のセラミックス繊維がランダムに積層された第１と第２のセラミックス不織布３３と３５，それらの間に配設された燃焼温度を低減させる触媒を含んだ触媒層３４，及び耐熱金属線を網み込んだ金網３６を順次積層した積層構造に構成されている。 - 特許庁 - It also has a capacity element 20 having a lower electrode 21 formed as a part of the first wiring pattern 14, and a capacity insulating film 22 and an upper electrode 23 formed on the lower electrode 21 one by one; and a protection film 24 covering the capacity insulating film 22, the upper electrode 23, and a part of the lower electrode 21, and covered by the second insulating layer 13.
また、第１の配線パターン１４の一部として形成された下部電極２１、並びに、下部電極２１上に順次に形成された容量絶縁膜２２及び上部電極２３を有する容量素子２０と、容量絶縁膜２２及び上部電極２３と下部電極２１の一部とを覆い、且つ、第２の絶縁層１３によって覆われる保護膜２４とを備える。 - 特許庁 - A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.
ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁 - The subassembly 20 is provided with a plurality of solar battery cells 21, first and second light-transmissive plate-shaped resin members 24 and 23 respectively positioned on the light receiving surface sides and no-light receiving surfaces sides of the solar battery cells 21, and a light-transmissive packed layer 25 which is positioned between the resin members 23 and 24 to seal the solar battery cells 21.
太陽電池モジュールサブアセンブリ２０は、複数の太陽電池セル２１と、この太陽電池セル２１の受光面側に位置する透光性の第１板状樹脂部材２４および非受光面側に位置する透光性の第２板状樹脂部材２３と、これら板状樹脂部材２３，２４の間に位置し、太陽電池セル２１を封止する透光性の充填層２５とを備える。 - 特許庁 - This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.
半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 is provided with two capacitor electrodes 11 which are formed with an interval from each other and have conductive impurities of first conductivity types, and an electrode isolating film 14 which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the two capacitor electrodes 11 and has conductive impurities of second conductivity types different from the first conductivity types.
半導体装置１は、互いに距離を隔てて形成され、第１導電型の導電性不純物を含む２つのキャパシタ電極１１と、２つのキャパシタ電極１１の間に位置し、２つのキャパシタ電極１１と同一レイヤによって構成されるとともに、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の導電性不純物を含む電極分離膜１４とを備える。 - 特許庁 - The ink jet nozzle comprises a first step for forming an electrically insulating resist pattern 2a on an electroforming supporting substrate 1, a second step for electroforming a basic body of nozzle 3 on the electroforming supporting substrate 1, and a third step for forming an ink repellent treatment layer 4 on the basic body of nozzle 3 by ink repellent surface treatment while connecting the electroforming supporting substrate 1 with the basic body of nozzle 3.
本発明のインクジェットノズルの製造方法は、電鋳支持基板１上に電気絶縁性のレジストパターン２ａを形成する第１の工程と、電鋳により電鋳支持基板１上にノズル基体３を形成する第２の工程と、電鋳支持基板１とノズル基体３を接続したまま撥インク表面処理によりノズル基体３上に撥インク処理層４を形成する第３の工程とを有する。 - 特許庁 - Since the RIE process is ended when the first and second RIE stopper layers 36 and 42 located at the substantially same height are exposed, variation in height of the upper surface of a lamination 22 and the upper surface of a region where the bias layer 41 is formed to spread to the opposite sides thereof can be reduced and variation in distance between shields can be reduced as compared with prior art.
このＲＩＥ工程を、ほぼ同じ高さ位置にある第１のＲＩＥストッパ層３６と第２のＲＩＥストッパ層４２が露出したときに終了することで、積層体２２の上面と、その両側に広がるバイアス層４１が形成されている領域の上面との高さ寸法のばらつきを小さくでき、従来に比べて、シールド間距離のばらつきを小さくすることが可能である。 - 特許庁 - In individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device, a plurality of hydrophilic regions containing at least a first hydrophilic part which is relatively more hydrophilic and a second hydrophilic part which is relatively less hydrophilic and is connected to the first hydrophilic part are regularly formed.
マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうちで画素に対応する個々の領域内に、相対的に高親水性の第１親水部と該第１親水部に連なる相対的に低親水性の第２親水部とを少なくとも含んでいる親水性領域を複数、規則的に形成する。 - 特許庁 - The apparatus for manufacturing polarized substrates for a laminated electric double layer capacitor comprises a first printer 22 having a gravure cylinder surface 3 for printing a continuous belt shape of a conductive coating material 21 on one surface of an aluminum foil 20, and a second printer 23 having a gravure cylinder surface 12 for printing a rectangular shape of the conductive coating material 21 on the other surface of the aluminum foil 20.
アルミ箔２０の一方の面に、連続した帯状に導電性塗料２１を印刷するグラビア版３を有する手段としての第一印刷装置２２と、アルミ箔２０のもう一方の面に、長方形状に導電性塗料２１を印刷するグラビア版１２を有する手段としての第二印刷装置２３と、を備える積層型電気二重層キャパシタの分極基材の製造装置。 - 特許庁 - In this bipolar transistor formed on a silicon substrate 1, the basic structure is constituted of an intrinsic base 6 having a one conductivity type impurity formed on the surface of a semiconductor substrate, and an emitter 10 having the opposite conductivity type impurity embedded in the intrinsic base 6, and single crystal silicon 9a having an opposite conductivity type impurity and a second poly silicon 11 formed in a layer stack on the emitter 10.
シリコン基板１上に形成されるバイポーラトランジスタであって、その基本構造では、半導体基板表面に一導電型不純物を有する真性ベース６が形成され、真性ベース６に埋め込まれて逆導電型不純物を有するエミッタ１０が形成され、エミッタ１０上に逆導電型の単結晶シリコン９ａと第２のポリシリコン１１が積層して形成されている。 - 特許庁 - To reliably realize the stably fixed state of a touch panel 30 to a liquid crystal display panel 10 without causing bubbles between the touch panel and the liquid crystal display panel 10, in a liquid crystal display wherein the liquid crystal display panel 10 and the touch panel 30 wherein a gas layer 34 is disposed between first and second two transparent sheets 31 and 32 are stuck to each other by using an adhesive.
液晶表示パネル１０と、第１および第２の２枚の透明シート３１，３２間に気体層３４が配置されてなるタッチパネル３０とを、接着剤により互いに貼り合わせるようにした液晶表示装置において、タッチパネルと液晶表示パネル１０との間に気泡を生じさせずに、液晶表示パネル１０に対するタッチパネル３０の安定した固定状態を確実化できるようにする。 - 特許庁 - The aluminum electroplating method includes a first stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the material to be plated, a non-conducting step for forming an electric insulating layer on the surface of the aluminum plating film and a second stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the surface of the material where the aluminum plating film is not formed in the first stage aluminum electroplating step.
被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。 - 特許庁 - The cathode used in the lithium secondary battery contains 5 to 75 parts by mass each of a first and a second cathode active materials as complex oxides of two kinds of spinel structure with different kinds of constituent elements with lithium and manganese as essential ingredients, and 15 to 45 parts by mass of a third cathode active material as an oxide of a layer structure containing lithium and nickel.
リチウムとマンガンを必須成分とし、構成する元素の種類が異なる二種類のスピネル構造の複合酸化物である第一の正極活物質、第二の正極活物質のそれぞれを、５質量部から７５質量部と、リチウムとニッケルを含有し層状構造の酸化物である第三の正極活物質を１５質量部から４５質量部とを含む正極およびそれを用いたリチウム二次電池。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a semiconductor device on a surface thereof; an interconnection formed on the semiconductor substrate; a via connected to the under side of the interconnection; a first insulating film formed on the same layer of the via; and a second insulating film integrally formed between the first insulating film and the interconnection, and between the first insulating film and the via.
本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線と、前記配線の下側に接続されるビアと、前記ビアと同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記配線との間、および前記第１の絶縁膜と前記ビアとの間に一体に形成された第２の絶縁膜と、を有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device acquires focus values measured for regions having different reflectance respectively due to films formed at a lower layer than a resist 6 formed above a wafer 3, brings a focus value acquired at a second region 32 having a higher reflectance than that of a first region 31 closer to a focus value acquired at the first region 31 having a lower reflectance, and carries out exposure processing.
半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 - 特許庁 - A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.
半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁 - An electronic apparatus 1 has: a semiconductor chip 10 having a function region 10a at a desired position; a wiring board 30 bonded with the semiconductor chip 10 mechanically and electrically in a form of lamination layer; at least one first junction member 50 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30; and a second junction member 70 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30.
電子装置１は、所望する位置に機能領域１０ａを有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０と機械的且つ電気的に積層状に接合する配線基板３０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する少なくとも１つの第１の接合部材５０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する第２の接合部材７０と、を具備する。 - 特許庁 - The resin structure has a resin layer formed by subjecting the first coating film formed on a substrate made of a resin composition comprising an epoxy resin and/or an oxetane resin being solid at ordinary temperatures, a photoacid generator and an organic solvent and the second coating film formed on the first coating film with a resin composition containing a cation-polymerizable modified silicone to simultaneous exposure to light for development.
常温で固体のエポキシ樹脂及び／又はオキセタン樹脂、光酸発生剤及び有機溶剤を含む樹脂組成物からなる基材上に形成された第１の塗膜と、カチオン重合可能な変性シリコーンを含有する樹脂組成物によって前記第１の塗膜上に形成された第２の塗膜とを一括露光、又は一括露光と現像して形成した樹脂層を有することを特徴とする樹脂構造体。 - 特許庁 - The low-temperature co-fired ceramic substrate comprises a ceramic body in which one or more first dielectric layers having a diopside-based crystallized glass are laminated, and a second dielectric layer which is formed on at least one surface of the upper surface and the lower surface of the ceramic body, fired with the first dielectric layers at a firing temperature for the first dielectric layers, and contains ≥10 wt.% of amorphous substances.
本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。 - 特許庁 - The thermal transfer system 10 includes: a delivering unit 16 sending out the ink ribbon 13; a first transfer device 17 arranged downstream of the delivering unit 16; a winding unit 21 arranged downstream of the first transfer device 17 and winding up the ink ribbon 13 completing ink transfer; and a second transfer device 22 provided in the vicinity of the winding unit 21 and heating the ink ribbon 13 completing ink transfer from a support layer 11 side.
熱転写システム１０は、インクリボン１３を送り出す送出部１６と、送出部１６の下流側に配置された第１転写装置１７と、第１転写装置１７の下流側に配置され、インク転写済のインクリボン１３を巻き取る巻取部２１と、巻取部２１の近傍に設けられ、インク転写済のインクリボン１３を支持層１１側から加熱する第２転写装置２２と、を備えている。 - 特許庁 - An acoustic signal processing apparatus includes: a first assignment part for assigning ch to each of ch strips of an operating block based on selected layer information; a group creating part for creating a group comprised of the plurality of ch; a designation part for designating an operating block for deployment; and a second assignment part for assigning a plurality of ch of a deployment-instructed group to ch strips of the operating block designated by the designation part.
選択されたレイヤ情報に基づいて操作ブロックの各ｃｈストリップへのｃｈの割当を行う第１割当部と、複数のｃｈから構成されるグループを作成するグループ作成部と、展開用の操作ブロックを指定する指定部と、展開指示されたグループの複数ｃｈを前記指定部により指定された操作ブロックの各ｃｈストリップに割り当てる第２割当部を備える。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises a step of applying SOG(spin-on glass) much containing hydrogen to form a layer insulation film filling gaps between gate electrodes, a step of firstly baking at a first temperature in nitrogen atmosphere, a step of forming contact holes, and a step of secondly baking at a second temperature higher than the first temperature in nitrogen atmosphere or dilute steam after forming the contact holes.
ゲート電極間を埋め込む層間絶縁膜として、水素を多量に含むＳＯＧ(Spin-on Glass)を塗布する工程と、窒素雰囲気中で第１の温度にて第１の焼成を行う工程と、コンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホール形成後に、窒素雰囲気中もしくは希釈スチーム中で前記第１の温度よりも高温である第２の温度にて第２の焼成を行う工程と、を含む。 - 特許庁 - The pair of second electrodes contacts the end faces of the oxide semiconductor layer.
第１の電極と、第１の電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層と接して且つ第１の電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の端部を覆う一対の第２の電極と、一対の第２の電極及び酸化物半導体層を覆う絶縁層と、絶縁層に接して且つ一対の第２の電極の間に設けられる第３の電極と、を有し、一対の第２の電極は酸化物半導体層の端面に接する半導体装置である。 - 特許庁 - Then in manufacturing the first insulating film 2, the first semiconductor layer 3 and the second insulating film 4, the material which does not contain carbon in molecule composition is used.
第２絶縁膜に被覆された第１半導体層を溶融再結晶化する工程と、第２絶縁膜を除去することにより、溶融再結晶化により粒径拡大された第１半導体層を露出させる工程と、露出した第１半導体層の上に、第２半導体層をエピタキシャル成長する工程とを備えてなり、第１絶縁膜、第１半導体層および第２絶縁膜の作製においては、分子組成に炭素を含まない材料を用いる。 - 特許庁 - The mask is provided with a first light transmitting region 4 which is used for forming the region for the penetrating part on the substrate and whose mean transmittance is at least 90% and a second light transmitting region 5 which is used for forming the region for the not-penetrating surface layer part and whose mean transmittance is at most 50%.
多孔質の絶縁体における平均空隙の大きさは、回転半径で前記露光光の波長に対して1/20以上10倍以下であり、マスクは、基板に貫通部用領域を形成するための平均透過率90％以上の第一の光透過領域４と、非貫通表層部用領域を形成するための平均透過率50％以下の第二の光透過領域５とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The ferroelectric stacked-layer structure is fabricated by forming a first polycrystalline ferroelectric film 3a of polycrystal on a polycrystalline or amorphous substrate, and then planarizing a surface of the first ferroelectric film 3a, and laminating on the first ferroelectric film 3a having been planarized a second thin ferroelectric film 3b having the same crystalline structure as the first ferroelectric film 3a.
多結晶又は非晶質の基板上に、多結晶からなる第１の強誘電体膜３ａを形成した後、第１の強誘電体膜３ａの表面を平滑化処理し、平滑化処理された第１の強誘電体膜３ａ上に、第１の強誘電体膜３ａと同一の結晶構造を有する薄膜の第２の強誘電体膜３ｂを積層して、強誘電体積層構造を製造する。 - 特許庁 - The first specimen, for example, a biological sample, is immobilized overall the surface of the matrix substrate within a preliminarily specified area, then another specifimen comprising different second and layer reagents is applied in this area in the form of individually independent spots to inspect the reactivity between dindividual samples whereby the multi-item inspection of the biological specimens can be simultaneously and efficiently carried out.
基板上の予め規定された領域内の全面に、例えば検体生物試料である第１番目の試料を固定し、この領域に、この試料との反応性を検査する第２番目以降の異なる試薬からなる試料をそれぞれ独立のスポットとして付与して、各試料間での反応性を検定することで、検体生物試料の多項目検査を効率良く同時検定することができる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the nonvolatile memory device having a memory layer reversely shiftable between a first state and a second state includes a step of supplying a liquid, having surface tension smaller than that of water and substantially insoluble with water onto the surface of a substrate having the walls formed thereon and washing the substrate.
第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 - 特許庁 - The first generation image print is obtained via a toner image holding process for holding a toner image formed by toner particles containing at least a resin on a toner holding material layer formed on an image supporting substrate and at least the toner particles or the image supporting substrate separated from the first generation image print via a separation process is used for forming the second generation image print.
少なくとも樹脂が含有されてなるトナー粒子により形成されたトナー像を、画像支持基材上に形成されるトナー保持材層に保持させるトナー像保持処理工程を経ることによって第１代印画物を得、当該第１代印画物から分離処理を経ることにより分離されたトナー粒子および画像支持基材の少なくともいずれかを、第２代印画物の形成に供することを特徴とする。 - 特許庁 - The laminated impedance element 1 is provided with a high permeability coil 35 having a first winding L1 and a third winding L3 which are constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively high permeability, a low permeability coil 36 having a second winding L2 constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively low permeability, and an intermediate layer 37 constituted of an intermediate sheet.
積層型インピーダンス素子１は、相対的に高透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第１の巻回部Ｌ１及び第３の巻回部Ｌ３を有している高透磁率コイル部３５と、相対的に低透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第２の巻回部Ｌ２を有している低透磁率コイル部３６と、中間シートにて構成した中間層３７とが積層されたものである。 - 特許庁 - The antireflection layer is formed by curing a resin composition including: a first modified silicon compound having an acrylic or methacrylic group on at least one of both terminals thereof, and having a weight-average molecular weight of 8,000 or more; a second modified silicon compound having an acrylic or methacrylic group on a side chain thereof; a hollow or porous particle; and an ionizing radiation-curable resin.
反射防止層は、両末端の少なくとも１方にアクリル基またはメタクリル基を有し、かつ、重量平均分子量８０００以上を有する第１の変性シリコン化合物と、側鎖にアクリル基またはメタクリル基を有する第２の変性シリコン化合物と、中空粒子または多孔質粒子と、電離放射線硬化型樹脂とを含む樹脂組成物を硬化することにより形成される。 - 特許庁 - Between two electrodes 2 and 4 arranged opposite to each other of this organic EL element 9, an organic layer 3 containing a copolymer comprising a first monomer having a 10C or more aromatic group derived from a luminescent compound and one polymerizable functional group, and a second monomer having a 10C or more aromatic group derived from a luminescent compound and two or more polymerizable functional groups is formed.
有機ＥＬ素子９の互いに対向して配置された２つの電極２、４間に、発光性化合物から誘導される炭素数１０以上の芳香族基及び１個の重合性官能基を有する第１モノマーと発光性化合物から誘導される炭素数１０以上の芳香族基及び２個以上の重合性官能基を有する第２モノマーとのコポリマーを含有する有機層３を設ける。 - 特許庁 - A first internal electrode 50 is connected to two external terminal electrodes 56 and 57 adjoining at edge position and the external terminal electrode 61 on the side surface 46, while a second internal electrode 51 facing the first internal electrode 50 with a dielectrics layer 49 is connected to two adjoining external terminal electrodes 58 and 59 at edge position and the external terminal electrode 60 on the side surface 44.
第１の内部電極５０を、隣り合う２つの稜位置の外部端子電極５６，５７と側面４６上の外部端子電極６１とに接続するとともに、第１の内部電極５０に誘電体層４９を介して対向する第２の内部電極５１を、隣り合う他の２つの稜位置の外部端子電極５８，５９と側面４４上の外部端子電極６０とに接続する。 - 特許庁 - To effectively use the light irradiated to a light receiving surface to increase an output per element, reducing an amount used of element material, which cuts down the cost of a low light condensing type spherical solar cell including a supporting body which individually separates to support a plurality of spherical photoelectric conversion elements having a second semiconductor layer outside a first semiconductor and has a reflecting mirror surrounding the side surface of each element.
第１半導体の外側に第２半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。 - 特許庁 - The positive electrode active material is made by providing a coated layer containing at least a kind of element M selected from second to sixteenth groups different from a main transition metal element A constituting complex oxide particles at least containing lithium and one or a plurality of transition metal and a halogen element X, with the element M and the halogen element X presenting different distribution, at least on a part of the surface of the complex oxide particles.
リチウムと、１または複数の遷移金属とを少なくとも含む複合酸化物粒子の表面の少なくとも一部に、複合酸化物粒子を構成する主要遷移金属元素Ａとは異なり、２族〜１６族から選ばれる少なくとも１種の元素Ｍと、ハロゲン元素Ｘとを含み、元素Ｍとハロゲン元素Ｘとが異なる分布を呈する被覆層を設けて正極活物質とする。 - 特許庁
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