「side- etching」を含む例文一覧(1205)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 24 25 次へ＞- By the treating method for the non-volatile material, reaction products inhibitting vertical etching are removed each time, and the material to be etched is exposed, so that the perpendicularity of the shape of the side walls after the etching treatment can be improved.
この不揮発性材料の処理方法によって、垂直なエッチングを阻害する反応生成物をその都度取り除き、被エッチング材料を露出させることで、エッチング処理後の側壁形状の垂直性を向上できる。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the semiconductor apparatus, the 1st insulating film 3 is used as the etching stopper film when the through hole 7 is formed in the substrate 1, so side etching of the top-surface electrode 5 can be prevented.
本発明の半導体装置の製造方法では、基板１に貫通孔７を形成する際に、第１絶縁膜３をエッチングストッパ膜として用いているので、表面電極５にサイドエッチが発生するのを防止することができる。 - 特許庁 - Even if the electrostatic chuck device is subjected to etching process, etc., corrosion from its side surface can be suppressed, thus preventing formation of a corrosion-eroded part, for superior plasma-resistance and etching- resistance, while dielectric breakdown is prevented and high durability is imparted.
静電チャック装置をエッチング処理等に供しても、その側面からの侵食を抑制でき、侵食欠損部の形成を防ぐことのできる耐プラズマ性、耐エッチング性に優れ、絶縁破壊を防止し、耐久性能が高い。 - 特許庁 - The resist mask 4 is used, the metal film 3 is subjected to dry etching, the amount of retreat of the resist mask 4 by dry etching is controlled, and a metal mask 5 is formed, where an open side face 5a has a first tilt angle to the film.
このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。 - 特許庁 - When a rugged pattern is formed by dry etching corresponding to the shape of a mask formed on a substrate, the mask is controlled so that the mask is made to retreat as the etching proceeds and the shape of the side wall of the rugged pattern is formed in an inclined face shape.
基板上に形成されたマスクの形状に対応してドライエッチングにより凹凸パターンを形成するに際し、マスクがエッチングに伴って後退し、凹凸パターンの側壁形状が傾斜面に制御されるようにする。 - 特許庁 - The method performs anisotropic etching from the reverse side of the Si until the width of the part which is made to reach the oxide film area of the SOI board by anisotropic etching becomes greater than the width of the area of the surface of the SOI board from which the Si is removed.
Ｓｉ裏面から異方性エッチングを、前記ＳＯＩ基板表面のＳｉを除去した領域の幅より異方性エッチングによってＳＯＩの酸化膜領域に到達させた部分の幅が大きくなるまで行う。 - 特許庁 - Further, a method for processing the semiconductor wafer, wherein a planarizing step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that the etching step is performed as above and, in the mirror surface polishing step, a back side polishing step is performed after the acid-etching, and then a surface polishing step is performed.
および平坦化工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程は上記のように行い、鏡面研磨工程は前記酸エッチング後、裏面研磨工程を行ない、その後表面研磨工程を行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁 - While etching is in progress; the tank body is turned conically while being inclined to one side, the etching liquid in the tank is allowed to flow in accordance with the inclination rotation of the tank body, and a flushing effect of reciprocating rotation is generated to the panel in the tank placed and fixed flatly, thus accelerating etching efficiency.
並びにエッチング進行中、そのタンク本体を片側に傾斜させながら円錐形に旋回運動させ、タンク中のエッチング液をタンク本体の傾斜回転に従って流動させて、平置き固定されたタンク内のパネルに対し、往復回転のフラッシング効果を起こし、エッチング効率を加速させる。 - 特許庁 - A silicon wafer 50 is employed as the semiconductor substrate and a silicon oxide film 70 is formed on the main surface 51 of the silicon wafer 50, then, the oxide film 70 is removed through etching employing the water solution of potassium hydroxide as the etching solution, and, subsequently, the silicon wafer 50 is processed through etching treatment from the side of the main surface 51 of the same.
半導体基板としてシリコンウェハ５０を用い、このシリコンウェハ５０の主表面５１にシリコン酸化膜７０を形成した後、エッチング液として水酸化カリウム水溶液を用いて、酸化膜７０をエッチング除去し、続いてシリコンウェハ５０をその主表面５１側からエッチング処理する。 - 特許庁 - The etching line is composed of a just-etched part 30A for performing etching of a predetermined depth, and an over-etched part 30B for giving a inclination to the side edge face of an etching layer etched in the just-etched part 30A.
基板１００を水平姿勢で水平方向へ搬送しながらその基板１００の表面にエッチング液を供給するエッチングラインを、所定深さのエッチング処理を実施するジャストエッチ部３０Ａと、ジャストエッチ部３０Ａでエッチングされたエッチング層のサイドエッジ面に傾斜を付与するオーバーエッチ部３０Ｂとにより構成する。 - 特許庁 - In the method of forming a plurality of lead frame continuous bodies 5 by etching after forming pilot holes 2 in a metal plate 1 by press, a width of the metal plate is reduced by separating a side edge portion 1a where the pilot holes 2 are formed, before the etching, and then the etching is performed.
金属板材１にプレス加工によりパイロットホール２を形成した後、エッチング加工によって複数条のリードフレーム連接体５を形成する製造方法において、パイロットホール２が形成されている側縁部分１ａをエッチング加工前に分離することによって、金属板材１の幅を狭くしてエッチング加工を行う。 - 特許庁 - The method is provided with an outline etching process (S104) for etching a mask material positioned on the outline of a region to be removed in a mask so that it is penetrated by using convergent ion beams and etching gas, and a removing process (S106) for removing the mask material positioned on the inner side of the outline of the region to be removed in the mask.
収束イオンビームとエッチングガスとを用いて、マスクの除去したい領域の輪郭に位置するマスク材料を貫通するようにエッチングする輪郭エッチング工程（Ｓ１０４）と、前記マスクの除去したい領域の輪郭の内側に位置するマスク材料を除去する除去工程（Ｓ１０６）と、を備える。 - 特許庁 - In the method, the side peripheral surface of the glass disk 10 is polished by contacting to an etching liquid of the side peripheral surfaces 12, 14 of a glass disk stack 1 where the glass disk 10 and a spacer 20 are alternately stacked, and the side peripheral surface of the spacers 20 are retreated from the side peripheral surface of the glass disks 10.
ガラスディスク１０とスペーサ２０とが交互に積層されたガラスディスク積層体１の側周面１２，１４がエッチング液に接することによってガラスディスク１０の側周面を研磨加工する方法であって、スペーサ２０の側周面は、ガラスディスク１０の側周面より後退している。 - 特許庁 - Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like.
次に、ＲＩＥやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板２の配線層４側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール７を形成する。 - 特許庁 - The space layer 12 is formed, by bringing a fluid light-absorbing substance into contact with a side face of the first contact layer 4, and conducting laser etching by emitting laser light from the opposite side thereof.
この空間層１２は、第１のコンタクト層４の側面に流動性光吸収物質を接触させ、その反対側からレーザ光を照射してレーザエッチングを行なうことにより形成される。 - 特許庁 - Thus, the tapered shape of the side face (metal etching shape) of the patterned metal wiring 14 is intensified (the slope of the side face becomes gentle), and thereby the thickness of a passivation protective film covering the bent part 16 is increased.
これにより、パターニングされた金属配線１４の側面（メタルエッチング形状）もテーパー形状が強くなる（側面が寝てくる）ため、屈曲部１６を覆うパッシベーション保護膜の膜厚が厚くなる。 - 特許庁 - At least any of acid and base is generated from the reaction initiator, and the acid or the base is introduced to the base film side of the imprint film so as to make an etching speed of the base film side of the imprint film faster than that of other portions.
反応開始剤から酸及び塩基の少なくともいずれかを発生させ、それをインプリント膜の下地膜の側の部分に導入し、エッチング速度をそれ以外の部分よりも高くする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical switch, which forms a movable micromirror and input-side and output-side optical fiber holding V grooves on one silicon substrate through anisotropic wet etching.
異方性ウェットエッチングにより１枚のシリコン基板に可動マイクロミラーと入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝とを形成させることができる光スイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the stencil mask of the present invention, by providing at least a part of or the entire of the side surface of the opening pattern with a film, an opening pattern enlarged by a side etching can be corrected.
本発明のステンシルマスクは、開口パターンの少なくとも側面の一部または側面の全体に、膜を備えることにより、サイドエッチングにより拡大した開口パターンを補正することが出来る。 - 特許庁 - Consequently, the polymer left in the side wall is prevented from being etched in the etching stage, and the bottom where the polymer is removed continues to be etched.
これによって、エッチング段階で側壁に残存するポリマが側壁がエッチングされることを防止し、ポリマが除去された底に対してエッチングが進行する。 - 特許庁 - After the metal silicide layer 16 is formed, etching is executed to cause an edge on the bottom of the sidewall insulating film 14 to retract to the gate electrode 12 side.
金属シリサイド層１６が形成されると、サイドウォール絶縁膜１４底面のエッジをゲート電極１２側に後退させるエッチングが行われる。 - 特許庁 - More specifically, the part of the halfway gate layer 70A extended to the right side of the polycrystal silicon film 52A is removed by etching while crossing the polycrystal silicon film 52A.
即ち、多結晶シリコン膜５２Ａと交差して、多結晶シリコン膜５２Ａの右側に延びている途中のゲート層７０Ａの部分をエッチング除去する。 - 特許庁 - A protecting layer 22 for protecting a heating element 20 from etching at a time of forming the wiring pattern is formed to an ink liquid chamber side face of the heating element 20.
本発明は、発熱素子２０のインク液室側面に、配線パターン形成時のドライエッチングより発熱素子２０を保護する保護層２２を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which a side etching of a gate electrode film in a process of exposing a gate insulating film can be suppressed.
ゲート絶縁膜を露出させる工程におけるゲート電極膜のサイドエッチングを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the sacrificial oxide film 14 is removed by etching using a chemical containing a hydrofluoric acid to expose the side face 13a and the bottom face 13b of the trenches 13.
続いて、フッ酸を含む薬液によって犠牲酸化膜１４をエッチングして除去し、トレンチ１３の側面１３ａおよび底面１３ｂを露出させる。 - 特許庁 - Then, isotropic etching is performed, the side walls of the plurality of the recesses 14b formed in the plurality of the second openings 13b are removed, and second recesses 17 are formed.
次に等方性エッチングを行い、複数の第２の開口部１３ｂに形成された複数の凹部１４ｂの側壁を除去し、第２の凹部１７を形成する。 - 特許庁 - By the anisotropic etching, on the bottom oxide film layer 12, a second n^- layer 13 is exposed on an inner surface of a groove on the lower side of the p layer 14.
この異方性エッチングによって、底部酸化膜層１２の上で、ｐ層１４の下側において第２ｎ^−層１３が溝の内面において露出する。 - 特許庁 - The element separation insulating film 11 formed on the side of the tapered part 5aa of the upper part 5a of the first film 5 can be removed by the dry-etching process.
第１の多結晶シリコン膜５の上部５ａのテーパ部５ａａの側部に形成された素子分離絶縁膜１１をドライエッチング処理で除去できる。 - 特許庁 - To provide a shadow mask which is superior in a mask strength after forming by suppressing the etching in the side direction of more than necessary in the manufacturing of a highly precise shadow mask.
高精細シャドウマスクの製造において、必要以上の横方向のエッチングを抑え、成形後のマスク強度に優れたシャドウマスクを提供する。 - 特許庁 - A sensor structure 1 comprises a silicon substrate, and is formed with a recess 3 having a diaphragm 2 of a thin pressure receiving part, by anisotropic-etching one part in reverse face side.
センサ構造体１はシリコン基板よりなり、裏面側の一部を異方性エッチングして薄肉の受圧部たるダイヤフラム２を有する凹部３を形成している。 - 特許庁 - The shoulder of a portion of the silicon oxide film 30 covering a side wall spacer 14 in the silicide region is removed by carrying out sputter etching in the state.
この状態でスパッタエッチングを行うことにより、シリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４を覆う部分の肩部を除去する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of controlling the amount of side etching with high precision, increasing a drain withstand voltage, and decreasing on-resistance.
サイドエッチング量を高精度に制御でき、かつ、ドレイン耐圧の向上およびオン抵抗の低減が図れる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To form a minute circuit without causing circuit thinning or the wire breaking of the circuit by suppressing a side-etching defect.
サイドエッチング不具合を抑制し、回路細りや更には回路の断線を発生させることなく、微細な回路形成を行なうことができる微細回路の形成方法。 - 特許庁 - The side wall insulating films 212 are formed of a material having an etching rate lower than that of the insulating film 302 under conditions that the insulating film 302 is etched.
そして側壁絶縁膜２１２は、絶縁膜３０２がエッチングされる条件では絶縁膜３０２よりエッチングレートが低い材料により形成されている。 - 特許庁 - The first and second ridges 127 and 137 are formed by dry etching process and the side surface thereof is not covered with a current block layer.
第一リッジ部１２７及び第二リッジ部１３７はドライエッチングにより形成されたものであり、その側面は電流ブロック層により覆われていない。 - 特許庁 - By applying the etching, the rear side of the cover body 3 is improved in quality, and adhesion between the cover body and the metal vapor deposition film 18 is enhanced, then, base-coating is not required.
エッチングにより、カバー体３の裏面が改質され、金属蒸着膜１８との密着性が良好になっていて、ベース塗装が不要である。 - 特許庁 - A reflecting surface 14 such as being condensed at one spot (condensing spot 16) of the side of the device is formed by digging the SiO2 layer having the high refractive index by etching.
この高屈折率SiO_2層をエッチングで掘り抜くことにより、デバイスの辺の１点（集光点１６）に集光するような反射面１４を形成する。 - 特許庁 - Consequently, recesses 65 and 67 are formed by etching processing on the surface opposite to the overcoat 55 set at the end by the side of the magneto-resistance effect film of the electrode layer.
これにより、電極膜の磁気抵抗効果膜側の端部における、保護膜５５と対向する面には、エッチング加工された凹部６５、６７が形成される。 - 特許庁 - The etching stop layer 18 of the conductive material prevents a notch from being generated on a side wall face of the penetrated-through part 20, and prevents overectching.
導電性材料のエッチングストップ層１８は、貫通部２０の側壁面にノッチが形成されるのを防止すると共に、過剰エッチングを防止する。 - 特許庁 - Thereafter, anisotropic wet etching is executed from the opposite side of the silicon wafer 100, whereby a recessed part 261 is formed to make the blind holes 271 through-holes 272 for filter holes.
次に、シリコンウエハ１００の反対側から異方性ウエットエッチングを施して、凹部２６１を形成して盲孔２７１をフィルタ孔用の貫通孔２７２とする。 - 特許庁 - When dry etching is conducted, cooling gas supplied to the back side of the TFT array substrate 60 is sucked through the suction hole 79.
そして、ドライエッチングの際に、吹き出し孔７７からＴＦＴアレイ基板６０の裏面へ供給された冷却ガスを吸引孔７９により吸引する。 - 特許庁 - The portion of the separated first nitride film 12, which covers the side wall of the trench 3, is protected by a sacrificial oxide film 13, there is no damage to that part by etching.
また、分離した第１窒化膜１２のトレンチ３の側壁を覆う部分は、犠牲酸化膜１３に保護されているためエッチングによる損傷はない。 - 特許庁 - To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step.
相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, an insulating film is formed at one surface (solution) side of the crystal substrate 15, and etching is preferably allowed to proceed from the opening of the insulating film.
ここで、結晶基板１５の一面（溶液）側に絶縁膜を形成し、その絶縁膜の開口から、エッチングを進行させることが好ましい。 - 特許庁 - Since the resist pattern 10 is not formed at the crystal wafer 5 side end, the Cr film and Au film at that portion are removed by etching in subsequent process.
その際、水晶ウエハー５側端部にはレジストパターン１０を形成しないため、その部分のＣｒ膜とＡｕ膜は、後工程のエッチングにより除去される。 - 特許庁 - The inclined side of the ridged waveguide and the reflecting mirror part vertical to a growing layer can be formed by one-time dry etching in this way.
このようにしてリッジ状導波路の傾斜した側面と成長層に対して垂直な反射ミラー部を一回のドライエッチングにて形成することが出来る。 - 特許庁 - In the optical optical reflector, a substrate 10 composed of a silicon substrate has a recess 12 which is formed on the substrate 10 from the rear side 13 by etching.
シリコン基板からなる基板１０は凹所１２を備えており、この凹所１２は基板１０にその裏面１３側からエッチングにより形成されている。 - 特許庁 - To prevent the tapered angle of a trench from becoming smaller than is necessary, while preventing the occurrence of side etching, even when forming the trench of a narrow space.
狭スペースのトレンチを形成する場合にもサイドエッチングの発生を防止しつつ、トレンチのテーパ角が必要以上に小さくなることも防止する。 - 特許庁 - Groove patterns 13 are formed on the device substrate 1 on the opposite side from the formation surface of the etching preventive patterns 4 while made to correspond to the split lines.
また、デバイス基板１におけるエッチング防止パターン４の形成面と反対側の面に、分割線に対応させて溝パターン１３を形成する。 - 特許庁 - The substrate is subjected to isotropic etching to remove the buffer layer exposed through the second apertures and to expose the side walls of the first apertures.
次に、フォトレジスト層を前記基板上に形成し、その後、前記フォトレジスト層をパターン化し、前記バッファ層の一部を露出させる第２開口を形成する。 - 特許庁
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