「single layer method」を含む例文一覧(711)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 14 15 次へ＞- Additionally, a method is employed which first forms a magnetic domain control layer having a large area and then eliminates an unnecessary magnetic domain control layer which hinders the single magnetic domain formation of the magneto- sensitive layer.
また、一旦大きな面積を有する磁区制御層を形成したのち、磁気感受層の単磁区化を妨げる不要な磁区制御層をエッチング処理により除去するという手法を採る。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a substrate for an electro-optic device which can flatten the surface of a light-transmissive substrate, having a light-shielding layer and an insulator layer having a single-crystal silicon layer stuck thereon.
単結晶シリコン層を貼り合わせる、遮光層と絶縁体層とを形成した光透過性基板の表面を平坦化することができる電気光学装置用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of roughening a substrate, capable of stably forming an etching mask of a single-layer particle layer without causing the agglomeration of particles and executing etching using the mask.
粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element comprising a zinc oxide layer, having quality at least equivalent to that of a bulk single crystal formed on an annealed buffer layer, and to provide its manufacturing method.
アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a wafer including a silicon single crystal substrate having front and back sides, and having a layer of SiGe deposited on the front side and a stress compensating layer on the back side.
おもて面と裏面とを有するシリコン単結晶基板及び前記おもて面上に堆積されたＳｉＧｅの層を含んでなるウェーハを製造する方法。 - 特許庁 - To provide a multi-layer extrusion molding method which can reduce the number of extruders, curtails the scale of an apparatus, reduces costs, and is applicable to single-layer extrusion molding.
押出機の数を低減することができ、設備規模の縮小化、コスト低減を図るとともに、単層押出成形にも使用できる多層押出成形法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide single crystal substrate which has been subjected to a work-affecting layer removal processing under practical conditions, and to provide a method of efficiently manufacturing the silicon carbide single crystal substrate.
実用的な条件によって加工変質層が除去された炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶基板を効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an SiC single-crystal substrate having an extremely flat surface such that a surface of an active layer of the SiC single-crystal substrate has a center-line average roughness of approximately 0.1 nm.
ＳｉＣ単結晶基板の活性層表面の中心線平均粗さが、０．１ｎｍ程度と、極めて平坦な表面を持つＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する - 特許庁 - Onto the surface of a single crystal substrate, two or more layers of a compound single crystal layer that is the same as, or different from, this substrate are grown in sequence through the epitaxial method.
単結晶基板の表面にこの基板と同一または異なる化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法。 - 特許庁 - Also, a method of video encoding includes selecting data for encoding in a first layer and a second layer so as to allow decoding of the data in a single combined layer, and encoding the selected data in the first layer and in the second layer by encoding a coefficient in the first layer and encoding a differential refinement to the first layer coefficient in the second layer.
更にビデオ符号化方法は、第一層および第二層内で符号化して単一組み合わせ層中で復号化するためにデータを選択し、第一層中の係数を符号化するとともに第一層係数に対する微差を第二層中で符号化することにより選択されたデータを第一層、第二層中で符号化する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the single-layer carbon nanotube, soot containing the single-layer carbon nanotube is generated by generating arc discharge between two carbon electrodes in a nitrogen gas atmosphere to evaporate the carbon electrodes.
窒素ガス雰囲気中で、２つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含むススを発生させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造法。 - 特許庁 - In this manufacturing method, a bump 841 of an other single layer board element piece 801 is abutted on a resin film 17 on the surface of a single layer board element piece 10 on receiving side, and a tip 54 of the horn of an ultrasonic device is pushed against it to apply ultrasonic waves.
受け側の単層基板素片１０表面の樹脂フィルム１７上に、他の単層基板素片８０_1のバンプ８４_1を当接させ、超音波装置のホーンの先端部５４を上方から押しあて、超音波を印加する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a single crystal by which the propagation of dislocations included in a single crystal substrate to a growing layer on the substrate can be suppressed and the occurrence of a new dislocation in the growing layer can be suppressed.
単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method, with which a surface defect generated in an epitaxially grown crystal can be reduced, in a production method for compound single crystal for epitaxially growing a compound single crystal layer different from a substrate.
基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、エピタキシャル成長させた結晶内に生じる面欠陥を低減し得る方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method that directly grows nitride semiconductor devices such as nitride semiconductor light emitting device where a nitride semiconductor layer is epitaxially grown and a transistor device on a single crystal layer after the single crystal layer where both the a-axis and c-axis of the nitride semiconductor are arranged is directly formed on a substrate, without forming a low temperature-amorphous buffer layer and its nitride semiconductor single crystal layer.
アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.
１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁 - This method of bonding substrates comprises the steps of: (a) interposing a non-crystalline silicon layer 14 between a first silicon substrate 10 and a second silicon substrate (single crystal silicon substrate) 20; and (b) subjecting the layer 14 to such a heat treatment that the layer 14 becomes a single crystal silicon layer 18 (or polysilicon layer).
本発明の基板張り合わせ方法は、（ａ）第１のシリコン基板１０と第２のシリコン基板（単結晶シリコン基板）２０との間に非晶質シリコン層１４を介在させる工程、および（ｂ）非晶質シリコン層１４が単結晶シリコン層１８（または多結晶シリコン層）になるような熱処理を非晶質シリコン層１４に施す工程、を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing single pressure-sensitive adhesive layer laminated sheet capable of manufacturing a single sheet to which such a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 100 μm or more as to be applicable for a shock-absorbing layer of a display is laminated and capable of reducing defective quality such as horizontal stripes or thickness irregularity of the pressure-sensitive adhesive layer.
ディスプレイの衝撃吸収層に適用できるような厚みが１００μｍ以上の粘着剤層が積層された枚葉シートを生産性よく製造することができ、かつ粘着剤層の横段むらや厚みむら等の品質不良が低減された枚葉の粘着剤層積層シートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board incorporating a stacked chip capacitor stable with less secular change to a thin single insulating layer.
薄い単層絶縁層に、経時変化の少ない安定した積層チップコンデンサを内蔵せしめた多層プリント配線板の提供。 - 特許庁 - To provide a new optical fiber ribbon prevented from being formed into a single core in removing an outer covering layer, and to provide a method of manufacturing the same.
外側被覆層除去時における単心化が防止された新規な光ファイバテープ心線とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a hollow polymer fine particle comprising a shell of single layer structure, having a high porosity by a short process and by a simple method.
シェルが単層構造であって、空隙率の大きい中空高分子微粒子を、短い工程で且つ簡便な方法により製造する。 - 特許庁 - To provide a photoresist composition and a method which are suitable for depositing a very thick photoresist layer in a single coating process.
１回のコーティングプロセスにおいて非常に厚いフォトレジスト層を堆積させるために好適なフォトレジスト組成物および方法が提供する。 - 特許庁 - To provide a method of determining the thickness of one or more layers in a single or multi-layer structure on a substrate, using photoelectron spectroscopy.
基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法を使用する。 - 特許庁 - This epitaxial silicon single crystal wafer is obtained according to the following procedure: a nitrogen-doped silicon single crystal rod is grown by Czochralski method and then sliced into silicon single crystal wafers, and an epitaxial layer is formed on the surface layer of each of the above silicon single crystal wafers.
エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of laminating an element forming layer made of a single crystal semiconductor on a supporting substrate made of the single crystal semiconductor via an insulation layer, so that the crystal axis direction of the element forming layer is deviated from the corresponding crystal axis direction of the substrate, and manufacturing a laminated substrate.
単結晶の半導体からなる支持基板の上に、絶縁層を介して、単結晶の半導体からなる素子形成層を、素子形成層の結晶軸方向が、支持基板の対応する結晶軸方向からずれるように貼り合せて、貼り合わせ基板を作製する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the nitride single crystal substrate comprises the stages of forming the nitride single crystal layer on a reserve substrate; forming a polymer supporting layer by applying a hardenability adhesive substance having mobility on a top face of the nitride single crystal layer, and by hardening the adhesive substance; and separating the nitride single crystal layer from the reserve substrate by irradiating a bottom face of the reserve substrate with laser.
本発明の一側面は、予備基板上に窒化物単結晶層を形成する段階と、上記窒化物単結晶層の上面に流動性を有する硬化性接着物質を塗布し、上記接着物質を硬化させポリマー支持層を形成する段階と、上記予備基板の下面にレーザーを照射して上記予備基板から上記窒化物単結晶層を分離する段階とを含む窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the ink jet recording method using an ink jet recording material wherein recording layers are provided on both surfaces of a support, printing is applied to the recording layer on the single surface of the support and, after a transparent resin protective layer is provided on the recording layer, printing is applied to the other recording layer.
支持体の両面に記録層を有するインクジェット記録材料において、片面の記録層に印字後、該記録層に透明樹脂保護層を設けた後、もう一方の記録層に印字することを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁 - The semiconductor having the low defective rate is obtained by a simple method for forming an aluminum layer on a single-crystal substrate 1 and growing a group III nitride crystal layer 3 on a porous alumina layer 2 obtained by anode-oxidizing the surface of the aluminum layer.
単結晶基板１上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層２上にIII 族窒化物結晶層３を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。 - 特許庁 - To provide a diffusion layer having a fine protective layer, which effectively protects a function of the diffusion layer and extending its use lifetime, wherein a single fuel cell can have an electrolytic function as well as the function; and to provide a method of manufacturing the same.
拡散層の機能を効果的に保護し、使用寿命を延長させられ、またこれにより単一の燃料電池は電解機能を兼備可能となる微保護層を備える拡散層及びその製法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity.
ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.
シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for changing a color of a single-layer carbon nanotube thin film, a display cell used for the method, and a display device using the display cell.
単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる方法、この方法に用いられる表示セル、及びこの表示セルを用いた表示装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method to form periodical arrangement of magnetic nano particles into a layer (which may be a single layer or multilayer) with high regularity and to stabilize the arrangement above described on a substrate.
磁性ナノ粒子の層状（単層または多層でもよい）の高度に規則的な周期的配列を作成し、基板表面上の前記配列を安定化する方法を提供すること。 - 特許庁 - The deposition method has a process step of chemically adsorbing at least a first layer of the one single-layer film thickness on the substrate by bringing the substrate into contact with the first precursor at the first temperature.
堆積方法は、第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着する工程を有する。 - 特許庁 - To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible.
従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。 - 特許庁 - A ferrite layer 1b is formed by a so-called ferrite plating method on a single surface or both surfaces of an electrical insulation layer 1a made of a synthetic resin such as polyimide or ceramic.
ポリイミド樹脂などの合成樹脂またはセラミックなどから成る電気絶縁層１ａの片面または両面に、いわゆるフェライトめっき法によってフェライト層１ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide a film forming method, which is capable of forming a high-quality single crystal β-FeSi2 epitaxial layer on an Si substrate and enhancing the β-FeSi2 epitaxial layer in thickness.
Ｓｉ基板上に高品質な単結晶のβ−ＦｅＳｉ_2のエピタキシャル層を形成するとともに、β−ＦｅＳｉ_2の厚膜化を可能とする成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a single particle layer wherein nano-particles are regularly arranged on a base material in a single particle state to be fixed on the base material.
本発明は、基材上にナノ粒子を単粒子状に規則的に配列させ、かつ基材上に固定化させた単粒子層積層体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a method of producing a single crystal substrate, which comprises dividing a crystal layer or a substrate into a plate form and by which the single crystal substrate of silicon carbide having a large surface area and low surface defects can be produced.
結晶層又は基板を板状に分割する方法を利用し、炭化珪素等の大面積で低面欠陥密度の単結晶基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.
ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a thin film deposition substrate which is excellent in high density recording property and surface flatness, in a method of depositing thin film of a single layer or a multi-layer, and a disk for recording and playback.
基板上に単層または多層の薄膜を形成する方法であって、高密度記録特性および表面平坦性に優れた薄膜形成基板の製造方法および記録再生用ディスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a single-layer electrophotographic photoreceptor which has superior stability, sensitivity, and electric property and is durable and a method for manufacturing the same.
安定性と感度，及び電気的性質に優れ，耐性が強い単層型電子写真方式感光体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a light diffusion film having numerous transparent beads densely arranged in a single layer and having good transmission efficiency and to provide an apparatus therefor.
多数の透明ビーズを単層で密に配列される透過効率の良い光拡散フイルムの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for giving a voluminous feeling even with a single-layer frill by forming a plurality of frills at arbitrary parts or forming a wavy frill.
複数のフリルを任意の場所に形成し、また波打つフリルを形成することで、一重のフリルでもボリューム感を出す方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of casting a cover layer about a golf ball core utilizing a single cavity mold that moves on a continuous conveyor.
連続したコンベアにおいて移動する単一キャビティ金型を利用してゴルフボールコアのまわりにカバー層を注型する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein a thick PSG film with no cracks is formed as a single layer at a low cost and with a high reliability.
亀裂の無い厚いＰＳＧ膜を単層で形成し、低コストで高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a single layer carbon nanohorn adsorbent which adsorbs a large amount of methane and is effective as a methane adsorbent, and to provide a manufacturing method therefor.
メタンの吸着量が多く、メタン吸着材として有効な単層カーボンナノホーン吸着材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device comprises the step of forming a cross-shaped mask 64 for forming a cross-shaped active region on a single crystal silicon layer 16 of an SOI substrate.
ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層１６の上に、十字状アクティブ領域を形成するため十字状マスク６４を形成する。 - 特許庁 - To provide an optical waveguide which permits formation of a high-grade optical waveguide layer on a single crystal substrate and a method for manufacturing the same.
高品位な光導波路層を単結晶基板上に形成することができる光導波路とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Further the method includes steps of forming a layer of coating material 34 on exposed portions of the tubes, and forming a single piece jacket construction 36 around the tubes.
さらに方法は、管の露出部分上に被覆材料３４の層を形成し、複数の管の周りに一体型ジャケット３６を形成する。 - 特許庁
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