「single layer method」を含む例文一覧(711)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 14 15 次へ＞- In the method for manufacturing the single-sided sheet, wherein the resin of an insulating layer is a phenol curable epoxy resin, polypropylene is used as the mold release film.
絶縁層の樹脂がフェノール硬化型エポキシ樹脂である片面板を製造する方法において、離型フィルムとしてポリプロピレンを用いる。 - 特許庁 - To provide a method of forming an image supporting element including a thermally stable single subbing layer not containing gelatin.
本発明は、熱的に安定で、ゼラチンを含有しない単一の下塗り層を含む画像支持要素の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To reduce manufacturing cost, in a method of forming an island-like semiconductor region formed with a single-crystal semiconductor layer on an insulation substrate.
絶縁基板上に単結晶半導体層からなる島状半導体領域を形成する方法において、作製コストを減少させる。 - 特許庁 - As a sticking method for the ethylene/α- olefin copolymer layer 3 formed by using the single-site catalyst, a dry lamination method or a sand lamination method for a film manufactured by the extrusion lamination method, the T-die method, the inflation method of the like is used.
シングルサイト触媒を用いて得られるエチレン−αオレフィン共重合体層３の貼合方法としては、押出しラミネーション法、Ｔダイ法、あるいは、インフレーション法によりフィルムとしたものをドライラミネーション又はサンドラミネーションする方法等が挙げられる。 - 特許庁 - An ingot of silicon single crystal is grown by Czochralski single crystal lift method and after a wafer is made by slicing that silicon single crystal ingot, surface layer of the wafer is annealed by means of a laser spike annealer for longer than 0.01 microseconds but shorter than 10 seconds under a temperature of 1,250-1,400°C at the wafer surface layer.
チョクラルスキー単結晶引上法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、このシリコン単結晶インゴットをスライスしてウエハを作製した後、前記ウエハの表層をレーザースパイクアニール装置により、ウエハ表層部の温度が１２５０℃以上１４００℃以下で、０．０１マイクロ秒以上１０秒未満、アニールする。 - 特許庁 - To provide a GaN single-crystal mass and its manufacturing method regarding which crack occurrence is controlled, when making the GaN single-crystal mass grow and processing the grown GaN semiconductor device into a substrate, etc., and to provide a semiconductor device and its manufacturing method, when forming at least a single-layer semiconductor layer on the substrate-like GaN single-crystal mass and manufacturing the semiconductor device.
ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.
転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁 - The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer.
シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises, on a substrate, a first transistor including a single crystal semiconductor layer in a channel formation region, a second transistor separated from the first transistor via an insulation layer and including an oxide semiconductor layer in a channel formation region, and a diode including the single crystal semiconductor layer and the oxide semiconductor layer, and its manufacturing method is provided.
基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。 - 特許庁 - To provide a silicon single crystal wafer and its manufacturing method which has a stable defectless layer formed on a surface layer and impurity gettering zones of clustered fine crystal defect groups formed in an inner layer deeper than the defectless layer and is suited for forming devices.
表層に安定した無欠陥層が形成され、その無欠陥層より深い内層に、微細結晶欠陥群が密集した不純物ゲッタリング帯域が形成されたデバイス形成に好適なシリコン単結晶ウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device that meets a requirement for thinning a gate insulating layer in a miniaturized transistor under such circumstances that a physical limit occurs on thinning a gate insulating layer because of an increase in tunneling current, i.e. gate leakage current when the gate insulating layer is formed of a silicon oxide single layer.
微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。 - 特許庁 - An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface.
前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for more efficiently and easily producing carbon nanotubes useful as a functional material, particularly single layer carbon nanotubes in larger quantities at a lower cost as compared with an arc discharge method or a laser irradiation method.
機能性材料として有用なカーボンナノチューブ、特に単層カーボンナノチューブを、アーク放電法やレーザー光照射法に比べて、安価で多量かつ効率的・簡便に製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for forming a transparent gas barrier layer, by which a transparent gas barrier layer having excellent gas barrier property even in a single layer, high transparency and very low internal stress can be formed without heating at high temperature.
単層であってもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有し、さらに、内部応力が非常に低い透明ガスバリア層を、高温に加熱せずとも製造することが可能な、透明ガスバリア層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this coating method for the imaging lens 1 including single lenses 2, 3 formed by a resin, in particular, thermosetting resin, a single-layer film coating for the fluoropolymer film is applied on optical surfaces 2a, 2b, 3a, 3b on at least object side, preferably, on an object side and an image side of the single lenses 2, 3.
樹脂製、特に熱硬化性樹脂で形成された単体レンズ２，３を含む撮像レンズ１において、単体レンズ２，３の少なくとも物体側、好ましくは物体側と像側の光学表面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂにフッ素系高分子膜の単層膜コーティングを施す。 - 特許庁 - The method for manufacturing the multilayer printed wiring board 40 includes a step of preparing a single-sided plate 10; a step of hardening an insulating layer 14 of the single-sided plate 10 by heating the single-sided plate 10; and a step of preparing a two-sided plate 20.
多層プリント配線板４０の製造方法は、片面板１０を準備する工程と、この片面板１０を加熱することにより当該片面板１０の絶縁層１４の硬化処理を行う工程と、両面板２０を準備する工程と、を備えている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate having a single-crystal semiconductor layer which has an SOI structure free of peeling of a single-crystal silicon layer and is partially different in thickness, the semiconductor substrate, an electrooptic device and electronic equipment.
単結晶シリコン層がはがれることなく、ＳＯＩ構造を有し、かつ、部分的に異なる厚さの単結晶半導体層を備える半導体基板を形成可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface.
エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁 - To provide a positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body that suppresses the occurrence of transfer memory so that the occurrence of an image defect is suppressed without impairing wear resistance of the positively charged single-layer electrophotographic sensitive body in an image forming apparatus that has a charging portion applying direct voltage by a contact charging method and uses the positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body.
接触帯電方式により直流電圧を印加する帯電部を備え、正帯電単層型電子写真感光体を用いる画像形成装置において、正帯電単層型電子写真感光体の耐摩耗性を損なうことなく、転写メモリの発生を抑制することにより画像不良の発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体を提供すること。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it.
単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁 - More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.
詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁 - To provide a novel method for producing a multi-layer resin molding by a single molding process using a molding mold.
多層樹脂成形品を単一の成形金型を用いた１回の成形工程によって得ることのできる新規な製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an RF switch including a multiplicity of strokes and capable of being manufactured by utilizing only a single metallization layer, and to provide a manufacturing method of the RF switch.
多数のストロークを含み、単一のメタライゼーション層のみを利用して製造可能なＲＦスイッチ、およびＲＦスイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁 - SINGLE-LAYER PHOSPHOR FINE PARTICLE FILM, PHOSPHOR FINE PARTICLE FILM LAMINATE, MANUFACTURING METHOD OF THEM, DISPLAY DEVICE AND PHOTOSENSITIVE BODY USING THEM AND SENSOR
単層蛍光体微粒子膜と蛍光体微粒子膜積層体およびそれらの製造方法とそれらを用いた表示装置と感光体とセンサー - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a top gate self-aligned polysilicon thin film transistor whereby a source-drain region is activated by only a single laser anneal to crystallize an active silicon layer 40.
単一レーザーアニールだけでソース・ドレイン領域を活性化し、アクティブシリコン層４０を結晶化するトップゲートポリシリコンＴＦＴの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a laminate made by forming an aluminum nitride single crystal layer having high crystallinity on the surface of a sapphire substrate, with preferable productivity.
サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,070 to 700°C and a surface protective film 20 is formed by a thermal CVD method without exposing the carrier injection layer to the ambient air.
次に単結晶基板の温度を1,070℃から700℃まで降下させ、キャリア注入層を大気に触れさせないで表面保護膜20を熱CVD法で形成する。 - 特許庁 - To provide a single-layer film comprising a hydrophilic synthetic resin having uniform properties in a planar state, and to provide a manufacturing method therefor.
平面的に一様な性質を備えた親水性合成樹脂からなる単層フィルムを提供すること、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon carbide single crystal in which a structural defect arises owing to the reduction in airtightness of an adhesive layer is suppressed.
接着層の気密性の低下が原因で生じる構造欠陥の発生を抑制する炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a projection display-type LCD(liquid crystal display) SOI substrate by a method, where a pixel array is formed on a single crystal silicon without bonding a silicon layer on a glass substrate.
シリコンの層をガラス基板に接着することなく、単結晶シリコンに画素アレイを形成し投影表示型ＬＣＤ用ＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁 - In addition, the energy density of a laser beam with which the best crystallinity of the single crystal semiconductor layer is obtained is detected by a microwave photoconductivity decay method.
また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of obtaining a compound semiconductor layer with a desired composition ratio, using a single source precursor.
単一源前駆体を用いて所望の組成比の化合物半導体層を得ることが可能な光電変換装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING WAFER INCLUDING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING FRONT SIDE AND BACK SIDE AND LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE
おもて面と裏面とを有するシリコン単結晶基板及び前記おもて面上に堆積されたＳｉＧｅの層を含んでなるウェーハを製造する方法 - 特許庁 - To provide a device having a nitride-based heterostructure, wherein epitaxy with planarity at a single molecular layer level can be easily obtained, and its manufacturing method.
一分子層レベルでの平坦性を有するエピタキシの実現が容易にできる窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a technique for forming a transparent layer on the inside surface of a quartz crucible and a method of inexpensively manufacturing the quartz crucible for improving the yield of a silicon single crystal.
石英ルツボの内面に透明層を形成する技術であって、シリコン単結晶の単結晶歩留まりを向上させる石英ルツボを安価につくる。 - 特許庁 - After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region).
Ｓｉ単結晶基板を２７０〜３２０℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層を形成する（Ａ領域）。 - 特許庁 - A single crystalline superconducting thick-film having a thickness of ≥0.5 and ≤30 μm is formed on the intermediate layer by an application/thermal-decomposition method.
この中間層２上に、０．５μｍ以上３０μｍ以下の厚みを有する単結晶性の超電導厚膜が塗布熱分解法により形成されている。 - 特許庁 - To create a small-and-medium-sized building with a large space by realizing a lightweight single-layer lattice arch shell structure roof by a low-cost construction method.
単層ラチスアーチシェル構造屋根を軽量かつ低コストな工法で実現することで大空間を持つ中小規模の建築を創造することが出来る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a low dielectric constant film is used as an interlayer insulating film, and highly reliable multi-layer wiring formed by a single damascene method is arranged.
低誘電率膜を層間絶縁膜として用い、シングルダマシン法により形成した、信頼性の高い多層配線を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive nanostructure thin film having a single layer structure including a porous structure with a gradient refractive index, and to provide a method for producing the same.
勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a production method of a semiconductor composite device, wherein a high-quality nitride single crystal semiconductor layer having good flatness is joined to the surface of a second substrate.
平坦性のよい高品質な窒化物単結晶半導体層を第2の基板の表面に接合した半導体複合装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a boride single crystal containing ZrB_2 or TiB_2, a method for producing the same, and a semiconductor-layer-growing substrate utilizing the same.
ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２を含むホウ化物単結晶とその製造方法および、その単結晶を利用した半導体層成長用基板を提供する。 - 特許庁 - In the surface treatment method, the damaged layer-thickness ratio (DLa/DLb) of both surfaces of the gallium nitride single crystal substrate 110 is 0.99 to 1.01.
この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a compound semiconductor, capable of forming a good nitride base compound semiconductor layer on a GaN single-crystal substrate.
ＧａＮ単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することが可能な化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a potassium niobate deposited body where a thin polycrystal or single crystal potassium niobate layer is formed on an insulation board, and its manufacturing method.
絶縁体基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a potassium niobate deposits wherein a polycrystal or single crystal thin potassium niobate layer is formed on a substrate and to provide a manufacturing method of the same.
基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an epitaxial layer of high quality with low defect density is formed on a silicon single-crystal substrate.
シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a single crystal gallium nitride substrate supported by a polycrystalline silicon carbide layer, from which a blue light emitting element can be obtained.
青色系発光素子を実現し得る、多結晶炭化珪素層に支持された単結晶窒化ガリウム基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method of purifying and aligning carbon nanotubes(CNT) and, in particular, single layer carbon nanotubes (SWNT), and to provide carbon nanotube quasi-crystals produced thereby.
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、特に、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）の精製及び整列方法、及びこれにより作られるカーボンナノチューブ準結晶の提供。 - 特許庁 - To provide a joining method by a wood screw and a simple joining fitting to join wood members of a single layer lattice arch shell structure roof using wood members.
木材を使用した単層ラチスアーチシェル構造屋根の木材同士の接合において、木ビスと簡単な接合金具による接合方法を提供する。 - 特許庁
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