「single- layer」を含む例文一覧(4019)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 80 81 次へ＞- The interlayer insulating film 16 is a film having a single layer structure.
層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。 - 特許庁 - SINGLE LAYER CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SINGLE LAYER CAPACITOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
単層コンデンサ及び単層コンデンサの製造方法、並びに単層コンデンサアレイ及び単層コンデンサアレイの製造方法 - 特許庁 - The silicon substrate 1 is formed from a rectangular single-layer thick plate.
シリコン基板１を矩形の単層厚板で形成する。 - 特許庁 - SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS
単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁 - SINGLE LAYER INFORMATION RECORDING MEDIUM AND INFORMATION REPRODUCING DEVICE
単層情報記録媒体及び情報再生装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SINGLE-LAYER AND MULTI-LAYER SINGLE-CRYSTAL SILICON, AND SILICON DEVICES ON PLASTIC USING SACRIFICIAL GLASS
単層および多層の単結晶シリコンおよびシリコンデバイスをプラスチック上に犠牲ガラスを用いて製造する方法 - 特許庁 - SINGLE-LAYER SLEEVE ROLL FOR HOT ROLLING MADE WITH CENTRIFUGAL CASTING
遠心鋳造製熱間圧延用単層スリーブロール - 特許庁 - SINGLE-LAYER ON-CHIP PACKAGE BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
単層ボードオンチップパッケージ基板及びその製造方法 - 特許庁 - A single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams, while heating the single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate.
単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を加熱しながら、この単結晶半導体層にレーザビームを照射する。 - 特許庁 - Each signal line SL includes a single-layer part Li comprising a single layer Ni and a multi-layer part comprising multiple layers Ni and Mi in the sector area.
各信号線ＳＬは扇子領域内で単層Ｎｉからなる単層部Ｌｉと複層Ｎｉ，Ｍｉからなる複層部とを含む。 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR GROWTH OF SINGLE CRYSTAL DIAMOND LAYER AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL DIAMOND SUBSTRATE
単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 - 特許庁 - A single layer of outer winding (32) or a multiple-layers of outer winding layer (42) is used.
一層の外巻（３２）又は多層の外巻層（４２）のいずれかを使用する。 - 特許庁 - A single-layer adhesive layer 34 is formed on the first insulating film 32.
第１の絶縁膜３２上に単層密着層３４が形成されている。 - 特許庁 - The single-sided, double-layer optical disc comprises a first access layer 1, a second access layer 2, an adhesive layer 13 for adhering the first access layer 1 to the second access layer 2, and a protective layer 14.
第１アクセス層１と、第２アクセス層２と、第１アクセス層１を第２アクセス層２に貼り合わせるための接着層１３と、保護層１４とを備えている。 - 特許庁 - A buffer layer 2 and a one-conductivity type semiconductor layer 3 (an ohmic contact layer 3a, a single layer stressed layer or a stressed superlattice layer 3a and a clad layer (electron injected layer) 3c) are sequentially laminated on a substrate 1.
基板１上にバッファ層２と一導電型半導体層３（オーミックコンタクト層３ａ、単層歪み層または歪み超格子層３ｂ、クラッド層（電子の注入層）３ｃ）する。 - 特許庁 - The gas sensor has the single layer carbon nano-tube as a gas-sensitive material and, as the single layer carbon nano-tube, a single layer carbon nano-tube aggregate obtained by the baking treatment of a hydroxypropyl cellulose membrane containing the single layer carbon nano-tube is used.
単層カーボンナノチューブを感ガス材料とするガスセンサーであって、該単層カーボンナノチューブとして、単層カーボンナノチューブを含有するヒドロキプロピルセルロース薄膜を焼成処理して得られる単層カーボンナノチューブ集合体を用いたガスセンサー。 - 特許庁 - A field oxide film 13 is formed in the main front surface of the single-crystal silicon layer, which divides the single crystal silicon layer into a plurality of the single crystal silicon layers 3.
フィールド酸化膜１３は単結晶シリコン層の主表面に形成され、単結晶シリコン層を複数の単結晶シリコン層３に分離している。 - 特許庁 - To prevent formation of a crystal defect when a single crystal layer such as a single crystal silicon layer is directly formed on a support substrate of single crystal, such as a sapphire substrate.
サファイア基板等の単結晶の支持基板に、直接単結晶シリコン層等の単結晶層を形成するときに、結晶欠陥の形成を防止する。 - 特許庁 - On the top surface of this inter-layer insulating film 12, the single-crystal silicon layer is stuck and the single-crystal silicon layer forms the transistor element.
この第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層によりトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁 - The gate insulating films 5 and 11 are formed of a single-layer film.
ゲート絶縁膜５，１１は単層膜で形成されている。 - 特許庁 - MATERIAL COATED WITH METAL SINGLE ATOMIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
金属単原子層被覆材料及びその製造方法 - 特許庁 - SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
単層型電子写真感光体及びその製造方法 - 特許庁 - RESIN COMPOSITION FOR SINGLE LAYER-COATING STEEL MATERIAL AND COATED STEEL MATERIAL
鋼材単層被覆用樹脂組成物及び被覆鋼材 - 特許庁 - The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.
又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁 - If the electroplating film has a single metallic layer therein, the single metallic layer is preferably formed of the copper.
電気メッキ膜中に単一金属層を有する場合には、当該単一金属層を銅で形成することが好ましい。 - 特許庁 - The light guide sheet may be a single layer or a multilayer film.
導光シートは単層でもよいし、多層フィルムでもよい。 - 特許庁 - The plurality of terminals 10 are incorporated in a single layer housing 20 in plane arrangement to form a single layer unit 22.
この端子10を複数個、単層ハウジング20に平面的に配列した状態で組み込み、単層ユニット22を構成する。 - 特許庁 - SILICON SINGLE-CRYSTAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
シリコン単結晶層の製造方法及びシリコン単結晶層 - 特許庁 - SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS
単層型電子写真感光体及び画像形性装置 - 特許庁 - Lanthanide metal is deposited on single layer carbon nanohorn and, thereby, the single layer carbon nanohorn adsorbent having methane adsorptivity is produced.
単層カーボンナノホーンにランタニド金属が担持されており、メタン吸着性を有する単層カーボンナノホーン吸着材とする。 - 特許庁 - An SOI substrate wherein a silicon single crystalline substrate 51, a silicon oxide layer 53 and a silicon single crystalline layer 55 are laminated is prepared.
シリコン単結晶基板５１、シリコン酸化層５３、シリコン単結晶層５５が積層されたＳＯＩ基板を準備する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING AIN BUFFER LAYER, AND AlN BUFFER LAYER, AND METHOD OF FORMING GaN SINGLE CRYSTAL FILM AND GaN SINGLE CRYSTAL FILM
ＡｌＮバッファ層の作成方法、ＡｌＮバッファ層、ＧａＮ単結晶膜の作成方法およびＧａＮ単結晶膜 - 特許庁 - The wavy layer is formed by a single photo step.
凹凸層は、１回のフォト工程により形成されている。 - 特許庁 - SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS
単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁 - SINGLE-LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS
単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁 - STIFFENING MEMBER LAYOUT DESIGN METHOD FOR SINGLE-LAYER LATTICE SHELL STRUCTURE
単層ラチスシェル構造物の補剛部材配置設計方法 - 特許庁 - To improve the quality of the surface of a silicon-single crystal layer.
シリコン単結晶層の表面の品質を改善する。 - 特許庁 - The resist layer 2 and the resist surface layer 3 form a single layer but are separated for convenience of explanation.
ここで、レジスト層２とレジスト表面層３とは、一層であり、説明の便宜上分割してある。 - 特許庁 - The width is gradually narrowed from the double layer part 12c to the single layer part 12a.
複層部１２ｃから単層部１２ａにかけては幅が徐々に小さくなる。 - 特許庁 - An amorphous silicon layer and a single crystal silicon layer are formed above a silicon pillar.
シリコンピラー上部に、非晶質シリコン層及び単結晶シリコン層を形成する。 - 特許庁 - The single crystal semiconductor layer is melted by laser beam irradiation, thereby the single crystal semiconductor layer is recrystallized to recover its crystallinity and a surface of the single crystal semiconductor layer is planarized.
レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。 - 特許庁 - The melt viscosity ratio of each layer of an inner layer of a single-layer or a plurality-layer structure using fluororesin to the outer layer of the single-layer or the plurality-layer structure using thermoplastic resin is suppressed to the maximum 1:40 in the measurement value of Pa.s unit.
フッ素樹脂を用いた単層又は複層構造の内層と、熱可塑性樹脂を用いた単層又は複層構造の外層との各層間の溶融粘度比を、Ｐａ・ｓ単位の測定値で最大１：４０までに抑える。 - 特許庁 - A head H is produced using a substrate where a stopper layer is held between an Si single crystal substrate and an Si single crystal layer, wherein the Si single crystal substrate serves as the ink chamber substrate 200 and the Si single crystal layer serves as the diaphragm 300 in conjunction with the stopper layer.
ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。 - 特許庁 - A single thickness of each of the auxiliary metal foils T1, T2 is thinner than thickness of one single active material layer.
補助金属箔Ｔ１，Ｔ２の単独の厚みは、活物質層の単独の厚みよりも薄い。 - 特許庁 - A single crystal semiconductor layer which is separated from the single crystal semiconductor substrate is irradiated with a laser beam.
単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。 - 特許庁 - With a main surface being exposed at an opening as a sheet crystal part, an amorphous silicon layer is single-crystallized by a solid-phase epitaxial growth, and a single-crystal silicon layer 45 as a third layer is formed.
単結晶シリコン層４５が選択的にエッチング除去されることにより、埋め込みゲート電極１１、１３、１５、１７が形成される。 - 特許庁 - The thin film signal wiring layer 20 is bonded on the single-layer ceramic board 10 for the formation of a thin film signal wire-attached single- layer ceramic board 30.
薄膜信号配線層２０が、単層セラミック基板１０の上に接着されて薄膜信号線付き単層セラミック基板３０が形成される。 - 特許庁 - The sheet has a single foam layer of an expanded polyurethane resin, and the surface of the expanded single foam layer is composed of an unexpanded layer.
ポリウレタン樹脂の発泡単一層をもつシート状物であって、発泡単一層の表層部が無発泡部層によって構成されているシート状物。 - 特許庁 - A single crystal silicon substrate 101 is prepared, an isolation layer 102 is formed on its surface, and a single crystal silicon layer 103a is formed on the layer 102.
単結晶シリコン基板１０１を用意し、その表面に分離層１０２を形成し、その上に単結晶シリコン層１０３ａを形成する。 - 特許庁 - Next, a silicon single-crystal layer 12 is superimposed on the surface of the additional silicon oxide layer 14.
次に、追加酸化シリコン層１４の表面にシリコン単結晶層１２を重ね合わせる。 - 特許庁
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