「single- layer」を含む例文一覧(4019)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 80 81 次へ＞- A silicon carbide single crystal layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and a surface-roughened layer 3 having the surface large in unevenness in comparison with that of the surface of the silicon carbide single crystal layer 2 is formed on the silicon carbide single crystal layer 2.
珪素基板１の上に炭化珪素単結晶層２を形成したのち、この炭化珪素単結晶層２の上に、該炭化珪素単結晶層２の表面と比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層３を形成する。 - 特許庁 - A 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of 1 nm to 10 μm is formed on the Si single crystal substrate 2, and a C-BP single crystal layer 4 having a thickness of 1 nm to 10 μm and a compound semiconductor single crystal layer 5 having a thickness of 1 nm to 500 μm are formed in order on the 3C-SiC single crystal layer.
Ｓｉ単結晶基板２上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３が形成され、この３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍのＣ−ＢＰ単結晶層４及び厚さ１ｎｍ〜５００μｍの化合物半導体単結晶層５がこの順で形成されている。 - 特許庁 - To provide a method for producing single layer carbon nanotubes where bundled single layer carbon nanotubes can be satisfactorily dispersed into individual single layer carbon nanotube without sacrificing the inherent chemical properties of the single layer carbon nanotubes and their long length directly after the synthesis of them, and to provide a method for producing a single layer carbon nanotube-applied device utilizing the same.
単層カーボンナノチューブの固有の化学的性質および合成直後の長い長さを犠牲にすることなく、バンドル化した単層カーボンナノチューブを個々の単層カーボンナノチューブに良好に分散させることができる単層カーボンナノチューブの製造方法およびこれを利用した単層カーボンナノチューブ応用装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The single switching layer 4 is formed between the anode layer 3 and cathode layer 5, the anode layer 3 and switch layer 4 are joined together directly, and the cathode layer 5 and the switching layer 4 are joined together directly.
陽極層３と陰極層５との間に単層のスイッチング層４を形成し、陽極層３とスイッチング層４を直接接合し、陰極層５とスイッチング層４を直接接合した。 - 特許庁 - The single-crystal silicon layer is stuck on the top surface, consisting of the 1st inter-layer insulating film 12 formed of the 1st insulator layer 12A and 2nd insulator layer 12B and this single-crystal silicon layer is used to form a transistor element.
第１の絶縁体層１２Ａと第２の絶縁体層１２Ｂとからなる第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層を用いてトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, a magnetic memory is equipped with a single-layer data recording layer formed of the granular thin film 3.
さらに、このグラニュラー薄膜よりなる単層の情報記録層を有する磁性メモリーとする。 - 特許庁 - In the next step, the single crystal MgO power layer is baked to form a crystalline MgO layer.
次工程で単結晶ＭｇＯ粉体層を焼成し、結晶ＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁 - The operation is carried out through single-time screen printing (surface-layer ceramic green sheet layer forming stage).
この操作は１回のスクリーン印刷によって行う（表層セラミックグリーンシート層形成工程）。 - 特許庁 - APPARATUS FOR FORMING SINGLE LAYER FROM MATERIAL FLOW OF THICK LAYER CONTINUOUSLY SUPPLIED
連続的に供給されてくる肉厚層の材料流から単層を形成するための装置 - 特許庁 - The antiferromagnetic layer fixes magnetization of the first ferromagnetic layer to a single direction.
この反強磁性体層により、第１強磁性体層の磁化が１つの方向に固定される。 - 特許庁 - A hard bias layer 26 is formed by the single layer structure of CoPt or CoPtCr.
ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成されている。 - 特許庁 - In the window frame 7, an Ni layer is formed in a single layer to cover the entirety of the window frame 7.
窓枠７には、窓枠７の全体を覆うように、Ｎｉ層が単層に形成されている。 - 特許庁 - A continuous graded semiconductor layer will linearly increase the aluminum content in a single layer.
連続勾配半導体層は、単一の層のアルミニウム含有率を線形増加させたものである。 - 特許庁 - The transparent conductive layer does not use binder resin but is composed of an intertwined single layer carbon nanotube.
透明導電層は、バインダ樹脂を用いないで、絡み合った単層カーボンナノチューブで構成される。 - 特許庁 - The core layer made of single layer or multi-layers has a resin composition layer in which a drying agent is mixed in a specific resin component.
単層または多層のコア層は、特定の樹脂成分に乾燥剤を配合した樹脂組成物層を有している。 - 特許庁 - In the case of the DVD of the single-layer, since the recording layer is one-layer, and there is not interlayer, a count value becomes a small value.
単層のＤＶＤの場合、記録層が１層であり層間が存在しないため、カウント値は小さな値となる。 - 特許庁 - An amorphous semiconductor layer 122A is formed on a first single-crystal semiconductor layer 120 formed on a substrate through an insulating layer.
絶縁層を介して基板に設けられた第１単結晶半導体層上に、非晶質半導体層を形成する。 - 特許庁 - Typically, the first crystal layer 11 is a single crystal layer, and the second one 13 is an epitaxial growth layer.
典型的に、第１の結晶層１１は、単結晶層であり、第２の結晶層１３はエピタキシャル成長層である。 - 特許庁 - A circuit element is formed on the single crystal Si layer 13 of the semiconductor member 20', and then the single crystal Si layer 13 with the circuit element is separated off the semiconductor member 20' at the porous layer 22 so as to be thin.
半導体部材２０’の単結晶Ｓｉ層１３上に回路素子を形成した後、それを多孔質層２２において分離することにより薄化する。 - 特許庁 - Further, the constitution to form the electroplating film of a single metallic layer and an alloy layer formed on the outside surface of this single metal layer is possible as well.
さらには、電気メッキ膜を、単一金属層と当該単一金属層の外面に形成された合金層とから形成するという構成にすることもできる。 - 特許庁 - The single crystal silicon carbide layer 4 is exposed by removing an oxide layer 5 formed on the surface of the single crystal silicon carbide layer 4 in the process of heat treatment (S5).
熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させる（Ｓ５）。 - 特許庁 - A buried conductive layer 23 is buried in a silicon oxide layer 11 under a base lead-out layer 21 while surrounded by a base layer 15, an emitter layer 17 and a p^+ type single crystal silicon layer 19.
埋込導電層２３がベース引出層２１下のシリコン酸化層１１に、ベース層１５、エミッタ層１７及びｐ^＋型単結晶シリコン層１９を囲んで埋め込まれている。 - 特許庁 - The insulation layer is an insulation unit layer of a single-layer structure or a laminated structure of two or more layers, and the material of the insulation unit layer is polyimide.
該絶縁層は、単層構造又は２層以上の積層構造の、絶縁ユニット層であり、該絶縁ユニット層の材料は、ポリイミドである。 - 特許庁 - To provide a layering method of Si single-crystal fine particles that eliminates gaps among Si single-crystal fine-particles in a Si single-crystal fine-particle layer, and prepares a Si single-crystal fine-particle layer which is layered tightly without gaps.
Ｓｉ単結晶微粒子層のＳｉ単結晶微粒子間の間隙を無くし、隙間無く緻密に積層したＳｉ単結晶微粒子層を作製できるＳｉ単結晶微粒子の積層方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER
表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁 - After forming a large number of protrusion 2 in the state of micro-tablelands on the upper surface of a single crystal semiconductor substrate 1, a buffer layer 3 is laminated on the upper surface of the single crystal semiconductor layer, and a single crystal semiconductor layer 4 of a kind different from the single crystal semiconductor layer is laminated on the buffer layer for manufacturing the semiconductor substrate.
単結晶半導体基板１の上面に微細な台地状の多数の突起２を形成した後、単結晶半導体基板の上面にバッファー層３を積層し、バッファー層上に単結晶半導体基板と異なる種類の単結晶半導体層４を積層して製造した。 - 特許庁 - The heat sealing resin layer 2 has a lamination structure of "skin layer / core layer / skin layer" constituted of a core layer 15 of a single layer or multi-layers and two skin layers 14, 16 pinching this core layer from both sides, and the skin layer is an acid denaturated polypropylene layer or an acid denaturated polyethylene layer.
ヒートシール性樹脂層２が、単層または多層のコア層１５と、該コア層を両側から挟む２つのスキン層１４，１６とから構成された「スキン層／コア層／スキン層」の層構成を有し、スキン層が酸変性ポリプロピレン層または酸変性ポリエチレン層である。 - 特許庁 - The second conductor film 15 is composed of a single Cu layer or composed of an Ni layer at a side in contact with the dielectric layer 11 and a Cu layer formed on the Ni layer.
第２の導体膜１５は、単一のＣｕ層からなり、又は、誘電体層１１に接する側のＮｉ層とこのＮｉ層上に形成されたＣｕ層とからなる。 - 特許庁 - The both end parts of the single-layer propulsion coil unit 10 are provided with terminals 13 and 14, with the terminal 13 connected to the single-layer propulsion coils 10A-10C while the terminal 14 to the single-layer propulsion coils 10D-10F, respectively.
また、単層推進コイルユニット１０の両端部には端子１３，１４が設けられ、端子１３は単層推進コイル１０Ａ〜１０Ｃに、端子１４は単層推進コイル１０Ｄ〜１０Ｆにそれぞれ接続されている。 - 特許庁 - Each of the single layer thin film molding unit molds 19-s is formed of an upstream side single layer thin film molding unit mold 19-sU, a downstream side single layer thin film molding unit mold 19-sD and an extrusion passage.
単層薄膜成形単位型１９−ｓは、上流側単層薄膜成形単位型１９−ｓＵと、下流側単層薄膜成形単位型１９−ｓＤと、押出通路とから形成されている。 - 特許庁 - To provide an assembly of single layer carbon nanotubes, which contains the single layer carbon nanotubes having small diameters (e.g. smaller than 1 nm) in a high ratio, and to provide a method for selectively producing the single layer carbon nanotubes having small diameters.
直径の小さな（例えば、１ｎｍ未満の）単層カーボンナノチューブを高い割合で含む単層カーボンナノチューブ集合体、及び直径の小さな単層カーボンナノチューブを選択的に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - OPTICAL RETARDATION PLATE COMPENSATION AND SINGLE POLARIZING PLATE REFLECTION TYPE TWO-LAYER LIQUID CRYSTAL DISPLAY
位相差板補償・単偏光板式反射型２層液晶ディスプレイ - 特許庁 - The thickness of the single-crystal layer 22 depends on the thin-film formation technology.
単結晶シリコン層２２の厚みは、薄膜形成技術に依存する。 - 特許庁 - SINGLE-LAYER BRAZING SHEET FOR HEAT EXCHANGER, AND HEAT EXCHANGER USING THE SAME
熱交換器用単層ブレージングシートおよびそれを使用した熱交換器 - 特許庁 - To insulate an existing single-layer glass sash window without replacing the rail.
既存の単層ガラスサッシ窓を、桟を替えることなく断熱窓化すること。 - 特許庁 - A single decoration layer 2 is formed on the outer periphery of a rod material A.
竿素材Ａの外周面に単一の装飾層２を形成する。 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL Si SUBSTRATE WITH METAL PLATING LAYER AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
金属メッキ層付き単結晶Ｓｉ基板と垂直磁気記録媒体 - 特許庁 - An SOI substrate 1 consists of a support substrate 2, consisting of a single crystal silicon film, a silicon oxide layer 3, a single-crystal silicon layer 4 and epitaxial layers 7.
ＳＯＩ基板１は、単結晶シリコンからなる支持基板２、酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４およびエピタキシャル層７からなる。 - 特許庁 - To accurately determine the kind of a disk (CD/DVD, single layer/multilayer).
ディスクの種別（ＣＤ／ＤＶＤ，単層／多層）を正確に判別する。 - 特許庁 - The second layer 12 comprises a p-type single crystal gallium nitride(GaN).
第２層１２はｐ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁 - A copper thin film incorporating a single layer carbon nanotube is formed on a substrate by plating with copper the substrate on which the single layer carbon nanotube is formed.
単層カーボンナノチューブを形成した基板上に銅をメッキすることで、基板上に単層カーボンナノチューブを取り込んだ銅薄膜を形成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a nitride semiconductor layer comprises fusing the nitride semiconductor layer formed on a single crystal substrate onto an inexpensive ceramic substrate and then peeling and removing the single crystal substrate.
単結晶基板に形成された窒化物半導体層を安価なセラミックス基板に融着させ、単結晶基板を剥離除去する。 - 特許庁 - Then, the first single-crystal semiconductor layer is processed into an island shape.
そして、第１の単結晶半導体層をアイランド状に加工する。 - 特許庁 - SINGLE LAYER OR MULTILAYER SOFT FLAT PLATE PRODUCT HAVING ELASTIC CORE STRUCTURE
弾性芯構造を具えた単層或いは多層の軟性平板製品 - 特許庁 - An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.
ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁 - NOZZLE FOR DISPENSERS, DISPENSER, AND MANUFACTURING METHOD OF SINGLE LAYER OR MULTILAYER BOARD
ディスペンサ用ノズル、ディスペンサ及び単層又は多層板の製造方法 - 特許庁 - A single crystal silicon carbide layer 4 is formed by converting the carbon-containing layer 3 into a single crystal by heat treating the silicon substrate 1 (S4).
シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成する（Ｓ４）。 - 特許庁 - To put it concretely, the difference of the thickness between the ceramic single layer region and the electrode forming region is within 10% of the thickness of the ceramic single layer region.
具体的には、セラミック単層領域と電極形成領域の厚さの差はセラミック単層領域の厚さの１０％以内である。 - 特許庁 - After that, the second single-crystal semiconductor layer is processed into an island shape.
その後、第２の単結晶半導体層をアイランド状に加工する。 - 特許庁 - A substrate 50 composed by sequentially stacking a first layer 1 formed of single-crystal silicon, a second layer 2 formed of SiO2, a third layer 3 formed of SiN and a fourth layer 4 formed of single-crystal silicon is prepared.
単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、ＳｉＮから成る第３層３と、単結晶シリコンから成る第４層４とを順次に積層した基板５０を準備する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
