To provide a solid-state imager capable of performing an operation of a front curtain of a shutter by an electronic shutter as an operation that resembles a back curtain of a focal plane shutter with a simple configuration and preventing shading generated in a photographed image, and to provide a digital camera. 電子シャッタによるシャッタの先幕の動作を、簡単な構成でフォーカルプレーンシャッタの後幕に近い動作とすることができ、撮影画像に発生するシェーディングを防止することができる固体撮像装置およびデジタルカメラを提供する。 - 特許庁
To reduce the width of a trench-type element isolation region in a peripheral circuit forming region, and to suppress increase of the area of this region, even if the number of elements of the peripheral circuit and the like id increased, while maintaining the sensitivity of a solid-state image pick-up device. 固体撮像装置の感度を維持しながら、周辺回路形成領域におけるトレンチ型の素子分離領域幅を縮小し、周辺回路の素子数などが増加してもこの領域の面積が増大するのを抑制する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging element, a method of driving the element which can reduce only a smear component while maintaining a total handling electric charge quantity and can improve an image quality by relatively reducing a smear signal, and to provide a camera using the element. トータルの取扱い電荷量を維持しながら、スミア成分のみを減少させることができ、スミア信号を相対的に減少させることで画質改善を図ることが可能な固体撮像素子、およびその駆動方法、並びにカメラを提供する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device which performs tuning for columns or rows of a pixel array part or allows multi-row and multi-column tuning based on that in many parts, and has no difficulty in process such as voltage resistance generated in an SOC structure. 画素アレイ部の行数分、列数分またはそれに準ずるような複数行、複数列の多数箇所のチューニング補正が可能で、かつ、SOC構造で生じる耐圧などのプロセス的に困難を伴わない固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
A solid state imaging device 1 includes: a pixel 11 for performing photoelectric conversion on incident light; and an amplification circuit 16 to which a signal from the pixel 11 or a signal corresponding thereto is input, and which has a function for amplifying the input signal with a gain whose absolute value is smaller than 1. 固体撮像素子1は、入射光を光電変換する画素11と、画素11からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路16とを備える。 - 特許庁
When image pickup is executed by a solid-state image pickup element 2 and the picked up image is inputted, the inputted image is first contracted, first image processing is given to the contracted image, the first compression processing is given and the compression ratio at the time is calculated. 固体撮像素子2により撮像が行われ、撮像画像が入力されると、まず入力画像は縮小され、その縮小画像に第1の画像処理がなされた後、第1の圧縮処理がなされ、そのときの圧縮率が計算される。 - 特許庁
The electronic composite component is characterized in that a second printed circuit board 5 on which an inductor element 1 and a semiconductor element 2 are mounted is connected to a first printed circuit board 7 on which two solid-state electrolytic capacitor element 3 are mounted, and resin-molded to one package. インダクタ素子1および半導体素子2を実装した第二のプリント基板5と、2つの固体電解コンデンサ素子3を実装した第一のプリント基板7を接続して、ワンパッケージに樹脂モールドしたことを特徴とする電子複合部品。 - 特許庁
To reduce the intensity of diffraction light spreading to parts other than a photoelectric conversion unit by diffraction effect of light incident upon an opening in the photoelectric conversion unit serving as a light-receiving unit to increase the sensitivity, thereby suppressing noise such as smear or color mixture in a solid-state image pickup device. 固体撮像装置において、受光部となる光電変換部の開口部に入射した光の回折効果で光電変換部以外に広がる回折光の強度を弱め、感度向上を図り、スミアあるいは混色などのノイズを抑制する。 - 特許庁
A silicon nitriding film formed by a plasma CVD method exists on the peripheral circuit part 24 of the outside of at least an imaging area 23, and a solid-state imaging element 1 without having the silicon nitriding film is constituted on the sensor part 11 of the imaging area 23. 少なくとも撮像領域23外の周辺回路部24上に、プラズマCVD法により形成されたシリコン窒化膜を有し、撮像領域23内のセンサ部11上にはこのシリコン窒化膜を有しない固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁
To provide an apparatus and method for manufacturing alloy plates, wherein plate materials made of alloy having a wide range of the inter-solid-liquid phase temperature and a high flowability in a semi-solidified state are easily inexpensively manufactured, and the deficiencies are eliminated. 固相液相間温度の幅が広く且つ半凝固状態の流動性が高い合金からなる板材を、簡単に且つ安価に、製造でき、且つ、上記不具合を解消できる、合金板製造装置及び合金板製造方法を、提供する。 - 特許庁
The solid-state imaging device including a photoelectric conversion element, a floating/diffusing part and an element isolation region in a first semiconductor region includes a first conductivity-type second semiconductor region arranged in an upper part of the first semiconductor region. 光電変換素子、浮遊拡散部および素子分離領域を第1の半導体領域に有する固体撮像装置において、第1の半導体領域の上部に配された第1導電型の第2の半導体領域を有している。 - 特許庁
A control section 15 obtains a level difference (absolute value) of two pilot signals in an output signal from the solid-state imaging device 11 by each channel and allows a gain correction section 17 to correct the levels so that the level differences of the pilot signals of the two channels are equal to each other. 制御部15は、固体撮像素子11の出力信号中の2つのパイロット信号のレベル差(絶対値)をチャンネル別に求め、2チャンネルのパイロット信号信号のレベル差が等しくなるように、ゲイン補正部17でレベル補正する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging element capable of suppressing the rounding of the edge shape of a first layer electrode, and preventing characteristic deterioration including deterioation in transfer efficiency and charge extraction characteristic, DC short circuit, and electric field concentration. 第1層電極のエッジ形状が丸くなるのを抑制し、転送効率の低下、電荷引き抜き特性の低下DCショートあるいは電界集中などの、特性劣化を生じるのを防止することのできる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
The solid-state imaging element 36 controls a low sensitive gate 48 for accumulating signal charges of a low sensitive element 40 and reading such signal charges to generate an electric field intensity relatively higher than that generated in a gate 46 formed to a high sensitive element 38. 固体撮像素子36は、低感度素子40の信号電荷を蓄積させ、信号電荷を読み出す低感度用ゲート48を、相対的に高感度素子38に形成されるゲート46に発生する電界強度よりも強い電界強度を生成させる。 - 特許庁
To provide a data transfer circuit which can reduce a parasitic capacity and parasitic resistance on a transfer wire to a data detection circuit, and can accelerate the speed of data transfer to the data detection circuit, and to provide a solid-state image pick-up device and a camera system. データ検出回路への転送線上の寄生容量や、寄生抵抗を低減することが可能で、データ検出回路へのデータ転送を高速化することが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁
In the CCD solid-state imaging device 2, a readout pulse is applied to the light receiving unit 7 positioned on a (3N-2)-th row in a timing indicated by a code t2 during an exposure period. 受光部7と、垂直転送部8と、読み出し電極10と、水平転送部11とを有するCCD型固体撮像素子2において、露光期間中の符号t2で示すタイミングで第(3N−2)行目に位置する受光部7に読み出しパルスを印加する。 - 特許庁
As a light source 10A of an illumination optical system 1A, a solid state light emission element 11 emitting light from a light emission area comprising a single or multiple dot shaped light emission spots or a single or multiple non-dot shaped light emission spots is used. 照明光学系1Aの光源10Aとして、単一もしくは複数の点状、または単一もしくは複数の非点状の発光スポットからなる光射出領域から光を発する固体発光素子11が用いられている。 - 特許庁
A substrate voltage (clip voltage Vc) is set to an initial value, and image sensing operation is carried out by driving a solid-state image sensor while casting light of enough luminance to allow an storage charge amount of each photodiode to attain a saturation signal charge amount. 基板電圧(クリップ電圧Vc)を初期値に設定し、各フォトダイオードの蓄積電荷量が飽和信号電荷量に達するのに十分な輝度の光を照射した状態で固体撮像素子を駆動して撮像動作を行わせる。 - 特許庁
The cover glass 14 is flat and the solid-state imaging element 11 is combined with its lower surface side so that its light-intercepting surfaces 11a faces each other, and its peripheral fringe part is bonded to the upper part of the package substrate 13 so as to block the opening of the package substrate 13. カバーガラス14は、平板状であって下面側に、受光面11aが対向するように固体撮像素子11が固着されており、パッケージ基体13の開口を塞ぐように周縁部がパッケージ基体13の上部に接合されている。 - 特許庁
To reduce the gap between microlenses, and to reduce the dead space, and improve sensitivity of a solid-state image pickup device by forming an antipreventing film on the microlenses, while reducing the increase of film thickness in the gap between the microlenses. マイクロレンズ上の反射防止膜を、マイクロレンズ間のギャップにおける膜厚の増大を抑制しながら形成することにより、マイクロレンズ間のギャップの間隔を狭小化させ、デッドスペースを低減させて固体撮像装置の感度を向上させる。 - 特許庁
To say more precisely, such field lenses FL1 and FL2 are used so that the optical axis direction position of the exit pupils of the solid-state imaging element lighting system coincides with the positions of the incident pupils of the imaging elements 6 and 7 when putting the field lenses FL1 and FL2 into insertion. さらに言えば、フィールドレンズFL1,FL2を挿入したときの、固体撮像素子照明装置の射出瞳の光軸方向位置が、固体撮像素子6,7の入射瞳位置に一致するようなパワーのフィールドレンズFL1,FL2を使用する。 - 特許庁
The application voltage is controlled in accordance with the position of a lens in a solid-state lens group 310, the angular velocity of the imaging apparatus and the ambient temperature of the imaging apparatus, etc., and the light from the object is made vertically incident on each photoelectric conversion element in the imaging device. 印加電圧は、固体レンズ群310におけるレンズの位置、撮像装置の角速度、撮像装置の周囲の温度などに応じて制御され、撮像素子における各光電変換素子に被写体からの光を垂直に入射させる。 - 特許庁
In the state of turning the charging chamber to the same pressure as a pressure container 5, the spindle 15 is separated from the valve seat part 16, an extrusion member 6 is lowered by a magnet 12 and the solid matter stuck to the side wall or the like is charged to the pressure container 5 while it is scraped off. 投入室を圧力容器5と同圧にした状態で、スピンドル15を弁座部16から離し、マグネット12により押出し部材6を下降し、側壁等に付着している固形物を掻き落しつつ圧力容器5に投入する。 - 特許庁
Furthermore, a 2nd engagement section 122 of a pin-like shape is projected from the cover 10 and penetrated through the board 14 and the penetrated tip is fitted to a positioning hole 31 of a printed circuit board 3 on which the solid-state image pickup device 1 is mounted for the positioning. また、カバー10にピン状の第2係合部分122を突設して基板14を貫通させ、貫通した先端部を固体撮像装置1を実装する回路基板3の位置決め孔31に内嵌して位置決めする構成とした。 - 特許庁
To provide a solid state imaging device where occurrence of dark electrons on a well surface under a gate electrode can be suppressed, a method of control and a circuit never become complicated, and a problem of an after image or kTC noise never occurs; and to provide a method for driving thereof. ゲート電極下のウェル表面での暗電子の発生を抑制することができ、かつ、制御方法や回路が煩雑にならず、また、残像やkTCノイズの問題が生じない固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a direct methanol fuel cell system which solves the problem of liquid leakage or crossover in use of liquid fuel even as a DMFC by utilizing solid methanol being very safe in the state of a fuel cartridge. 燃料カートリッジの状態では非常に安全である固体状メタノールを利用してDMFCシステムとしても液体燃料を使用する場合の液漏れやクロスオーバーの問題を解決した直接メタノール形燃料電池システムを提供する。 - 特許庁
This solid-state image pickup device 100 is fixed on the wiring board 1 so as to be detachable from the wiring board 1, wherein pressure is applied vertically to side surfaces of a light transmissive lid 3 to sandwich the light transmissive lid 3. 本発明の固体撮像装置100は、配線基板1上に、配線基板1に着脱可能に固定されているとともに、透光性蓋部3の側面に対して垂直に圧力を加え、透光性蓋部3を挟持している。 - 特許庁
A manufacturing method of the solid preparation containing (a) ibuprofen and (b) calcium silicate or magnesium aluminometasilicate has a process wherein ethanol is added to a powder containing ibuprofen and a slurry state is undergone. a)イブプロフェン、及びb)ケイ酸カルシウム又はメタケイ酸アルミン酸マグネシウムを含有する固形製剤の製造方法であって、イブプロフェンを含有する粉体に、エタノールを添加し、スラリー状態を経る工程を有することを特徴とする固形製剤の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for producing propylene oxide, having an industrially effective advantage that a solid catalyst in a state of increasing the differential pressure in the catalyst layer can be reused therein and hence the catalyst cost in producing propylene oxide can significantly be reduced. 触媒層における差圧が増大した固体触媒を再使用することができ、よって製造における触媒コストを大幅に改善できるという工業的に優れた効果を有するプロピレンオキサイドの製造方法を提供する点。 - 特許庁
To efficiently correct a longitudinal line flaw of a fine level caused by a defect of a vertical transfer path which is hardly conspicuous rather than an ordinary defective pixel while avoiding the increase of a ROM capacity or the like for storing defect information on pixels of a solid-state imaging device. 固体撮像素子の画素の欠陥情報を格納するROM等の大容量化を回避しつつ、通常の欠陥画素よりも目立ち難い垂直転送路の欠陥に起因する微妙なレベルの縦線キズを効率よく補正する。 - 特許庁
To manufacture a high performance solid-state imaging apparatus by properly controlling the thickness of a reflection preventing film provided to a photodiode surface, and the thickness of a sidewall provided to a gate electrode side wall of an MOS transistor without increasing manufacturing process. 製造工程を増加させることなく、フォトダイオード表面に設けられた反射防止膜の膜厚およびMOSトランジスタのゲート電極側壁に設けられたサイドウォール厚を適正に制御して、高性能な固体撮像装置を作製する。 - 特許庁
To provide image quality equivalent to the one of video images in a movie or the like by preventing the occurrence of a shake due to the time difference of exposure between each field within one frame in a camera system using a solid-state image pickup device coping with an interlace system. インタレース方式対応の固体撮像装置を用いたカメラシステムにおいて、1つのフレーム内の各フィールド間で露光の時間差に伴うブレが生じるのを防ぐことにより、映画等における映像と同等の画質が得られるようにする。 - 特許庁
The thermoplastic resin having the properties of strain rate softening in a solid state is suitably softened in accordance with the range of the size of an impact, and is deformed toward foaming voids, thus sufficient impact absorbing performance can be developed. 衝撃の大きさの範囲によって固体状態でひずみ速度軟化の性質を有する熱可塑性樹脂が適宜軟化し、発泡している空隙に向かって変形していくことで、十分な衝撃吸収性能を発現することが可能となる。 - 特許庁
To provide a sodium-sulfur battery which can retain a gap between a solid electrolyte tube and a bulkhead (safety tube) constant and suppress the occurrence of a malfunction of the battery, and which is superior in safety in a current supply state after over-charge destruction. 固体電解質管と隔壁(安全管)との間隙を一定に保持し、電池の動作不良の発生を抑制することができるとともに、過充電破壊後の通電状態における安全性に優れたナトリウム−硫黄電池を提供する。 - 特許庁
To provide an advanced method for transition to a practical embodiment by examining a device required for attaining practically complete elimination of noise, concerning sound wave propagation characteristic in a solid state support structure of an MRI gradient coil. MRIグラジェント・コイルの固体支持構造内における音波伝播特性に関し、実用上、完全なノイズ消去に到達するために必要とされる工夫について考察し、実用的な実施例に移行し得る進歩した方法を提案することにある。 - 特許庁
The solid-state image sensor including: a pixel region consisting of a plurality of pixels arranged in two dimensions; and a vertical scanning circuit being arranged on one side in the line direction of the pixel region and supplying a plurality of the pixels with driving signals at every line is inspected. 2次元に配置された複数の画素からなる画素領域と、前記画素領域の行方向の一方側に配置され前記複数の画素に行毎に駆動信号を供給する垂直走査回路と、を有する固体撮像素子を検査する。 - 特許庁
A solid-state imaging element 2 and a phase grating optical low-pass filter 6 arranged before it are pasted together through a breathable spacer frame 7 of which a plurality of ventilation slots 8 having the length extending from the inner peripheral edge to the outer peripheral edge are formed on both surfaces. 固体撮像素子2と、その前方に配置された位相格子型光学ローパスフィルタ6とを、両面に内周縁から外周縁にわたる長さの複数の通気溝8を形成した通気性を有するスペーサ枠7を介して貼合わせた。 - 特許庁
In the solid-state image pickup device 100, a plurality of photoelectric converters 101, 101, and so on are disposed into a matrix form, and a plurality of charge transfer electrodes 111, 112, 113 and 114 are formed into a repeating pattern in the vertical direction on its upper surface. 固体撮像装置100では、複数の光電変換部101、101…がマトリックス状に配置され、その上面に複数の電荷転送用電極111,112,113,114が垂直方向に繰り返しパターンで形成されている。 - 特許庁
Two layers of an inert substance layer 28 which is not reactive to the gelatinous substance 21 and the water layer 29 for stabilization as solid-state by-product 30 through reaction with the gelatinous substance 21 are provided within a mixed reaction vessel 33 of the processing apparatus 20. 処理装置20の混合反応槽33には、ゲル状物質21とは反応しない不活性物質層28と、ゲル状物質21と反応して固体生成物30として安定化させる水層29との二層が備えられている。 - 特許庁
To provide a semiconductor solid-state laser device which is not affected by the fact that an etalon is not uniform in thickness, capable of stably making the wavelength of a peak transmitted light of an etalon coincident with that of an output peak oscillation ray of a laser, and high in output efficiency and stability. エタロンの厚み加工のばらつきに影響されず、エタロンのピーク透過波長とレーザの出力のピーク発振波長を安定して一致させることができ、レーザ出力の効率及び安定度の高い半導体固体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a solid state imaging device having a substrate structure in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it. 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The imaging device 1 includes a solid-state imaging element 3, a defect information memory 7 which stores, in advance, information relating to the types of defects of defective pixels and information relating to the defective levels of defective pixels, and a defect correction circuit 6 for correcting image data of defective pixels. 撮像装置1は、固体撮像素子3と、予め欠陥画素の欠陥種類情報及び欠陥レベル情報を記憶する欠陥情報メモリ7と、欠陥画素の画像データに関する補正を行う欠陥補正回路6とを有する。 - 特許庁
This oil in water type acidic emulsion food such as high quality tartar sauce or thousand island dressing, etc., contains the egg white like coagulated material containing a cooling coagulating material, oils and fats and an emulsifying material, and made as a solid in a state of the oil in water, as the ingredient. 冷却凝固材と油脂及び乳化材とを含有し水中油型の状態で固体にしてある卵白様凝固物を、具材として含有するタルタルソースまたはサウザンアイランドドレッシング等の水中油型酸性乳化液状食品。 - 特許庁
To simplify a production process and to reduce a production cost in a solid-state imaging device by commonizing the formation of the diffusion layer of an charge transfer unit and the formation of the diffusion layer of a transistor composing an output unit in the periphery. 固体撮像装置において、電荷転送部の拡散層の形成と、その周辺の出力部を構成するトランジスタの拡散層の形成とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。 - 特許庁
Consequently, the solid-state imaging element 2 can normally convert subject light injected to a photosensitive area 2a through a lens to an electrical signal and output the signal from a wiring pattern 8 and a terminal 6b to a signal processing part of an inside of an apparatus. したがって、固体撮像素子2は受光エリア2aにレンズを介して入射する被写体光を正常に電気信号に変換して、この信号を配線パタン8及び端子6bから機器内部の信号処理部へ出力することができる。 - 特許庁
In this solid-state image pickup device, photo sensors are arranged on a matrix of M rows and N columns, and read electrodes 22A which have gate parts for upper and lower picture elements and read electrodes 22B are alternately arranged on odd-numbered transfer channels 11A of a vertical CCD. M行、N列のマトリクス上にフォトセンサが配され、垂直CCDの奇数番目の転送チャンネル11A上において、上下の画素に対するゲート部を有する読出し電極22Aと、読出し電極22Bとが交互に配置される。 - 特許庁
To provide a solid-state image pickup element that can cope with a mode where a storage period of each color is adjusted by a read-out gate(ROG) pulse independently of each color and a mode where a storage period of each color is adjusted by a shutter gate pulse independently of each color. 各色独立のリードアウトゲートパルスにより各色の蓄積期間を調整するモードと、各色独立のシャッタゲートパルスにより各色の蓄積期間を調整するモードの何れにも対応することができる固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁
Thereby, it can mount a passive element into a certain space between a lower part of level difference portion of the first wiring board and the wiring board of the second wiring board, and can manufacture the miniaturized semiconductor device for the solid-state imaging miniaturized with narrow influence width of face. これにより、第1の配線基板の段差部の下部と第2の配線基板との所定の空間に受動素子を実装することができ、左右幅が狭い小型化された固体撮像用半導体装置を製造することができる。 - 特許庁
To allow the solid-state image pickup device to obtain an image signal with suppressed flicker from a high luminance part or a low luminance part with respect to an image where an object lighted by a light source whose luminance is subject to change and an outdoor object lighted by natural light are in existence. 固体撮像装置において、輝度変化する光源で照明された被写体と、自然光により照明された屋外の被写体とを有する画像において、高輝度部でも低輝度部でもフリッカが抑圧された画像信号を得ること。 - 特許庁
A sensor 40 for exposure monitor is arranged on the light receiving surface side of a solid-state imaging device 20 with a space S between them, and exposure is made to be controlled on the basis of a signal corresponding to the intensity of incident light L outputted from the sensor 30 for exposure monitor. 固体撮像素子20の受光面側に空間Sを介して露出モニタ用センサ30を配置し、この露出モニタ用センサ30から出力される入射光Lの光強度に応じた信号に基いて露出を制御するようにした。 - 特許庁