「solid-state」を含む例文一覧(12282)

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  • To provide a direct methanol fuel cell system which solves the problem of liquid leakage or crossover in use of liquid fuel even as a DMFC by utilizing solid methanol being very safe in the state of a fuel cartridge.
    燃料カートリッジの状態では非常に安全である固体状メタノールを利用してＤＭＦＣシステムとしても液体燃料を使用する場合の液漏れやクロスオーバーの問題を解決した直接メタノール形燃料電池システムを提供する。 - 特許庁
  • The solid state image sensor comprises: a substrate having multiple photoelectric conversion parts arranged two-dimensionally; and multiple color filters laminated on the substrate and transmitting light in a specific wavelength region toward each photoelectric conversion part.
    実施形態によれば、固体撮像素子は、２次元配列された複数の光電変換部を有する基板と、前記基板に対して積層され、前記各光電変換部に向けて特定の波長域の光を透過させる複数のカラーフィルタと、を備える。 - 特許庁
  • A silicon nitriding film formed by a plasma CVD method exists on the peripheral circuit part 24 of the outside of at least an imaging area 23, and a solid-state imaging element 1 without having the silicon nitriding film is constituted on the sensor part 11 of the imaging area 23.
    少なくとも撮像領域２３外の周辺回路部２４上に、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜を有し、撮像領域２３内のセンサ部１１上にはこのシリコン窒化膜を有しない固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁
  • 7. Among video cameras that incorporate solid-state image sensors having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 10 nanometer and 30,000 nanometers or less, those which fall under any of the following i. through iii. and also fall under any of the following iv. through vi.
    （七）　固体撮像素子を組み込んだビデオカメラであって、一〇ナノメートル超三〇、〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、次の１から３までのいずれかに該当し、かつ、４から６までのいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • A CN_x nanotube comprising carbon and nitrogen atoms is reacted with boron oxide and copper oxide at 1,500-2,500 K in a nitrogen atmosphere to provide the boron nitride nanoparticle with a nanoparticle structure containing solid-state nitrogen.
    炭素原子と窒素原子から構成されるＣＮ_ｘナノチューブ、酸化ホウ素及び酸化銅を窒素雰囲気中で１５００Ｋ〜２５００Ｋの高温下に反応させ、ナノ粒子構造を有する窒化ホウ素ナノ粒子の内部に固体状窒素を内含させる。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a refined cyclopentadiene compound composed mainly of an organic compound having cyclopentadiene skeleton easily from a crude cyclopentadiene compound containing the organic compound in solid or liquid state.
    シクロペンタジエン骨格を有する有機化合物が固体、液体のいずれの状態であっても、簡便に該有機化合物を含む粗シクロペンタジエン化合物から該有機化合物を主成分とする精シクロペンタジエン化合物を製造する方法を提供する。 - 特許庁
  • A nucleus generating device 30 for generating minute solid-phase nuclei by the latent heat accumulating material LM in a supercooled (gel-like) state, includes a box-like member 31, and a nucleus generating member 32 and a coil spring 34 which are received in the box-like member 31.
    過冷却状態（ゲル状）の潜熱蓄熱材ＬＭにて微小な固相の核を生成するための発核装置３０は、箱状部材３１と、その箱状部材３１に収容された発核部材３２及びコイルスプリング３４とを備えている。 - 特許庁
  • To provide a lubricant applying device capable of maintaining stably a lubricant applied state on an image carrier surface over from a factory delivery time up to a product component life, without depending on a using condition and an environmental condition, and capable of preventing a solid lubricant from being abraded unevenly.
    使用条件や環境条件に左右されることなく、像担持体表面の潤滑剤塗布状態が工場出荷時から製品部品寿命時まで安定し、かつ固形潤滑剤の偏摩耗がない潤滑剤塗布装置を提供する。 - 特許庁
  • Light receiving parts a_i, _j included in the solid-state image pickup device are provided with a photodiode PD, a first capacitance part C11, a second capacitance part C12, an amplification transistor T_1, a transfer transistor T_2, a discharging transistor T_3 and a selection transistor T_4.
    固体撮像装置に含まれる受光部ａ_ｉ,ｊは、フォトダイオードＰＤ、第１容量部Ｃ_１１、第２容量部Ｃ_１２、増幅用トランジスタＴ_１、転送用トランジスタＴ_２、放電用トランジスタＴ_３および選択用トランジスタＴ_４を備える。 - 特許庁
  • An image sensor use chip CP has a solid-state image pickup element 10 adopting a pixel configuration of 3888×2192 pixels as a whole for setting a black level reference part in order to ensure the optical black in addition to number of pixels that is 4-times of those of an image pickup device adopting the High-Vision system.
    イメージセンサ用チップＣＰは、ハイビジョン方式の撮像装置の４倍の画素数に加えて、光学ブラックを確保するために黒レベル基準部分を設定し、全体として3888×2192の画素構成とされた固体撮像素子１０を有する。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device includes a plurality of pixels which are arranged in a matrix, a plurality of vertical signal lines VL which are wired for each column and connected to pixels in one column in common, and the column amplifier 5 which comprises a plurality of amplifiers AP.
    固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素と、列ごとに配線され、各々が１列の画素に共通に接続された複数の垂直信号線ＶＬと、複数のアンプＡＰで構成されるカラムアンプ５とを備えている。 - 特許庁
  • Accordingly, a potential change of a data line 6a_2 is less than a potential of the first electrode 81a_1 of the pixel 100a_1, thereby crosstalk between the pixels 100a can be prevented, and the solid-state imaging device 100 having a high resolution can be achieved.
    従って、データ線６ａ_2の電位変化が画素１００ａ_1の第１電極８１ａ_1の電位に及ばないので、画素１００ａ間のクロストークを防止することができ、解像度が高い固体撮像装置１００を実現することができる。 - 特許庁
  • To provide a solid-state imaging device that is provided with an organic photoelectric conversion element for applying a voltage to an electrode and that is capable of reducing injection of charges (electron and hole) from an intermediate level to a photoelectric conversion layer to effectively reduce dark current.
    電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子を備える固体撮像素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。 - 特許庁
  • The solid-state photographic apparatus has a primary pixel and a secondary pixel, wherein both the pixels have a p-type diffusion layer 301 formed in a semiconductor substrate 300 and an n-type diffusion layer 302 formed on the p-type diffusion layer 301, respectively.
    固体撮像装置は、第１画素と第２画素とを備えており、両画素は、半導体基板３００内に形成されたｐ型拡散層３０１と、ｐ型拡散層３０１上に形成されたｎ型拡散層３０２とをそれぞれ有している。 - 特許庁
  • In the solid-state image pickup device 1, the photoelectric conversion part is arranged on a front side of a semiconductor substrate, and a gettering site separating metal impurity in the semiconductor substrate from the photoelectric conversion part is arranged on a rear side by separating it from the semiconductor substrate.
    固体撮像装置１を、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、半導体基板から離れて裏面側に設けられた構成とする。 - 特許庁
  • This treatment method is characterized in that the solid-state residue of agricultural chemicals including halogenated compounds are dehalogenated by alkali metal, and treated objects after the dehalogenation are distilled under a reduced-pressure or vacuum-dried to remove the halogenated compounds from the treated objects.
    ハロゲン化合物を含む固形状の使用残農薬を、アルカリ金属によって脱ハロゲン化処理し、脱ハロゲン化処理後の被処理物を減圧蒸留又は真空乾燥して被処理物からハロゲン化合物を除去することを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a solid-state imaging device in which the improvement in sensitivity and the reduction of a smear component are possible by leading a light reflected by a metal reflective barrier to a light-receiving section, increasing the amount of light received, and suppressing the leakage of the reflected light by a charge transmission route.
    メタル反射壁で反射した光を受光部へ導き受光量を増加させ、反射光の電荷転送路への漏れを抑えることにより、感度の向上およびスミア成分の低減が可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
  • Since this method is constituted so as to be capable of detecting the structural change of protein in the state bonded to a solid phase, the structural change of protein can be simply measured, with respect to many specimens at the same time in a short time by using a very small amount of protein.
    本方法は固相に結合した状態において蛋白質の構造変化の検出を可能としたものであるので、微量の蛋白質で、短時間に多検体を同時に且つ簡便に構造変化の測定を行う事が可能となる。 - 特許庁
  • When the detection result of the motion detecting circuit 45 is the threshold or less, a normal illumination light source 50 and a specific illumination light source 51 of a light source device 12 are alternately turned on and off at intervals of charge accumulation time of a solid-state image pick-up device 23.
    動き検出回路４５の検出結果が閾値以下の場合は、光源装置１２の通常照明光用光源５０、特殊照明光用光源５１が、固体撮像素子２３の蓄積期間単位で交互に点消灯される。 - 特許庁
  • To provide a solid-state image sensing element for converting long wave light, such as light in a terahertz band, to an electronic signal, and then outputting, mainly as a video signal, without being affected by fluctuations caused by radiant heat, a manufacturing method therefor, and an imaging device.
    本発明は、テラヘルツ帯をはじめとする長波長光を、輻射熱揺らぎの影響を受けることなく、電気信号に変換し、おもに映像信号として出力する固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置を提供する。 - 特許庁
  • Only a first silicon oxide film 30 (a lower-layer film 30-1 and an upper-layer film 30-2) having a thickness, for example, 40 nm or smaller is interposed between a semiconductor substrate 20 and a shielding film 32 on a photoelectric converter 23 of the solid-state image pickup device.
    固体撮像素子の光電変換部２３上において半導体基板２０と遮光膜３２との間に、厚さ例えば４０ｎｍ以下の第１シリコン酸化膜３０（下層膜３０−１と上層膜３０−２）のみが介在するようにする。 - 特許庁
  • The compound material is supplied at fixed quantity to a thermal decomposition apparatus 3 constituted of a hermetically sealed vessel having a conveyance mechanism and is melted, by heating in a state shut off from outside air, into a melt, and the melt is formed into a compound solid body by water cooling.
    複合材を、搬送機構を有する密閉容器からなる熱分解装置３に定量供給し、外気から遮断した状態で加熱溶融することにより溶融体となし、前記溶融体を、水冷により複合固形物とする。 - 特許庁
  • The bridge circuit 15a can be used together with a traveling-wave tube amplifier and a solid-state power amplifier both of which which operate in an S, C, X, Ku, K, Ka, Q, V, or W frequency band or another desired RF frequency band.
    線形化ブリッジ回路は、Ｓ、Ｃ、Ｘ、Ｋｕ、Ｋ、Ｋａ、Ｑ、Ｖ、又はＷの周波数帯域、或いは他の所望のRF周波数帯域において動作する進行波管増幅器及び固体素子電力増幅器と共に用いられてもよい。 - 特許庁
  • To provide an assembly method for distal end parts of electronic endoscopes by which an inner lead and a signal cable are reliably connected to a circuit board in an excellent manner even if the circuit board disposed on the back surface side of a solid-state image sensor is reduced in the size.
    固体撮像素子の背面側に配置された回路基板が小型化されても、回路基板に対するインナーリードと信号ケーブルの接続を良好かつ確実に行うことができる電子内視鏡の先端部の組立方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a visibility correction filter glass used for the visibility correction of a solid-state image sensing device and capable of reducing the disorder of a photographed image such as contour blur caused by near ultraviolet chromatic aberration of a lens system.
    固体撮像素子の視感度補正に用いられるフィルタガラスにおいて、レンズ系の近紫外線色収差に起因する輪郭ぼけなどの撮影画像の乱れを低減することのできる視感度補正フィルタガラスを提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a solid-state image sensor which outputs a logarithmicconverted signal according to an incident light quantity and has an image sensible brightness range narrowed according to the brightness distribution of an object.
    本発明は、入射光量に対して対数変換した信号を出力する固体撮像装置において、その撮像可能な輝度範囲を被写体の輝度分布に応じた輝度範囲に狭めた固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide an endoscope which can surely take an electric insulation countermeasure between a distal end of the endoscope and a solid state imaging element with a simple, low-cost and rigid structure without thickening an outer diameter of an inserting part.
    本発明は、挿入部の外径を太くすることなく、かつ簡単・安価・強固な構造で内視鏡先端部と固体撮像素子との間の電気的絶縁対策を確実にとることができる内視鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁
  • A driving control circuit composed of the first and second driving circuits 21a, 21b and a timing control circuit 26 controls the operations of the first and second solid-state imaging devices 20a, 20b according to the first and second setting data stored in the register 30.
    第１及び第２の駆動回路２１ａ、２１ｂ、タイミング制御回路２６からなる駆動制御回路は、レジスタ３０に格納される第１及び第２の設定データに従って第１及び第２の固体撮像素子２０ａ、２０ｂの動作を制御する。 - 特許庁
  • To provide a starting method of a solid polymer-type fuel cell wherein energy loss is reduced in starting the fuel cell and in which the total energy efficiency is enhanced, by shifting the operation of the fuel cell into a stable operation state promptly.
    燃料電池の運転をすみやかに定常運転状態に移行させることにより、燃料電池起動時のエネルギ損失を減らし、総合エネルギ効率を高くした固体高分子型燃料電池の起動方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device has pixel portions arrayed in two dimensions and the respective pixel portions have photoelectric converting portions (2) which convert input light into electric charges and optical filters (6a, 6b, and 6c) having different transmissivity to visible light by photoelectric converting portions (2).
    固体撮像装置は、二次元配列された画素部を備え、各画素部は、入射光を電荷に変換する光電変換部（２）と、光電変換部（２）毎に異なる可視光の透過率を有する光学フィルタ膜（６ａ、６ｂ、６ｃ）とを有する。 - 特許庁
  • A solid-state image pickup element chip 1 is mounted on the surface of a leafless chip carrier 12 on whose back face is provided with extended metallic wiring, and an anisotropy conductive film 15 is applied to the back face of the leadless chip carrier 12 and adhered to a circuit board through thermocompression bonding.
    裏面まで金属配線１３が延長されたリードレスチップキャリアー１２の表面に固体撮像素子チップ１を実装し、かつ、リードレスチップキャリアー１２の裏面に異方性導電膜１５を塗布し、熱圧着により回路基板と接着をさせる。 - 特許庁
  • When creating an imaging signal of an interlace system, the device uses all pixel reading type solid-state imaging element 101, drives it by a pixel rate which is twice of a usual rate, transfers both necessary signal charge and unnecessary charge to be ejected, and outputs them.
    インターレース方式の撮像信号を生成する際に、全画素読み出し型固体撮像素子１０１を用いて、通常の２倍の画素レートで駆動し、必要な信号電荷と排出すべき不要電荷を共に転送して出力する。 - 特許庁
  • Such a functional macromolecular solid-state electrolytic capacitor 10 produces such as this has high capacity, low impedance and low equivalent serial resistance(ESR) values, the unit production cost is low, the production process is simple, and highly reliable production characteristics are presented.
    このように製造された機能性高分子固体電解コンデンサー１０は高容量、低インピーダンスおよび低い等価直列抵抗（ＥＳＲ）値を有し、製造単価が低く、製造工程が簡単で、かつ高信頼性の製品特性を表す。 - 特許庁
  • To provide a solid-state image pickup device capable of preventing FPN based on dispersion by the characteristics of an element for composing a CDS circuit without installing any capacitive elements for phase compensation for ensuring a phase margin.
    本発明は、位相余裕を確保するための位相補償用の容量素子を設置することなく、ＣＤＳ回路を構成する素子の特性によるバラツキに基づくＦＰＮを防ぐことができる固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A sensor device 4 having a solid-state imaging element 3 mounted on a center portion of a front surface is placed on pearl balls 5 of four points so as to position each of metal junction terminals 4a on the rear surface of the sensor device 4 and each of paste-like solder materials 6a.
    表面側中央部分に固体撮像素子３が搭載されたセンサデバイス４を、センサデバイス４の裏面側の各金属接合端子４ａと、各ペイスト状半田材料６ａとをそれぞれ位置合せをして、４箇所のパールボール５上に載置する。 - 特許庁
  • To solve the problem of generation of irregularities in the surface of an image sensor due to a thick IR transmitting filter laminated in an IR picture element in a solid-state image sensing element wherein R, G, B picture elements detecting RGB color factors and IR picture element detecting infrared light factor are disposed.
    ＲＧＢ色成分を検知するＲ，Ｇ，Ｂ各画素と赤外光成分を検知するＩＲ画素とが配列された固体撮像素子において、ＩＲ画素に積層されるＩＲ透過フィルタが厚い分、撮像部表面に凹凸が生じる。 - 特許庁
  • Photodiodes constituting respective pixels, a vertical transfer unit and a horizontal transfer unit for transferring signal charge and a charge detecting unit are provided to inspect a solid-state imaging device having the beam limiting unit for the signal charge in a connecting unit, in between the horizontal transfer unit and the charge detecting unit.
    各画素を構成するフォトダイオードと、信号電荷を転送する垂直および水平転送部と、電荷検出部とを備え、水平転送部と電荷検出部の接続部に信号電荷の絞込み部を有する固体撮像装置を検査する。 - 特許庁
  • To provide a solid-state image pickup device wherein an excessive impulse that is generated in a portable apparatus or the like is not applied and the optical axis of an optical lens is prevented from becoming eccentric or a focal distance is prevented from being deviated in an initial focusing control position or the like.
    携帯機器等に生じた過大な衝撃が加わらないようにすると共に、ピントの初期調整位置等において光学レンズの光軸の偏心や焦点距離のずれが生じ無いようにする固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
  • To decrease reflection quantity of light returning from a solid-state image pickup device on an exiting face, and to obtain an image in a favorable color balance and no ghost or flare by appropriately controlling spectral characteristics of a wavelength selective filter which transmits light in a green region.
    緑色域光を透過させる波長選択フィルタの分光特性を適切に調整することにより、光射出面における固体撮像素子からの戻り光の反射量を低減させ、ゴーストやフレアがなく、色バランスの良好な画像を得る。 - 特許庁
  • In a manufacturing method of the electrolyte membrane used in a solid polymer fuel cell, a finely granulated reinforcing material P is sprayed onto a surface of an electrolyte material 11 in a fused state by a means such as a bubble jet spray nozzle 30.
    固体高分子型燃料電池で用いられる電解質膜の製造方法において、溶融状態にある電解質材料１１の表面に、微粒化された補強材Ｐをバブルジェット式噴射ノズル３０などの手段により噴射する。 - 特許庁
  • The direction of the tangential surface to a silicon crystal axis of a semiconductor substrate 10 of the solid-state imaging device 1 is mutually different about an STI layer 113a in a periphery of the charge storage part 110 and an STI layer 113b in a periphery of the charge transfer part 115.
    固体撮像装置１では、電荷蓄積部１１０の周囲のＳＴＩ層１１３ａと電荷転送部１１５の周囲のＳＴＩ層１１３ｂとで、半導体基板１０におけるシリコン結晶軸に対する接面方向が互いに異なる。 - 特許庁
  • To obtain, without the necessity of a large space, a solid-state image pickup element which prevents the deterioration of a resolution and the generation of noise without using false colors and generates no difference in luminance and the resolution from actual ones of the pickup image even if colors of an imaging object are deviated.
    偽色情報を用いず、被写体の色が偏っていても撮像画像の輝度や解像度に実際との差異が生ずることがなく、解像度の低下やノイズの発生のない固体撮像素子を、大きなスペースを必要とせずに実現する。 - 特許庁
  • To obtain an insulation degradation detecting method capable of detecting degradation in an insulating layer at an early stage, by directly measuring the state of degradation in the solid insulation layer of an electric apparatus, and an insulation life predicting method capable of predicting the life (remaining life) of the insulating layer.
    電気機器の固体形状の絶縁層の劣化状態を直接測定し、絶縁層の劣化を早期に検出できる絶縁劣化検出方法および絶縁層の寿命（余寿命）を予測できる絶縁寿命予測方法を得る。 - 特許庁
  • To provide a comparator in which the amount of an offset and variation in the same in comparators, which result in variation in output codes, are suppressed to reduce the variation in the output codes, and to provide a method of calibrating the comparator, a solid-state imaging device, and a camera system.
    出力コードの変動をもたらす比較器のオフセットの発生量と変動を抑制することで出力コードの変動を低減することができる比較器、比較器の校正方法、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁
  • To provide an amplifying type solid-state imaging apparatus wherein the number of pixels in the columnar direction is greatly made finer in particular for suppressing a voltage drop caused on a power line attended with increase in the number of pixels, particularly, increase in the number of pixels in the columnar direction and to provide a drive method thereof and a camera.
    画素数、特に列方向の画素数の増加に伴う電源線の電圧降下を抑圧し、特に列方向の画素数が大きく微細化した増幅型固体撮像装置とその駆動方法およびカメラを提供する。 - 特許庁
  • To provide a solid state image pickup device and a camera system employing it, in which bias fluctuation suppressing effect can be enhanced for substrate current by increasing the current amplification factor hFE of the final stage emitter follower in a substrate bias circuit.
    基板バイアス回路をＣＣＤ撮像装置と同一基板上に搭載する場合に構造上制約があり、最終段のエミッタフォロワ部をラテラル型ｎｐｎトランジスタのみで構成したのでは、高い電流増幅率ｈ_FEを得ることができない。 - 特許庁
  • Signals read from CCD solid-state imaging device 1 are split by a signal-processing unit 2 into a luminance signal and a color signal, sequentially sent to a horizontally reducing filter 3 and transformed into an image signal which has been reduced in the horizontal direction at a prescribed reduction ratio.
    ＣＣＤ撮像素子１から読み出された信号は、信号処理部２によって、輝度信号と色信号に分離され、順次、水平縮小フィルタ３に送られ、所定の縮小率に水平方向に縮小された画像信号に変換される。 - 特許庁
  • A solid state imaging device is provided with: a pixel array unit 2 which consists of pixels 21, which are arranged in a matrix form of a column direction and a row direction; and latch units 62, which are prepared for every row composing the pixel array unit 2, converts the pixel values of the pixels 21 to digital pixel values, and holds the pixel values.
    画素２１が行方向及び列方向にマトリクス状に配置されてなる画素アレイ部２と、画素アレイ部２を構成する列毎に設けられ、画素２１の画素値をデジタルの画素値に変換して画素値を保持するラッチ部６２を備えた。 - 特許庁
  • To provide an imaging apparatus of which the cost can be reduced by reducing the storage capacity of a memory by reading an image of an imaging range corresponding to zoom magnification from a solid-state image pickup element at the time of digital zooming, and to provide an imaging method.
    デジタルズーム時には、ズーム倍率に応じた撮像範囲の画像を固体撮像素子から読み出すことによりメモリの記憶容量を低減し、これにより撮像装置のコストを低減することができる撮像装置および撮像方法を提供する。 - 特許庁
  • In this line sensor, a solid-state light-emitting element 140 and a photoelectric conversion element 110 are integrally structured on a transparent glass base 100 and the plural photoelectric conversion elements 110 are laid out linearly thereon.
    固体発光素子１４０と光電変換素子１１０とを透明ガラス基板１００上で一体化構造として、この光電変換素子１１０を複数個直線状に形成して配置したラインセンサとしたことによって課題を解決する。 - 特許庁
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